JP2009202265A - 塗布装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板を吸着する吸引力を急速に発生させることにより吸着時間を短縮し、塗布装置全体としてのタクトタイムを向上させることができる塗布装置を提供する。
【解決手段】ステージの表面に形成された吸引孔に吸引力を発生させて基板をステージの表面に吸着させて保持させる基板保持手段と、基板に対して相対的に移動しつつ塗布液を吐出する塗布ユニットと、を備える塗布装置において、基板保持手段の吸引孔には、吸引力を発生させる吸引力発生装置と接続されるメイン配管及びサブ配管が連通して接続されており、メイン配管には、メイン配管経路を開閉するメインバルブが設けられ、サブ配管には、サブ配管経路を開閉するサブバルブが設けられるとともに、このサブバルブよりも吸引力発生装置側に所定容量を有する貯留部を備える貯留タンクが設けられ、貯留部は、一定区間におけるサブ配管の容量と比べて大きい容量を有して構成とする。
【選択図】図3

Description

本発明は、基板上に塗布液を塗布する塗布装置に関するものである。
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、ガラス基板上にレジスト液が塗布されたもの(塗布基板と称す)が使用されている。この塗布基板は、レジスト液を均一に塗布する塗布装置によって形成されている。
この塗布装置は、基板が載置されるステージと、レジスト液が吐出される塗布ユニットを有しており、塗布ユニットからレジスト液を吐出させながら塗布ユニットを移動させることにより、基板上に均一厚さのレジスト液膜が形成されるようになっている。
このような塗布装置では、基板をステージ上に保持させる手段として、ステージに吸引孔が形成されており、この吸引孔に吸引力を発生させることにより、基板をステージ上に吸着して保持させることが一般に知られている(例えば特許文献1参照)。具体的には、吸引孔と吸引力発生装置とが配管を介して接続されており、この吸引力発生装置を作動させることにより、配管を通じて吸引孔に吸引力が発生するようになっている。すなわち、吸引力発生装置を作動させると、配管内の大気が排気されることにより配管内が吸引力発生装置で設定された設定圧(大気圧より小さい圧力)となり、吸引孔にはその設定圧に応じた吸引力が発生する。このようにして、基板がステージ上に吸着されて保持できるようになっていた。
特開2006−281091号公報
上記塗布装置では、基板を吸着して保持するために多くの時間が必要となり、塗布装置全体としてのタクトタイムが長期化するという問題があった。すなわち、吸引孔に吸引力を発生させるのに必要な時間は、吸引力発生装置の排気速度に依存しているため、基板をステージに急速に吸着させるためには、高速で排気を行う必要がある。
しかし、吸引力発生装置は、塗布装置を設置する工場に設置されているのが一般的であり、吸引力発生装置を要する他の装置も接続されているため、排気速度を上げるために吸引力発生装置の設定圧を変更すると他の装置にも影響が出る虞がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、吸引力発生装置の設定圧を変更することなく、基板を吸着する吸引力を急速に発生させることにより吸着時間を短縮し、塗布装置全体としてのタクトタイムを向上させることができる塗布装置を提供することを目的としている。
上記課題を解決するために本発明の塗布装置は、基板を載置するステージと、前記ステージの表面に形成された吸引孔に吸引力を発生させて基板をステージの表面に吸着させて保持させる基板保持手段と、前記ステージの表面に保持された基板に対して相対的に移動しつつ塗布液を吐出する塗布ユニットと、を備える塗布装置において、前記基板保持手段の吸引孔は、吸引力を発生させる吸引力発生装置と配管を介して連通して接続されており、前記配管は、メインバルブにより開閉可能なメイン配管と、サブバルブにより開閉可能なサブ配管とを備え、前記サブ配管には、前記サブバルブよりも吸引力発生装置側に所定容量を有する貯留部を備える貯留タンクが設けられ、その貯留部は、一定区間におけるサブ配管の容量に比べて大きい容量を有していることを特徴としている。
上記塗布装置によれば、一定区間におけるサブ配管の容量と比べて容量の大きい前記貯留部を有する貯留タンクが設けられているため、ステージの吸引孔に吸引力を発生させて急速に基板を吸着させることができる。具体的には、メインバルブとサブバルブとが閉じた状態で吸引力発生装置を作動させることにより、貯留タンクの貯留部が吸引力発生装置で設定された設定圧(大気圧よりも低い圧力)に維持される。そして、基板がステージの表面に載置された状態でメインバルブとサブバルブとを開状態にすることにより、前記設定圧に保たれた貯留タンクの貯留部が一気に開放されるため、サブバルブから吸引孔に至る配管内の大気が一気に貯留部に引き込まれる。これにより、吸引孔に吸引力を急速に発生させることができる。したがって、サブバルブを動作させるだけで吸引孔に吸引力を急速に発生させることができるため、吸引力発生装置の設定圧を変更することなく、基板を吸着させる吸着時間を短縮することができ、ひいては塗布装置全体としてのタクトタイムを向上させることができる。
また、前記貯留部の容量は、前記サブバルブから前記吸引孔に至る配管の容量の総和よりも大きくなるようにしてもよい。
この構成によれば、貯留タンクの貯留部によって、サブバルブから吸引孔に至る配管内に存在する大気のすべてが貯留部に引き込まれるため、吸引孔における吸引力を確実に発生させることができる。
また、前記サブ配管には、補助配管が設けられており、この補助配管は、前記貯留タンクを迂回して、貯留タンクと吸引力発生装置側で接続される吸引側サブ配管と、貯留タンクとサブバルブ側で接続されるバルブ側サブ配管と、に連通して接続されている構成としてもよい。
この構成によれば、設定圧に保たれた貯留タンクの貯留部が一気に開放されることにより、貯留タンクの両側に配置されるバルブ側サブ配管内及び吸引側サブ配管内の大気が一気に貯留タンク内に引き込まれる。これに伴って、吸引側サブ配管に連通する補助配管内の大気も吸引側サブ配管を通じて貯留タンク内に引き込まれることにより、バルブ側サブ配管内の大気がさらに補助配管を通じて貯留タンク内に引き込まれる。すなわち、この補助配管を設けることにより、補助配管を設けていない場合に比べて、バルブ側サブ配管内の大気が貯留タンクに引き込まれる流量が大きくなるため、バルブ側サブ配管から吸引孔に至る配管内の大気が一気に貯留部に引き込まれる。これにより、吸引孔における吸引力をさらに急速に発生させることができる。
また、前記メインバルブ及びサブバルブの開閉動作を制御する制御装置を備えており、この制御装置は、メインバルブ及びサブバルブが閉状態で吸引力発生装置を作動させることにより、前記貯留タンクの貯留部を大気圧よりも小さい圧力に維持させて、ステージの表面に基板が載置された後、メインバルブとサブバルブとを開状態にすることにより、基板をステージ表面に吸着させるように構成することができる。
また、前記メインバルブ及びサブバルブの開閉動作を制御する制御装置を備えており、この制御装置は、メインバルブ及びサブバルブを閉状態に維持し、ステージの表面に基板が載置されると、メインバルブとサブバルブとを開状態にすることにより基板をステージ表面に吸着させた後、吸引孔の圧力が所定の圧力に達した場合には、サブバルブを閉状態にして基板がステージの表面上に保持された状態を維持する構成とすることができる。
この構成によれば、メインバルブ及びサブバルブを閉状態から開状態にすることにより、基板をステージ表面に急速に吸着させると、吸引孔には必要以上の大きな吸引力が発生する場合がある。そして、必要以上の吸引力で基板を吸着し続けた場合には、塗布を行う際、吸引孔に相当する基板部分において塗布ムラが生じる虞がある。したがって、吸引孔の圧力が所定の圧力に達した場合に、サブバルブを閉状態としてメイン配管のみで吸着を行うことにより、吸引孔に必要以上の大きな吸引力が発生するのを抑えることができ、吸引孔に相当する基板部分に塗布ムラが発生するのを抑えることができる。
本発明の塗布装置によれば、吸引力発生装置の設定圧を変更することなく、基板を吸着する吸引力を急速に発生させることにより吸着時間を短縮し、塗布装置全体としてのタクトタイムを向上させることができる。
本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。
図1は、本発明の一実施形態における塗布装置を概略的に示す斜視図であり、図2は、
塗布ユニットの脚部付近を示す図であり、図3は、塗布装置の配管系統を示す図である。
図1〜図3に示すように、塗布装置は、基板10上に薬液やレジスト液等の液状物(以下、塗布液と称す)の塗布膜を形成するものであり、基台2と、基板10を載置するためのステージ21と、このステージ21に対し特定方向に移動可能に構成される塗布ユニット30とを備えている。
なお、以下の説明では、塗布ユニット30が移動する方向をX軸方向、これと水平面上で直交する方向をY軸方向、X軸およびY軸方向の双方に直交する方向をZ軸方向として説明を進めることとする。
前記基台2には、その中央部分にステージ21が配置されている。このステージ21は、搬入された基板10を載置するものである。このステージ21には、基板保持手段40が設けられており、この基板保持手段40により基板10が保持されるようになっている。具体的には、ステージ21の表面に形成された複数の吸引孔21aが形成されており、この吸引孔21aに吸引力を発生させることにより基板10をステージ21の表面に吸着させて保持できるようになっている。
すなわち、図3に示すように、複数の吸引孔21aには、他の装置と共用して使用される既設の真空ポンプ81(吸引力発生装置)と接続される配管50が連通して接続されており、真空ポンプ81を作動させると配管50内が低圧(大気圧より小さい圧力)となることにより、吸引孔21aに吸引力が発生し、基板10をステージ21上に保持できるようになっている。
前記配管50には、メイン配管51とサブ配管52とが設けられており、これらメイン配管51及びサブ配管52が吸引孔21aに連通して接続されている。すなわち、図3に示す例では、真空ポンプ81に接続された配管50とメイン配管51及びサブ配管52とが接続され、これらメイン配管51及びサブ配管52が配管50を介して吸引孔21aに接続されている。具体的には、メイン配管51及びサブ配管52が、これらメイン配管51及びサブ配管52が接続される配管50aと、この配管50aから分岐して接続される配管50bと、この配管50bから分岐して接続される配管50cと、を介して吸引孔21aに接続されている。
メイン配管51は、円筒形状に形成されており、長手方向に亘ってほぼ同じ内径を有している。そして、メイン配管51には、メインバルブ51aとレギュレータ51bとが設けられている。このメインバルブ51aを開閉することにより、真空ポンプ81と吸引孔21aとが連通又は遮蔽できるようになっている。また、レギュレータ51bは、メイン配管51が所定の圧力になるように設定するものであり、本実施形態ではレギュレータ51bで設定された圧力が基板10を保持するのに適切な保持圧(大気圧より低い圧力)、すなわち、塗布を行う際に吸引孔21aに相当する基板10部分において塗布ムラが生じる虞のない圧力となるように設定されている。
したがって、サブバルブ52aを閉じ、メインバルブ51aを全開にした状態で真空ポンプ81を作動させることにより、メイン配管51内が保持圧に制御され、吸引孔21aには保持圧に応じた吸引力が発生し、ステージ21の表面に載置された基板10がずれることなく保持されるようになっている。
サブ配管52は、円筒形状に形成されており、長手方向に亘ってほぼ同じ内径を有している。そしてサブ配管52には、サブバルブ52aと貯留タンク54とが設けられている。このサブバルブ52aは、メインバルブ51aと同じものであり、このサブバルブ52aを開閉することにより、真空ポンプ81と吸引孔21aとがサブ配管52を通じて連通又は遮蔽できるようになっている。
また、貯留タンク54は、吸引孔21aに急速に吸引力を発生させるものであり、サブバルブ52aよりも真空ポンプ81側に配置されている。この貯留タンク54は、所定容量を有する貯留部54aを備えている。この貯留部54aは、本実施形態では、サブ配管52の内径よりも大径に形成されており、さらに径方向と直交する方向に延びる円筒形状に形成されている。これにより、貯留部54aは、一定区間において、サブ配管52の容量よりも大きい容量を有するものになっている。
なお、本発明における一定区間とは、真空ポンプ81(吸引力発生装置)を作動させることによって大気が流れる方向(流れ方向と称す)を基準とした所定長さ(区間)をいう。すなわち、一定区間における容量が大きいとは、流れ方向の区間(例えば500mmの区間)における容量が大きいことをいう。本実施形態では、サブ配管52と貯留タンク54の貯留部54aが円筒形状を有しており、貯留部54aがサブ配管52の内径に比べて大径となっているため、一定区間における容量は貯留部54aが大きくなっている。そして、本実施形態では、貯留部54aの容量は、サブバルブ52aから吸引孔21aに至る配管50の容量の総和よりも大きくなっている。すなわち、貯留部54aの容量は、サブバルブ52aから吸引孔21aに至る配管50(配管50a、配管50b、配管50c)における容量の総和よりも大きくなっている。
また、貯留部54aは、サブ配管52が延びる方向と貯留部54aが延びる方向とが共通するように配置されており、貯留部54aの一方側端部にサブ配管52(バルブ側サブ配管52b)が連結され、貯留部54aの長手方向他方端部にサブ配管52(吸引側サブ配管52c)が連結されている。したがって、サブバルブ52aを閉じた状態で真空ポンプ81を作動させると、バルブ側サブ配管52b、吸引側サブ配管52cと共に、貯留タンク54の貯留部54aが真空ポンプ81の設定圧に保持されるようになっている。
なお、設定圧とは、基板10をステージ21に吸着させるのに必要な吸引力を吸引孔21aに発生させる圧力である。そして、大気圧よりも低い圧力であって、保持圧よりもさらに低い圧力である。
また、サブ配管52には、貯留タンク54を迂回するように補助配管55が設けられている。この補助配管55は、吸引孔21aに生じる吸引力を急速に発生させるためのものである。具体的には、補助配管55は、サブ配管52の内径と同じ寸法の内径を有しており、バルブ側サブ配管52bと吸引側サブ配管52cとに連通して接続されている。これにより、サブバルブ52aを閉じた状態で真空ポンプ81を作動させると、サブバルブ52aから真空ポンプ81側のサブ配管52内、貯留タンク54の貯留部54a内及び補助配管55内が設定圧に保持されるようになっている。なお、この補助配管55の容量は、貯留タンク54の貯留部54aに比べて小さい容量となっている。
また、配管50には、圧力計53が設けられている。この圧力計53は、配管50内の圧力を計測するものであり、本実施形態ではステージ21直下の吸引孔21a付近の配管50に設けられている。これにより、吸引孔21aから離れた位置に設ける場合に比べて圧力損失等の影響が抑えられるため、吸引孔21aの圧力状態を精度よく計測できるようになっている。
また、ステージ21には、基板10を昇降動作させる基板昇降機構が設けられている。具体的には、ステージ21の表面には複数のピン孔が形成されており、このピン孔にはZ軸方向に昇降動作可能なリフトピン(不図示)が埋設されている。すなわち、ステージ21の表面からリフトピンを突出させた状態で基板10が搬入されるとリフトピンの先端部分が基板10に当接して基板10を保持することができ、リフトピンを下降させてピン孔に収容させることにより基板10をステージ21の表面に載置することができるようになっている。
また、ステージ21の表面に基板10を載置した状態でリフトピンを上昇させることにより、リフトピンの先端部分が基板10に当接し、複数のリフトピンの先端部分で基板10を所定の高さ位置に保持できるようになっている。これにより、基板10との接触部分を極力抑えて保持することができ、基板10を損傷させることなくスムーズに交換できるようになっている。
また、塗布ユニット30は、基板10上に塗布液を塗布するものである。この塗布ユニット30は、図1,図2に示すように、基台2と連結される脚部31とY軸方向に延びる口金部34とを有しており、基台2上をY軸方向に跨いだ状態でX軸方向に移動可能に取り付けられている。具体的には、基台2のY軸方向両端部分にはそれぞれX軸方向に延びるレール22が設置されており、脚部31がこのレール22にスライド自在に取り付けられている。そして、脚部31にはリニアモータ33が取り付けられており、このリニアモータ33を駆動制御することにより、塗布ユニット30がX軸方向に移動し、任意の位置で停止できるようになっている。
塗布ユニット30の脚部31には、図2に示すように、塗布液を塗布する口金部34が取り付けられている。具体的には、この脚部31にはZ軸方向に延びるレール37と、このレール37に沿ってスライドするスライダ35が設けられており、これらのスライダ35と口金部34とが連結されている。そして、スライダ35にはサーボモータ36(図4参照)により駆動されるボールねじ機構が取り付けられており、このサーボモータ36を駆動制御することにより、スライダ35がZ軸方向に移動するとともに、任意の位置で停止できるようになっている。すなわち、口金部34が、ステージ21に保持された基板10に対して接離可能に支持されている。
口金部34は、塗布液を塗布して基板10上に塗布膜を形成するものである。この口金部34は、一方向に延びる形状を有する柱状部材であり、塗布ユニット30の走行方向とほぼ直交するように設けられている。この口金部34には、長手方向に延びるスリットノズル34aが形成されており、口金部34に供給された塗布液がスリットノズル34aから長手方向に亘って一様に吐出されるようになっている。したがって、このスリットノズル34aから塗布液を吐出させた状態で塗布ユニット30をX軸方向に走行させることにより、スリットノズル34aの長手方向に亘って基板10上に一定厚さの塗布膜が形成されるようになっている。
次に、上記塗布装置の制御系の構成について図4に示すブロック図を用いて説明する。
図4は、この実装装置に設けられた制御装置90の制御系を示すブロック図である。図4に示すように、この塗布装置は、上述した各種ユニットの駆動を制御する制御装置90が設けられている。この制御装置90は、制御本体部91、駆動制御部92、圧力制御部93、入出力装置制御部94、外部装置制御部95とを有している。
制御本体部91は、論理演算を実行する周知のCPU、そのCPUを制御する種々のプログラムなどを予め記憶するROM、装置動作中に種々のデータを一時的に記憶するRAM、種々のプログラムやOS、さらに生産プログラム等の各種データを記憶するHDD等を備えている。そして、制御本体部91は、主制御部91a、判定部91b、記憶部91cを有している。
主制御部91aは、予め記憶されたプログラムに従って一連の塗布動作を実行すべく、駆動制御部92を介して各ユニットのサーボモータ36、リニアモータ33等の駆動装置を駆動制御するものである。
判定部91bは、吸着された基板10を保持するのに適切な吸引力が吸引孔21aに発生しているか否かを判定するものである。具体的には、吸引孔21a付近の圧力状態が適切であるか否かを判断する。すなわち、圧力計53により検出された圧力が、真空ポンプ81の設定圧に達しているか否かを判定する。後述する記憶部91cには、予め設定された設定圧データが記憶されており、検出された圧力がこの設定圧であるか否かを判断する。仮に設定圧に達していた場合には、サブバルブ52aが閉状態となるように後述の圧力制御部93を介して制御する。これにより、吸引孔21aと真空ポンプ81とを連通する配管50がメイン配管51のみに切り替えられることにより、吸引孔21aに発生する圧力がレギュレータ51bで設定された保持圧に調節されるようになっている。また、圧力計53が設定圧に達しない場合には、メインバルブ51a及びサブバルブ52aの状態はそのままの状態で維持されるようになっている。
記憶部91cは、各種データが格納されているとともに、演算結果等を一時的に格納するためのものである。具体的には、設定圧、保持圧等のデータが記憶されている。
駆動制御部92は、制御本体部91からの制御信号に基づいて、リニアモータ33、サーボモータ36等を駆動制御するものである。具体的には、リニアモータ33及びサーボモータ36を制御することにより、塗布ユニット30の移動、及び、口金部34の昇降動作等が駆動制御されるようになっている。
圧力制御部93は、配管50内の圧力を検知するものであり、また制御本体部91からの制御信号に基づいて、吸引孔21aに発生する圧力を制御するものである。具体的には、圧力計53からの信号により、吸引孔21a付近の配管50内の圧力を検知する。また、圧力計53が設定圧を示していることにより制御本体部91から保持圧に切り替える旨の信号が送られてきた場合には、サブバルブ52aを開状態から閉状態となるようにサブバルブ52aの駆動を制御することにより、配管50内(正確には吸引孔21a付近)が保持圧になるように制御する。
入出力装置制御部94は、キーボード83、タッチパネル82等の各入出力装置を制御するものである。具体的には、キーボード83及びタッチパネル82から塗布動作の条件設定等が行えるようになっており、適宜、設定圧、保持圧等の設定を行うことができる
。また、設定圧から保持圧に調節する場合、配管50内が調節されるべき保持圧になっていない場合には、タッチパネル上に警告表示を行ってオペレータに警告を促すようになっている。
外部装置制御部95は、制御本体部91からの制御信号に基づいて、外部装置の駆動制御を行うものである。本実施形態では、真空ポンプ81と接続されており、この真空ポンプ81を駆動させることにより、吸引孔21aに吸引力を発生させることができるようになっている。
次に、この塗布装置における動作について、図5に示すフローチャートを参照しながら説明する。
まず、ステップS1において基板10の搬入が行われる。具体的には、ステージ21の表面から複数のリフトピンが突出した状態で待機されており、図示しないロボットハンドにより、リフトピンの先端部分に基板10が載置される。このとき、メインバルブ51a及びサブバルブ52aが閉状態であることが確認される。したがって、ステージ21の挿通孔21aには吸引力は発生していない。
次に、ステップS2において基板10がステージ21に載置される。具体的には、リフトピンの先端部分に基板10が載置された状態から、リフトピンを下降させて基板10をステージ21の表面に載置する。このとき、図示しない位置決め手段により基板10が所定の位置に位置決めされる。
次に、ステップS3〜S5により、基板10がステージ21上に吸着されて保持される。まず、ステップS3により、基板吸着動作が行われ、基板10がステージ21上に吸着される。具体的には、メインバルブ51a及びサブバルブ52aが開状態となるように駆動制御されることにより、吸引孔21aと真空ポンプ81とが連通して接続されるため、吸引孔21aに吸引力が発生し基板10がステージ21上に急速に吸着される。
すなわち、ステップS1、S2において、メインバルブ51a及びサブバルブ52aが閉じた状態で真空ポンプ81で排気を行っているため、貯留タンク54の貯留部54a内が設定圧(大気圧より低い圧力)で維持されている。そして、この状態からメインバルブ51a及びサブバルブ52aが開かれると、設定圧に保たれた貯留タンク54の貯留部54aが一気に開放されるため、メインバルブ51a及びサブバルブ52aから吸引孔21aまでに至る配管50内の大気が貯留タンク54の貯留部54a内に一気に引き込まれる。これにより、吸引孔21aに設定圧に応じた吸引力を急速に発生させることができる。
また、本実施形態では、補助配管55を設けているため、吸引孔21aにさらに急速に吸引力を発生させることができる。すなわち、メインバルブ51a及びサブバルブ52aを閉じた状態では、図6(a)に示すように補助配管55内に存在する大気が吸引側サブ配管52cを介して真空ポンプ81側に排気されている。そして、この状態からメインバルブ51a及びサブバルブ52aを開いて貯留タンク54の貯留部54aが一気に開放されると、貯留部54aの両端部に接続されたサブ配管52内の大気が引き込まれる。すなわち、図6(b)に示すように、吸引側サブ配管52c内の大気が貯留部54aに引き込まれるため、バルブ側サブ配管52b内の大気が補助配管55を通じて貯留タンク54に引き込まれることにより、バルブ側サブ配管52bの大気が貯留部54aに引き込まれる流量が大きくなる。したがって、バルブ側サブ配管52bから吸引孔21aに至る配管内の大気が貯留部54aに引き込まれる流量が大きくなることにより、吸引孔21aにおける吸引力をさらに急速に発生させることができる。これにより、吸引孔21aに吸引力が急速に発生することにより、瞬時に基板10がステージ21上に吸着される。
次いで基板10がステージ21の表面に吸着されると、配管50内の圧力が設定圧に達したか否かが判断される(ステップS4)。具体的には、圧力計53が設定圧に達したか否かが判断され、設定圧に達していない場合には、NOの方向に進み基板吸着動作が継続して行われる。
また、圧力計53が設定圧に達した場合には、YESの方向に進み、基板の吸着保持動作が行われる(ステップS5)。具体的には、サブバルブ52aを開状態から閉状態に切り替えられる。すなわち、真空ポンプ81と吸引孔21aとの連通が、メイン配管51のみとなることにより、吸引孔21aにおける吸引力がレギュレータ51bで設定された保持圧に応じた吸引力に調節される。したがって、基板10はステージ21上に保持圧に応じた吸引力で吸着保持される。
次に、ステップS6において、塗布動作が行われる。すなわち、塗布ユニット30を特定の方向に走行させつつ、塗布液を吐出させることにより、基板10の表面に塗布膜を形成させる。
次に、ステップS7において、基板10の取出しが行われる。すなわち、S6における塗布動作により基板10表面に塗布膜が形成された後、真空ポンプ81を停止させて、吸引孔21aにおける圧力を大気圧に戻す。そして、リフトピンを上昇させることにより、リフトピンの先端部分で基板10を保持させ、図示しないロボットハンドに基板10の受け渡しが行われ、ステージ21の表面から基板10が排出される。
このような塗布装置によれば、メインバルブ51aとサブバルブ52aとが閉じた状態から開いた状態にすることにより、設定圧に保たれた貯留タンク54の貯留部54aが一気に開放されるため、サブバルブ52aから吸引孔21aに至る配管50内の大気が一気に貯留部54aに引き込まれる。すなわち、吸引孔21aに吸引力を急速に発生させて基板10をステージ21に瞬時に吸着することができる。したがって、メインバルブ51aとサブバルブ52aを動作させるだけで吸引孔21aに吸引力を急速に発生させることができるため、真空ポンプ81の設定圧を変更することなく、基板10を吸着させる吸着時間を短縮することができ、ひいては塗布装置全体としてのタクトタイムを向上させることができる。
また、上記実施形態では、貯留タンク54の貯留部54aが、サブ配管52の内径よりも大径の円筒形状を有する場合について説明したが、所定区間におけるサブ配管52の容量に比べて大きい容量を有しているものであればよい。すなわち、サブ配管52の容量と比べて大きい容量を有していれば、メインバルブ51a及びサブバルブ52aを閉状態から開状態にすることにより、設定圧に保たれた貯留タンク54の貯留部54aが一気に開放され、サブバルブ52aから吸引孔21aに至る配管50内の大気が貯留部54aに引き込まれる。これにより、吸引孔21aに吸引力を急速に発生させて基板10をステージ21に瞬時に吸着することができる。具体的な貯留部54aの例としては、上記実施形態のように円筒形状であれば、汎用性のある一般的なタンクを使用することができ、コストを低く抑えることができる。また、円筒に限らず断面が四角形や多角形等であって筒状に形成されているものであってもよい。この場合には、貯留タンク54を設置するスペースが制限されている場合に、空いているスペースの形状に合わせて貯留タンク54を設計し設置しやすいというメリットがある。また、貯留タンク54全体が所定ピッチの螺旋形状を有しており所定区間におけるサブ配管52の容量よりも大きく形成されているものであってもよい。
また、上記実施形態では、補助配管55を設ける例について説明したが、この補助配管55を設けずに貯留タンク54のみの構成であってもよい。この場合であっても、設定圧に保たれた貯留タンク54の貯留部54aが一気に開放することにより、吸引孔21aに吸引力を発生させて急速に基板10をステージ21の表面に吸着させることができる。
また、上記実施形態では、補助配管55を1本設ける例について説明したが、補助配管55を複数本設けるものであってもよい。この場合であっても、貯留タンク54の貯留部54aが一気に開放されると、複数本の補助配管55内に存在していた大気が吸引側サブ配管52cを通じて貯留部54aに入り込むことにより、バルブ側サブ配管52b内の大気が貯留部54aに引き込まれる流量が増大し、吸引孔21aにおける吸引力をさらに急速に発生させることができる。なお、この場合であっても、複数本の補助配管55の容量が貯留部54aの容量よりも小さく形成されることにより、より効果的に吸引孔21aに吸引力を急速に発生させることができる。
なお、上記実施形態では、工場等に既設された真空ポンプ81を使用する場合について説明したが、塗布装置用として別途単独に設けられたものであってもよい。この場合であっても、真空ポンプ81の設定圧を変更することなく、基板10を吸着させる吸引力を急速に発生させることができる。
本発明の実施形態に係る塗布装置を示す斜視図である。 塗布ユニットの脚部付近を示す概略図である。 上記塗布装置の配管系統を示す概略図である。 上記塗布装置の制御系を示すブロック図である。 上記塗布装置の動作を示すフローチャートである。 貯留タンク付近における配管内の大気の流れを示す参考図である。
符号の説明
10 基板
21 ステージ
21a 吸引孔
40 基板保持手段
50 配管
51 メイン配管
51a メインバルブ
52 サブ配管
52a サブバルブ
52b バルブ側サブ配管
52c 吸引側サブ配管
53 圧力計
54 貯留タンク
54a 貯留部
55 補助配管

Claims (5)

  1. 基板を載置するステージと、
    前記ステージの表面に形成された吸引孔に吸引力を発生させて基板をステージの表面に吸着させて保持させる基板保持手段と、
    前記ステージの表面に保持された基板に対して相対的に移動しつつ塗布液を吐出する塗布ユニットと、
    を備える塗布装置において、
    前記基板保持手段の吸引孔は、吸引力を発生させる吸引力発生装置と配管を介して連通して接続されており、
    前記配管は、メインバルブにより開閉可能なメイン配管と、サブバルブにより開閉可能なサブ配管とを備え、
    前記サブ配管には、前記サブバルブよりも吸引力発生装置側に所定容量を有する貯留部を備える貯留タンクが設けられ、その貯留部は、一定区間におけるサブ配管の容量に比べて大きい容量を有していることを特徴とする塗布装置。
  2. 前記貯留部の容量は、前記サブバルブから前記吸引孔に至る配管の容量の総和よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の塗布装置。
  3. 前記サブ配管には、補助配管が設けられており、この補助配管は、前記貯留タンクを迂回して、貯留タンクと吸引力発生装置側で接続される吸引側サブ配管と、貯留タンクとサブバルブ側で接続されるバルブ側サブ配管と、に連通して接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の塗布装置。
  4. 前記メインバルブ及びサブバルブの開閉動作を制御する制御装置を備えており、この制御装置は、メインバルブ及びサブバルブが閉状態で吸引力発生装置を作動させることにより、前記貯留タンクの貯留部を大気圧よりも小さい圧力に維持させて、ステージの表面に基板が載置された後、メインバルブとサブバルブとを開状態にすることにより、基板をステージ表面に吸着させることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の塗布装置。
  5. 前記制御装置は、メインバルブとサブバルブとを開状態にすることにより基板をステージ表面に吸着させた後、吸引孔の圧力が所定の圧力に達した場合には、サブバルブを閉状態にして前記所定の圧力よりも大きく、かつ、大気圧よりも小さい圧力で、基板がステージの表面上に保持された状態を維持することを特徴とする請求項4に記載の塗布装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102642378A (zh) * 2012-04-09 2012-08-22 友达光电(苏州)有限公司 吸附装置、贴合治具及贴合方法
JP2015533026A (ja) * 2012-10-31 2015-11-16 株式会社ダイフク ウェハパージ可能な天井保管装置(apparatusforstockingandpurgingwaferatceiling)
JP2016215314A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 株式会社ディスコ 切削装置
WO2019054127A1 (ja) * 2017-09-15 2019-03-21 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法および製造装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101970183B1 (ko) * 2012-02-10 2019-04-19 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 지지 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1080887A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Nippon Suisan Kaisha Ltd 吸着式高速ロボットハンドシステム
JPH11330788A (ja) * 1998-05-08 1999-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装装置および電子部品実装方法
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
JP2003062781A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Star Seiki Co Ltd 取出装置の成形品吸着装置及び成形品吸着方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4443353B2 (ja) * 2004-08-31 2010-03-31 東京応化工業株式会社 基板載置ステージ及び基板の吸着・剥離方法
JP4490320B2 (ja) * 2005-03-31 2010-06-23 東レエンジニアリング株式会社 塗布装置
KR100840482B1 (ko) * 2006-02-27 2008-06-20 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 도포 장치 및 도포 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1080887A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Nippon Suisan Kaisha Ltd 吸着式高速ロボットハンドシステム
JPH11330788A (ja) * 1998-05-08 1999-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装装置および電子部品実装方法
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
JP2003062781A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Star Seiki Co Ltd 取出装置の成形品吸着装置及び成形品吸着方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102642378A (zh) * 2012-04-09 2012-08-22 友达光电(苏州)有限公司 吸附装置、贴合治具及贴合方法
TWI467268B (zh) * 2012-04-09 2015-01-01 Au Optronics Suzhou Corp Ltd 吸附裝置、貼合治具及貼合方法
JP2015533026A (ja) * 2012-10-31 2015-11-16 株式会社ダイフク ウェハパージ可能な天井保管装置(apparatusforstockingandpurgingwaferatceiling)
JP2016215314A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 株式会社ディスコ 切削装置
WO2019054127A1 (ja) * 2017-09-15 2019-03-21 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法および製造装置
JP2019051572A (ja) * 2017-09-15 2019-04-04 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法および製造装置

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