JP2009222415A - 3次元構造体およびその製造方法 - Google Patents

3次元構造体およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】MEMS技術あるいはNEMS技術を用いて形成された可動構造を有する微小3次元構造体要素が膜状弾性体内へ配置された3次元構造体において、所望の位置に微小3次元構造体要素を配置することで様々な仕様に対応することができるとともに、その製造における取り扱い性を良好なものとする。
【解決手段】基板部材に固定された微小3次元構造体要素を覆うようにその内部に配置するとともに、基板部材に固定された弾性体を有する複数の3次元構造体構成用素子が、互いの基板部材を離間させて状態にて膜状弾性体内に配置させて3次元構造体を構成することにより、膜状弾性体内にて、複数の3次元構造体構成用素子を、所望の配置間隔や位置に配置することができ、様々な仕様に対応することができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術あるいはNEMS(Nano Electro Mechanical Systems)技術を用いて3次元的に形成された構造体およびその製造方法に関し、特に、可動構造を有する微小3次元構造体要素が弾性体内へ配置された素子と、この素子を用いて構成された3次元構造体、ならびにそれらの製造方法に関する。
ロボット技術の研究、開発においては、ロボットハンドにより対象物を如何にして確実に制御するのかということが、重要な課題の一つとなっている。具体的には、ロボットハンドにより対象物を掴むという動作に着目すれば、対象物を掴む握力を検出するだけでなく、この掴むという動作によりハンド表面に生じるせん断応力をも検出することが、ロボットハンドの確実な制御のためには必要となる。これは、対象物とハンド表面との間に生じる摩擦力をこのせん断応力により検出することで、最適な摩擦力の制御を行って対象物の確実な制御を実現することに役立つからである。
近年、このようなせん断応力を検出することを目的とした触覚センサが開発されつつある(例えば、特許文献1参照)。このような従来の触覚センサの一例について、図8に示す模式斜視図を用いて以下に説明する。
図8に示すように、触覚センサ501は、数百nm程度の薄膜で形成された複数のピエゾ抵抗カンチレバー502(そのヒンジ部にピエゾ抵抗体を備えたカンチレバー)が、互いに独立して膜状弾性体503内に配置された構成を有している。
このカンチレバー502は、その一端が固定部として形成され、その他端がカンチレバー502を形成する薄膜の厚み方向にのみ変形可能な可動部として形成されている。各々のカンチレバー502は、図示しない端子部および配線を通して、図示しない制御装置に電気的に接続されている。例えば、膜状弾性体503表面にせん断力あるいは圧力が付加された場合、膜状弾性体503内部に生じたせん断応力あるいは圧縮応力がカンチレバー502の可動部を動作させて変形させることで、このせん断力あるいは圧力を検出することが可能となっている。また、膜状弾性体503に作用する様々な方向のせん断応力あるいは圧縮応力を検出するために、それぞれのカンチレバー502は、可動部の変形方向が異なるように、例えば、図示X軸方向、Y軸方向、及びZ軸方向のそれぞれの方向にその変形方向が配置されるように、膜状弾性体503内に配置されている。
このように触覚センサ501が構成されていることにより、膜状弾性体503が対象物等に接触することにより、膜状弾性体503内に生じる様々な向きのせん断応力あるいは圧縮応力を、それぞれのカンチレバー502により検出することが可能となっている。なお、このような膜状弾性体503は、外力付加により容易に弾性変形するような材料として、例えばPDMS(Polydimethylsiloxane)により形成されている。
次に、このような構成を有する触覚センサ501の製造方法について説明する。
図9の模式説明図に示すように、例えば、2個のカンチレバー502が形成されたSOIウェハ510を、PDMSにて形成されたスペーサ516にて支持させた状態で容器517内に配置する。その後、図9に示すように、容器517内に流動状態の弾性体PDMS519を注入する。このPDMS519の注入は、少なくともそれぞれのカンチレバー502及びSOIウェハ510へのカンチレバー502の固定部分が、注入されたPDMS519内に浸積されて埋設されるように行われる。
その後、容器517内に注入されたPDMS519が硬化した後、PDMS519より露出された状態にあるSOIウェハ510の表面に付着している強度補強部材であるパリレン層518の部分的な除去を、例えばOプラズマエッチングにより行う。
次に、容器517の上面よりエッチング処理を施すことで、PDMS519より露出された状態にあるSOIウェハ510の犠牲層であるSi511およびSiO層512を除去する。その結果、図10に示すように、それぞれのカンチレバー502のSOIウェハ510への固定部分が除去されて、PDMS519の表面においてそれぞれの凹部520が形成された状態となる。従って、それぞれのカンチレバー2を固定していた犠牲層が除去されることで、PDMS519内において、個々のカンチレバー502が互いに独立して配置された状態とされる。
その後、図11に示すように、PDMS519の表面に形成されたそれぞれの凹部520内に流動状態のPDMS519を注入して、PDMS519の補充を行う。この補充の後、注入されたPDMS519を硬化させることによりPDMSにより形成された膜状弾性体503が形成され、触覚センサ501が完成する。
特開2007−218906号公報
このような構造を有する触覚センサ501では、SOIウェハ510上に形成されたカンチレバー502を、PDMS519内に配置した後、SOIウェハ510への固定部分である犠牲層の除去を行うという製造方法が採用されているため、SOIウェハ510におけるそれぞれのカンチレバー502の形成位置が、そのまま触覚センサ501におけるそれぞれのカンチレバー502の形成位置となる。そのため、例えば、大面積のシート状の膜状弾性体503内を用いた触覚センサ501を形成することが困難であるという問題がある。また、SOIウェハ510におけるカンチレバー502の形成位置に限定されることから、所望のピッチでカンチレバー502を膜状弾性体503内に配置することも困難となる。すなわち、触覚センサ501の大きさやカンチレバー502の配置間隔が制約され、その用途に応じた仕様の触覚センサ501を製造することができないという問題がある。
仮に、例えば、多数のカンチレバー502が形成されたSOIウェハ510を切断して、それぞれのカンチレバー502を個片化するような場合には、微小な構造体であるカンチレバー502に破損等が生じる恐れもあり、その取り扱いが困難となることが考えられる。
従って、本発明の目的は、上記問題を解決することにあって、MEMS技術あるいはNEMS技術を用いて形成された可動構造を有する微小3次元構造体要素が膜状弾性体内へ配置された3次元構造体において、所望の位置に微小3次元構造体要素を配置することで様々な仕様に対応することができるとともに、その製造における取り扱い性を良好なものとすることができる3次元構造体構成用素子および3次元構造体、ならびにそれらの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
本発明の第1態様によれば、可動構造を有する微小3次元構造体要素と、
上記微小3次元構造体要素が固定された基板部材と、
上記微小3次元構造体要素をその内部に配置する弾性体とを備え、
上記基板部材は凹状または凸状形状を有する係合部を有し、上記係合部と係合された状態にて、上記弾性体が上記基板部材に固定されている、3次元構造体構成用素子を提供する。
本発明の第2態様によれば、上記基板部材における上記微小3次元構造体要素の固定位置の周囲に、上記係合部として複数の係合用孔部が形成され、上記複数の係合用孔部内に上記弾性体が充填されている、第1態様に記載の3次元構造体構成用素子を提供する。
本発明の第3態様によれば、上記可動構造は、実質的に一の方向に変形可能な構造であって、
互いに変形可能な方向が異なる複数の上記微小3次元構造体要素が、1つの上記基板部材に固定された状態にて、1つの上記弾性体の内部に配置されている、第1態様または第2態様に記載の3次元構造体構成用素子を提供する。
本発明の第4態様によれば、上記基板部材は、それぞれの上記微小3次元構造体要素との間で電気信号の受け渡しを行う共通の回路部を有する、第3態様に記載の3次元構造体構成用素子を提供する。
本発明の第5態様によれば、第1態様から第4態様のいずれか1つに記載の複数の3次元構造体構成用素子と、
上記複数の3次元構造体構成用素子を、互いの上記基板部材を離間させた状態にてその内部に配置する膜状弾性体とを備える、3次元構造体を提供する。
本発明の第6態様によれば、上記弾性体を形成する樹脂は、上記膜状弾性体を形成する樹脂よりも、その溶融状態にて高い流動性を有する、第5態様に記載の3次元構造体を提供する。
本発明の第7態様によれば、上記複数の3次元構造体構成素子が実装されたフレキシブル基板をさらに備え、
上記フレキシブル基板は、上記膜状弾性体の内部に配置されている、第5態様または第6態様に記載の3次元構造体を提供する。
本発明の第8態様によれば、基板部材に固定された可動構造を有する複数の微小3次元構造体要素を弾性体の内部に配置するとともに、上記基板部材に形成された凹状または凸状形状を有する係合部と上記弾性体とを係合させながら上記弾性体を上記基板部材に固定し、
その後、上記基板部材と上記弾性体を切断して、上記複数の微小3次元構造体要素を分割して、分割された上記基板部材に1又は複数の上記微小3次元構造体要素が固定され、かつ分割された上記弾性体内に配置された複数の3次元構造体構成用素子を形成する、3次元構造体構成用素子の製造方法を提供する。
本発明の第9態様によれば、上記基板部材における上記微小3次元構造体要素の固定位置の周囲に、上記係合部として複数の係合用孔部を形成した後、
流動状態の樹脂材料を上記基板部材上に供給して、上記微小3次元構造体要素を覆うとともに、上記複数の係合用孔部内に上記樹脂材料を充填させ、
その後、上記樹脂材料を硬化させることにより、上記樹脂材料により形成された上記弾性体を上記基板部材に固定する、第8態様に記載の3次元構造体構成用素子の製造方法を提供する。
本発明の第10態様によれば、第8態様または第9態様の製造方法により製造された上記複数の3次元構造体構成用素子を、互いに上記基板部材を離間させた状態にて膜状弾性体の内部に配置して3次元構造体を形成する、3次元構造体の製造方法を提供する。
本発明の第11態様によれば、上記弾性体を形成する樹脂は、上記膜状弾性体を形成する樹脂よりも、その溶融状態にて高い流動性を有する、第10態様に記載の3次元構造体の製造方法を提供する。
本発明によれば、基板部材に固定された微小3次元構造体要素を覆うようにその内部に配置するとともに、基板部材に固定された弾性体を有する複数の3次元構造体構成用素子が、互いの基板部材を離間させて状態にて膜状弾性体内に配置させて3次元構造体を構成する。そのため、膜状弾性体内にて、複数の3次元構造体構成用素子を、所望の配置間隔や位置に配置することができ、様々な仕様に対応することができる3次元構造体を提供することができる。
また、本発明の3次元構造体構成用素子の製造方法によれば、基板部材上に形成された複数の微小3次元構造体要素を弾性体にて覆った後、基板部材と弾性体とを切断することで、1又は複数の微小3次元構造体要素を分割して、複数の3次元構造体構成用素子を形成することができる。この切断処理を行う際に、それぞれの微小3次元構造体要素は、弾性体により覆われて保護されているため、微小3次元構造体要素の損傷を防止することができるとともに、分割して形成された3次元構造体構成用素子の取り扱い性を良好なものとすることができる。
また、基板部材に設けられた係合部と弾性体とが係合されることで、基板部材への弾性体の固定が行われていることにより、この固定における強度を高めることができる。したがって、3次元構造体構成用素子において、微小3次元構造体要素の可動構造と弾性体との一体性を高めることができ、可動構造の動作と弾性体の変形との関連性を強めることができる。
以下に、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
本発明の一の実施形態にかかる3次元構造体の一例である触覚センサ(あるいは触覚センサ構造体)を構成するために用いられる3次元構造体構成用素子の一例であるセンサ素子1の模式的な構造を示す模式斜視図を図1に示す。
図1に示すように、本実施形態のセンサ素子1は、可動構造を有する微小3次元構造体要素の一例である複数のカンチレバー2と、複数のカンチレバー2が固定された基板部材4と、それぞれのカンチレバー2全体を覆うように基板部材4上に固定された弾性体3とを備えている。
センサ素子1の模式説明図である図2に示すように、それぞれのカンチレバー2は、例えば数百nm程度の厚さにて薄膜状に形成されており、その一端(固定端)を固定部2bとして基板部材4に固定され、その他端(自由端)を可動部2aとして、可動構造、すなわち片持ち梁構造にて形成されている。カンチレバー2は、その幅方向に対して厚み寸法が十分に薄くなるように形成されており、固定部2bに対して可動部2aを厚み方向に変形可能となっている。さらに、それぞれのカンチレバー2は、可動部2aと固定部2bとを接続し、その変形により可動部2aが動作するような接続部の一例であるヒンジ部2cが設けられており、このヒンジ部2cには、可動部2aの動作角度を電気的に検出するためのピエゾ抵抗部が設けられている。
また、図1に示すように、センサ素子1には、その可動部2aの変形の方向が異なる3種類のカンチレバー2が備えられており、例えば、図示X軸方向をその変形の方向とするX軸方向用カンチレバー2Xと、図示Y軸方向をその変形の方向とするY軸方向用カンチレバー2Yと、図示Z軸方向をその変形の方向とするZ軸方向用カンチレバー2Zとが備えられている。なお、図1において、X軸方向とY軸方向は、基板部材4の表面沿いにおいて互いに直交する方向であり、さらにX軸方向及びY軸方向に直交する方向がZ軸方向となっている。
また、弾性体3は、外力の付加等により弾性変形し、その弾性変形がカンチレバー2の可動部2aを動作(変形)させるような柔軟性を有する弾性材料により形成されており、このような弾性材料としては、例えば透明又は着色されたPDMS(Polydimethylsiloxane)が用いられる。また、弾性体3は、それぞれのカンチレバー2が直接的に外部の物体等と接触して損傷を受けることが無いように保護する機能も有しており、それぞれのカンチレバー2全体を覆うような厚み寸法、例えば300μm〜1mm以下程度の厚さ寸法に形成されており、後述するカンチレバー2の応力検出機能を効果的に達成しながら、柔軟性と強度とを両立することができるような厚さ寸法に形成されていることがより望ましい。
また、図1に示すように、基板部材4におけるそれぞれのカンチレバー2の形成位置には、カンチレバー2毎に貫通開口部5が形成されており、この貫通開口部5の縁部にカンチレバー2の固定部2bが固定されている。また、それぞれの貫通開口部5の縁部にカンチレバー2の可動部2aが干渉することがない大きさに貫通開口部5が形成されている。
さらに、図1においては図示しないが、それぞれのカンチレバー2における固定部2bには端子部が設けられており、これらの端子部には配線6が個別に設けられて、各々のカンチレバー2における可動部2aの動作角度を電気的に検出することが可能となっている。また、センサ素子1には、それぞれのカンチレバー2との間で配線6を通して電気信号の受け渡しを行う回路部(制御回路等、図示しない)が設けられている。
また、基板部材4の図示Y軸方向の両端部には、それぞれの配線6が接続された電極端子7が設けられている。基板部材4の上面においては、それぞれの電極端子7を露出させ、かつそれぞれの貫通開口部5およびカンチレバー2全体を完全に覆うように、弾性体3が配置されている。図1においては電極端子7が基板部材4の上面に露出しているが、電極端子7は基板部材4の裏面に露出していても良い。この場合は基板部材4を貫通する導電体等により、電極端子7は配線6と電気的に接続される。
さらに、図1に示すように、それぞれの貫通開口部5の周囲における基板部材4の上面には、係合部の一例である多数の係合用孔部8が形成されている。この係合用孔部8内には、弾性体3が充填されており、それぞれの係合用孔部8とその内側に充填された弾性体3との係合により、弾性体3と基板部材4とが強固に係合されて固定された状態とされている。このような係合用孔部8内へ確実に弾性体3を充填させるために、弾性体3として、例えばナノスケールの構造体(孔部等)内にも入り込みやすいという高い流動性(硬化前の溶融状態にて)を有する材料を用いることが好ましい。このような材料としては、例えば、ナノスケールの構造体の型取り・転写などに利用されるDowCorning社製のSylgard184という製品を用いることができる。
このような構成を有するセンサ素子1においては、弾性体3に外力が付加されることにより、その内部に生じるせん断応力または圧縮応力を、その応力が生じる方向をその変形方向とする可動部2aを有するカンチレバー2の可動部2aが動作変形されることでもって検出することが可能となっている。なお、図1におけるX軸方向用カンチレバー2XとY軸方向用カンチレバー2Yは、膜状弾性体3の表面沿いの方向に生じる力(せん断力)を検出するせん断力センサとして機能し、Z軸方向用カンチレバー2Zは、膜状弾性体3のZ軸方向の力、すなわち圧縮応力を検出する圧力センサとして機能する。なお、Z軸方向用カンチレバー2Zは、図1に示すように、カンチレバー2Xおよび2Yと同様に、片持ち梁形状に形成されるような場合であってもよく、あるいはこのような場合に代えて、その両端が基板部材4に固定されるような両持ち梁形状に形成されるような場合であってもよい。
ここで、このようなカンチレバー2により応力を検出する原理について、図2に示すセンサ素子1の模式説明図を用いて説明する。
図2に示すように、センサ素子1において、弾性体3の表面に沿った外力が作用されると、弾性体3において水平方向にせん断応力τが生じ、弾性体3が弾性的に変形されて、水平方向にせん断歪みγが生じることになる。弾性体3内に配置されているカンチレバー2は、その可動部2aが弾性体3と一体的に歪むこととなり、その結果、せん断歪みγだけその変形方向(例えば図示X軸方向)に変形される、すなわち弾性的に変形されることとなる。
一方、カンチレバー2のヒンジ部2cには、ピエゾ抵抗部が設けられている。このピエゾ抵抗部は、可動部2aの変形量に応じてその電気的な抵抗値が変化するという機能を有しているとともに、このような変形量と抵抗値の相関性が予め測定されて、電極端子7と接続される図示しない制御装置等に相関性データとして入力保持されている。従って、このせん断応力τにより弾性体3に生じたせん断歪みγがカンチレバー2を変形させた量に基づくピエゾ抵抗部の抵抗変化を検出することで、外力作用により弾性体3に生じるせん断応力τを検出することができる。なお、このような可動部2aの変形量検出による応力検出の原理によれば、弾性体3の表面沿いの方向の力を検出するX軸方向用カンチレバー2X及びY軸方向用カンチレバー2Yにおける可動部の起き上がり角度は、90度に設定されることが好ましく、圧力を検出するZ軸方向用カンチレバー2Zにおける可動部の起き上がり角度は、0度に設定されることが好ましい。
次に、このような構造を有する複数のセンサ素子1が用いられた触覚センサ10の構造について、図3の模式図を用いて説明する。
図3に示すように、触覚センサ10は、複数のセンサ素子1が、所定の位置に実装されたフレキシブル基板11と、これらのセンサ素子1およびフレキシブル基板11全体を覆うように、その内部に配置する膜状弾性体12とを備えている。フレキシブル基板11は、高い柔軟性を有しており、実装されたそれぞれのセンサ素子との間で信号の伝送を行う配線13が形成されている。なお、この配線13は、センサ素子1の基板部材4の上面に露出している電極端子7に導電体のワイヤを介して接続されている、またはセンサ素子1の基板部材4の裏面に露出している電極端子7に直接接続されている。また、それぞれのセンサ素子1は、互いに接触することが無いように、互いに離間、例えば、基板部材4が互いに離間して所定の位置に実装されている。膜状弾性体12は、高い柔軟性を有する弾性材料により形成されており、このような弾性材料としては、例えばPDMSが用いられる。
本実施形態の触覚センサ10がこのような構成を有することにより、図4の模式図に示すように、触覚センサ10は高い柔軟性を有し、様々な形状を有する表面、例えば曲面上に配置させて、膜状弾性体12に付加される外力(せん断力または圧力)を検出することができる。
次に、このような機能を有するセンサ素子1の製造方法について、以下に図面を用いて説明する。この製造方法の説明にあたり、図5A〜図5Eにセンサ素子1の製造方法の手順を示す模式断面図を示し、図6A〜図6Dにそれぞれの工程におけるセンサ素子1の状態を示す模式斜視図を示す。
まず、図5Aに示すように、例えば、300μm厚さのSi下層21、400nm厚さのSiO層22、及び290nm厚さのSi上層23により構成されるSOIウェハ20を用い、例えば急速熱拡散法を用いて、Si上層23における上100nmの部分を、ピエゾ抵抗層(部)24として形成し、さらにその後、ピエゾ抵抗層24上に、それぞれ厚さ10nmと150nmのAu/Ni層25をスパッタリング等により形成する。なお、このSOIウェハ20が最終的には基板部材4となる。
次に、このSOIウェハ20において、カンチレバー2の形成位置の周囲に、Au/Ni層25側より複数の係合用孔部8を形成する。具体的には、Au/Ni層25上に所定の形状にパターニングされたマスク層(図示せず)を形成した後、Au/Ni層25をエッチングし、さらにピエゾ抵抗層24およびSi上層23をDRIE(Deep Reactive Ion Etching)にてエッチングを行う。その後、SiO層22をHF(hydrogen fluoride)溶液を用いてエッチングを行い、さらにSi下層21をDRIEにてエッチングを行う。このエッチング処理により、SOIウェハ20上には、図5Bに示すように、複数の係合用孔部8が形成される。なお、係合用孔部8は、後にカンチレバー2が形成される位置の周囲近傍に形成されることが好ましく、配線6などの他の構成部と干渉しない位置に、例えば40μm程度の深さにて形成される。また、エッチング処理完了後、マスク層は除去される。
このような複数の係合用孔部8が形成されたAu/Ni層25上に、マスク層(図示せず)を形成し、その後、所定の形状にパターニングして、このマスク層を用いて、Au/Ni層25、ピエゾ抵抗層24およびSi上層23に対してエッチングを行う。その後、カンチレバー2のピエゾ抵抗部を形成するために、カンチレバー2の固定部2bと可動部2aをつなぐ部分であるヒンジ部に相当する部分を覆うように配置されているマスク層を、エッチングにより除去する。さらにその後、SOIウェハ20の裏面側より、Si下層21に対してDRIEにてエッチングを行い、さらに、HFガスを用いてSiO層をエッチングすることにより、カンチレバー2において可動部2a、すなわち自由端となるべき構造部を、Si下層21及びSiO層から開放させた状態とさせる(すなわち、貫通開口部5を形成する。)。これで、カンチレバー2としての基本的な構造が完成する。
その後、SOIウェハ20に対して例えば磁界を付与すること等により、X軸方向用およびY軸方向用のカンチレバー2X、2Yの可動部2aを鉛直方向沿いに立ち上げさせて、所定の処理を施すことにより、可動部2aが立ち上げられた状態(起立姿勢状態)を保持させる。一方、Z軸方向用のカンチレバー2Zの可動部2aは立ち上げられることなく、その水平方向の姿勢が保持された状態とされる。その結果、図5Cおよび図6Aに示すように、SOIウェハ20をベースとして基板部材4に固定された複数のカンチレバー2が形成される。なお、図5Cでは、カンチレバー2として、例えばX軸方向用カンチレバー2XとZ軸方向用カンチレバー2Zの2つのカンチレバーのみを図示している。
ここで、このようなカンチレバー2の模式上面図を図7に示す。なお、図7では、起立姿勢とされる前の状態のカンチレバー2を示す。図7に示すように、カンチレバー2は、例えばその可動部2aにおける幅寸法d1が80μm、可動部2aの長さ寸法d2が200μm、可動部2aと固定部2bとの間のヒンジ部2cの長さ寸法d3が100μm、それぞれのヒンジ部2cの幅寸法が25μmというような大きさに形成されており、カンチレバー2全体の長さ寸法が300μmとなっている。また、ピエゾ抵抗層24の厚さ寸法が100nmとされている。また、図7に示すように、カンチレバー2の固定部2bには、外部との間で電気信号の受け渡しを行うための端子部9が形成されている。さらに、可動部2aと固定部2bとの間のヒンジ部2cは、図示平面的に中空部分が設けられている。また、このようにヒンジ部2cが、中空部分が設けられるように2本の構造体に分割されていることにより、それぞれの構造体に対して付与される傾き等の出力を、それぞれのピエゾ抵抗層の出力間で打ち消し合うことで、カンチレバー2における一方向のみの変形量を正確に検出することが可能となる。なお、このようなヒンジ部2cにおける上記構造体の幅寸法は、例えば25μmに形成される。なお、本明細書において微小3次元構造体要素の「微小」とは、例えば、100μm〜1mm程度の厚さに形成された弾性体3内に複数の3次元構造体要素(すなわち、カンチレバー2)が配置されても、膜状弾性体12が有する柔軟性に実質的な影響がほとんど生じないような3次元構造体要素の大きさを示すものであり、例えば、数百μm以下の大きさを示す。また、このようなカンチレバー2は、弾性体3の厚さ寸法に応じて、その柔軟性に実質的な影響を与えないような大きさに、数百μm以下でより小さな大きさに形成されることが望ましい。
次に、図6Bに示すように、このようなSOIウェハ20上において形成されたそれぞれのカンチレバー2を覆うように弾性体3を形成する。具体的には、SOIウェハ20のカンチレバー2が形成されている側の表面に、流動状態(あるいは溶融状態)の弾性体(例えば上述したナノ構造体用のPDMS)3を注入して供給する。このような弾性体3の供給は、少なくとも全てのカンチレバー2が弾性体3内に浸積されて埋設されるように行われる。また、この弾性体3は、高い流動性を有しているため、それぞれの貫通開口部5および係合用孔部8内にも弾性体3が注入されて充填された状態となる。その後、供給された流動状態の弾性体3を硬化させて、図5Dおよび図6Cに示すように、弾性体3の内側にそれぞれのカンチレバー2が配置された状態となる。また、この状態においては、それぞれの係合用孔部8内にも弾性体3が入り込んで硬化しているため、弾性体3と基板部材4の表面とが互いに係合された状態にて強固に固定されている。なお、弾性体3は、その厚さ寸法として、例えば500μmに形成される。
このような状態では、図6Cに示すように、複数のセンサ素子1が、基板部材4および弾性体3が一体的に連結されて連なった状態となっている。その後、図6Dに示すように、切断治具の一例であるダイサー29を用いて、弾性体3および基板部材4を切断する。その結果、図5Eに示すように、それぞれのセンサ素子1が互いに分割されて、複数のセンサ素子1が形成される。なお、このセンサ素子1の分割、すなわちダイシング処理の前後において、センサ素子1の電極端子7上に配置されている弾性体3を部分的に除去して、電極端子7を露出される処理が行われる。このように形成されたセンサ素子1は、例えば図1に示すように、X軸方向用カンチレバー2X、Y軸方向用カンチレバー2Y、Z軸方向用カンチレバー2Zを備えており、例えば、X軸方向に2mm、Y軸方向に2mm程度の大きさにて形成される。
その後、図3に示すように、それぞれのセンサ素子1をフレキシブル基板11上の所定の実装位置に実装する。さらにその後、複数のセンサ素子1が実装されたフレキシブル基板11を、流動状態のPDMS内に浸積すること等により、膜状弾性体12内に配置する。流動状態のPDMSが硬化すると、図3に示す触覚センサ10が完成する。
また、触覚センサ10の厚み方向に関して、それぞれのカンチレバー2のヒンジ部2cが膜状弾性体12の中立線上に位置されるように、それぞれのセンサ素子1が配置されることが好ましい。このような配置が採用されることにより、膜状弾性体12が曲げられた場合であっても、中立線上においては伸びや縮みが生じにくいため、膜状弾性体12の曲げの伴うカンチレバー2の破損を防止することができる。
なお、膜状弾性体12の形成が、流動状態のPDMSの供給により行われる場合に代えて、2枚の膜状のPDMSを用いてフレキシブル基板11を挟んで、この2枚の膜を一体的に接合すること等により行われるような場合であってもよい。
また、それぞれのセンサ素子1とフレキシブル基板11とが、共に膜状弾性体12の内部に配置される場合に代えて、それぞれのセンサ素子1のみが膜状弾性体12の内部に配置されて、フレキシブル基板11が膜状弾性体11と接するように配置されているような構造を採用することもできる。このような構造が採用される場合には、フレキシブル基板11のセンサ素子1が実装されている表面にPDMSを例えば転写することで、それぞれのセンサ素子1を膜状弾性体12内に配置させるという手法を採用することもできる。
また、このような微小3次元構造体要素であるカンチレバー2は、少なくともその一部が可動する可動構造を有しており、弾性体内へ配置された状態において、外力の作用等によりその周囲に配置されている弾性体とともに可動する構造を有するような構造体要素である。ただし、このような微小3次元構造体要素が弾性体内に埋設されて形成される3次元構造体構成用素子(センサ素子1)が、可動部(可動構造)の変形を検出するセンサ等の用途に限られず用いられるような場合、例えば、集積回路やフォトセンサなどの可動部の変形を伴わないような用途において用いられるような場合にあっては、それぞれの微小3次元構造体要素が、可動構造を有していないような場合であってもよく、本発明の製造方法を適用して3次元構造体構成用素子を製造することができる。
さらに、微小3次元構造体要素は、3次元構造体に対する外力の作用により弾性体に生じる弾性変形(例えばせん断歪み)に基づくその可動構造の動作(変形)を検知する外力検知機能を有していることが好ましい。あるいは、その可動構造を動作(変形)させることによりその周囲に配置されている弾性体に対して外力を伝達し、この弾性体を弾性変形させる外力伝達機能を有しているような場合であってもよい。このような外力検知機能は、例えばカンチレバーを例とすれば、触覚センサとしての機能に代表され、また、外力伝達機能は、カンチレバーをアクチュエータとして作動させることで、弾性体を部分的に弾性変形させるような機能である。このように、微小3次元構造体要素が、外力検知機能や外力伝達機能を有すれば、弾性体内に埋め込まれた状態にて当該機能を個別的にかつ確実に発揮することが可能となる。なお、カンチレバーにおけるピエゾ抵抗層(部)が、このような機能を有する外力検知部である。また、カンチレバーを外力伝達部としても機能させることも可能である。カンチレバーを外力伝達部として機能させるには、可動部を動作させる機構、例えば圧電素子を別途備えさせるか、あるいは、磁気異方性を用いて磁場を印加して可動部を動作させることにより実現することができる。さらにカンチレバーに外力検知機能と外力伝達機能とを併せて備えさせることで、外力検知機能により外力の検知を受けて外力伝達機能により情報伝達させるようにすることもできる。
また、3次元構造体構成用素子や3次元構造体は、このようにセンサやアクチュエータとして適用される以外に、集積回路、ディスプレイ(有機EL)などにも適用することができる。また、このような触覚センサは、ロボットの皮膚感覚センサとしての用途以外にも、大面積(特に曲面形状を有する)の物体の表面に膜状弾性体を接触させて物体表面の形状を測定する計測器用プローブ、コンピュータ入力用のポインティングデバイス、タブレット、並びにバーチャルリアリティ実現用の入力および出力装置としての用途にも適用可能である。また、3次元構造体は、可動構造を有する微小3次元構造体要素を温度や加速度を検知する構造体要素として機能させるような温度センサや加速度センサとして構成させることもできる。さらに、温度検知機能を有する微小3次元構造体要素と、他の機能を有する微小3次元構造体要素とを混在させて弾性体内に配置させてセンサを一体的に構成することで、温度補償センサを構成することもできる。
上記実施形態によれば、以下のような種々の効果を得ることができる。
まず、基板部材4上に固定されたカンチレバー2と、このカンチレバー2を覆うように基板部材4に固定された弾性体3とにより構成される複数のセンサ素子1を用いて、膜状弾性体12の内部に、それぞれのセンサ素子1を互いに離間させた状態にて配置して、触覚センサ10を構成することができる。そのため、膜状弾性体12内にて、複数のセンサ素子1を、所望の配置間隔や位置に配置させることができ、様々な用途や仕様に対応可能な触覚センサ10を提供することができる。
特に、このようなカンチレバーは、SOIウェハ上に形成されるため、従来のように、SOIウェハ上に形成された複数のカンチレバーを、そのまま弾性体内に配置させるような手法では、それぞれのカンチレバーの配置間隔や位置が、SOIウェハ上の形成位置に限定されることになるため、カンチレバー2の配置の自由度が低いという問題がある。しかしながら、本実施形態のように、SOIウェハ20上に形成された複数のカンチレバー2を1個又は複数個のグループに分割して、分割された個々のグループのカンチレバー2を、所望の配置間隔および位置にて膜状弾性体12内に配置させることができる。したがって、例えば、大面積のシート状の形態を有する触覚センサ10を形成することも可能となる。また、カンチレバー2の配置間隔を変更するような場合、エッチングプロセスにて用いられるマスクレイアウトからの設計変更を伴うことなく、単にセンサ素子1の配置間隔を変更することで対応することができるため、カンチレバー2の配置の自由度を高めることができる。
また、本実施形態では、SOIウェハ20上に形成されたそれぞれのカンチレバー2を弾性体3にて覆った状態にて、SOIウェハ20および弾性体3を切断して、個々のセンサ素子1への分割を行うという手法が採用されている。このような手法が採用されていることにより、分割された後のセンサ素子1においても、それぞれのカンチレバー2が弾性体3にて保護された状態とすることができるため、センサ素子1の取り扱い性を良好なものとすることができる。特に、このようなカンチレバー2自体は、MEMSまたはNEMS技術にて形成されるような微小な構造体要素であるため、比較的損傷しやすいという特徴を有するが、このように弾性体3にて保護された状態にて、分割のためのダンシング処理が行われるため、分割処理の際にカンチレバー2を確実に保護することができる。さらにその後、個々のセンサ素子1にてもカンチレバー2が弾性体3にて保護された状態が継続されるため、カンチレバー2の保護が確実なものとなる。
また、センサ素子1において、基板部材4の表面におけるそれぞれのカンチレバー2の形成位置の周囲に、複数の係合用孔部8が形成されており、この係合用孔部8の内部に弾性体3が充填されていることにより、基板部材4への弾性体3の固定の強度を高めることができる。このように固定強度を向上させることで、センサ素子1の耐久性を高めることができる。さらに、可動部2aを有するカンチレバー2の周囲にこのような係合用孔部8が設けられていることにより、カンチレバー2とその周囲近傍の弾性体3との一体性を高めることができ、可動部2aの動作と弾性体3の変形との関連性を強めることができる。
また、触覚センサ10では、膜状弾性体12と、センサ素子1の弾性体3との2つの弾性体が用いられる構成が採用されていることにより、例えば、それぞれの弾性体の種類をその目的や機能に応じて異ならせることができる。例えば、弾性体3として膜状弾性体12よりも流動性の高い弾性材料を用いることにより、基板部材4上に形成された微小形状を有する種々の構成部(カンチレバー2および係合用孔部8)の細部にまで弾性体3を入り込ませて、それぞれの構成部の表面に弾性体3を確実に接するように配置させることができる。一方、膜状弾性体12としては、触覚センサ10の用途や仕様に応じた仕様の弾性材料を用いることができる。したがって、このように弾性体の種類を使い分けることで、センサ素子1としての機能を確実なものとしながら、様々な仕様や用途に対応可能な触覚センサ10を提供することができる。なお、膜状弾性体12と弾性体3とに同じ種類の弾性材料が用いられるような場合であってもよい。
また、触覚センサ10の用途や仕様に応じて、センサ素子1の弾性体3の厚みを設定することができる。例えば、弾性体3の厚みを厚く設定することで、同じ大きさ力(せん断力や圧力)が付加された場合でも弾性体3の変位量が大きくなるため、触覚センサ10に接する対象物に柔らかく接することができる。また、付加された力が分散することになるため、カンチレバー2等が破損することを防止することができる。また、弾性体3の厚みが厚くなる程、応力検出の周波数特性が低下する傾向になる。したがって、求められる触覚センサ10の仕様に応じて、センサ素子1の弾性体3の厚みを設定することが好ましい。
また、センサ素子1の製造工程を実施した後、触覚センサ10を製造する前に、センサ素子1単体にて品質検査を行うことができる。このような品質検査を行うことで、不良のセンサ素子1を排除して、触覚センサ10を製造することができ、製造された触覚センサ10の品質を向上させることができる。
なお、上述の説明ではでは、センサ素子1内に、X軸方向用カンチレバー2X、Y軸方向用カンチレバー2Y、およびZ軸方向用カンチレバー2Zの異なる3方向の応力を検出可能なカンチレバー2を配置させた構成を例として説明したが、本実施形態はこのような場合についてのみ限定されるものではない。このような場合に代えて、例えば、1つのカンチレバー2のみが、センサ素子1内に備えられるような場合でもよく、また、同一方向の応力を検出可能なカンチレバー2が複数個備えられるような場合でもよい。
ただし、X軸、Y軸およびZ軸というように異なる3つの方向の応力を検出可能なカンチレバー2をセンサ素子1が備えるような構成を採用することにより、1つのセンサ素子1にて、すなわち同じ位置にて異なる3つの方向の応力を検出することができる。また、センサ素子1が備える回路部にて、このような3つのカンチレバー2に共通する回路、例えば、温度補償、増幅などの制御回路を共有させて、センサ素子1毎に調整が可能な仕様とすることができ、センサ素子1の信頼性を高めることができる。また、このような回路部の共有化を行うことで、センサ素子1の電気的な条件の共有化を図ることができるとともに、回路構成の小型化を図ることができる。
また、上述の説明では、係合用孔部8が、基板部材4を貫通しないような孔部として形成されているような場合について説明したが、このような係合用孔部8を貫通孔として形成することもできる。貫通孔として形成される場合には、係合用孔部8内への弾性体3の充填性を高めることができる。一方、貫通しないような孔部として形成される場合には、流動性の高い弾性材料を用いて、孔部内に残留する気泡を真空脱泡することにより、その充填性を高めることができる。
また、このような係合用孔部8は、基板部材4における弾性体3との接触表面積を増大させるように形成されることが好ましく、小さな孔径の係合用孔部8をより深い深さ寸法にて多数形成することが好ましい。また、接触表面積を増大させるという観点から見ると、孔部8の内表面は凹凸の多い表面にて形成することが好ましい。ただし、弾性体3の流動性等の仕様を考慮して、確実な充填を行うという観点から、その孔径や深さ寸法および内表面の形状などを決定することが望ましい。また、係合用孔部8の数や仕様は、基板部材4の強度を損なわないように決定することが望ましい。
なお、上述の説明では、係合部の一例として係合用孔部8について説明したが、この孔部8の孔形状は、円形の他、楕円形、矩形、多角形など、様々な形状を採用することができる。また、係合部として、基板部材4の表面に凹状または凸状形状の構造部を形成するような場合であってもよい。
また、上述の説明では、それぞれのセンサ素子1を切断して分割するための手段としてダイサー29を用いたダイシング処理が行われる場合を一例として説明したが、このような切断治具を用いるような場合に代えて、エッチング処理等を用いた分割処理を行うような場合であってもよい。
なお、上記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
本発明の一の実施形態にかかるセンサ素子の模式斜視図 図1のセンサ素子における外力検出機能を説明する模式説明図 センサ素子を用いて構成された触覚センサの模式斜視図 図3の触覚センサの模式断面図 センサ素子の製造方法の模式図であり、基板部材が形成された状態の図 センサ素子の製造方法の模式図であり、基板部材に係合用孔部が形成された状態の図 センサ素子の製造方法の模式図であり、カンチレバーが形成された状態の図 センサ素子の製造方法の模式図であり、弾性体が配置された状態の図 センサ素子の製造方法の模式図であり、センサ素子が分割された状態の図 センサ素子の製造方法を示す別の模式図であり、カンチレバーが形成された状態の図 センサ素子の製造方法を示す別の模式図であり、弾性体を供給している状態の図 センサ素子の製造方法を示す別の模式図であり、弾性体が配置された状態の図 センサ素子の製造方法を示す別の模式図であり、ダイシング処理が行われている状態の図 センサ素子が備えるカンチレバーの模式平面図 従来の触覚センサの模式斜視図 従来の触覚センサの製造方法の模式説明図 従来の触覚センサの製造方法の模式説明図 従来の触覚センサの製造方法の模式説明図
符号の説明
1 センサ素子
2 カンチレバー
3 弾性体
4 基板部材
5 貫通開口部
6 配線
7 電極端子
8 係合用孔部
9 端子部
10 触覚センサ
11 フレキシブル基板
12 膜状弾性体

Claims (11)

  1. 可動構造を有する微小3次元構造体要素と、
    上記微小3次元構造体要素が固定された基板部材と、
    上記微小3次元構造体要素をその内部に配置する弾性体とを備え、
    上記基板部材は凹状または凸状形状を有する係合部を有し、上記係合部と係合された状態にて、上記弾性体が上記基板部材に固定されている、3次元構造体構成用素子。
  2. 上記基板部材における上記微小3次元構造体要素の固定位置の周囲に、上記係合部として複数の係合用孔部が形成され、上記複数の係合用孔部内に上記弾性体が充填されている、請求項1に記載の3次元構造体構成用素子。
  3. 上記可動構造は、実質的に一の方向に変形可能な構造であって、
    互いに変形可能な方向が異なる複数の上記微小3次元構造体要素が、1つの上記基板部材に固定された状態にて、1つの上記弾性体の内部に配置されている、請求項1または2に記載の3次元構造体構成用素子。
  4. 上記基板部材は、それぞれの上記微小3次元構造体要素との間で電気信号の受け渡しを行う共通の回路部を有する、請求項3に記載の3次元構造体構成用素子。
  5. 請求項1から4のいずれか1つに記載の複数の3次元構造体構成用素子と、
    上記複数の3次元構造体構成用素子を、互いの上記基板部材を離間させた状態にてその内部に配置する膜状弾性体とを備える、3次元構造体。
  6. 上記弾性体を形成する樹脂は、上記膜状弾性体を形成する樹脂よりも、その溶融状態にて高い流動性を有する、請求項5に記載の3次元構造体。
  7. 上記複数の3次元構造体構成素子が実装されたフレキシブル基板をさらに備え、
    上記フレキシブル基板は、上記膜状弾性体の内部に配置されている、請求項5または6に記載の3次元構造体。
  8. 基板部材に固定された可動構造を有する複数の微小3次元構造体要素を弾性体の内部に配置するとともに、上記基板部材に形成された凹状または凸状形状を有する係合部と上記弾性体とを係合させながら上記弾性体を上記基板部材に固定し、
    その後、上記基板部材と上記弾性体を切断して、上記複数の微小3次元構造体要素を分割して、分割された上記基板部材に1又は複数の上記微小3次元構造体要素が固定され、かつ分割された上記弾性体内に配置された複数の3次元構造体構成用素子を形成する、3次元構造体構成用素子の製造方法。
  9. 上記基板部材における上記微小3次元構造体要素の固定位置の周囲に、上記係合部として複数の係合用孔部を形成した後、
    流動状態の樹脂材料を上記基板部材上に供給して、上記微小3次元構造体要素を覆うとともに、上記複数の係合用孔部内に上記樹脂材料を充填させ、
    その後、上記樹脂材料を硬化させることにより、上記樹脂材料により形成された上記弾性体を上記基板部材に固定する、請求項8に記載の3次元構造体構成用素子の製造方法。
  10. 請求項8または9の製造方法により製造された上記複数の3次元構造体構成用素子を、互いに上記基板部材を離間させた状態にて膜状弾性体の内部に配置して3次元構造体を形成する、3次元構造体の製造方法。
  11. 上記弾性体を形成する樹脂は、上記膜状弾性体を形成する樹脂よりも、その溶融状態にて高い流動性を有する、請求項10に記載の3次元構造体の製造方法。
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