JP2009246025A - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】P型半導体層5とN型半導体層6とによって形成されるPN接合体4と、PN接合体4の一方の導電型の半導体層に形成される金属電極と、PN接合体4の他方の導電型の半導体層に形成される透明電極層7と、を備える光電変換素子が基板1上に形成された太陽電池において、金属電極は、表面プラズモン共鳴を生じる金属ナノ粒子からなる金属ナノ粒子層3によって形成される。
【選択図】 図1
Description
図1は、この発明による太陽電池の実施の形態1の構成の一例を模式的に示す断面図である。この太陽電池は、ガラスやシリコンなどの基板1上に、所定のパターンで形成された電流取り出し用の配線2が形成され、この配線2上の所定の位置に光電変換素子が形成された構成を有する。光電変換素子は、AuやAgなどの金属ナノ粒子からなる金属ナノ粒子層3と、P型の不純物を導入したシリコンなどのP型半導体層5とN型の不純物を導入したシリコンなどのN型半導体層6とからなり、PN接合を形成したPN接合体4と、酸化スズ(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)またはスズをドープした酸化インジウム(ITO)などの透明導電膜からなる透明電極層7が順に積層して形成された構成を有する。なお、ここでは、金属ナノ粒子層3上にP型半導体層5を形成し、その上にN型半導体層6を形成する場合を示しているが、金属ナノ粒子層3上にN型半導体層6を形成し、その上にP型半導体層5を形成するものであってもよい。
図3は、この発明による太陽電池の実施の形態2の構成を模式的に示す断面図である。この太陽電池は、PN接合体4のPN接合面が、電極面(基板面)に対して垂直な方向に形成されている点を除いて、実施の形態1の構成と同様である。ただし、P型半導体層5は透明電極層7に接触しないように、そして、N型半導体層6は金属ナノ粒子層3に接触しないように形成される。また、金属ナノ粒子層3は、N型半導体層6内で空乏層と接するように構成される。
図5は、この発明による太陽電池の実施の形態3の構成を模式的に示す断面図である。この太陽電池は、実施の形態1のP型半導体層5とN型半導体層6が、それぞれ数nm〜数十nmの平均粒径を有する半導体ナノ粒子22,23によって構成されるP型半導体ナノ粒子層15とN型半導体ナノ粒子層16によって構成される。ここで、P型半導体ナノ粒子層15とN型半導体ナノ粒子層16は、同じ粒径を有する半導体ナノ粒子22,23によって構成されているものとする。なお、実施の形態1と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略している。
図7は、この発明による太陽電池の実施の形態4の構成を模式的に示す断面図である。この太陽電池は、図5の太陽電池において、金属ナノ粒子層3が、共鳴波長の異なる金属ナノ粒子21A,21Bからなる複数の金属ナノ粒子層3A,3Bによって構成される。たとえば、金属ナノ粒子層3Aは、Auの金属ナノ粒子21Aからなり、金属ナノ粒子層3Bは、Agの金属ナノ粒子21Bからなる。AuとAgでは、プラズモン共鳴を生じる光の波長が異なるため、複数の波長域で変換効率を高めることができる。なお、上述した実施の形態と同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省略している。
実施の形態1,2では、スパッタ法などの成膜方法によって、金属ナノ粒子層や半導体ナノ粒子層を形成する方法について説明したが、他の方法によっても金属ナノ粒子層や半導体ナノ粒子層を形成することができる。たとえば、上記の実施の形態での金属ナノ粒子層3,3A,3Bまたは半導体ナノ粒子層15,16の形成において、金属ナノ粒子21,21A,21Bまたはナノシリコン粒子23〜26をアルコールなどの溶液と混合し、スプレー塗布によってナノ粒子による多層膜を形成し、その後にレーザ照射や水素雰囲気中で焼成し還元して、金属ナノ粒子層3,3A,3Bまたは半導体ナノ粒子層15,16を形成することができる。
2 配線
3,3A,3B 金属ナノ粒子
4 PN接合体
5 P型半導体層
6 N型半導体層
7 透明電極
15,15A,15B P型半導体ナノ粒子層
16 N型半導体ナノ粒子層
21,21A,21B 金属ナノ粒子
23〜26 半導体ナノ粒子
Claims (9)
- P型薄膜半導体層とN型薄膜半導体層とによって形成されるPN接合体と、PN接合体に形成される金属電極と、透明電極と、を備える光電変換素子が基板上に形成された太陽電池において、
前記金属電極は、表面プラズモン共鳴を生じる金属ナノ粒子によって形成されることを特徴とする太陽電池。 - 前記P型薄膜半導体層と前記N型薄膜半導体層は、半導体ナノ粒子によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池。
- 前記P型薄膜半導体層と前記N型薄膜半導体層は、同一の平均粒径を有する半導体ナノ粒子によって形成されることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。
- 前記P型薄膜半導体層と前記N型薄膜半導体層は、半導体ナノ粒子によって形成される複数の半導体ナノ粒子層からなり、前記各半導体ナノ粒子層を構成する前記半導体ナノ粒子の平均粒径が異なることを特徴とする請求項2に記載の太陽電池。
- 前記金属電極は、異なる周波数で表面プラズモン共鳴を生じる複数種類の金属ナノ粒子によって形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の太陽電池。
- 前記PN接合体のPN接合面は、基板面にほぼ平行な方向であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の太陽電池。
- 前記PN接合体のPN接合面は、基板面にほぼ垂直な方向であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の太陽電池。
- P型薄膜半導体層とN型薄膜半導体層とによって形成されるPN接合体と、PN接合体に形成される金属電極と、透明電極と、を含む光電変換素子が基板上に形成された太陽電池の製造方法において、
表面プラズモン共鳴を生じる金属ナノ粒子を溶媒に混ぜ、スプレー塗布によって前記金属ナノ粒子による多層膜を形成した後に、焼成することによって前記金属ナノ粒子層からなる前記金属電極を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 所定の粒径の半導体ナノ粒子を溶媒に混ぜ、スプレー塗布によって前記半導体ナノ粒子による多層膜を形成した後に、焼成することによって前記半導体ナノ粒子からなる前記P型半導体層と前記N型半導体層を形成することを特徴とする請求項8に記載の太陽電池の製造方法。
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