JP2009277485A - Si/C複合体型負極活物質の製造方法 - Google Patents

Si/C複合体型負極活物質の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】本発明は、不可逆容量の発生を抑制したSi/C複合体型負極活物質を得ることができるSi/C複合体型負極活物質の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、Si材料およびLi材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Si材料の粒子表面を上記Li材料で被覆したLi/Si材料を形成するLi/Si材料形成工程と、上記Li/Si材料および炭素材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Li/Si材料の粒子表面を上記炭素材料で被覆したC/Li/Si材料を形成するC/Li/Si材料形成工程と、上記C/Li/Si材料を焼成し、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体型負極活物質を合成する焼成工程と、を有することを特徴とするSi/C複合体型負極活物質の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。
【選択図】図1

Description

本発明は、不可逆容量の発生を抑制したSi/C複合体型負極活物質を得ることができるSi/C複合体型負極活物質の製造方法に関する。
近年におけるパソコン、ビデオカメラおよび携帯電話等の情報関連機器や通信機器等の急速な普及に伴い、その電源として利用される電池の開発が重要視されている。また、自動車産業界等においても、電気自動車用あるいはハイブリッド自動車用の高出力かつ高容量の電池の開発が進められている。現在、種々の電池の中でも、エネルギー密度が高いという観点から、リチウム二次電池が注目を浴びている。
リチウム二次電池に用いられる負極は、通常、負極集電体と、その負極集電体上に形成された負極層とを有する。負極集電体には、例えばCu箔等の金属集電体が用いられる。一方、負極集電体は、通常、負極活物質を含有するものである。負極活物質としては、例えばカーボン系負極活物質および金属系負極活物質等が知られている。一般的に、金属系負極活物質は、カーボン系負極活物質と比較して、理論容量が大きいという利点を有する。その反面、Liの挿入・脱離に伴う体積変化が大きいため、負極層の割れ、負極活物質の滑落や微粉化等が生じやすく、サイクル特性が悪いという問題があった。
このような問題に対して、金属および炭素の複合体を負極活物質として用いることが知られている。例えば特許文献1においては、微細なSi相、シリコン酸化物、炭素質物の三相を含む複合体を用いた負極活物質が開示されている。この複合体は、炭素質物に、微細なSi相を含むシリコン酸化物が分散したものである。このような構造は、Liの挿入・脱離に伴うSiの体積変化を緩和することができ、負極層の割れ等を抑制することができる。
一方、金属負極活物質を用いた負極層の表面に、炭酸リチウムを含む被膜を形成する被覆する技術が知られている。例えば特許文献2においては、Liと合金を形成可能なケイ素等の単体、合金および化合物からなる群のうち少なくとも1種を含んでいる負極活物質層表面の少なくとも一部に炭酸リチウムを含む被膜を備える負極が開示されている。この技術は、負極活物質層の表面に、炭酸リチウムを含む被膜を設けることにより、負極活物質の表面に形成される酸化リチウムや水酸化リチウム等の量を少なくし、電池内部のインピーダンスの上昇を抑制するものである。
特開2006−92969号公報 特開2005−216601号公報 特開2005−063767号公報 特開2005−149957号公報 特開2007−265751号公報
しかしながら、上述した微細なSi相、シリコン酸化物(SiO)、炭素質物の三相を含む複合体を負極活物質として用いた場合には、次のような問題がある。すなわち、複合体に含まれるSi相は、負極活物質としてLiと可逆的に反応するものの、SiOは下記式(1)のようにLiと不可逆的に反応するという問題がある(下記式(1)において、化学量論比は考慮しないものとする)。
SiO(0<x≦2)+Li → Si+LiO …式(1)
LiOが可逆性を有しないため、SiOによる不可逆容量が発生し、充放電効率が低くなるという問題がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、不可逆容量の発生を抑制したSi/C複合体型負極活物質を得ることができるSi/C複合体型負極活物質の製造方法を提供することを主目的とする。
上記目的を達成するために、本発明においては、Si材料およびLi材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Si材料の粒子表面を上記Li材料で被覆したLi/Si材料を形成するLi/Si材料形成工程と、上記Li/Si材料および炭素材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Li/Si材料の粒子表面を上記炭素材料で被覆したC/Li/Si材料を形成するC/Li/Si材料形成工程と、上記C/Li/Si材料を焼成し、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体型負極活物質を合成する焼成工程と、を有することを特徴とするSi/C複合体型負極活物質の製造方法を提供する。
本発明によれば、Li材料を用いてSiO相を消失させるため、SiOによる不可逆反応の発生を抑制したSi/C複合体型負極活物質を得ることができる。このSi/C複合体型負極活物質を用いることにより、特に初回の充放電効率に優れたリチウム二次電池等を得ることができる。
上記発明においては、上記Si材料が、SiOであることが好ましい。Si相およびSiO層の量的関係を好ましい比率とすることができるからである。
上記発明においては、上記Li材料が、LiCOであることが好ましい。焼成時に不要な副反応生成物が生じにくいからである。
上記発明においては、上記Li/Si材料形成工程および上記C/Li/Si材料形成工程での機械的エネルギー付与手段が、ボールミルであることが好ましい。Si材料へのLi材料の被覆、およびLi/Si材料への炭素材料の被覆を容易に行うことができるからである。
本発明においては、SiOによる不可逆容量の発生を抑制することができ、特に初回の充放電効率に優れたSi/C複合体型負極活物質を得ることができるという効果を奏する。
本発明のSi/C複合体型負極活物質の製造方法について、以下詳細に説明する。
本発明のSi/C複合体型負極活物質の製造方法は、Si材料およびLi材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Si材料の粒子表面を上記Li材料で被覆したLi/Si材料を形成するLi/Si材料形成工程と、上記Li/Si材料および炭素材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Li/Si材料の粒子表面を上記炭素材料で被覆したC/Li/Si材料を形成するC/Li/Si材料形成工程と、上記C/Li/Si材料を焼成し、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体型負極活物質を合成する焼成工程と、を有することを特徴とするものである。
本発明によれば、Li材料を用いてSiO相を消失させるため、SiOによる不可逆反応の発生を抑制したSi/C複合体型負極活物質を得ることができる。このSi/C複合体型負極活物質を用いることにより、特に初回の充放電効率に優れたリチウム二次電池等を得ることができる。なお、Li材料がSiO相を消失する推定メカニズムについては後述する。
また、本発明においては、まずSi材料の粒子表面にLi材料を被覆してLi/Si材料を形成し、次に、Li/Si材料の粒子表面に炭素材料を被覆してC/Li/Si材料を形成する。その後、この3層構成の材料を焼成することにより、Si/C複合体型負極活物を作製する。一方、本発明とは異なるSi/C複合体型負極活物質の製造方法として、Si材料、Li材料および炭素材料を、遊星ボールミル等でまとめて混合し、得られた原料組成物を焼成することにより、Si/C複合体型負極活物を作製する方法を考えることができる。
このように、Si材料、Li材料および炭素材料をまとめて混合する方法では、焼成の際にLi材料が溶解して炭素材料またはSi材料に付着することで、Si材料と炭素材料との距離が離れてしまい、複合化が効率良く生じない可能性が考えられる。これに対して、本発明のように、C/Li/Si材料を用いることで、焼成の際にLi材料が溶解した場合であっても、Si材料と炭素材料との距離を維持することができるため、複合化を効率良く行うことができるという利点を有する。
図1は、本発明のSi/C複合体型負極活物質の製造方法の一例を説明するフローチャートである。図1に示されるSi/C複合体型負極活物質の製造方法においては、まずSiO(一酸化ケイ素、Si材料)およびLiCO(炭酸リチウム、Li材料)を用意し、SiOおよびLiCOを遊星ボールミルにより混合し、SiOの粒子表面をLiCOで被覆したLi/Si材料を形成する(Li/Si材料形成工程)。次に、得られたLi/Si材料にC(グラファイト、炭素材料)を添加し、遊星ボールミルにより混合し、Li/Si材料の粒子表面をCで被覆したC/Li/Si材料を形成する(C/Li/Si材料形成工程)。次に、C/Li/Si材料を焼成し、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体型負極活物質を合成する(焼成工程)。
図2は、図1に示されるSi/C複合体型負極活物質の製造方法を概念的に説明する概略断面図である。図2に示されるSi/C複合体型負極活物質の製造方法においては、まずSiOを用意する(図2(a))。次に、SiOにLiCOを添加し、遊星ボールミルにより混合し、SiOの粒子表面をLiCOで被覆したLi/Si材料を形成する(図2(b))。次に、得られたLi/Si材料にCを添加し、遊星ボールミルにより混合し、Li/Si材料の粒子表面をCで被覆したC/Li/Si材料を形成する(図2(c))。次に、C/Li/Si材料を焼成し、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体型負極活物質1を合成する(図2(d))。
本発明においては、図2(c)および図2(d)に示すように、C/Li/Si材料の焼成を行う。この際、C/Li/Si材料の核部に位置するSiOは、焼成による不均化反応により、下記式(2)のように、SiおよびSiOに変化する(下記式(2)において、化学量論比は考慮しないものとする)。
2SiO → Si+SiO(0<x≦2) …式(2)
この反応により、負極活物質として機能するSiが生成するが、それと同時に、不可逆容量の発生原因となるSiOも生成する。本発明においては、核部に位置するSiOの表面に被覆されたLiCOにより、複合体に含まれるSiO相を消失させる。ここで、SiO相が消失する理由は、未だ定かではないが、SiOがLiCOと反応することにより、Si−Li−Oの非晶質ネットワークを形成するためであると考えられる。この非晶質ネットワークが形成されることによりSiOが消失し、上記式(1)の反応が生じなくなることで、不可逆容量の発生を抑制することができると考えられる。
以下、本発明のSi/C複合体型負極活物質の製造方法について、工程ごとに説明する。
1.Li/Si材料形成工程
本発明におけるLi/Si材料形成工程は、Si材料およびLi材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Si材料の粒子表面を上記Li材料で被覆したLi/Si材料を形成する工程である。本工程により得られるLi/Si材料は、Si材料の粒子表面の一部にLi材料が被覆したものであっても良く、Si材料の粒子表面の全面にLi材料が被覆したものであっても良い。
本発明に用いられるSi材料としては、Si元素を含有し、焼成によりSi相を形成可能なものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明においては、Si材料が、不均化反応によってSi相を形成するものであることが好ましい。負極活物質として機能するSi相を容易に形成することができるからである。Si材料としては、具体的にはSiO(0.8≦w≦1.5)を挙げることができ、中でもSiOが好ましい。なお、Si材料がSiO(0.8≦w≦1.5)である場合、Si材料の粒子表面にLi材料を被覆すると、Si材料とLi材料との界面にSi−O−Li構造が形成される。Si−O−Li構造を形成することで、例えば活性酸素(Liとの反応性が高い酸素)を除去することができ、充放電効率のさらなる向上を図ることができる。
Si材料の形状としては、例えば粉末状および塊状等を挙げることができ、中でも粉末状が好ましい。より大きな面積で、Si材料の表面にLi材料を被覆することができるからである。Si材料が粉末状である場合、その平均粒径は、例えば1μm〜30μmの範囲内、中でも1μm〜10μmの範囲内であることが好ましい。
一方、本発明に用いられるLi材料としては、Li元素を含有し、上述したSiO相を消失させることができるものであれば特に限定されるものではない。Li材料としては、例えばLiCO(炭酸リチウム)等を挙げることができる。炭酸リチウムは、構造が単純であり、焼成時に不要な副反応生成物が生じにくいという利点を有する。
Li材料の形状としては、例えば粉末状および塊状等を挙げることができ、中でも粉末状が好ましい。Si材料の表面に被覆しやすくなるからである。
Li材料の添加量は、Li材料の種類等により異なるものであるが、Si材料に含まれるSi原子100モル部に対して、Li材料に含まれるLi原子が、例えば80モル部〜300モル部の範囲内、中でも120モル部〜180モル部の範囲内であることが好ましい。Li材料の添加量が少なすぎると、SiO相を消失できる量が少なくなり、不可逆容量の発生を充分に抑制できない可能性があり、Li材料の添加量が多すぎると、効果に大差が見られずコスト的に不利になる可能性やLi材料の種類によっては不要な副反応生成物が生じる可能性があるからである。
また、本発明において、Li材料として炭酸リチウム(LiCO)を用いる場合は、炭酸リチウムが熱分解してなるLiOと、主たる消失対象であるSiOとの関係に基づいて、炭酸リチウムの使用量を決定することが好ましい。なお、炭酸リチウムは、高温時に以下のような熱分解を起こすことが知られている。
LiCO → LiO + CO
ここで、反応系に導入するLiOの重量をX(g)とし、使用するLiCOの重量をY(g)とする。LiOの分子量は73.891(g/mol)であり、LiCOの分子量は29.881(g/mol)である。さらに、上記の反応式より、LiCOに対して、LiOは等モルで生成することから、XおよびYは、以下の関係式(1)を満たす。
Y(g)=(X(g)×73.891)/29.811 …関係式(1)
本発明においては、この関係式(1)に基づいて炭酸リチウムの使用量を決定することが好ましい。
また、本工程においては、Li材料と同時に、ガラスを形成可能な材料を添加しても良い。ガラスを形成可能な材料としては、例えばB、HBO、NaCO等を挙げることができる。これらの材料の添加量は、目的とするSi/C複合体型負極活物質の用途等に応じて適宜選択することが好ましい。
本発明においては、Si材料およびLi材料を機械的エネルギー付与手段により混合する。機械的エネルギー付与手段としては、Si材料の粒子表面にLi材料を被覆できるものであれば特に限定されるものではないが、例えばボールミル、ターボミル、メカノフュージョン、ディスクミル等を挙げることができ、中でもボールミルが好ましく、特に遊星ボールミルが好ましい。汎用的であり、容易にSi材料の表面にLi材料を被覆できるからである。
本工程において、機械的エネルギー付与手段による混合の各種条件は、Si材料の粒子表面にLi材料を被覆できる程度に設定することが好ましく、機械的エネルギー付与手段の種類に応じて適宜選択することが好ましい。
機械的エネルギー付与手段がボールミルである場合、通常、ポット内に、Si材料、Li材料および粉砕用ボールを加え、所定の回転数および時間でボールミルを行う。ポットおよび粉砕用ボールに用いられる材料としては、例えば窒化ケイ素、ジルコニア、アルミナ、ステンレス等を挙げることができる。また、ボールミルを行う際の回転数としては、例えば150rpm〜250rpmの範囲内、中でも180rpm〜200rpmの範囲内であることが好ましい。ボールミルを行う際の処理時間としては、例えば0.5時間〜18時間の範囲内、中でも、1時間〜5時間の範囲内であることが好ましい。
2.C/Li/Si材料形成工程
次に、本発明におけるC/Li/Si材料形成工程について説明する。本発明におけるC/Li/Si材料形成工程は、上記Li/Si材料および炭素材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Li/Si材料の粒子表面を上記炭素材料で被覆したC/Li/Si材料を形成する工程である。本工程により得られるC/Li/Si材料は、Li/Si材料の粒子表面の一部に炭素材料が被覆したものであっても良く、Li/Si材料の粒子表面の全面に炭素材料が被覆したものであっても良い。
本発明に用いられる炭素材料としては、導電性を有する炭素質物を形成可能なものであれば特に限定されるものではない。炭素材料としては、具体的にはグラファイト、コークス、低温焼成炭、ピッチおよびこれらの前駆体等を挙げることができ、中でもグラファイトおよびコークスが好ましい。焼成時の取扱い性に優れているからである。特に、本発明においては、炭素材料がグラファイトであることが好ましい。導電性に優れているからである。炭素材料が粉末状である場合、その平均粒径は、例えば1μm〜20μmの範囲内、中でも1μm〜5μmの範囲内であることが好ましい。
炭素材料の添加量は、炭素材料の種類等により異なるものであるが、Si材料を100重量部とした場合に、例えば2.5重量部〜90重量部の範囲内、中でも10重量部〜30重量部の範囲内であることが好ましい。炭素材料の添加量が少なすぎると、負極活物質内部の導電性が低くなる可能性があり、炭素材料の添加量が多すぎると、負極活物質としての容量が小さくなる可能性があるからである。
本発明においては、Li/Si材料および炭素材料を機械的エネルギー付与手段により混合する。機械的エネルギー付与手段としては、Li/Si材料の粒子表面に炭素材料を被覆できるものであれば特に限定されるものではなく、上述したLi/Si材料形成工程における機械的エネルギー付与手段と同様の方法を用いることができる。中でも、本工程においては、機械的エネルギー付与手段がボールミルであることが好ましく、遊星ボールミルであることがより好ましい。汎用的であり、容易にSi材料の表面にLi材料を被覆できるからである。なお、本工程における機械的エネルギー付与手段と、上述したLi/Si材料形成工程における機械的エネルギー付与手段とは同じであっても良く、異なっていても良い。
本工程において、機械的エネルギー付与手段による混合の各種条件は、Li/Si材料の粒子表面に炭素材料を被覆できる程度に設定することが好ましく、機械的エネルギー付与手段の種類に応じて適宜選択することが好ましい。なお、機械的エネルギー付与手段による混合を過度に行うと、Liの挿入反応に不活性なSiCが生成する場合があるため、SiCの生成が生じない程度に、機械的エネルギー付与手段による混合を行うことが好ましい。
機械的エネルギー付与手段がボールミルである場合、通常、ポット内に、Si材料、Li材料および粉砕用ボールを加え、所定の回転数および時間でボールミルを行う。ポットおよび粉砕用ボールに用いられる材料としては、例えば窒化ケイ素、ジルコニア、アルミナ、ステンレス等を挙げることができる。また、ボールミルを行う際の回転数としては、例えば150rpm〜250rpmの範囲内、中でも180rpm〜200rpmの範囲内であることが好ましい。ボールミルを行う際の処理時間としては、例えば1時間〜72時間の範囲内、中でも、18時間〜36時間の範囲内であることが好ましい。
3.焼成工程
次に、本発明における焼成工程について説明する。本発明における焼成工程は、上記C/Li/Si材料を焼成し、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体型負極活物質を合成する工程である。
本工程においては、C/Li/Si材料の核部に位置するSi材料が、焼成による不均化反応を起こすことにより、負極活物質として機能するSi相と、不可逆容量の発生原因となるSiO相とに変化する。SiO相は、生成と同時にC/Li/Si材料に含まれるLi材料と反応し、Si−Li−Oの非晶質ネットワークを形成することで消失する。これにより、SiOに起因する不可逆容量の発生を抑制することができる。また、本発明においては、Li材料の効果によりSiO相の少なくとも一部が消失すれば良いが、不可逆容量の発生を抑制する観点から、より多くのSiO相が消失することが好ましく、全てのSiO相が消失することがさらに好ましい。
本工程における焼成条件は、所望のSi/C複合体型負極活物質を得ることができる条件であれば特に限定されるものではない。焼成温度は、Si材料の不均化反応が生じる程度の温度であることが好ましい。具体的には800℃〜1300℃の範囲内、中でも850℃〜1100℃の範囲内、特に900℃〜1000℃の範囲内であることが好ましい。焼成温度が低すぎると、Si材料の不均化反応が生じない可能性があり、焼成温度が高すぎると、Liの挿入反応に不活性なSiCが生成する可能性や生成したSiが溶融する可能性があるからである。また、焼成時間は、通常1時間〜12時間の範囲内である。焼成を行う方法としては、例えば焼成炉を用いる方法等を挙げることができる。
本工程における焼成は、通常、非酸化性雰囲気下で行われる。炭素材料の酸化を防止するためである。非酸化性雰囲気としては、具体的には不活性ガス雰囲気および還元性雰囲気を挙げることができる。不活性ガス雰囲気で焼成を行う方法としては、例えばAr等の不活性ガスを流通させながら焼成を行う方法等を挙げることができる。
また、本発明においては、焼成工程を行う前に、C/Li/Si材料をモノマーに分散させる分散処理、および上記モノマーを重合し上記C/Li/Si材料を分散状態で固定化する重合処理を行っても良い。分散処理および重合処理を行うことにより、焼成により得られる複合体の表面に上記ポリマーに由来する炭素被膜を形成することができる。この炭素皮膜を形成することにより、初回充電時に負極活物質の表面で起こる副反応を抑制すること、および導電性のさらなる向上を図ることができる。ここで、上記モノマーとしては、C/Li/Si材料を分散させ、焼成により炭化されるポリマーを形成可能なものであれば特に限定されるものではないが、例えばフルフリルアルコール等を挙げることができる。モノマーとしてフルフリルアルコールを用いる場合、例えばフルフリルアルコールおよびエタノールの混合溶媒に、上述したC/Li/Si材料を添加し分散させ、脱水重合を開始させる希塩酸を添加することで、C/Li/Si材料が分散・固定化されたポリマーを得ることができる。
本発明により得られるSi/C複合体型負極活物質は、通常、Si相、Si−Li−Oの非晶質ネットワーク、および炭素質物を有する。Si相は、負極活物質として機能するものであり、非晶質であっても良く、結晶質であっても良い。Si相の大きさは、例えば数nm〜300nmの範囲であることが好ましい。またSi相は、負極活物質の内部に均一に分散していることが好ましい。一方、Si−Li−Oの非晶質ネットワークは、焼成工程の中間段階で生成するSiO相がLi材料と反応することによって生成する。炭素質物は、上記のSi相およびSi−Li−Oの非晶質ネットワークを包含または保持するように形成されていることが好ましい。本発明においては、このようなSi/C複合体型負極活物質が得られる程度に、焼成の条件を選択することが好ましい。
また、本発明においては、得られたSi/C複合体型負極活物質に対して、粉砕処理等を行うことにより、粒径や比表面積等を調整しても良い。Si/C複合体型負極活物質の平均粒径は、例えば5μm〜100μmの範囲内であることが好ましい。また、Si/C複合体型負極活物質の比表面積は、例えば0.5m/g〜10m/gの範囲内であることが好ましい。
4.その他
本発明においては、製造方法により得られたSi/C複合体型負極活物質を用いることを特徴とするリチウム二次電池の製造方法を提供することができる。すなわち、Si材料およびLi材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Si材料の表面を上記Li材料で被覆したLi/Si材料を形成するLi/Si材料形成工程と、上記Li/Si材料および炭素材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、上記Li/Si材料の表面を上記炭素材料で被覆したC/Li/Si材料を形成するC/Li/Si材料形成工程と、上記C/Li/Si材料を焼成し、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体型負極活物質を合成する焼成工程とを行う負極活物質形成工程を有することを特徴とするリチウム二次電池の製造方法を提供することができる。負極活物質形成工程以外の各工程については、一般的なリチウム二次電池の製造方法における各工程と同様である。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下に実施例を示して本発明をさらに具体的に説明する。
[実施例1]
遊星ボールミルにSiOを6.2g、LiCOを23.0g(SiO:LiO=40:60(重量比)となるLiOの量と等モルのLiCO量)添加し、200rpmで1時間処理を行った。その後、さらにC(グラファイト)を0.69g(SiO:C=90:10(重量比)となる量)添加し、200rpmで1時間処理を行った。その後、フルフリルアルコール/エタノール(10g/25g)の混合溶液に、ボールミル処理後の試料を入れ、30分間撹拌した。その後、希塩酸(0.3M)を1g添加し、脱水重合が完了するまで撹拌した。その後、得られた試料に対して、1000℃、6時間、不活性雰囲気の条件で焼成を行った。これにより、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体と、そのSi/C複合体の表面の一部に形成された炭素被膜とを有するSi/C複合体型負極活物質を得た。
[実施例2]
SiOの添加量を7.0g、LiCOの添加量を21.2g(SiO:LiO=45:55(重量比)となるLiOの量と等モルのLiCO量)に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてSi/C複合体型負極活物質を得た。
[実施例3]
SiOの添加量を3.75g、LiCOの添加量を27.8g(SiO:LiO=25:75(重量比)となるLiOの量と等モルのLiCO量)に変更したこと以外は、実施例1と同様にしてSi/C複合体型負極活物質を得た。
[比較例1]
遊星ボールミルにSiOの添加量を6.1g、LiCOの添加量を22.6g(SiO:LiO=40:60(重量比)となるLiOの量と等モルのLiCO量)、C(グラファイト)の添加量を0.68g(SiO:C=90:10(重量比)となる量)添加し、200rpmで1時間処理を行った。その後、フルフリルアルコール/エタノール(10g/25g)の混合溶液に、ボールミル処理後の試料を入れ、30分間撹拌した。その後、希塩酸(0.3M)を1g添加し、脱水重合が完了するまで撹拌した。その後、得られた試料に対して、1000℃、6時間、不活性雰囲気の条件で焼成を行った。これにより、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体と、そのSi/C複合体の表面の一部に形成された炭素被膜とを有するSi/C複合体型負極活物質を得た。
[比較例2]
SiOの添加量を5.0g、LiCOの添加量を15.1g(SiO:LiO=45:55(重量比)となるLiOの量と等モルのLiCO量)、C(グラファイト)の添加量を0.56g(SiO:C=90:10(重量比)となる量)に変更したこと以外は、比較例1と同様にしてSi/C複合体型負極活物質を得た。
[比較例3]
SiOの添加量を3.71g、LiCOの添加量を27.5g(SiO:LiO=25:75(重量比)となるLiOの量と等モルのLiCO量)、C(グラファイト)の添加量を0.36g(SiO:C=90:10(重量比)となる量)に変更したこと以外は、比較例1と同様にしてSi/C複合体型負極活物質を得た。
[評価1]
(1)評価用リチウム二次電池の作製
実施例1〜3および比較例1〜3で得られたSi/C複合体型負極活物質を用いて評価用リチウム二次電池(2032型コインセル、外径20mm、厚み2.3mm)を作製した。まず、Si/C複合体型負極活物質65重量部、導電化材であるアセチレンブラック30重量部、結着材であるPVDF15重量部を含有する負極層形成用組成物を作製した。その後、その組成物を、負極集電体であるCu箔に塗布し乾燥させ、次に、電極密度が1.28〜1.50mg/cmの範囲内となるようにプレスし、次に、φ16mmの円形に打ち抜き、負極体を得た。この負極体を用いて、図3に示すような評価用リチウム二次電池を作製した。
まず、電池ケースの下蓋11bに、φ19mmの円形に打ち抜いたLiメタル12を配置した。次に、Liメタル12の上にガスケット13を配置し、Liメタル12を固定した。次に、Liメタル12上であって、ガスケット13の内周部である位置に、φ19mmのポリエチレン(PE)製のセパレータ14を2枚配置した。次に、セパレータ14上であって、ガスケット13の内周部である位置に、上述した負極層15および負極集電体16を有する負極体を配置した。次に、EC(エチレンカーボネート)およびDMC(ジメチルカーボネート)を体積比1:1で混合した溶媒に、LiPFを濃度1Mで溶解させた電解液を2cc添加した。次に、負極集電体16の上に、スペーサー17を配置し、軽く押すことで電解液から気泡を除去した。次に、SUS製の板バネ18を配置し、その上から電池ケースの上蓋11aを配置し、最後に、かしめ機でかしめることにより、評価用リチウム二次電池を得た。
(2)充放電効率の測定
得られた評価用リチウム二次電池の充放電効率を測定した。測定は、0.2C(なお、1Cは1時間で満充電できる電気量である。)で0.01VまでLiを挿入し、その後1.2VまでLiを脱離することにより行った。ここで、充放電効率は、Li挿入量に対するLi脱離量とする。その結果を表1に示す。
Figure 2009277485
表1に示されるように、実施例1〜実施例3のように、2段コート(Si材料に対するLi材料のコート、およびLi/Si材料に対する炭素材料のコート)を行ったものは、比較例1〜比較例3のように、一括混粉(Si材料、Li材料および炭素材料の一括混粉)を行ったものと比較して、充放電効率が優れていることが確認できた。
[比較例4]
遊星ボールミルにSiOを5.0g(50重量部)、C(グラファイト)を5.0g(50重量部)添加し、200rpmで18時間処理を行った。その後、フルフリルアルコール/エタノール(10g/25g)の混合溶液に、ボールミル処理後の試料を入れ、30分間撹拌した。その後、希塩酸(0.3M)を1g添加し、脱水重合が完了するまで撹拌した。その後、得られた試料に対して、1000℃、6時間、不活性雰囲気の条件で焼成を行った。これにより、Si相およびSiO相を有するSi/C複合体と、そのSi/C複合体の表面の一部に形成された炭素被膜とを有するSi/C複合体型負極活物質を得た。
[比較例5]
遊星ボールミルにSiOを5.0g(50重量部)、C(グラファイト)を5.0g(50重量部)添加し、200rpmで18時間処理を行った。その後、1000℃、6時間、不活性雰囲気の条件で焼成を行った。これにより、Si相およびSiO相を有するSi/C複合体からなるSi/C複合体型負極活物質を得た。
[評価2]
比較例4および比較例5で得られたSi/C複合体型負極活物質を用い、上述した評価1と同様にして評価用リチウム二次電池を作製し、その充放電効率を測定した。その結果を表2に示す。
Figure 2009277485
表2に示されるように、Li材料を添加しない場合は、充放電効率が低いことが確認された。これは、SiO相がLiと反応する不可逆反応が生じているためであると考えられる。これに対して、本発明により得られたSi/C複合体型負極活物質は、SiO相を消失させたことにより、充放電効率を向上させることができた。
本発明のSi/C複合体型負極活物質の製造方法の一例を説明するフローチャートである。 図1に示されるSi/C複合体型負極活物質の製造方法を概念的に説明する概略断面図である。 評価用リチウム二次電池を説明する概略断面図である。
符号の説明
1 … Si/C複合体型負極活物質
11a … 電池ケースの上蓋
11b … 電池ケースの下蓋
12 … Liメタル
13 … ガスケット
14 … セパレータ
15 … 負極層
16 … 負極集電体
17 … スペーサー
18 … 板バネ

Claims (4)

  1. Si材料およびLi材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、前記Si材料の粒子表面を前記Li材料で被覆したLi/Si材料を形成するLi/Si材料形成工程と、
    前記Li/Si材料および炭素材料を機械的エネルギー付与手段により混合し、前記Li/Si材料の粒子表面を前記炭素材料で被覆したC/Li/Si材料を形成するC/Li/Si材料形成工程と、
    前記C/Li/Si材料を焼成し、Si相を有し、かつ、SiO相が消失したSi/C複合体型負極活物質を合成する焼成工程と、
    を有することを特徴とするSi/C複合体型負極活物質の製造方法。
  2. 前記Si材料が、SiOであることを特徴とする請求項1に記載のSi/C複合体型負極活物質の製造方法。
  3. 前記Li材料が、LiCOであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のSi/C複合体型負極活物質の製造方法。
  4. 前記Li/Si材料形成工程および前記C/Li/Si材料形成工程での機械的エネルギー付与手段が、ボールミルであることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかの請求項に記載のSi/C複合体型負極活物質の製造方法。
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