JP7438961B2 - プラズモンレクテナ装置及び製造方法 - Google Patents
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Description
-基板と、
-前述の基板の上部に堆積された第1の金属層であって、所定の厚さを有する第1の金属層と、
-前述の第1の金属層の上部に堆積された整流素子と、
-入射光の電磁波を集め、それをレクテナ装置内部のプラズモン波に結合するように構成されている第2の金属層であって、所定の間隔に従って互いに間隔をあけた複数の金属パッチのアレイを含み、各金属パッチは所定の寸法を有する、第2の金属層と、を含み、
整流素子はプラズモン波を整流して直流を生成するように構成されており、プラズモン波は1つ又は複数の動作波長で生成され、レクテナ装置の少なくとも1つの寸法パラメータは少なくとも1つの動作波長から決定され、前述の少なくとも1つの寸法パラメータは、前述の複数の金属パッチの寸法、前述のアレイにおける金属パッチの間隔、及び第1の金属層の所定の厚さ、を含む群において選択される。
-前述のレクテナ装置が共振する少なくとも1つの動作波長を決定するステップと、
-洗浄動作及びコーティング動作を含む、基板を準備するステップと、
-前述の基板の上部に第1の金属層を堆積させるステップと、
-前述の第1の金属層の上部に整流素子を堆積させるステップであって、整流素子は所定の厚さを有し、整流素子の近傍で入射光の電磁波からレクテナ装置によって生成されたプラズモン波を整流するように構成されている、ステップと、
-整流素子の上部に第2の金属層を堆積させるステップであって、この第2の金属層は複数の金属パッチのアレイを提供し、この複数の金属パッチはそれぞれが所定の寸法を有し、所定の間隔に従って互いに離れている、ステップと、を含み、
この方法は更に、
-前述の第2の金属層によって入射光の電磁波を集めるステップと、
-少なくとも1つの動作波長からレクテナ装置の少なくとも1つの寸法パラメータを決定するステップであって、前述の少なくとも1つの寸法パラメータは、前述の複数の金属パッチの寸法、金属パッチの前述の間隔、及び前述の第1の金属層の所定の厚さ、を含む群において選択される、ステップと、を含む。
-入射放射をアンテナに結合する効率
-収集したエネルギーをアンテナからダイオードへ伝搬させる効率
-表面波をダイオードに結合する効率
-ダイオードで受け取った電力を整流する効率
-基板402と、
-基板402の上部に堆積された第1の金属層404であって、所定の層厚さを有する第1の金属層404と、
-第1の金属層404の上部に堆積された整流素子405(「整流層」と呼ばれる)と、
-入射光の電磁波を集めるように構成されている第2の金属層408であって、所定の間隔(即ち、所定の周期性)に従って互いに間隔をあけた複数の金属パッチ410のアレイを含み、各金属パッチ410は所定の寸法(即ち、所定のサイズ)を有する、第2の金属層408と、を含む。
P≦λreso (式1)
2W≦λreso (式3)
W≦λ’reso/2 (式4)
λreso≒2*W*ngap (式5)
h≦λreso (式6)
-シリコン基板601と、
-シリコン基板601の上部に堆積された銀(Ag)から形成された第1の平坦な金属層602と、
-第1の金属層602の上部に堆積された整流分子ダイオード層603と、
-整流分子ダイオード層603の上部に堆積された酸化亜鉛(ZnO)から形成された透明な導電層604と、
-正方形の格子状に、850nmの周期性Pで周期的に配置された、幅Wが320nmの正方形の銀のパッチから作製された第2の金属層605と、を含むことがある。
-暗電流対電圧の測定(I(V)曲線(D00)
-1550nmの波長の光を点灯し、IV曲線を測定する(L00)
-5分間光を点灯し続け、その後消灯する
-暗いIVを測定する(D01)
-5分間待機して、次の暗いIV曲線を測定する(D02)
-5分間待機して光を点灯し、IV曲線を測定する(L01)
-複数回のサイクルに渡って、IV測定を繰り返す
-光を消灯し、暗いIVを測定する(D03)
-5分間待機し、暗いIVを測定する(D04)
-5分間待機し、その後光を点灯し、IV曲線L13又はL21を測定する。
Claims (19)
- 入射光を電気エネルギーに変換するためのレクテナ装置(400)であって、
-基板(402)と、
-前記基板(402)の上部に堆積された第1の金属層(404)であって、所定の厚さを有する第1の金属層(404)と、
-前記第1の金属層(404)の上部に堆積された整流素子(405)であって、組織化された整流分子で作製された整流素子と、
-前記整流素子(405)の上部に堆積され、且つ前記入射光の電磁波を集め、それを前記レクテナ装置(400)内部のプラズモン波に結合するように構成されている第2の金属層(408)であって、所定の間隔に従って互いに間隔をあけた複数の金属パッチ(410)のアレイを含み、各金属パッチ(410)は所定の寸法を有する、第2の金属層(408)と、を含み、
前記整流素子(405)は前記プラズモン波を整流して直流を生成するように構成されており、前記プラズモン波は1つ又は複数の動作波長で生成され、前記レクテナ装置(400)の少なくとも1つの寸法パラメータは少なくとも1つの動作波長から決定され、前記少なくとも1つの寸法パラメータは、前記複数の金属パッチ(410)の前記寸法、前記アレイにおける前記金属パッチ(410)の前記間隔、及び前記第1の金属層(404)の前記所定の厚さ、を含む群において選択される、レクテナ装置(400)。 - 前記複数の金属パッチ(410)は前記アレイに沿って周期的に配置され、前記複数の金属パッチ(410)の前記間隔は、前記アレイ全体に渡って一定である、請求項1に記載のレクテナ装置(400)。
- 前記整流素子(405)は1つ又は複数の自己組織化分子ダイオードを含み、分子ダイオードは、チオール(-SH)又はニトリル(CN)などの固定基を用いて官能性を持たせてあるか、或いは、11-(フェロセニル)-1-ウンデカンチオール(HS-C11Fc)、スチリルプリジニウム、フェロセニル-アルカンジチオール、スチリルピリジニウム、ポルフィリン、フタロシアニン、及びプッシュプル分子を含む群において選択される、請求項1に記載のレクテナ装置(400)。
- 前記基板はシリコンから作製され、前記第1の金属層(404)及び/又は前記第2の金属層(408)は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、タングステン(W)、又は銅(Cu)を含む群において選択される材料から形成される、請求項1に記載のレクテナ装置(400)。
- 前記少なくとも1つの動作波長は合計厚さの1倍~100倍の範囲であり、前記合計厚さは、前記第1の金属層(404)の厚さを表す、請求項1に記載のレクテナ装置(400)。
- 少なくとも1つの動作波長は前記アレイの周期性の1倍よりも長い、請求項1に記載のレクテナ装置(400)。
- 前記複数の金属パッチ(410)は複数の寸法を有し、前記レクテナ装置(400)は複数の動作波長で動作する、請求項1に記載のレクテナ装置(400)。
- 前記少なくとも1つの動作波長は、ある比例定数を伴って、前記複数の金属パッチ(410)の中の1つの金属パッチ(410)の長さ及び/又は幅に直接的に比例する、請求項1に記載のレクテナ装置(400)。
- 前記レクテナ装置(400)は前記整流素子(405)の上部に堆積された透明な導電層(406)を更に含み、前記第2の金属層(408)は前記透明な導電層(406)の上部に堆積され、前記透明な導電層(406)は所定の厚さを有し、且つ、前記整流素子(405)の近傍で前記電磁波からプラズモン波を少なくとも1つの動作波長について生成するように構成されており、前記少なくとも1つの寸法パラメータが選択される前記群は前記透明な導電層(406)の前記所定の厚さを更に含む、請求項1に記載のレクテナ装置(400)。
- 少なくとも1つの動作波長は合計厚さの1倍~100倍の範囲であり、前記合計厚さは前記第1の金属層(404)の厚さと前記透明な導電層(406)の厚さとの合計を表す、請求項9に記載のレクテナ装置(400)。
- 前記透明な導電層(406)は、ZnO若しくはZnSを含む第1の群、又はZnO:Al、ITO、PEDOT:PSS、及び銀ナノ粒子を含む第2の群において選択される、請求項10に記載のレクテナ装置(400)。
- 前記透明な導電層(406)は前記第1の群において選択され、前記合計厚さは最大で50nmである、請求項11に記載のレクテナ装置(400)。
- 前記透明な導電層(406)は前記第2の群において選択され、前記合計厚さは50nmよりも厚い、請求項11に記載のレクテナ装置(400)。
- 入射光を電気エネルギーに変換するためのレクテナ装置(400)を製造する方法であって、
-前記レクテナ装置(400)が共振する少なくとも1つの動作波長を決定するステップ(2000)と、
-基板を提供するステップ(2001)と、
-前記基板の上部に第1の金属層を堆積させるステップ(2002)と、
-前記第1の金属層の上部に整流素子を堆積させるステップ(2004)であって、前記整流素子が、組織化された整流分子で作製されており、前記整流素子は、所定の厚さを有し、且つ、プラズモン波を整流し直流を生成するように構成されており、前記プラズモン波が1つ又は複数の動作波長で生成される、ステップ(2004)と、
-前記整流素子の上部に第2の金属層を堆積させるステップ(2010)であって、前記第2の金属層は複数の金属パッチのアレイを有し、前記複数の金属パッチはそれぞれが所定の寸法を有し、所定の間隔に従って互いに離れている、ステップ(2010)と、を含み、
前記方法は更に、
-前記第2の金属層によって前記入射光の電磁波を集め、それを前記レクテナ装置(400)内部のプラズモン波に結合するステップと、
-少なくとも1つの動作波長から前記レクテナ装置(400)の少なくとも1つの寸法パラメータを決定するステップであって、前記少なくとも1つの寸法パラメータは、前記複数の金属パッチの前記寸法、前記金属パッチの前記間隔、及び前記第1の金属層の所定の厚さ、を含む群において選択される、ステップと、を含む、方法。 - 前記基板及び/又は前記整流素子はパターン形成されていない平面状の層である、請求項14に記載の方法。
- 前記基板並びに前記第1及び/又は第2の金属層は、超真空環境における銀(Ag)層の物理的蒸着(PVD)、マグネトロンスパッタリング、イオンビームスパッタリング(IBS)、電子ビーム蒸着を含む群において選択される技術を使用し、且つコロイドのナノ粒子を使用することにより得られる、請求項14又は15に記載の方法。
- 前記方法は更に、
-前記整流素子の上部に透明な導電層を堆積させるステップ(2006)であって、前記透明な導電層は所定の厚さを有し、前記第2の金属層はステップ(2010)で前記透明な導電層の上部に堆積される、ステップ(2006)、を含み、
前記少なくとも1つの寸法パラメータは、前記透明な導電層の前記所定の厚さを更に含む前記群において選択される、請求項14に記載の方法。 - 前記基板、前記整流素子、及び前記透明な導電層は、パターン形成されていない平面状の層である、請求項17に記載の方法。
- 前記透明な導電層は、スピンコーティング、ディープコーティング、ゾルゲル、又は蒸着を含む群において選択される技術を使用することにより得られる、請求項18に記載の方法。
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