TWI384390B - 座標偵測裝置及方法 - Google Patents

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Description

座標偵測裝置及方法
本發明係關於一種座標偵測裝置及一種座標偵測方法。
觸控面板係用於電腦系統之輸入裝置的一範例。一觸控面板係安裝於一顯示器上以在該顯示器上偵測一座標位置並獲得對應於該座標位置的一偵測信號。該面板允許一直接輸入並使一使用者能夠具有一容易且直觀輸入。
已提出各種類型的觸控面板，其包括：電阻式觸控面板、光學觸控面板及電容耦合式觸控面板。其中，具有一簡單組態與控制系統的電阻式觸控面板係正在廣泛使用中。低電阻式觸控面板包括(例如)四導線、五導線及八導線式觸控面板，其中之差異在於如何在一電阻膜上配置電極。
與四導線式觸控面板及八導線式觸控面板相比，五導線式觸控面板係無邊緣滑動，此係四導線式觸控面板與八導線式觸控面板之一缺點。此係因為，在該等五導線式觸控面板中，設置於操作表面上的上部基板之一導電膜係僅用於讀取一電位。據此，該等五導線式觸控面板係用於要求具有長壽命耐久度之觸控面板的嚴苛使用環境及市場。
圖12顯示五導線電阻式觸控面板之一結構圖。五導線電阻式觸控面板1包括一上部基板11與一下部基板12。在下部基板12中，一透明電阻膜22係形成於一玻璃基板21之整個表面之上，且X軸座標偵測電極23及24與Y軸座標偵測電極25及26係設置於透明電阻膜22上。在上部基板11中，一透明電阻膜32係形成於一膜基板31上，且一座標偵測電極33係設置於透明電阻膜32之頂部上。
當將一電壓施加至X軸座標偵測電極23及24時，在下部基板12之透明電阻膜22內在X軸方向上獲得一電位分佈。此刻，偵測在下部基板12之透明電阻膜22內的電位，由此偵測其中上部基板11接觸下部基板12的一接觸點之一X座標。隨後，藉由將一電壓施加至Y軸座標偵測電極25及26，在下部基板12之透明電阻膜22內在Y軸方向上獲得一電位分佈。此刻，偵測在下部基板12之透明電阻膜22內的電位，由此偵測該接觸點之Y座標。
專利文件1揭示在偵測一座標位置中具有改良精度的此一座標偵測裝置。
[專利文件1]日本特許公開專利申請公開案第H10-83251號
專利文件1之座標偵測裝置能夠在一點處進行接觸時執行精確偵測；然而，若在兩點處進行接觸，則該座標偵測裝置不能夠區別該兩點，並因此完全無法偵測該兩個接觸點。儘管已提出用於偵測兩個接觸點之方法，但該等情況之許多者藉由劃分該透明電阻膜來解決該問題。劃分該透明電阻膜使一劃分邊界突出，從而導致降低美觀外表。此類美觀外表退化可能對於觸控面板及其他顯示面板較嚴重，並因此需要一種用於偵測兩個接觸點且不劃分該透明電阻膜之方法。
鑑於上述問題，本發明旨在提供一種甚至在兩點處進行接觸時仍能夠偵測座標位置且不損壞美觀外表之座標偵測裝置及座標偵測方法。
本發明之一態樣可能係一種座標偵測器件，其包括：一電阻膜，其係設置於由一絕緣材料製成的一個四角形基板上；一電源，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜；四個電極，其每一電極係連接至該電源並個別地設置於該電阻膜之四個角之一者內；四個開關，其每一開關係個別地設置於該電源與該等電極之一者之間；四個電流計，每一電流計係經配置為測量流過該等電極之一對應者的一電流；及一接地導電膜，其係經配置為在使該導電膜接觸該電阻膜時偵測在該電阻膜上的一接觸點之座標。藉由斷開及導通該等開關而循序施加該電壓至該等電極。當使該導電膜接觸該電阻膜時，該等電流計之每一者循序測量流過該等電極之該對應者的電流。該接觸點之該等座標係基於該等電極之位置與使用該等電流計所測量之電流所獲得的電阻而加以偵測。
本發明之另一態樣可能係一種應用於一座標偵測裝置之座標偵測方法，該座標偵測裝置包括：一電阻膜，其係設置於由一絕緣材料製成的一個四角形基板上；一電源，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜；四個電極，其包括：一第一電極、一第二電極、一第三電極及一第四電極，每一電極係連接至該電源並個別地設置於該電阻膜之四個角之一者內；四個開關，其包括：一第一開關，其係設置於該電源與該第一電極之間；一第二開關，其係設置於該電源與該第二電極之間；一第三開關，其係設置於該電源與該第三電極之間；及一第四開關，其係設置於該電源與該第四電極之間；四個電流計，其包括：一第一電流計，其係串聯連接至該第一開關並經配置為測量流過該第一電極之一第一電流；一第二電流計，其係串聯連接至該第二開關並經配置為測量流過該第二電極之一第二電流；一第三電流計，其係串聯連接至該第三開關並經配置為測量流過該第三電極之一第三電流；及一第四電流計，其係串聯連接至該第四開關並經配置為測量流過該第四電極之一第四電流；及一接地導電膜，其係經配置為在使該導電膜接觸該電阻膜時偵測在該電阻膜上的一接觸點之座標。該座標偵測方法包括：一第一測量步驟，其僅導通該第一開關，將該電壓施加至該電阻膜，並使該第一電流計測量該第一電流；一第二測量步驟，其斷開該第一開關，接著僅導通該第二開關，將該電壓施加至該電阻膜，並使該第二電流計測量該第二電流；一第三測量步驟，其斷開該第二開關，接著僅導通該第三開關，將該電壓施加至該電阻膜，並使該第三電流計測量該第三電流；一第四測量步驟，其斷開該第三開關，接著僅導通該第四開關，將該電壓施加至該電阻膜，並使該第四電流計測量該第四電流；一第一計算步驟，其計算電阻，該等電阻之每一者係基於該第一電流、該第二電流、該第三電流及該第四電流之一者而個別地獲得；及一第二計算步驟，其基於該等計算電阻而計算在該電阻膜上的一單一接觸點或兩個接觸點之座標。
接下來解釋用於實行本發明之最佳模式的具體實施例。該等具體實施例係關於一種座標偵測裝置。
(a)第一具體實施例
該第一具體實施例係關於在一種甚至在兩點處進行接觸時仍能夠偵測座標位置之座標偵測裝置及一種座標偵測方法。
[座標偵測裝置]
參考圖1及2來明確解釋依據本具體實施例之座標偵測裝置。圖1及2分別係本具體實施例之座標偵測裝置之一透視圖及一斷面圖。
依據本發明之座標偵測裝置包括一上部基板110與一下部基板120。上部基板110係透射可見光的一矩形、撓性透明基板並在與下部基板120相對的一表面上具有透射可見光並具有導電性質的一透明導電膜111。另一方面，下部基板120係透射可見光的一矩形透明基板並在與上部基板110相對的一表面上具有透射可見光的一透明電阻膜121。應注意，上部基板110與下部基板120係未顯示於圖1中。
用於將一電壓施加至透明電阻膜121之四個電極係設置於在下部基板120上的透明電阻膜121之四個角內。明確而言，一第一電極131、一第二電極132、一第三電極133及一第四電極134係設置於透明電阻膜121之四個角內。對於該四個電極之每一者，一開關係提供用於控制將一電壓施加至該電極。明確而言，一第一開關141、一第二開關142、一第三開關143及一第四開關144係分別連接至第一電極131、第二電極132、第三電極133及第四電極134。此外，對於每一電極，作為一電流測量裝置的一電流計係提供用於測量流過該電極之電流。即，一第一電流計151、一第二電流計152、一第三電流計153及一第四電流計154係分別連接至對應開關141至144。每一電流計151至154係連接至用於施加一電壓Vo的一電源。
依據本發明之座標偵測裝置，下部基板120與上部基板110在採用一指狀物或其類似物來按壓接地的上部基板110時彼此接觸。即，下部基板120之透明電阻膜121與上部基板110之透明導電膜111彼此接觸，藉此在下部基板120之透明電阻膜121上的接觸點處的一電位變成0[V]。一電壓係從具有電壓Vo之電源施加，且流過每一電流計151至154之電流之量係測量以偵測該接觸點。圖1解說在兩點處的接觸，且更明確而言，抽象代表在一第一接觸點101與一第二接觸點102處的接觸。
為了偵測此類接觸點，上部基板110之透明導電膜111具有低於下部基板120之透明電阻膜121之薄片電阻的一薄片電阻。即，為了使在下部基板120之透明電阻膜121上的接觸點處的電位儘可能靠近0[V]，必需降低上部基板110之透明導電膜111之電阻。基於本發明者之經驗，透明導電膜111之薄片電阻需要係透明電阻膜121之薄片電阻之1/10或小於其。本發明者根據其經驗已發現，若未滿足此條件，則本具體實施例之座標偵測裝置使一顯著偵測精度降低且因此無法執行接觸點偵測。
為了實現以上功能，透明導電膜111係由一材料製成，該材料包括氧化銦錫(ITO)、一導電聚合物、SnO2 、In2 O3 或ZnO，其全部均係在可見範圍內透明。此外，為了藉由採用一指狀物或其類似物按壓上部基板110而允許該上部基板之透明導電膜111與下部基板120之透明電阻膜121彼此接觸，上部基板110需要由一撓性材料製成。明確而言，上部基板110可由(例如)聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、玻璃、聚烯烴或微烯烴聚合物製成。
[座標偵測方法]
接下來參考圖1來說明本具體實施例之座標偵測方法。
下列說明一情況，其中在以上所說明之座標偵測裝置中，在第一接觸點101及第二接觸點102之兩點處進行接觸。也就是說，採用指狀物或其類似物而在上部基板110上按壓兩點，藉此在第一接觸點101及第二接觸點102處使上部基板110之透明導電膜111與下部基板120之透明電阻膜121彼此接觸。
首先，在步驟S102中，將電壓Vo施加至第一電極131。明確而言，如圖4中所解說，僅開啟第一開關141，同時關閉第二開關142、第三開關143及第四開關144。依此方式，具有電壓Vo的電源係經由第一電流計151而連接至第一電極131。
此刻，上部基板110之透明導電膜111與下部基板120之透明電阻膜121係在兩點101及102處彼此接觸，且透明導電膜111係接地。據此，來自具有電壓Vo之電源的電流經由第一電流計151來流過第一電極131，接著流過第一接觸點101並流過第二接觸點102並最終至透明導電膜111。
接下來在步驟S104中，測量流過第一電流計151之電流I1之量。嚴格來說，第一電流計151所偵測之電流值係從第一電極131流動至第一接觸點101之電流與從第一電極131流動至第二接觸點102之電流之和。然而，在該兩個電流中，流動至更靠近第一電極131之一接觸點的電流變得佔主導，並相應地在此情況下，流過第一接觸點101之電流變得佔主導，如圖4中所示。因此，此處，忽略流過第二接觸點102之電流且假定第一電流計151所測量之電流I1係流過第一接觸點101之電流。如稍後所說明，即使採用此一假定，仍足夠確保該座標偵測裝置之功能。因而，電流I1係視為在第一電極131與第一接觸點101之間流過透明電阻膜121之電流。如以下所說明，使用該電源之電壓Vo與第一電流計151所測量之電流I1，計算在第一電極131與第一接觸點101之間的透明電阻膜121之一電阻R1。
應注意，依據本具體實施例之座標偵測裝置係用於一觸控面板或其類似物內，且係設計以採用一指狀物或其類似物而加以按壓。據此，該座標偵測裝置不必在點偵測中具有極端精度，且若其能夠偵測一粗略接觸位置時功能上便足夠。因此，在兩點處進行接觸之情況下，甚至在假定電流僅經由具有一佔主導電流流動之一接觸點而流動時，該座標偵測裝置仍足夠完成其功能。
接下來在步驟S106中，將電壓Vo施加至第二電極132。明確而言，如圖5中所解說，僅開啟第二開關142，同時關閉第一開關141、第三開關143及第四開關144。依此方式，具有電壓Vo的電源係經由第二電流計152而連接至第二電極132。
此刻，上部基板110之透明導電膜111與下部基板120之透明電阻膜121係在兩點101及102處彼此接觸，且透明導電膜111係接地。據此，來自具有電壓Vo之電源的電流經由第二電流計152來流過第二電極132，接著流過第一接觸點101並流過第二接觸點102並最終流至透明導電膜111。
接下來在步驟S108中，測量流過第二電流計152之電流I2之量。嚴格來說，第二電流計152所偵測之電流值係從第二電極132流動至第一接觸點101之電流與從第二電極132流動至第二接觸點102之電流之和。然而，在該兩個電流中，流動至更靠近第二電極132之一接觸點的電流變得佔主導，並相應地在此情況下，流過第一接觸點101之電流變得佔主導，如圖5中所示。因此，此處，忽略流過第二接觸點102之電流且假定第二電流計152所測量之電流I2係流過第一接觸點101之電流。如以上所說明，即使採用此一假定，仍足夠確保該座標偵測裝置之功能。因而，電流I2係視為在第二電極132與第一接觸點101之間流過透明電阻膜121之電流。如以下所說明，使用該電源之電壓Vo與第二電流計152所測量之電流I2，計算在第二電極132與第一接觸點101之間的透明電阻膜121之一電阻R2。
接下來在步驟S110中，將電壓Vo施加至第三電極133。明確而言，如圖6中所解說，僅開啟第三開關143，同時關閉第一開關141、第二開關142及第四開關144。依此方式，具有電壓Vo的電源係經由第三電流計153而連接至第三電極133。
此刻，上部基板110之透明導電膜111與下部基板120之透明電阻膜121係在兩點101及102處彼此接觸，且透明導電膜111係接地。據此，來自具有電壓Vo之電源的電流經由第三電流計153而流過第三電極133，接著流過第一接觸點101並流過第二接觸點102並最終流至透明導電膜111。
接下來在步驟S112中，測量流過第三電流計153之電流I3之量。嚴格來說，第三電流計153所偵測之電流值係從第三電極133流動至第一接觸點101之電流與從第三電極133流動至第二接觸點102之電流之和。然而，在該兩個電流中，流動至更靠近第三電極133之一接觸點的電流變得佔主導，並相應地在此情況下，流過第二接觸點102之電流變得佔主導，如圖6中所示。因此，此處，忽略流過第一接觸點101之電流且假定第三電流計153所測量之電流I3係流過第二接觸點102之電流。如以上所說明，即使採用此一假定，仍足夠確保該座標偵測裝置之功能。因而，電流I3係視為在第三電極133與第二接觸點102之間流過透明電阻膜121之電流。如以下所說明，使用該電源之電壓Vo與第三電流計153所測量之電流I3，計算在第三電極133與第二接觸點102之間的透明電阻膜121之一電阻R3。
接下來在步驟S114中，將電壓Vo施加至第四電極134。明確而言，如圖7中所解說，僅開啟第四開關144，同時關閉第一開關141、第二開關142及第三開關143。依此方式，具有電壓Vo的電源係經由第四電流計154而連接至第四電極134。
此刻，上部基板110之透明導電膜111與下部基板120之透明電阻膜121係在兩點101及102處彼此接觸，且透明導電膜111係接地。據此，來自具有電壓Vo之電源的電流經由第四電流計154而流過第四電極134，接著流過第一接觸點101並流過第二接觸點102並最終流至透明導電膜111。
接下來在步驟S116中，測量流過第四電流計154之電流14之量。嚴格來說，第四電流計154所偵測之電流值係從第四電極134流動至第一接觸點101之電流與從第四電極134流動至第二接觸點102之電流之和。然而，在該兩個電流中，流動至更靠近第四電極134之一接觸點的電流變得佔主導，並相應地在此情況下，流過第二接觸點102之電流變得佔主導，如圖7中所示。因此，此處，忽略流過第一接觸點101之電流且假定第四電流計154所測量之電流I4係流過第二接觸點102之電流。如以上所說明，即使採用此一假定，仍足夠確保該座標偵測裝置之功能。因而，電流I4係視為在第四電極134與第二接觸點102之間流過透明電阻膜121之電流。如以下所說明，使用該電源之電壓Vo與第四電流計154所測量之電流I4，計算在第四電極134與第二接觸點102之間的透明電阻膜121之一電阻R4。
接下來在步驟S118中，使用該等測量電流而計算該等電阻。明確而言，使用第一電流計151所測量之電流I1，電阻R1係由下列等式而加以計算：R1=Vo/I1。類似地，電阻R2係使用第二電流計152所測量之電流I2由R2=Vo/I2而加以計算；電阻R3係使用第三電流計153所測量之電流I3由R3=Vo/I3而加以計算；電阻R4係使用第四電流計154所測量之電流I4由R4=Vo/I4而加以計算。
接下來在步驟S120中，使用在步驟S118中所獲得之電阻而計算第一接觸點101與第二接觸點102之座標位置。即，流過第一接觸點101的電流係I1與I2，並因此基於電阻R1及R2而計算第一接觸點101之座標位置。
明確而言，事先，一電流係在第一電極131與第二電極132之間傳遞，且在第一電極131與第二電極132之間的一電阻R12係使用該流動電流之一值而加以測量。應注意，在第一電極131之邊緣與第二電極132之邊緣之間的一距離L12係在製造本具體實施例之座標偵測裝置時指定。
在透明電阻膜121之電阻與該電流行進之距離之間存在一相關性。即，該電流行進之距離係與在該距離之上的電阻成比例。因此，在第一電極131與第一接觸點101之間的一距離L1可基於電阻R12、在第一電極131與第二電極132之間的距離L12及電阻R1而獲得。並且，在第二電極132與第一接觸點101之間的一距離L2可基於電阻R12、在第一電極131與第二電極132之間的距離L12及電阻R2而獲得。
明確而言，如圖8中所示，用於L1、L2及L12之值可依據L1=(L12/R12)xR1與L2=(L12/R12)xR2而獲得。隨後，使用餘弦定律而獲得在L1與L2之間的一角度α1，藉此計算第一接觸點101之座標位置。
類似地，事先，一電流係在第三電極133與第四電極134之間傳遞，且在第三電極133與第四電極134之間的一電阻R34係使用該流動電流之一值而加以測量。應注意，在第三電極133之邊緣與第四電極134之邊緣之間的一距離L34係在製造本具體實施例之座標偵測裝置時指定。
在第三電極133與第二接觸點102之間的一距離L3可基於電阻R34、在第三電極133與第四電極134之間的距離L34及電阻R3而獲得。並且，在第四電極134與第二接觸點102之間的一距離L4可基於電阻R34、在第三電極133與第四電極134之間的距離L34及電阻R4而獲得。
明確而言，如圖8中所示，用於L3、L4及L34之值可依據L3=(L34/R34)xR3與L4=(L34/R34)xR4而獲得。隨後，使用餘弦定律而獲得在L3與L4之間的一角度α2，藉此計算第二接觸點102之座標位置。
藉由重複步驟S102至S120，可連續地偵測兩個接觸點。應注意，依據本具體實施例，不僅在兩點處進行接觸時，而且在一單一點處進行接觸時，藉由相同方法而偵測接觸點之座標位置。在此情況下，從第一電極131、第二電極132、第三電極133及第四電極134中，選擇兩個電極，每一電極具有一更高電流值，即具有一更低電阻值。使用一使用該兩個電阻值所計算的距離，依據餘弦定律而獲得一角度。依此方式，還可在一單一點處進行接觸時計算接觸點之座標位置。
用於選擇具有更低電阻之電極的原因在於此類電極係靠近接觸點而定位，並因此有助於高精度點偵測。特定言之，具有最低電阻的一電極係最靠近接觸點而定位並因此有助於甚至更高的精度點偵測。在此情況下，欲在具有最低電阻之電極之後隨後選擇的一電極係相鄰該最低電阻電極之電極之任一者，且其電阻值係用於以上計算。此係因為，一般且言，情況時常係一接觸點係偏離該座標偵測裝置之中心而定位，且在其中該接觸點係靠近該最低電阻電極而定位的情況下，相鄰該最低電阻電極之該等電極之任一者也靠近該接觸點。
依據本具體實施例，可決定是否在一單一點或兩點處進行接觸。明確而言，在依據以上座標偵測方法而計算每一電阻之後，計算該等電阻值之倒數之和。即，一組合電阻係基於電阻R1、R2、R3及R4係並聯連接的一假定而加以計算。在兩點處進行接觸的情況下，與其中在一單一點處進行接觸的情況相比，該組合電阻係較低，並落於用於一單一點接觸之組合電阻範圍之下。據此，可基於該組合電阻值而決定是否在一單一點或兩點處進行接觸。
應注意，在本具體實施例中，該透明電阻膜係由ITO製成；然而，可使用一材料而實現一類似效果，該材料在可見範圍內透明並包括氧化銦、氧化錫或氧化鋅。此外，如圖9中所解說，一電阻膜移除區域150可形成於從在兩個相鄰電極之間的一線向內偏移的一區內以便為在第一電極131與第二電極132之間的電阻R12、在第二電極132與第三電極133之間的一電阻R23、在第三電極133與第四電極134之間的電阻R34及在第四電極134與第一電極131之間的一電阻41獲得更準確值。據此，在兩個相鄰電極之間的電流以一線性方式而流動，且可獲得在該等電極之間的一精確電阻。
(b)第二具體實施例
接下來說明該第二具體實施例。本具體實施例係關於一種使用該第一具體實施例之座標偵測裝置以用於更高精度點偵測之座標偵測方法。一般而言，當該座標偵測裝置係用作一觸控面板時，偵測採用一指狀物或其類似物進行接觸所處的一點。在其中採用一指狀物或其類似物進行接觸的情況下，存在同時在兩點處進行接觸的極少情況，且在許多情況下，在該第一接觸後面的一點進行該第二接觸。
因此，可藉由偵測該第一接觸點，並接著基於該第一接觸點之資訊與隨後測量結果而偵測該第二接觸點而採用更高精度偵測兩點。
明確而言，在第一接觸點101處進行第一接觸並在第二接觸點102處進行第二接觸的情況下，第一接觸點101之座標位置係藉由依據該第一具體實施例之座標偵測方法(第一測量)而加以偵測。隨後，在第二接觸點102處進行第二接觸之後，第二接觸點102之座標位置係依據該第一具體實施例之座標偵測方法(第二測量)而加以偵測，並接著計算該等電阻。
在一觸控面板上的一般操作中，情況時常係在第二接觸點102處進行第二接觸時的時間第一接觸並不從第一接觸點101大幅偏移。即使第一接觸偏移，可藉由立即在第二接觸之前實行該第一測量而維持精度。因此，可使用用於計算第一接觸點101之座標位置的該等電阻(該第一測量之電阻)與該第二測量所獲得之該等電阻而偵測第二接觸點102之座標位置。
參考圖10及11來解釋該些程序。
如圖10中所示，在其中僅在第一接觸點101處先進行接觸的情況下，依據上述第一測量而獲得下列電阻：從第一電極131至第一接觸點101的透明電阻膜121之一電阻R1F；從第二電極132至第一接觸點101的透明電阻膜121之一電阻R2F；從第三電極133至第一接觸點101的透明電阻膜121之一電阻R3F；及從第四電極134至第一接觸點101的透明電阻膜121之一電阻R4F。如以上在該第一具體實施例中所說明，從該些電阻中，選擇兩個最低電阻，並基於該等選定電阻而獲得角度α1。據此，偵測第一接觸點101之座標位置。
如圖11中所示，假定接著在第二接觸點102處進行接觸。也就是說，在兩點(即第一接觸點101與第二接觸點102)處進行接觸。此刻，該第二測量係實行以獲得透明電阻膜121之一組合電阻R1G，其係從第一電極131至第一接觸點101之電阻與從第一電極131至第二接觸點102之電阻之和；透明電阻膜121之一組合電阻R2G，其係從第二電極132至第一接觸點101之電阻與從第二電極132至第二接觸點102電阻之和；透明電阻膜121之一組合電阻R3G，其係從第三電極133至第一接觸點101之電阻與從第三電極133至第二接觸點102之電阻之和；及透明電阻膜121之一組合電阻R4G，其係從第四電極134至第一接觸點101之電阻與從第四電極134至第二接觸點102之電阻之和。
此處，從第一電極131至第二接觸點102的透明電阻膜121之電阻係表示為R1L；從第二電極132至第二接觸點102的透明電阻膜121之電阻係表示為R2L；從第三電極133至第二接觸點102的透明電阻膜121之電阻係表示為R3L；且從第四電極134至第二接觸點102的透明電阻膜121之電阻係表示為R4L。可假定以上組合電阻並聯連接，且電阻R1L至R4L係由下列等式而獲得：
R1L=(R1xR1F)/(R1F-R1)；
R2L=(R2xR2F)/(R2F-R2)；
R3L=(R3xR3F)/(R3F-R3)；以及
R4L=(R4xR4F)/(R4F-R4)。
基於所獲得的電阻R1L至R4L，角度α2係藉由與該第一具體實施例之步驟S120相同的程序而獲得，並計算第二接觸點102之座標位置。依此方式，偵測兩點101及102之座標位置。
應注意，在本具體實施例中，需要鑑於直至在第一接觸點101之後在第二接觸點102處進行接觸為止所花費之時間而決定用於第一電極131、第二電極132、第三電極133及第四電極134之電壓施加循環。
總而言之，依據本發明之一態樣，甚至在兩點處進行接觸時，仍可偵測每一接觸點之一座標位置。
雖然以上已說明本發明之具體實施例，但應明白，每一具體實施例僅係一範例且並不希望本發明受該等解說性具體實施例所限制。
此專利申請案係基於2008年5月20日所申請之日本優先專利申請案第2008-131940號，其全文係以引用方式併入本文內。
1．．．五導線電阻式觸控面板
11．．．上部基板
12．．．下部基板
21．．．玻璃基板
22．．．透明電阻膜
23．．．X軸座標偵測電極
24．．．X軸座標偵測電極
25．．．Y軸座標偵測電極
26．．．Y軸座標偵測電極
31．．．膜基板
32．．．透明電阻膜
33．．．座標偵測電極
101．．．第一接觸點
102．．．第二接觸點
110．．．上部基板
111．．．透明導電膜
120．．．下部基板
121．．．透明電阻膜
131．．．第一電極
132．．．第二電極
133．．．第三電極
134．．．第四電極
141．．．第一開關
142．．．第二開關
143．．．第三開關
144．．．第四開關
150．．．電阻膜移除區域
151．．．第一電流計
152．．．第二電流計
153．．．第三電流計
154．．．第四電流計
圖1係該第一具體實施例之一座標偵測裝置之一透視圖；
圖2係該第一具體實施例之座標偵測裝置之一斷面圖；
圖3係該第一具體實施例之一座標偵測方法之一流程圖；
圖4係解說依據該第一具體實施例之座標偵測方法之一偵測程序的一示意圖(1)；
圖5係解說依據該第一具體實施例之座標偵測方法之一偵測程序的一示意圖(2)；
圖6係解說依據該第一具體實施例之座標偵測方法之一偵測程序的一示意圖(3)；
圖7係解說依據該第一具體實施例之座標偵測方法之一偵測程序的一示意圖(4)；
圖8係解說該第一具體實施例之座標偵測方法之程序的一正視圖；
圖9係解說該第一具體實施例之座標偵測裝置之一修改的一正視圖；
圖10係解說依據該第二具體實施例之座標偵測裝置之一偵測程序的一示意圖(1)；
圖11係解說依據該第二具體實施例之座標偵測裝置之一偵測程序的一示意圖(2)；及
圖12顯示五導線電阻式觸控面板之一結構。
101．．．第一接觸點
102．．．第二接觸點
111．．．透明導電膜
121．．．透明電阻膜
131．．．第一電極
141．．．第一開關
142．．．第二開關
143．．．第三開關
151．．．第一電流計
144．．．第四開關

Claims (9)

  1. 一種座標偵測裝置，其包含：一電阻膜，其係設置於由一絕緣材料製成的一個四角形基板上；一電源，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜；四個電極，每一電極係連接至該電源且個別地設置於該電阻膜之四個角之一者內；四個開關，每一開關係個別地設置於該電源與該等電極之一者之間；四個電流計，每一電流計係經配置為測量流過該等電極中之一對應電極之一電流；及一接地導電膜，其係經配置為在使該導電膜接觸該電阻膜時偵測在該電阻膜上的一接觸點之座標；其中藉由斷開及導通該等開關而循序施加該電壓至該等電極，當使該導電膜接觸該電阻膜時，該等電流計之各個循序測量流過該等電極中之該對應電極之該電流，且該接觸點之該等座標係基於該等電極之位置與使用該等電流計所測量之電流所獲得的電阻而加以偵測。
  2. 如請求項1之座標偵測裝置，其中在該導電膜與該電阻膜之間的接觸係在該電阻膜上的一單一點或兩點處進行。
  3. 如請求項1之座標偵測裝置，其中該導電膜係由在一可見光範圍內透光之一材料製成，且相比於該電阻膜之一 薄片電阻，具有一低薄片電阻。
  4. 如請求項1之座標偵測裝置，其中從該基板移除了該電阻膜之一電阻膜移除區係沿該電阻膜之四側而設置。
  5. 如請求項1之座標偵測裝置，其中該導電膜係由一材料製成，該材料包括氧化銦錫(ITO)、一導電聚合物、SnO2 、In2 O3 及ZnO之一者。
  6. 如請求項1之座標偵測裝置，其中該導電膜係設置於一基板上，該基板係由聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、玻璃、聚烯烴及一微烯烴聚合物之一者製成。
  7. 一種應用於一座標偵測裝置之座標偵測方法，該座標偵測裝置包括：一電阻膜，其係設置於由一絕緣材料製成的一個四角形基板上；一電源，其係經配置為將一電壓施加至該電阻膜；四個電極，其包括：一第一電極，一第二電極、一第三電極及一第四電極，每一電極係連接至該電源並個別地設置於該電阻膜之四個角之一者內；四個開關，其包括：一第一開關，其係設置於該電源與該第一電極之間；一第二開關，其係設置於該電源與該第二電極之間；一第三開關，其係設置於該電源與該第三電極之間；及一第四開關，其係設置於該電源與該第四電極之間；四個電流計，其包括：一第一電流計，其係串聯連接至該第一開關並經配置為測量流過該第一電極之一第一 電流；一第二電流計，其係串聯連接至該第二開關並經配置為測量流過該第二電極之一第二電流；一第三電流計，其係串聯連接至該第三開關並經配置為測量流過該第三電極之一第三電流；及一第四電流計，其係串聯連接至該第四開關並經配置為測量流過該第四電極之一第四電流；及一接地導電膜，其係經配置為在使該導電膜接觸該電阻膜時偵測在該電阻膜上的一接觸點之座標；該座標偵測方法包含：一第一測量步驟，其僅導通該第一開關，將該電壓施加至該電阻膜，並使該第一電流計測量該第一電流；一第二測量步驟，其斷開該第一開關，接著僅導通該第二開關，將該電壓施加至該電阻膜，並使該第二電流計測量該第二電流；一第三測量步驟，其斷開該第二開關，接著僅導通該第三開關，將該電壓施加至該電阻膜，並使該第三電流計測量該第三電流；一第四測量步驟，其斷開該第三開關，接著僅導通該第四開關，將該電壓施加至該電阻膜，並使該第四電流計測量該第四電流；一第一計算步驟，其計算電阻，該等電阻之各個係各自基於該第一電流、該第二電流、該第三電流及該第四電流之一者而獲得；及 一第二計算步驟，其基於該等計算出之電阻而計算在該電阻膜上的一單一接觸點或兩個接觸點之該等座標。
  8. 如請求項7之座標偵測方法，其中在該第二計算步驟中，該單一接觸點之該等座標係基於自該等計算出之電阻中的兩個電阻而加以計算，該兩個電阻包括一最低電阻及與對應於該最低電阻之電極相鄰之電極之一者所對應之一電阻。
  9. 如請求項7之座標偵測方法，其中計算並聯連接的該等計算出之電阻之組合電阻，並基於該組合電阻而判定在該導電膜與該電阻膜之間的接觸是在該電阻膜上的一單一點或兩點處進行。
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