JP2009246346A - Soi基板の作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数の半導体基板に表面からの深さが異なる位置に脆化層を形成し、ベース基板面内の化学機械研磨の研磨量が大きい領域には表面から脆化層までの深さが大きい半導体基板を配置し、ベース基板面内の化学機械研磨の研磨量が小さい領域には表面から脆化層までの深さが小さい半導体基板を配置し、ベース基板と前記半導体基板を接合し、脆化層を起点としてベース基板と半導体基板を分離することで第1の半導体層を形成し、第1の半導体層をCMPにより研磨して第2の半導体層を形成する。CMPに代えてエッチング処理を用いても良く、この場合にはエッチングレートが大きい領域に、表面から脆化層までの深さが大きい半導体基板を配置する。
【選択図】図3
Description
本実施の形態では、本発明の一態様であるSOI基板の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。まず、第1の基板100(ベース基板、ベースウエハーとも呼ばれる。)と第2の基板200(接合基板、ボンドウエハーとも呼ばれる。)を準備する。
本実施の形態では、本発明の一態様であるSOI基板の作製方法の一例であって、実施の形態1とは異なるものについて、図面を参照して説明する。具体的には、脆化層の除去にCMPではなく、エッチング工程を用いる点が異なる。
本実施の形態では、実施の形態1及び実施の形態2を適用して作製したSOI基板を用いて、半導体装置を作製する方法について説明する。
110 第1の接合層
112 接合形成層
114 残存する損傷層
116 SOI層
200 第2の基板
200A 第2の基板
200B 第2の基板
200C 第2の基板
200D 第2の基板
201 保護層
202 脆化層
202A 脆化層
202B 脆化層
202C 脆化層
202D 脆化層
210 第2の接合層
221 第1の領域
222 第2の領域
223 第3の領域
224 第4の領域
231 第1の領域
232 第2の領域
233 第3の領域
234 第4の領域
301 半導体層
302 半導体層
304 絶縁層
305 ゲート電極
306 ゲート電極
307 不純物領域
308 チャネル形成領域
309 高濃度不純物領域
310 チャネル形成領域
311 サイドウォール絶縁層
312 サイドウォール絶縁層
313 絶縁層
314 絶縁層
315 レジストマスク
317 高濃度不純物領域
318 絶縁層
319 絶縁層
320 配線
330 マイクロプロセッサ
331 演算回路
332 演算回路制御部
333 命令解析部
334 割り込み制御部
335 タイミング制御部
336 レジスタ
337 レジスタ制御部
338 バスインターフェース
339 ROM
340 ROMインターフェース
351 RFCPU
352 アナログ回路部
353 デジタル回路部
354 共振回路
355 整流回路
356 定電圧回路
357 リセット回路
358 発振回路
359 復調回路
360 変調回路
361 RFインターフェース
362 制御レジスタ
363 クロックコントローラ
364 CPUインターフェース
365 CPU
366 RAM
367 ROM
368 アンテナ
369 容量部
370 電源管理回路
420 半導体層
422 走査線
423 信号線
424 画素電極
425 TFT
427 絶縁層
428 電極
429 柱状スペーサ
430 配向膜
432 対向基板
433 対向電極
434 配向膜
435 液晶層
440 チャネル形成領域
441 不純物領域
451 選択用トランジスタ
452 表示制御用トランジスタ
453 半導体層
454 半導体層
455 走査線
456 信号線
457 電流供給線
458 第1の画素電極
461 電極
462 ゲート電極
463 電極
477 絶縁層
478 隔壁
479 EL層
480 第2の画素電極
481 対向基板
482 樹脂層
491 チャネル形成領域
492 不純物領域
501 携帯電話機
502 表示部
503 操作スイッチ
511 デジタルプレーヤー
512 表示部
513 操作部
514 イヤホン
521 電子ブック
522 表示部
523 操作スイッチ
601 筐体
602 筐体
603 表示部
604 スピーカ
605 マイクロフォン
606 操作キー
607 ポインティングデバイス
608 表面カメラ用レンズ
609 外部接続端子ジャック
610 イヤホン端子
611 キーボード
612 外部メモリスロット
613 裏面カメラ
614 ライト
Claims (6)
- ベース基板上に半導体層を形成して化学機械研磨処理を行うSOI基板の作製方法であって、
複数の半導体基板のそれぞれにおいて、表面からの深さが異なる位置に脆化層を形成し、
前記ベース基板面内の前記化学機械研磨処理における研磨量が大きい領域に、前記表面から深い位置に前記脆化層が設けられた複数の半導体基板を配置し、
前記ベース基板面内の前記化学機械研磨処理における研磨量が小さい領域に、前記表面から浅い位置に前記脆化層が設けられた複数の半導体基板を配置し、
前記ベース基板と、前記ベース基板上に配置されている前記複数の半導体基板とを接合させ、
前記脆化層を起点として、前記ベース基板と接合された前記複数の半導体基板を分離することで複数の第1の半導体層を形成し、
前記複数の第1の半導体層を化学機械研磨処理により研磨して第2の半導体層を形成することを特徴とするSOI基板の作製方法。 - ベース基板上に半導体層を形成してエッチング処理を行うSOI基板の作製方法であって、
複数の半導体基板のそれぞれにおいて、表面からの深さが異なる位置に脆化層を形成し、
前記ベース基板面内の前記エッチング処理のエッチングレートが大きい領域に、前記表面から深い位置に前記脆化層が設けられた複数の半導体基板を配置し、
前記ベース基板面内の前記エッチング処理のエッチングレートが小さい領域に、前記表面から浅い位置に前記脆化層が設けられた複数の半導体基板を配置し、
前記ベース基板と、前記ベース基板上に配置されている前記複数の半導体基板とを接合させ、
前記脆化層を起点として、前記ベース基板と接合された前記複数の半導体基板を分離することで複数の第1の半導体層を形成し、
前記複数の第1の半導体層をエッチングして第2の半導体層を形成することを特徴とするSOI基板の作製方法。 - ベース基板上に半導体層を形成して化学機械研磨処理を行うSOI基板の作製方法であって、
複数の半導体基板のそれぞれにおいて、表面からの深さが異なる位置に脆化層を形成し、
前記ベース基板の中央部に、前記表面から浅い位置に前記脆化層が設けられた複数の半導体基板を配置し、
前記ベース基板の周縁部に、前記表面から深い位置に前記脆化層が設けられた複数の半導体基板を配置し、
前記ベース基板と、前記ベース基板上に配置されている前記複数の半導体基板とを接合させ、
前記脆化層を起点として、前記ベース基板と接合された前記複数の半導体基板を分離することで複数の第1の半導体層を形成し、
前記複数の第1の半導体層を化学機械研磨処理により研磨して第2の半導体層を形成することを特徴とするSOI基板の作製方法。 - ベース基板上に半導体層を形成してエッチング処理を行うSOI基板の作製方法であって、
複数の半導体基板のそれぞれにおいて、表面からの深さが異なる位置に脆化層を形成し、
前記ベース基板の中央部に、前記表面から深い位置に前記脆化層が設けられた複数の半導体基板を配置し、
前記ベース基板の周縁部に、前記表面から浅い位置に前記脆化層が設けられた複数の半導体基板を配置し、
前記ベース基板と、前記ベース基板上に配置されている前記複数の半導体基板とを接合させ、
前記脆化層を起点として、前記ベース基板と接合された前記複数の半導体基板を分離することで複数の第1の半導体層を形成し、
前記複数の第1の半導体層をエッチングして第2の半導体層を形成することを特徴とするSOI基板の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記脆化層の形成は、イオンドーピング法により行うことを特徴とするSOI基板の作製方法。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記ベース基板は透光性基板であることを特徴とするSOI基板の作製方法。
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