JP2009227577A - トリクロロシランの製造方法および製造装置 - Google Patents
トリクロロシランの製造方法および製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009227577A JP2009227577A JP2009044930A JP2009044930A JP2009227577A JP 2009227577 A JP2009227577 A JP 2009227577A JP 2009044930 A JP2009044930 A JP 2009044930A JP 2009044930 A JP2009044930 A JP 2009044930A JP 2009227577 A JP2009227577 A JP 2009227577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- furnace
- polymer
- hydrogen chloride
- trichlorosilane
- mixture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 90
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 33
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 claims description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 28
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical compound Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 84
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 33
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- NTQGILPNLZZOJH-UHFFFAOYSA-N disilicon Chemical compound [Si]#[Si] NTQGILPNLZZOJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- VYFXMIAQVGXIIN-UHFFFAOYSA-N trichloro(chlorosilyl)silane Chemical compound Cl[SiH2][Si](Cl)(Cl)Cl VYFXMIAQVGXIIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- VEYJKODKHGEDMC-UHFFFAOYSA-N dichloro(trichlorosilyl)silicon Chemical compound Cl[Si](Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl VEYJKODKHGEDMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- OHZZTXYKLXZFSZ-UHFFFAOYSA-I manganese(3+) 5,10,15-tris(1-methylpyridin-1-ium-4-yl)-20-(1-methylpyridin-4-ylidene)porphyrin-22-ide pentachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mn+3].C1=CN(C)C=CC1=C1C(C=C2)=NC2=C(C=2C=C[N+](C)=CC=2)C([N-]2)=CC=C2C(C=2C=C[N+](C)=CC=2)=C(C=C2)N=C2C(C=2C=C[N+](C)=CC=2)=C2N=C1C=C2 OHZZTXYKLXZFSZ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N trichloro-[dichloro(trichlorosilyl)silyl]silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl PZKOFHKJGUNVTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0053—Details of the reactor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
- C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00054—Controlling or regulating the heat exchange system
- B01J2219/00056—Controlling or regulating the heat exchange system involving measured parameters
- B01J2219/00058—Temperature measurement
- B01J2219/00063—Temperature measurement of the reactants
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00132—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
- B01J2219/00135—Electric resistance heaters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00159—Controlling the temperature controlling multiple zones along the direction of flow, e.g. pre-heating and after-cooling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/129—Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】多結晶シリコン製造プロセスにおいて発生される高沸点クロロシラン類含有物(ポリマー)を、塩化水素と混合して分解炉に導入し、450℃以上、好ましくは450℃以上〜700℃以下の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させてトリクロロシランを製造することを特徴とし、好ましくは、ポリマーに対して塩化水素を10〜30質量%混合した混合物を分解炉に導入して分解するトリクロロシランの製造方法および製造装置。
【選択図】図2
Description
〔1〕ポリマーと塩化水素を混合して分解炉に導入し、450℃以上の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させてトリクロロシランを製造することを特徴とするトリクロロシランの製造方法。
〔2〕分解炉において、ポリマーと塩化水素とを450℃以上〜700℃以下で反応させる上記[1]に記載するトリクロロシランの製造方法。
〔3〕ポリマーが、塩化水素と金属シリコンとを反応させてトリクロロシランを生成させる塩化炉の生成ガスから分離されたものであり、および/または、トリクロロシランと水素の混合ガスを赤熱したシリコンに接触させて多結晶シリコンを製造する反応炉の排ガスから分離されたものである上記[1]または上記[2]に記載するトリクロロシランの製造方法。
〔4〕ポリマーに対して塩化水素を10〜30質量%混合した混合物を分解炉に導入する上記[1]〜上記[3]の何れかに記載するトリクロロシランの製造方法。
〔5〕高沸点クロロシラン類を20〜50質量%含むポリマーに対して10〜30質量%の塩化水素を混合した混合物を分解炉に導入し、450℃以上〜700℃以下の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させる上記[1]〜上記[4]の何れかに記載するトリクロロシランの製造方法。
〔6〕ポリマーと塩化水素を混合した混合物を加熱分解してトリクロロシランを製造する分解炉、上記混合物を炉内に導く供給手段、生成したガスを炉外に導く排気手段、炉内を加熱する手段、炉内温度の制御手段を備えていることを特徴とするトリクロロシランの製造装置。
〔7〕混合物の供給管が分解炉の炉内に延びて設けられており、該混合物が炉内の供給管を流れる間に予熱される上記[6]に記載するトリクロロシランの製造装置。
〔8〕混合物の供給管がスパイラル状または蛇行して分解炉の炉内に延びて設けられており、炉内の供給管を流れる間に予熱された混合物が該供給管から炉内に供給され、450℃〜700℃の加熱下で、ポリマーと塩化水素を反応させる上記[5]または上記[6]に記載するトリクロロシランの製造装置。
本発明の方法は、多結晶シリコン製造プロセスにおいて発生する高沸点クロロシラン類含有物(ポリマーと云う)を、塩化水素と混合して分解炉に導入し、450℃以上、好ましくは450℃以上〜700℃以下の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させてトリクロロシランを製造することを特徴とするトリクロロシランの製造方法である。
〔1〕四塩化二珪素(Si2H2Cl4)の分解反応
Si2H2Cl4 + HCl → SiH2Cl2 + SiHCl3
Si2H2Cl4 + 2HCl → 2SiHCl3 + H2
〔2〕六塩化二珪素(Si2Cl6)の分解反応
Si2Cl6 + HCl → SiHCl3 + SiCl4
塩化工程または反応炉排ガスの蒸留工程から分離したポリマーを図2に示すポリマー分解工程に導入し、塩化水素ガスと混合して図3に示す分解炉に導入し、450℃〜700℃に加熱して反応させ、TCSを生成させた。塩化水素を混合する前のポリマーの組成、分解炉から抜き出した分解ガスの組成(%)、分解温度、ポリマーおよび塩化水素の投入量を表1および表2に示す。表中の質量%の数値は、面積%から換算した値である。
比較例1は分解温度が本発明の範囲よりも低い例(300℃)、試験例1は分解温度が本発明の好ましい範囲より高い例(900℃)、試験例2は塩化水素の供給量が本発明の好ましい範囲より少ない例(6g/min)である。上記条件以外は実施例1〜3と同様にしてポリマーを分解してTCSを生成させた。これらの結果を表3に示した。
Claims (8)
- 多結晶シリコン製造プロセスにおいて発生する四塩化珪素よりも高沸点のクロロシラン類(高沸点クロロシラン類と云う)含有物(ポリマーと云う)を、塩化水素と混合して分解炉に導入し、450℃以上の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させてトリクロロシランを製造することを特徴とするトリクロロシランの製造方法。
- 分解炉において、ポリマーと塩化水素とを450℃以上〜700℃以下で反応させる請求項1に記載するトリクロロシランの製造方法。
- ポリマーが、塩化水素と金属シリコンとを反応させてトリクロロシランを生成させる塩化炉の生成ガスから分離されたものであり、および/または、トリクロロシランと水素の混合ガスを赤熱したシリコンに接触させて多結晶シリコンを製造する反応炉の排ガスから分離されたものである請求項1または請求項2に記載するトリクロロシランの製造方法。
- ポリマーに対して塩化水素を10〜30質量%混合した混合物を分解炉に導入する請求項1〜請求項3の何れかに記載するトリクロロシランの製造方法。
- 高沸点クロロシラン類を20〜50質量%含むポリマーに対して10〜30質量%の塩化水素を混合した混合物を分解炉に導入し、450℃以上〜700℃以下の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させる請求項1〜請求項4の何れかに記載するトリクロロシランの製造方法。
- ポリマーと塩化水素を混合した混合物を加熱分解してトリクロロシランを製造する分解炉、上記混合物を炉内に導く供給手段、生成したガスを炉外に導く排気手段、炉内を加熱する手段、炉内温度の制御手段を備えていることを特徴とするトリクロロシランの製造装置。
- 混合物の供給管が分解炉の炉内に延びて設けられており、該混合物が炉内の供給管を流れる間に予熱される請求項6に記載するトリクロロシランの製造装置。
- 混合物の供給管がスパイラル状または蛇行して分解炉の炉内に延びて設けられており、炉内の供給管を流れる間に予熱された混合物が該供給管から炉内に供給され、450℃〜700℃の加熱下で、ポリマーと塩化水素を反応させる請求項6または請求項7に記載するトリクロロシランの製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009044930A JP5621957B2 (ja) | 2008-02-29 | 2009-02-26 | トリクロロシランの製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008049229 | 2008-02-29 | ||
JP2008049229 | 2008-02-29 | ||
JP2009044930A JP5621957B2 (ja) | 2008-02-29 | 2009-02-26 | トリクロロシランの製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009227577A true JP2009227577A (ja) | 2009-10-08 |
JP5621957B2 JP5621957B2 (ja) | 2014-11-12 |
Family
ID=40547415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009044930A Active JP5621957B2 (ja) | 2008-02-29 | 2009-02-26 | トリクロロシランの製造方法および製造装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9533279B2 (ja) |
EP (2) | EP2354090B1 (ja) |
JP (1) | JP5621957B2 (ja) |
KR (1) | KR101573933B1 (ja) |
CN (1) | CN101519205B (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011026155A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Mitsubishi Materials Corp | クロロシラン重合物の分解方法および分解装置 |
JP2011144097A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-07-28 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
JP2012092005A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-05-17 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
JP2013512840A (ja) * | 2009-12-02 | 2013-04-18 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | 短鎖ハロゲン化ポリシランを製造する方法および装置 |
JP2013103872A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Yamaguchi Univ | 廃シリコンからのハロシランの製造方法 |
JP2013203649A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Mitsubishi Materials Corp | クロロシラン重合物の分解方法 |
JP2013542168A (ja) * | 2010-11-09 | 2013-11-21 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 高次シランの選択的分解法 |
KR20170060026A (ko) | 2014-09-25 | 2017-05-31 | 덴카 주식회사 | 펜타클로로디실란의 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조되는 펜타클로로디실란 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5316291B2 (ja) | 2008-08-05 | 2013-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
JP5316290B2 (ja) | 2008-08-05 | 2013-10-16 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
DE102010043646A1 (de) * | 2010-11-09 | 2012-05-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
US8226920B1 (en) * | 2011-01-07 | 2012-07-24 | Mitsubishi Polycrystalline Silicon America Corporation (MIPSA) | Apparatus and method for producing polycrystalline silicon having a reduced amount of boron compounds by venting the system with an inert gas |
DE102011110040B4 (de) * | 2011-04-14 | 2024-07-11 | Evonik Operations Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen mittels hochsiedender Chlorsilane oder chlorsilanhaltiger Gemische |
CN102530960B (zh) * | 2011-12-31 | 2013-08-14 | 中国天辰工程有限公司 | 一种多晶硅生产中的三氯氢硅生产方法 |
DE102012216356A1 (de) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen mittels hochsiedender Chlorsilane oder chlorsilanhaltiger Gemische |
CN103723734B (zh) * | 2012-10-10 | 2015-09-09 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种制备三氯氢硅的工艺 |
CN102923715A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-02-13 | 天威四川硅业有限责任公司 | 一种回收多晶硅生产所产生的尾气的新工艺 |
CN106395832B (zh) * | 2015-08-03 | 2018-11-20 | 新特能源股份有限公司 | 一种四氯化硅氢化方法 |
CN105060298B (zh) * | 2015-08-12 | 2017-11-07 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 一种多晶硅生产中高沸物制备有机硅的处理方法和装置 |
JP6853424B1 (ja) * | 2019-11-13 | 2021-03-31 | 株式会社トクヤマ | 塩化水素の脱湿方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004532786A (ja) * | 2001-06-08 | 2004-10-28 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 多結晶シリコンの製造方法 |
WO2007101789A1 (de) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Wacker Chemie Ag | Wiederverwertung von hochsiedenden verbindungen innerhalb eines chlorsilanverbundes |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3607125A (en) * | 1968-12-30 | 1971-09-21 | Gen Electric | Reformer tube construction |
CH521400A (de) * | 1969-01-24 | 1972-04-15 | Inventa Ag | Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung von Polylactamen |
BE795913A (fr) * | 1972-02-26 | 1973-06-18 | Degussa | Procede de preparation de chlorosilanes |
US3878234A (en) * | 1973-07-30 | 1975-04-15 | Dow Corning | Preparation of hydrocarbon silanes from polysilanes |
US4244935A (en) * | 1978-04-20 | 1981-01-13 | Aluminum Company Of America | Method of forming metal chlorides |
US4321246A (en) * | 1980-05-09 | 1982-03-23 | Motorola, Inc. | Polycrystalline silicon production |
US4900531A (en) * | 1982-06-22 | 1990-02-13 | Harry Levin | Converting a carbon preform object to a silicon carbide object |
US4526769A (en) * | 1983-07-18 | 1985-07-02 | Motorola, Inc. | Trichlorosilane production process |
JPH0791049B2 (ja) | 1988-01-21 | 1995-10-04 | 大阪チタニウム製造株式会社 | 多結晶シリコンの製造におけるポリマーのトリクロロシラン転化方法 |
US5118485A (en) * | 1988-03-25 | 1992-06-02 | Hemlock Semiconductor Corporation | Recovery of lower-boiling silanes in a cvd process |
US5118486A (en) * | 1991-04-26 | 1992-06-02 | Hemlock Semiconductor Corporation | Separation by atomization of by-product stream into particulate silicon and silanes |
US5292912A (en) * | 1993-07-19 | 1994-03-08 | Dow Corning Corporation | Catalytic conversion of direct process high-boiling component to chlorosilane monomers in the presence of hydrogen chloride |
DE19654154A1 (de) * | 1995-12-25 | 1997-06-26 | Tokuyama Corp | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
EP1264798B1 (en) | 2000-08-02 | 2016-08-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Process for producing disilicon hexachloride |
DE10039172C1 (de) | 2000-08-10 | 2001-09-13 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zum Aufarbeiten von Rückständen der Direktsynthese von Organochlorsilanen |
DE10126558C1 (de) | 2001-05-31 | 2002-06-13 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silanen |
US7033561B2 (en) * | 2001-06-08 | 2006-04-25 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of polycrystalline silicon |
JP4038110B2 (ja) | 2001-10-19 | 2008-01-23 | 株式会社トクヤマ | シリコンの製造方法 |
DE10309799A1 (de) * | 2003-03-05 | 2004-09-23 | Sgl Acotec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Chlorwasserstoff |
NO321276B1 (no) * | 2003-07-07 | 2006-04-18 | Elkem Materials | Fremgangsmate for fremstilling av triklorsilan og silisium for bruk ved fremstilling av triklorsilan |
DE102005005044A1 (de) | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Consortium für elektrochemische Industrie GmbH | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan mittels thermischer Hydrierung von Siliciumtetrachlorid |
KR101538168B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2015-07-20 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 전환 반응 가스의 분리 회수 방법 |
-
2009
- 2009-02-25 KR KR1020090015858A patent/KR101573933B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-26 CN CN2009100083323A patent/CN101519205B/zh active Active
- 2009-02-26 EP EP11164834.1A patent/EP2354090B1/en active Active
- 2009-02-26 US US12/379,702 patent/US9533279B2/en active Active
- 2009-02-26 EP EP09153800.9A patent/EP2096082B1/en active Active
- 2009-02-26 JP JP2009044930A patent/JP5621957B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004532786A (ja) * | 2001-06-08 | 2004-10-28 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 多結晶シリコンの製造方法 |
WO2007101789A1 (de) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Wacker Chemie Ag | Wiederverwertung von hochsiedenden verbindungen innerhalb eines chlorsilanverbundes |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011026155A (ja) * | 2009-07-23 | 2011-02-10 | Mitsubishi Materials Corp | クロロシラン重合物の分解方法および分解装置 |
JP2013512840A (ja) * | 2009-12-02 | 2013-04-18 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | 短鎖ハロゲン化ポリシランを製造する方法および装置 |
US9353227B2 (en) | 2009-12-02 | 2016-05-31 | Spawnt Private S.À.R.L. | Method and device for producing short-chain halogenated polysilanes |
JP2011144097A (ja) * | 2009-12-15 | 2011-07-28 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
JP2014080363A (ja) * | 2009-12-15 | 2014-05-08 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造方法 |
JP2012092005A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-05-17 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
JP2013542168A (ja) * | 2010-11-09 | 2013-11-21 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 高次シランの選択的分解法 |
JP2013103872A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Yamaguchi Univ | 廃シリコンからのハロシランの製造方法 |
JP2013203649A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Mitsubishi Materials Corp | クロロシラン重合物の分解方法 |
KR20170060026A (ko) | 2014-09-25 | 2017-05-31 | 덴카 주식회사 | 펜타클로로디실란의 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조되는 펜타클로로디실란 |
US10294110B2 (en) | 2014-09-25 | 2019-05-21 | Denka Company Limtied | Pentachlorodisilane production method and pentachlorodisilane produced by same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2354090B1 (en) | 2018-03-28 |
EP2096082A1 (en) | 2009-09-02 |
US9533279B2 (en) | 2017-01-03 |
EP2354090A2 (en) | 2011-08-10 |
EP2354090A3 (en) | 2012-08-08 |
KR101573933B1 (ko) | 2015-12-02 |
EP2096082B1 (en) | 2018-10-17 |
CN101519205A (zh) | 2009-09-02 |
JP5621957B2 (ja) | 2014-11-12 |
US20090220403A1 (en) | 2009-09-03 |
KR20090093842A (ko) | 2009-09-02 |
CN101519205B (zh) | 2013-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5621957B2 (ja) | トリクロロシランの製造方法および製造装置 | |
KR101388323B1 (ko) | 트리클로로실란의 제조 방법 및 트리클로로실란 제조 장치 | |
JP5374091B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
JP4714197B2 (ja) | トリクロロシランの製造方法および多結晶シリコンの製造方法 | |
TWI602780B (zh) | 受碳化合物污染的氯矽烷或氯矽烷混合物的後處理方法 | |
KR101614542B1 (ko) | 트리클로로실란 제조 장치 및 트리클로로실란의 제조 방법 | |
TWI474976B (zh) | 在涉及歧化操作之實質上封閉迴路方法中之多晶矽製造 | |
WO2003040036A1 (fr) | Procede de production de silicium | |
JPS63367B2 (ja) | ||
EP2036857B1 (en) | Method for producing trichlorosilane | |
JP2007526203A (ja) | シリコンの製造方法 | |
KR101644239B1 (ko) | 트리클로로실란 제조방법 | |
JP2010059043A (ja) | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 | |
JP2009062209A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
JP5772982B2 (ja) | 高純度クロロポリシランの製造方法 | |
JP4014451B2 (ja) | 四フッ化珪素の製造法 | |
JPH02172811A (ja) | トリクロロシランの製造方法 | |
TW201609539A (zh) | 三氯矽烷之製造方法 | |
JP2014162688A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
JP2013537161A (ja) | 高純度ケイ素の生成のための方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130104 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130507 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140212 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140827 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140909 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5621957 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |