JP2009282608A - 座標検出装置及び座標検出方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁体からなる四角形状の基板上に形成された抵抗膜と、抵抗膜に電圧を印加するための電源と、電源と接続されている四隅の抵抗膜上に設けられた4個の電極と、電源と各々の電極との間に設けられた4個のスイッチと、各々の電極に流れる電流を測定するための4個の電流測定器と、抵抗膜と接触させることにより抵抗膜における接触位置座標を検出するため接地されている導電膜を有し、スイッチの開閉を行うことにより、4個の電極に順次電圧を印加し、抵抗膜と前記導電膜と接触させ、電極に接続されている4個の電流測定器により順次各々の電流値を測定し、各々の電流値に基づき得られた抵抗値により、各々の電極と抵抗膜と導電膜との接触位置を検出することを特徴とする座標検出装置を提供することにより上記課題を解決する。
【選択図】図1
Description
前記算出された抵抗値より、前記抵抗膜と前記導電膜との一点または二点の接触位置を算出する工程と、を有することを特徴とする。
第1の実施の形態は、二点で接触させた場合においても座標位置を検出することが可能な、座標検出装置と座標検出方法に関するものである。
本実施の形態における座標検出装置について、具体的に図1、図2に基づき説明する。図1は、本実施の形態における座標検出装置の斜視図であり、図2は、断面図である。
次に、図3に基づき本実施の形態における座標検出方法について説明する。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第1の実施の形態における座標検出装置を用いて、より高い精度の位置検出を行う座標検出方法である。即ち、通常、座標検出装置をタッチパネルとして使用する場合には、指等による接触により、接触させた位置の位置検出を行う。指等による接触により位置検出を行う場合において、二点同時に接触するケースは、極めて少なく、どちらか一方が先に接触し、他方は少し遅れて接触する場合が大半である。
R1L=(R1×R1F)/(R1F−R1)
R2L=(R2×R2F)/(R2F−R2)
R3L=(R3×R3F)/(R3F−R3)
R4L=(R4×R4F)/(R4F−R4)
このようにして得られた抵抗値R1L、R2L、R3L、R4Lに基づき、第1の実施の形態におけるステップ120と同様の方法により、角度α2を得ることができ、第2の接触位置102の座標位置を算出することができる。これにより、第1の接触位置101と第2の接触位置102との二点の座標位置を正確に検出することができる。
101 第2の接触位置
110 上部基板
111 透明導電膜
120 下部基板
121 透明抵抗膜
131 第1の電極
132 第2の電極
133 第3の電極
134 第4の電極
141 第1のスイッチ
142 第2のスイッチ
143 第3のスイッチ
144 第4のスイッチ
151 第1の電流計
152 第2の電流計
153 第3の電流計
154 第4の電流計
Claims (9)
- 絶縁体からなる四角形状の基板上に形成された抵抗膜と、
前記抵抗膜に電圧を印加するための電源と、
前記電源と接続されている前記基板の四隅の抵抗膜上に設けられた4個の電極と、
前記電源と各々の前記電極との間に設けられた4個のスイッチと、
各々の前記電極に流れる電流を測定するための4個の電流測定器と、
前記抵抗膜と接触させることにより前記抵抗膜における接触位置座標を検出するため接地されている導電膜と、
を有し、
前記スイッチの開閉を行うことにより、前記4個の電極に順次電圧を印加し、
前記抵抗膜と前記導電膜と接触させ、前記電極に接続されている4個の電流測定器により順次各々の電流値を測定し、
前記各々の電流値に基づき得られた抵抗値により、各々の電極と前記抵抗膜と前記導電膜との接触位置を検出することを特徴とする座標検出装置。 - 前記抵抗膜と前記導電膜との接触位置は、一点又は二点であることを特徴とする請求項1に記載の座標検出装置。
- 前記導電膜は、可視領域で透明である材料であって、前記抵抗膜のシート抵抗値に対し、低いシート抵抗値であることを特徴とする請求項1または2に記載の座標検出装置。
- 前記抵抗膜の四辺に沿うように、抵抗膜除去領域を形成したことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の座標検出装置。
- 前記導電膜は、ITO、導電ポリマー、SnO2、In2O3又はZnOを含む材料により構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の座標検出装置。
- 前記導電膜は、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ガラス、ポリオレフィン又はミクロオレフィンポリマーからなる基板上に形成されているものであることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の座標検出装置。
- 絶縁体からなる四角形状の基板上に形成された抵抗膜と、
前記抵抗膜に電圧を印加するための電源と、
前記電源と接続されている前記基板の四角の抵抗膜上に設けられた4個の電極と、
前記電源と各々の前記電極との間に設けられた4個のスイッチと、
各々の前記電極に流れる電流を測定するための4個の電流測定器と、
前記抵抗膜と接触させることにより前記抵抗膜における接触位置座標を検出するため接地されている導電膜と、
を有する座標検出装置における座標検出方法であって、
前記4つのスイッチのうち第1のスイッチのみを閉じ、前記抵抗膜に電圧を印加し、前記第1のスイッチに直列に接続された第1の電流計により電流を測定する第1の測定工程と、
前記第1のスイッチを開き、その後、前記4つのスイッチのうち第2のスイッチのみを閉じ、前記抵抗膜に電圧を印加し、前記第2のスイッチに直列に接続された第2の電流計により電流を測定する第2の測定工程と、
前記第2のスイッチを開き、その後、前記4つのスイッチのうち第3のスイッチのみを閉じ、前記抵抗膜に電圧を印加し、前記第3のスイッチに直列に接続された第3の電流計により電流を測定する第3の測定工程と、
前記第3のスイッチを開き、その後、前記4つのスイッチのうち第4のスイッチのみを閉じ、前記抵抗膜に電圧を印加し、前記第4のスイッチに直列に接続された第4の電流計により電流を測定する第4の測定工程と、
前記第1から第4の測定工程により測定された電流値により各々の抵抗値を算出する工程と、
前記算出された抵抗値より、前記抵抗膜と前記導電膜との一点または二点の接触位置を算出する工程と、
を有することを特徴とする座標検出方法。 - 前記接触位置を算出する工程において、算出された前記抵抗値のうち最も低い抵抗値の値と、前記最も低い抵抗値に対応する電極に隣接する電極におけるいずれか一方の抵抗値の値により、二点のうち一点の接触位置を算出することを特徴とする請求項7に記載の座標検出方法。
- 前記算出された各々の抵抗値に基づき、前記抵抗値の抵抗が並列に接続されている場合の合成抵抗の値を算出し、
前記合成抵抗の抵抗値の値に基づき、接触位置が一点であるか二点であるかの判別を行うことを特徴とする請求項7に記載の座標検出方法。
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