TWI446973B - 塗佈裝置 - Google Patents

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TWI446973B
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Toshihiro Mori
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Description

塗佈裝置
本發明是關於塗佈塗佈液於基板(substrate)上之塗佈裝置(coating machine)。
在液晶顯示器(liquid crystal display)或電漿顯示器(plasma display)等的平面面板顯示器(flat panel display)使用有在玻璃基板(glass substrate)上塗佈有光阻(resist)液者(稱為塗佈基板)。該塗佈基板是藉由均勻地塗佈光阻液之塗佈裝置形成。
該塗佈裝置具有：承載有基板的平台(stage)；吐出有光阻液之塗佈單元(coating unit)，藉由一邊由塗佈單元吐出光阻液，一邊使塗佈單元移動，以在基板上形成有均勻厚度的光阻液膜。
在這種塗佈裝置中，使基板保持於平台上之手段(means)一般已知有藉由在平台形成有吸引孔，使吸引力產生於該吸引孔，使基板吸附保持於平台上(例如參照專利文獻1)。具體上，藉由吸引孔與吸引力產生裝置經由配管連接，使該吸引力產生裝置動作，以透過配管在吸引孔產生吸引力。亦即，若使吸引力產生裝置動作，則藉由配管內的大氣被排出，配管內變成由吸引力產生裝置設定的設定壓(比大氣壓小的壓力)，在吸引孔產生響應該設定壓的吸引力。據此，基板可被吸附保持於平台上。
[專利文獻1]日本國特開2006-281091號公報
在上述塗佈裝置中，有為了吸附保持基板需要許多時間，塗佈裝置整體的作業時間(tact time)長期化之問題。亦即，因使吸引力產生於吸引孔所需的時間依存於吸引力產生裝置的排氣速度，故為了急速地使基板吸附於平台，需以高速進行排氣。
但是，由於吸引力產生裝置一般是被設置於設置塗佈裝置的工廠，也連接有需要吸引力產生裝置之其他的裝置，因此有若為了提高排氣速度而變更吸引力產生裝置的設定壓，則也會影響其他的裝置之虞。
本發明乃是鑑於上述問題點所進行的創作，其目的為提供一種塗佈裝置，不變更吸引力產生裝置的設定壓，藉由急速地使吸附基板的吸引力產生，縮短吸附時間，可提高塗佈裝置整體的作業時間。
為了解決上述課題，本發明的塗佈裝置包含：承載基板之平台；使吸引力產生於形成於前述平台的表面之吸引孔，並使基板吸附保持於平台的表面之基板保持手段；以及一邊對被保持於前述平台的表面之基板相對地移動，一邊吐出塗佈液之塗佈單元，其特徵為：前述基板保持手段的吸引孔是經由配管與使吸引力產生的吸引力產生裝置連通並連接，前述配管包含：可藉由主閥(main valve)開關的主配管；可藉由副閥(sub valve)開關的副配管，在前述副配管於比前述副閥還靠吸引力產生裝置側配設有具備具有預定容量的儲存部之儲存槽(storage tank)，該儲存部具有比一定區間中的副配管的容量大的容量。
依照上述塗佈裝置，因配設有具有容量比一定區間中的副配管的容量大的前述儲存部之儲存槽，故可使吸引力產生於平台的吸引孔並急速地吸附基板。具體上，藉由在主閥與副閥關閉的狀態下使吸引力產生裝置動作，使儲存槽的儲存部被維持於以吸引力產生裝置設定的設定壓(比大氣壓低的壓力)。而且，因藉由在基板被承載於平台的表面的狀態下使主閥與副閥成開狀態，被保持於前述設定壓的儲存槽的儲存部一口氣被打開，故由副閥至吸引孔的配管內的大氣一口氣被引進到儲存部。據此，可急速地使吸引力產生於吸引孔。因此，因僅藉由使副閥動作就能急速地使吸引力產生於吸引孔，故不變更吸引力產生裝置的設定壓，就能縮短使基板吸附的吸附時間，進而可提高塗佈裝置整體的作業時間。
而且，也可以作成前述儲存部的容量比由前述副閥至前述吸引孔的配管的容量的總合大。
依照該構成，因藉由儲存槽的儲存部使存在於由副閥至吸引孔的配管內的大氣之全部被引進到儲存部，故可確實地使吸引孔中的吸引力產生。
而且也能以如下之構成：在前述副配管配設有輔助配管，該輔助配管繞過前述儲存槽，連通並連接於：與儲存槽在吸引力產生裝置側連接的吸引側副配管；與儲存槽在副閥側連接的閥側副配管。
依照該構成，藉由被保持於設定壓的儲存槽的儲存部一口氣被打開，使配置於儲存槽的兩側之閥側副配管內及吸引側副配管內的大氣一口氣被引進到儲存槽內。伴隨於此，藉由連通於吸引側副配管的輔助配管內的大氣也透過吸引側副配管被引進到儲存槽內，使閥側副配管內的大氣更透過輔助配管被引進到儲存槽內。亦即，藉由配設該輔助配管，與未配設輔助配管的情形比較，因閥側副配管內的大氣被引進到儲存槽的流量變大，故由閥側副配管至吸引孔的配管內的大氣一口氣被引進到儲存部。據此，可更急速地使吸引孔中的吸引力產生。
而且能如下地構成：具備控制前述主閥及副閥的開關動作之控制裝置，該控制裝置藉由在主閥及副閥為閉狀態下使吸引力產生裝置動作，使前述儲存槽的儲存部維持於比大氣壓小的壓力，藉由在基板被承載於平台的表面後，使主閥與副閥成開狀態，使基板吸附於平台表面。
而且能以如下之構成：具備控制前述主閥及副閥的開關動作之控制裝置，該控制裝置於在藉由維持主閥及副閥於閉狀態，基板一被承載於平台的表面，就使主閥與副閥成開狀態，使基板吸附於平台表面後，吸引孔的壓力到達預定的壓力的情形下，使副閥成閉狀態，維持基板被保持於平台的表面上的狀態。
依照該構成，有若藉由使主閥及副閥由閉狀態成開狀態，急速地使基板吸附於平台表面，則在吸引孔產生必要以上的大的吸引力的情形。而且，有在以必要以上的吸引力持續吸附基板的情形下進行塗佈時，在相當於吸引孔的基板部分中產生塗佈不均之虞。因此，藉由在吸引孔的壓力到達預定的壓力的情形下令副閥為閉狀態，僅藉由主配管進行吸附，可抑制在吸引孔產生必要以上的大的吸引力，可抑制在相當於吸引孔的基板部分產生塗佈不均。
【發明的功效】
依照本發明的塗佈裝置，不變更吸引力產生裝置的設定壓，藉由急速地使吸附基板的吸引力產生，縮短吸附時間，可提高塗佈裝置整體的作業時間。
使用圖面說明與本發明有關的實施的形態。
圖1是概略地顯示本發明的一實施形態中的塗佈裝置之斜視圖，圖2是顯示塗佈單元的腳部附近之圖，圖3是顯示塗佈裝置的配管系統之圖。
如圖1~圖3所示，塗佈裝置是將藥液或光阻液等的液狀物(以下稱為塗佈液)之塗佈膜形成於基板10上，具備：基台2；用以承載基板10之平台21；以及對該平台21可移動於特定方向而構成之塗佈單元30。
此外，在以下的說明中是以塗佈單元30移動的方向為X軸方向，以與X軸方向在水平面上正交的方向為Y軸方向，以正交於X軸及Y軸方向之雙方的方向為Z軸方向來進行說明。
在前述基台2於其中央部分配置有平台21。該平台21是承載所搬進的基板10。在該平台21配設有基板保持手段40，藉由該基板保持手段40使基板10被保持。具體上，藉由形成有形成於平台21的表面之複數個吸引孔21a，使吸引力產生於該吸引孔21a，可使基板10吸附保持於平台21的表面。
亦即如圖3所示，在複數個吸引孔21a連通並連接有和與其他的裝置共同使用之既設的真空泵(vacuum pump)81(吸引力產生裝置)連接的配管50，藉由一使真空泵81動作，配管50內就成為低壓(比大氣壓小的壓力)，以在吸引孔21a產生吸引力，可保持基板10於平台21上。
在前述配管50配設有主配管51與副配管52，此等主配管51及副配管52是連通並連接於吸引孔21a。亦即，在圖3所示的例子中，連接於真空泵81的配管50與主配管51及副配管52被連接，此等主配管51及副配管52是經由配管50連接於吸引孔21a。具體上，主配管51及副配管52是經由連接有此等主配管51及副配管52的配管50a，與由該配管50a分支連接的配管50b，與由該配管50b分支連接的配管50c連接於吸引孔21a。
主配管51是形成圓筒形狀，遍及長度方向具有大致相同的內徑。而且，在主配管51配設有主閥51a與調節器(regulator)51b。藉由開關該主閥51a可連通或遮蔽真空泵81與吸引孔21a。而且，調節器51b是設定俾主配管51成為預定的壓力，在本實施形態中，以調節器51b設定的壓力被設定，俾成為對保持基板10為適當的保持壓(比大氣壓低的壓力)，亦即在進行塗佈時，無在相當於吸引孔21a的基板10部分中產生塗佈不均之虞的壓力。
因此，藉由在關閉副閥52a使主閥51a全開的狀態下使真空泵81動作，使主配管51內被控制於保持壓，在吸引孔21a產生響應保持壓的吸引力，被承載於平台21的表面的基板10不會偏移而被保持。
副配管52是形成圓筒形狀，遍及長度方向具有大致相同的內徑。而且，在副配管52配設有副閥52a與儲存槽54。該副閥52a是與主閥51a相同，藉由開關該副閥52a，真空泵81與吸引孔21a可透過副配管52連通或遮蔽。
而且，儲存槽54是急速地使吸引力產生於吸引孔21a，配置於比副閥52a還靠真空泵81側。該儲存槽54具備具有預定容量的儲存部54a。該儲存部54a在本實施形態中是直徑形成比副配管52的內徑大，而且，形成延伸於與徑向正交的方向之圓筒形狀。據此，儲存部54a成為在一定區間中具有比副配管52的容量大的容量。
此外，本發明中的一定區間是指藉由使真空泵81(吸引力產生裝置)動作，以大氣流動的方向(稱為流動方向)為基準的預定長度(區間)。亦即，一定區間中的容量大是指流動方向的區間(例如500mm的區間)中的容量大。在本實施形態中因副配管52與儲存槽54的儲存部54a具有圓筒形狀，儲存部54a與副配管52的內徑比較為大直徑，故一定區間中的容量係儲存部54a較大。而且，在本實施形態中儲存部54a的容量比由副閥52a至吸引孔21a的配管50的容量的總合大。亦即，儲存部54a的容量比由副閥52a至吸引孔21a的配管50(配管50a、配管50b、配管50c)中的容量的總合大。
而且，儲存部54a是副配管52延伸的方向與儲存部54a延伸的方向共通而配置，在儲存部54a的一方側端部連結有副配管52(閥側副配管52b)，在儲存部54a的長度方向另一方端部連結有副配管52(吸引側副配管52c)。因此，若在關閉副閥52a的狀態下使真空泵81動作，則儲存槽54的儲存部54a與閥側副配管52b、吸引側副配管52c一起被保持於真空泵81的設定壓。
此外，設定壓是指使吸附基板10於平台21所需的吸引力產生於吸引孔21a的壓力。而且為比大氣壓低的壓力且比保持壓更低的壓力。
而且，在副配管52繞過儲存槽54配設有輔助配管55。該輔助配管55是用以急速地使在吸引孔21a產生的吸引力產生。具體上，輔助配管55具有與副配管52的內徑相同尺寸的內徑，連通並連接於閥側副配管52b與吸引側副配管52c。據此，若在關閉副閥52a的狀態下使真空泵81動作，則由副閥52a至真空泵81側的副配管52內、儲存槽54的儲存部54a內及輔助配管55內被保持於設定壓。此外，該輔助配管55的容量變成比儲存槽54的儲存部54a小的容量。
而且，在配管50配設有壓力計53。該壓力計53是計測配管50內的壓力，在本實施形態中是配設於平台21正下方的吸引孔21a附近的配管50。據此，與配設於遠離吸引孔21a的位置的情形比較，因壓力損失等的影響被抑制，故可精度佳地計測吸引孔21a的壓力狀態。
而且，在平台21配設有使基板10進行升降動作之基板升降機構。具體上，在平台21的表面形成有複數個銷孔(pin hole)，在該銷孔埋設有可在Z軸方向進行升降動作之頂出銷(lift pin)(未圖示)。亦即，藉由若在由平台21的表面使頂出銷突出的狀態下基板10被搬進，則頂出銷的尖端部分抵接基板10並可保持基板10，使頂出銷下降並使其收容於銷孔，可將基板10承載於平台21的表面。
而且，藉由於在平台21的表面承載基板10的狀態下使頂出銷上升，使頂出銷的尖端部分抵接基板10，能以複數根頂出銷的尖端部分保持基板10於預定的高度位置。據此，可極力地抑制與基板10的接觸部分而保持，可不使基板10損傷而平順地進行更換。
而且，塗佈單元30是塗佈塗佈液於基板10上。該塗佈單元30如圖1、圖2所示，具有與基台2連結的腳部31和延伸於Y軸方向的開縫噴嘴部(slit nozzle part)34，在跨過基台2上於Y軸方向的狀態下可移動於X軸方向而被安裝。具體上，在基台2的Y軸方向兩端部分分別設置有延伸於X軸方向的軌條(rail)22，腳部31被滑動自如地安裝於該軌條22。而且，在腳部31安裝有線性馬達(linear motor)33，藉由驅動控制該線性馬達33使塗佈單元30移動於X軸方向，可在任意的位置停止。
在塗佈單元30的腳部31如圖2所示安裝有塗佈塗佈液之開縫噴嘴部34。具體上，在該腳部31配設有延伸於Z軸方向的軌條37與沿著該軌條37滑動之滑塊(slider)35，此等滑塊35與開縫噴嘴部34是被連結。而且，在滑塊35安裝有藉由伺服馬達36(參照圖4)驅動的滾珠螺桿(ball screw)機構，藉由驅動控制該伺服馬達36使滑塊35移動於Z軸方向，並且可在任意的位置停止。亦即，開縫噴嘴部34是對被保持於平台21的基板10可接離(attach and detach)地被支撐。
開縫噴嘴部34是塗佈塗佈液並在基板10上形成塗佈膜。該開縫噴嘴部34是具有延伸於單向的形狀之柱狀構件，與塗佈單元30的行走(running)方向大致正交而配設。在該開縫噴嘴部34形成有延伸於長度方向的開縫噴嘴(slit nozzle)34a，供給至開縫噴嘴部34的塗佈液是由開縫噴嘴34a遍及長度方向一樣地被吐出。因此，藉由在由該開縫噴嘴34a使塗佈液吐出的狀態下使塗佈單元30行走於X軸方向，遍及開縫噴嘴34a的長度方向在基板10上形成有一定厚度的塗佈膜。
接著，針對上述塗佈裝置的控制系統之構成，使用圖4所示的方塊圖來說明。
圖4是顯示配設於該塗佈裝置之控制裝置90的控制系統之方塊圖。如圖4所示，該塗佈裝置配設有控制上述的各種單元的驅動之控制裝置90。該控制裝置90具有：控制本體部91、驅動控制部92、壓力控制部93、輸入/輸出裝置控制部94、外部裝置控制部95。
控制本體部91具備：執行邏輯運算之週知的CPU；預先記憶控制該CPU之種種的程式等之ROM(Read-Only Memory：唯讀記憶體)；在裝置動作中一時地記憶種種的資料(data)之RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)；記憶種種的程式或OS(Operating System：作業系統)並且記憶生產程式等的各種資料之HDD(Hard Disk：硬碟)等。而且，控制本體部91具有：主控制部91a、判定部91b、記憶部91c。
主控制部91a是為了依照預先記憶的程式執行一連串的塗佈動作，透過驅動控制部92驅動控制各單元的伺服馬達36、線性馬達33等的驅動裝置。
判定部91b是判定對保持所吸附的基板10適當的吸引力是否產生於吸引孔21a。具體上，判斷吸引孔21a附近的壓力狀態是否適當。亦即，判定藉由壓力計53檢測的壓力是否到達真空泵81的設定壓。在後述的記憶部91c記憶有預先設定的設定壓資料，判斷所檢測的壓力是否為該設定壓。在假設到達設定壓的情形下，透過後述的壓力控制部93控制，俾副閥52a成為閉狀態。據此，藉由連通吸引孔21a與真空泵81的配管50僅被切換成主配管51，使產生於吸引孔21a的壓力被調節成以調節器51b設定的保持壓。而且，在壓力計53未到達設定壓的情形下，主閥51a及副閥52a的狀態在原封不動的狀態下被維持。
記憶部91c是用以儲存有各種資料，並且一時地儲存運算結果等。具體上，記憶有設定壓、保持壓等的資料。
驅動控制部92是根據來自控制本體部91的控制信號驅動控制線性馬達33、伺服馬達36等。具體上，藉由控制線性馬達33及伺服馬達36使塗佈單元30的移動及開縫噴嘴部34的升降動作等被驅動控制。
壓力控制部93是檢測配管50內的壓力，而且，根據來自控制本體部91的控制信號控制產生於吸引孔21a的壓力。具體上，藉由來自壓力計53的信號檢測吸引孔21a附近的配管50內的壓力。而且，在透過壓力計53顯示設定壓，由控制本體部91傳來切換成保持壓的意旨之信號的情形下，藉由控制副閥52a的驅動，俾副閥52a由開狀態變成閉狀態，以控制配管50內(正確為吸引孔21a附近)成為保持壓。
輸入/輸出裝置控制部94是控制鍵盤(keyboard)83、觸控面板(touch panel)82等的各輸入/輸出裝置。具體上，可由鍵盤83及觸控面板82進行塗佈動作的條件設定等，可適宜地進行設定壓、保持壓等的設定。而且，當由設定壓調節成保持壓，在配管50內應被調節但不成為保持壓的情形下，在觸控面板上進行警告顯示並對操作者催促警告。
外部裝置控制部95是根據來自控制本體部91的控制信號進行外部裝置的驅動控制。在本實施形態中是與真空泵81連接，藉由使該真空泵81驅動，可產生吸引力於吸引孔21a。
接著，針對該塗佈裝置中的動作，一邊參照圖5所示的流程圖，一邊說明。
首先，在步驟S1中基板10的搬進被進行。具體上，在由平台21的表面突出複數根頂出銷的狀態下待機，藉由未圖示的機械手(robot hand)使基板10被承載於頂出銷的尖端部分。此時，主閥51a及副閥52a為閉狀態被確認。因此，在平台21的插通孔21a不產生吸引力。
接著，在步驟S2中基板10被承載於平台21。具體上，由在頂出銷的尖端部分承載有基板10的狀態使頂出銷下降並將基板10承載於平台21的表面。此時，藉由未圖示的定位手段使基板10被定位於預定的位置。
接者，藉由步驟S3~S5使基板10被吸附保持在平台21上。首先，藉由步驟S3使基板吸附動作被進行，基板10被吸附在平台21上。具體上，因藉由被驅動控制，俾主閥51a及副閥52a成開狀態，使吸引孔21a與真空泵81連通並連接，故在吸引孔21a產生吸引力，基板10被急速地吸附於平台21上。
亦即，在步驟S1、S2中因在主閥51a及副閥52a關閉的狀態下以真空泵81進行排氣，故儲存槽54的儲存部54a內被以設定壓(比大氣壓低的壓力)維持。而且，因若主閥51a及副閥52a被由該狀態打開，則被保持於設定壓的儲存槽54的儲存部54a一口氣被打開，故由主閥51a及副閥52a至吸引孔21a之配管50內的大氣一口氣被引進到儲存槽54的儲存部54a內。據此，可急速地使響應設定壓的吸引力產生於吸引孔21a。
而且，在本實施形態中因配設輔助配管55，故可更急速地使吸引力產生於吸引孔21a。亦即，在關閉主閥51a及副閥52a的狀態下，如圖6(a)所示存在於輔助配管55內的大氣經由吸引側副配管52c排出到真空泵81側。而且，若由該狀態打開主閥51a及副閥52a，儲存槽54的儲存部54a一口氣被打開，則連接於儲存部54a的兩端部的副配管52內的大氣被引進。亦即如圖6(b)所示，藉由因吸引側副配管52c內的大氣被引進到儲存部54a，故閥側副配管52b內的大氣透過輔助配管55被引進到儲存槽54，使閥側副配管52b的大氣被引進到儲存部54a的流量變大。因此，藉由由閥側副配管52b至吸引孔21a的配管內的大氣被引進到儲存部54a的流量變大，可更急速地使吸引孔21a中的吸引力產生。據此，藉由吸引力急速地產生於吸引孔21a，瞬間地基板10被吸附於平台21上。
接著，若基板10被吸附於平台21的表面，則配管50內的壓力是否到達設定壓被判斷(步驟S4)。具體上，壓力計53是否到達設定壓被判斷，在未到達設定壓的情形下前進到NO的方向，基板吸附動作繼續被進行。
而且，在壓力計53到達設定壓的情形下前進到YES的方向，基板的吸附保持動作被進行(步驟S5)。具體上，副閥52a由開狀態被切換至閉狀態。亦即，藉由真空泵81與吸引孔21a的連通僅變成主配管51，吸引孔21a中的吸引力被調節成響應以調節器51b設定的保持壓之吸引力。因此，基板10被以響應保持壓的吸引力吸附保持在平台21上。
接著，在步驟S6中塗佈動作被進行。亦即，藉由一邊使塗佈單元30行走於特定的方向，一邊使塗佈液吐出，使塗佈膜形成於基板10的表面。
接著，在步驟S7中基板10的取出被進行。亦即，在藉由S6中的塗佈動作於基板10表面形成有塗佈膜後，使真空泵81停止，使吸引孔21a中的壓力返回到大氣壓。而且，藉由使頂出銷上升，以頂出銷的尖端部分保持基板10，基板10的遞送被進行於未圖示的機械手，由平台21的表面排出基板10。
依照這種塗佈裝置，因藉由使主閥51a與副閥52a由關閉的狀態成為打開的狀態，被保持於設定壓的儲存槽54的儲存部54a一口氣被打開，故由副閥52a至吸引孔21a的配管50內的大氣一口氣被引進到儲存部54a。亦即，可急速地使吸引力產生於吸引孔21a，並可瞬間地吸附基板10於平台21。因此，僅藉由使主閥51a與副閥52a動作，可急速地使吸引力產生於吸引孔21a，故不變更真空泵81的設定壓，可縮短使基板10吸附的吸附時間，進而可提高塗佈裝置整體的作業時間。
而且，在上述實施形態中雖然是針對儲存槽54的儲存部54a具有直徑比副配管52的內徑大的圓筒形狀的情形來說明，惟若為具有比規定區間中的副配管52的容量大的容量者即可。亦即，若具有比副配管52的容量大的容量，則藉由使主閥51a及副閥52a由閉狀態成為開狀態，被保持於設定壓的儲存槽54的儲存部54a一口氣被打開，由副閥52a至吸引孔21a的配管50內的大氣被引進到儲存部54a。據此，可急速地使吸引力產生於吸引孔21a，並可瞬間地吸附基板10於平台21。具體的儲存部54a的例子如上述實施形態般若為圓筒形狀，則可使用具有通用性的一般的槽(tank)，可低低地抑制成本。而且不限於圓筒，剖面為四角形或多角形等且形成筒狀者也可以。在此情形下，在設置儲存槽54的空間被限制的情形下，具有配合空的空間的形狀設計儲存槽54，容易設置之優點。而且，儲存槽54整體具有規定螺距(pitch)的螺旋形狀，比規定區間中的副配管52的容量大而形成者也可以。
而且，在上述實施形態中雖然是針對配設輔助配管55的例子來說明，惟也可以是不配設該輔助配管55僅為儲存槽54的構成。即使是此情形，也能藉由被保持於設定壓的儲存槽54的儲存部54a一口氣打開，使吸引力產生於吸引孔21a，可急速地使基板10吸附於平台21的表面。
而且，在上述實施形態中雖然是針對配設一條輔助配管55的例子來說明，惟也可以配設複數條輔助配管55。即使是此情形，也藉由若儲存槽54的儲存部54a一口氣被打開，則存在於複數條輔助配管55內的大氣透過吸引側副配管52c進入儲存部54a，使閥側副配管52b內的大氣被引進到儲存部54a之流量增大，可更急速地使吸引孔21a中的吸引力產生。此外，即使是此情形也藉由複數條輔助配管55的容量比儲存部54a的容量小而形成，可更有效地急速地使吸引力產生於吸引孔21a。
此外，在上述實施形態中雖然是針對使用已經設置於工廠等的真空泵81的情形來說明，惟塗佈裝置用的也可以另外單獨配設。即使是此情形也不變更真空泵81的設定壓，可急速地使吸附基板10的吸引力產生。
2．．．基台
10．．．基板
21．．．平台
21a．．．吸引孔
22、37．．．軌條
30．．．塗佈單元
31．．．腳部
33．．．線性馬達
34．．．開縫噴嘴部
34a．．．開縫噴嘴
35．．．滑塊
36．．．伺服馬達
40．．．基板保持手段
50、50a、50b、50c．．．配管
51．．．主配管
51a．．．主閥
51b．．．調節器
52．．．副配管
52a．．．副閥
52b．．．閥側副配管
52c．．．吸引側副配管
53．．．壓力計
54．．．儲存槽
54a．．．儲存部
55．．．輔助配管
81．．．真空泵
82．．．觸控面板
83．．．鍵盤
90．．．控制裝置
91．．．控制本體部
91a．．．主控制部
91b．．．判定部
91c．．．記憶部
92．．．驅動控制部
93．．．壓力控制部
94．．．輸入/輸出裝置控制部
95．．．外部裝置控制部
圖1是顯示與本發明的實施形態有關的塗佈裝置之斜視圖。
圖2是顯示塗佈單元的腳部附近之概略圖。
圖3是顯示上述塗佈裝置的配管系統之概略圖。
圖4是顯示上述塗佈裝置的控制系統之方塊圖。
圖5是顯示上述塗佈裝置的動作之流程圖。
圖6是顯示儲存槽附近中的配管內的大氣的流動之參考圖。
10．．．基板
21．．．平台
21a．．．吸引孔
40．．．基板保持手段
50、50a、50b、50c．．．配管
51．．．主配管
51a．．．主閥
51b．．．調節器
52．．．副配管
52a．．．副閥
52b．．．閥側副配管
52c．．．吸引側副配管
53．．．壓力計
54．．．儲存槽
54a．．．儲存部
55．．．輔助配管
81．．．真空泵

Claims (5)

  1. 一種塗佈裝置，包含：承載基板之平台；使吸引力產生於形成於該平台的表面之吸引孔，並使基板吸附保持於平台的表面之基板保持手段；以及一邊對被保持於該平台的表面之基板相對地移動，一邊吐出塗佈液之塗佈單元，其特徵為：該基板保持手段的吸引孔是經由配管與使吸引力產生的吸引力產生裝置連通並連接，該配管包含：可藉由主閥開關的主配管；可藉由副閥開關的副配管，在該副配管於比該副閥還靠吸引力產生裝置側配設有具備具有預定容量的儲存部之儲存槽，該儲存部具有比一定區間中的副配管的容量大的容量。
  2. 如申請專利範圍第1項之塗佈裝置，其中該儲存部的容量比由該副閥至該吸引孔的配管的容量的總合大。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項之塗佈裝置，其中在該副配管配設有輔助配管，該輔助配管繞過該儲存槽，連通並連接於：與儲存槽在吸引力產生裝置側連接的吸引側副配管；與儲存槽在副閥側連接的閥側副配管。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項之塗佈裝置，其中具備控制該主閥及副閥的開關動作之控制裝置，該控制裝置藉由在主閥及副閥為閉狀態下使吸引力產生裝置動作，使該儲存槽的儲存部維持於比大氣壓小的壓力，藉由在基板被承載於平台的表面後，使主閥及副閥成開狀態，使基板吸附於平台表面。
  5. 如申請專利範圍第4項之塗佈裝置，其中該控制裝置於在藉由使主閥與副閥成開狀態，使基板吸附於平台表面後，吸引孔的壓力到達預定的壓力的情形下，使副閥成閉狀態，以比前述預定的壓力大且比大氣壓小的壓力維持基板被保持於平台的表面上的狀態。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101970183B1 (ko) * 2012-02-10 2019-04-19 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 지지 방법
CN102642378B (zh) * 2012-04-09 2014-07-09 友达光电（苏州）有限公司 吸附装置、贴合治具及贴合方法
KR101418812B1 (ko) * 2012-10-31 2014-07-16 크린팩토메이션 주식회사 웨이퍼 퍼지 가능한 천장 보관 장치
JP6486770B2 (ja) * 2015-05-20 2019-03-20 株式会社ディスコ 切削装置
JP6907849B2 (ja) * 2017-09-15 2021-07-21 日本電気硝子株式会社 ガラス板の製造方法および製造装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200706255A (en) * 2005-03-31 2007-02-16 Toray Eng Co Ltd Applicator device
TW200740530A (en) * 2006-02-27 2007-11-01 Dainippon Screen Mfg Coating device and coating method

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1080887A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Nippon Suisan Kaisha Ltd 吸着式高速ロボットハンドシステム
JP3718995B2 (ja) * 1998-05-08 2005-11-24 松下電器産業株式会社 電子部品実装方法
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
JP2003062781A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Star Seiki Co Ltd 取出装置の成形品吸着装置及び成形品吸着方法
JP4443353B2 (ja) * 2004-08-31 2010-03-31 東京応化工業株式会社 基板載置ステージ及び基板の吸着・剥離方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200706255A (en) * 2005-03-31 2007-02-16 Toray Eng Co Ltd Applicator device
TW200740530A (en) * 2006-02-27 2007-11-01 Dainippon Screen Mfg Coating device and coating method

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