TW202405927A - 塗佈方法、程式及記錄媒體 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於，提供一種可一面抑制基板之消耗，一面對吐出控制參數進行再調整之技術。 於步驟S6中，對於由步驟S5之實際塗佈所取得之實際塗佈壓力波形Wr1是否與第一理想波形Wt1相同進行評價。於步驟S6中，於評價為實際塗佈壓力波形Wr1與第一理想波形Wt1不同之情況，對吐出控制參數進行再調整。於吐出控制參數之再調整中，進行更新吐出控制參數之步驟S7、藉由進行模擬塗佈來取得模擬塗佈壓力波形之步驟S8、及對於模擬塗佈壓力波形是否與第二理想波形Wt2相同進行評價之步驟S9。

Description

塗佈方法、程式及記錄媒體
本說明書中揭示之主題係關於一種塗佈方法、程式及記錄媒體。
於平板顯示器(FPD)之製造步驟中，有使用被稱為塗佈機之基板處理裝置的情況。塗佈機係一面自噴嘴對玻璃等基板吐出光阻液等處理液，一面使噴嘴相對於基板進行掃描。塗佈機藉由對光阻液等處理液賦予壓力，而自噴嘴吐出處理液。此外，藉由移動機構使基板相對於噴嘴相對地移動，而於基板之表面形成處理液之塗佈膜。
於此種基板處理裝置中，有時要求塗佈膜之膜厚於整個基板達成均勻。為了使膜厚達成均勻，將適宜地進行吐出控制參數之調整。於該調整作業中，例如，技術人員一面藉由目視來確認吐出壓力之波形，一面進行複數個吐出控制參數之調整。因此，調整作業係極大程度地取決於技術人員之知識及經驗。因此，技術人員需要大量之時間及勞力來用於吐出控制參數之調整。此外，還存在可能大量地消耗處理液及基板之顧慮。因此，先前已經提出了一種有效調整控制參數之技術。
例如，於專利文獻1中，記載有將吐出控制參數最佳化之技術。具體而言，其具有以下步驟：模擬吐出步驟，其朝基板以外吐出處理液；吐出特性計測步驟，其計測模擬吐出步驟中之處理液的吐出特性；狀態量導出步驟，其導出計測之吐出特性偏離目標特性的狀態量；及學習步驟，其對伴隨著參數變更之狀態量的變化進行機器學習以建構學習模型；其中，於狀態量超過既定之容許範圍之期間，根據學習模型而變更了參數之後，反復執行模擬吐出步驟、吐出特性計測步驟、狀態量導出步驟及學習步驟，另一方面，若狀態量進入容許範圍，則將最後變更之參數設定作為於處理液供給步驟中吐出處理液時之參數。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2020-040046號公報
(發明所欲解決之問題)
然而，於根據以專利文獻1所記載之方法進行最佳化之吐出控制參數，來實際進行對基板塗佈處理液之實際塗佈時，由於模擬吐出與實際塗佈之間的條件不同，吐出壓力之壓力波形可能未必一致。假設於實際塗佈中，在壓力波形產生變化之情況下，藉由根據實際塗佈之反復執行來對吐出控制參數進行再調整，將有消耗大量基板之虞。
本發明之目的在於提供一種可一面抑制基板之消耗，一面對吐出控制參數進行再調整之技術。 (解決問題之技術手段)
為了解決前述課題，第一態樣為一種塗佈方法，其係對基板塗佈處理液者；其包含以下步驟：a)實際塗佈步驟，其根據預先設定之吐出控制參數，進行一面使前述基板相對於噴嘴相對地移動一面自前述噴嘴對前述基板吐出處理液之實際塗佈；b)第一取得步驟，其取得前述實際塗佈步驟中之顯示前述噴嘴之吐出壓力的時間變化之實際塗佈壓力波形；c)第一評價步驟，其對前述實際塗佈壓力波形進行評價；及d)再調整步驟，其根據前述第一評價步驟之評價結果，對前述吐出控制參數進行再調整；前述再調整步驟包含以下步驟：d1)第一模擬塗佈步驟，其根據前述吐出控制參數，進行自前述噴嘴對前述基板以外之部位吐出前述處理液之模擬塗佈；d2)第二取得步驟，其取得於前述第一模擬塗佈步驟中顯示前述吐出壓力之時間變化的第一模擬塗佈壓力波形；d3)第二評價步驟，其對前述第一模擬塗佈壓力波形進行評價；及d4)第一更新步驟，其根據前述第二評價步驟之評價結果，更新前述吐出控制參數。
第二態樣係於第一態樣之塗佈方法中，前述第一評價步驟包含有：根據前述實際塗佈壓力波形偏離第一理想波形之偏離量來進行評價的步驟，前述第二評價步驟包含有：根據前述第一模擬塗佈壓力波形偏離與前述第一理想波形形狀不同之第二理想波形的偏離量來進行評價的步驟。
第三態樣係於第二態樣之塗佈方法中，前述第二理想波形係具有根據前述實際塗佈壓力波形與前述第一理想波形之差分值而使前述第一理想波形變形之形狀。
第四態樣係於第一態樣至第三態樣中任一項之塗佈方法中，進一步包含如下步驟：e)事前調整步驟，其於前述第一取得步驟之前，對前述吐出控制參數進行調整；前述事前調整步驟包含如下步驟：e1)第二模擬塗佈步驟，其根據預先設定之前述吐出控制參數來進行前述模擬塗佈；e2)第三取得步驟，其於前述第二模擬塗佈步驟中，取得顯示前述吐出壓力之時間變化的第二模擬塗佈壓力波形；e3)第三評價步驟，其對前述第二模擬塗佈壓力波形進行評價；及e4)第二更新步驟，其根據前述第三評價步驟之評價結果，來更新前述吐出控制參數。
第五態樣為一種電腦可執行之程式，其用以使前述電腦執行第一態樣至第三態樣中任一項之塗佈方法。
第六態樣為一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有第五態樣之程式。 (對照先前技術之功效)
根據第一態樣之塗佈方法，於實際塗佈壓力波形並非為理想之波形的情況下，根據藉由模擬塗佈獲得之壓力波形，對吐出控制參數進行再調整。藉此，可一面抑制基板之消耗，一面對吐出控制參數進行再調整。
根據第三態樣之塗佈方法，以根據實際塗佈壓力波形與第一理想波形之差分值使第一理想波形變形而得之第二理想波形作為基準，對吐出控制參數進行再調整。藉此，可以進行了實際塗佈時之壓力波形成為第一理想波形之方式，有效地對吐出控制參數進行再調整。
根據第四態樣之塗佈方法，根據以模擬塗佈進行測定之第二模擬塗佈壓力波形之評價來調整控制參數。因此，可不消耗基板地調整控制參數。
以下，參照附加圖式，對本發明之實施形態進行說明。再者，本實施形態所記載之構成要素僅為例示而已，並非旨在將本發明之範圍僅限定於其等內容。於圖式中，為了易於理解，有時會根據需要而誇張或簡化地圖示各部分之尺寸及數量。
＜1.實施形態＞ 圖1為示意性地顯示實施形態的塗佈裝置1之整體構成的圖。塗佈裝置1係於基板S之上面Sf塗佈處理液的基板處理裝置。基板S例如為液晶顯示裝置用之玻璃基板。再者，基板S也可為半導體晶圓、光罩用玻璃基板、電漿顯示器用玻璃基板、磁碟或光碟用玻璃或陶瓷基板、有機EL用玻璃基板、太陽能電池用玻璃基板或矽基板、其他可撓性基板及印刷電路基板等應用於電子機器之各種被處理基板。塗佈裝置1例如為狹縫式塗佈機。
於圖1中，為了說明塗佈裝置1之各要素的配置關係，對XYZ座標系加以定義。基板S之移動方向為「X方向」。基板S於X方向上行進之方向(朝移動方向下游之方向)為+X方向，其相反方向(朝移動方向上游之方向)為-X方向。此外，與X方向正交之方向為Y方向，與X方向及Y方向正交之方向為Z方向。於以下之說明中，將Z方向作為鉛直方向，將X方向及Y方向作為水平方向。於Z方向上，將+Z方向作為上方向，將-Z方向作為下方向。
塗佈裝置1係朝向+X方向依序具備有輸入傳送機100、輸入移載部2、懸浮台部3、輸出移載部4、及輸出傳送機110。輸入傳送機100、輸入移載部2、懸浮台部3、輸出移載部4、及輸出傳送機110係構成供基板S通過之移動路徑。此外，塗佈裝置1還具備有移動機構5、塗佈機構7、處理液供給機構8及控制單元9。
基板S係自上游側被搬送至輸入傳送機100。輸入傳送機100具備有滾子傳送機101、及旋轉驅動機構102。旋轉驅動機構102係使滾子傳送機101之各滾子旋轉。藉由滾子傳送機101之各滾子的旋轉，基板S係以水平姿勢朝下游(+X方向)被搬送。「水平姿勢」係指基板S之主面(面積最大之面)平行於水平面(XY平面)之狀態。
輸入移載部2具備有滾子傳送機21、及旋轉・升降驅動機構22。旋轉・升降驅動機構22係使滾子傳送機21之各滾子旋轉，並且使滾子傳送機21升降。藉由滾子傳送機21之旋轉，基板S係以水平姿勢朝下游(+X方向)被搬送。此外，藉由滾子傳送機21之升降，以變更基板S之Z方向的位置。基板S係自輸入傳送機100經由輸入移載部2而朝懸浮台部3被移載。
如圖1所示，懸浮台部3係大致平板狀。懸浮台部3係沿著X方向被分割為3個部分。懸浮台部3係朝向+X方向依序具備有入口懸浮台31、塗佈台32及出口懸浮台33。入口懸浮台31之上面、塗佈台32之上面及出口懸浮台33之上面係位於相同平面上。懸浮台部3進一步具備有升降銷驅動機構34、懸浮控制機構35、及升降驅動機構36。於入口懸浮台31配置有複數個升降銷。升降銷驅動機構34係使複數個升降銷升降。懸浮控制機構35係將用以使基板S懸浮之壓縮空氣供給至入口懸浮台31、塗佈台32及出口懸浮台33。升降驅動機構36係使出口懸浮台33升降。
於入口懸浮台31之上面及出口懸浮台33之上面，呈矩陣狀地配置有多個噴出孔，該多個噴出孔係噴出自懸浮控制機構35供給之壓縮空氣。若自各噴出孔噴出壓縮空氣，則基板S相對於懸浮台部3朝上方懸浮。於是，基板S之下面Sb與懸浮台部3之上面分離並且以水平姿勢被支撐。基板S懸浮之狀態下，基板S之下面Sb與懸浮台部3上面之間的距離(懸浮量)較佳為10μm以上。該距離較佳為500μm以下。
於塗佈台32之上面，在X方向及Y方向交互地配置有噴出自懸浮控制機構35供給之壓縮空氣的噴出孔、及抽吸氣體之抽吸孔。懸浮控制機構35係控制來自噴出孔之壓縮空氣的噴出量、及來自抽吸孔之空氣的抽吸量。藉此，以通過塗佈台32上方之基板S的上面Sf在Z方向之位置成為規定值之方式，精密地控制基板S相對於塗佈台32之懸浮量。再者，基板S相對於塗佈台32之懸浮量係根據後述之感測器61或感測器62之檢測結果，藉由控制單元9算出。此外，基板S相對於塗佈台32之懸浮量較佳為可藉由氣流控制而高精度地進行調整。
被搬入至懸浮台部3之基板S係自滾子傳送機21被賦予有朝+X方向之推進力，而被搬送至入口懸浮台31上。入口懸浮台31、塗佈台32及出口懸浮台33係以懸浮狀態支撐基板S。作為懸浮台部3，例如也可採用日本專利第5346643號所記載之構成。
移動機構5被配置於懸浮台部3之下方。移動機構5具備有卡盤機構51、及吸附・移行機構52。卡盤機構51具備有設於吸附構件之吸附墊(省略圖示)。卡盤機構51係於使吸附墊抵接於基板S的下面Sb之周緣部的狀態下，自下側支撐基板S。吸附・移行機構52係藉由對吸附墊賦予負壓而將基板S吸附於吸附墊。此外，吸附・移行機構52係使卡盤機構51沿X方向往復移行。
卡盤機構51係於基板S之下面Sb位在高出懸浮台部3上面之位置的狀態下保持基板S。於基板S之周緣部被卡盤機構51保持之狀態下，基板S藉由自懸浮台部3賦予之浮力而維持著水平姿勢。
如圖1所示，塗佈裝置1具備有板厚測定用之感測器61。感測器61被配置於滾子傳送機21附近。感測器61係檢測被卡盤機構51保持之基板S的上面Sf在Z方向上之位置。此外，藉由使未保持基板S之狀態的卡盤(省略圖示)位在感測器61之正下方，感測器61可檢測吸附構件之上面即吸附面之鉛直方向Z的位置。
卡盤機構51一面保持被搬入至懸浮台部3之基板S，一面朝+X方向移動。藉此，基板S自入口懸浮台31之上方經由塗佈台32之上方，朝出口懸浮台33之上方被搬送。然後，基板S自出口懸浮台33朝輸出移載部4移動。
輸出移載部4係使基板S自出口懸浮台33上方之位置朝輸出傳送機110移動。輸出移載部4具備有滾子傳送機41、及旋轉・升降驅動機構42。旋轉・升降驅動機構42係對滾子傳送機41進行旋轉驅動，並且使滾子傳送機41沿著Z方向升降。藉由滾子傳送機41之各滾子進行旋轉，基板S朝+X方向移動。此外，藉由滾子傳送機41進行升降，基板S朝Z方向位移。
輸出傳送機110具備有滾子傳送機111、及旋轉驅動機構112。輸出傳送機110係藉由滾子傳送機111之各滾子的旋轉而將基板S朝+X方向搬送，且將基板S朝塗佈裝置1外送出。此外，輸入傳送機100及輸出傳送機110係塗佈裝置1之一部分。但是，輸入傳送機100及輸出傳送機110也可被組裝於與塗佈裝置1不同之裝置。
塗佈機構7係於基板S之上面Sf塗佈處理液。塗佈機構7被配置於基板S之移動路徑的上方。塗佈機構7具有噴嘴71。噴嘴71係於下面具有狹縫狀之吐出口的狹縫噴嘴。噴嘴71係與定位機構(未圖示)連接。定位機構係使噴嘴71於塗佈台32上方之塗佈位置(圖1中以實線所示之位置)、與後述之維護位置之間移動。處理液供給機構8係與噴嘴71連接。藉由處理液供給機構8對噴嘴71供給處理液，自配置於噴嘴71下面之吐出口吐出處理液。
於塗佈裝置1中，移動機構5使基板S相對於吐出處理液之噴嘴71移動，而於基板S塗佈處理液。然而，移動機構5也可構成為，使噴嘴71相對於被配置在固定位置之基板S移動。此外，移動機構5也可構成為，使噴嘴71及基板S雙方移動。於該情況下，基板S之移動方向也可與噴嘴71之移動方向相反。此外，基板S之移動方向也可與噴嘴71之移動方向相同。於該情況下，移動機構5也可以噴嘴71藉由較被搬送之基板S的速度更快之速度追趕基板S之方式，搬送噴嘴71及基板S。
圖2為顯示處理液供給機構8之構成的圖。處理液供給機構8具備有泵81、配管82、處理液補充單元83、配管84、開閉閥85、壓力計86及驅動部87。泵81係用以對噴嘴71供給處理液之供給源，其藉由體積變化來供給處理液。泵81例如也可為日本專利特開平10-61558號公報所記載之波紋管型的泵。如圖2所示，泵81具有可於徑向上彈性膨脹收縮自如之可撓性管811。可撓性管811之一端係經由配管82而與處理液補充單元83連接。可撓性管811之另一端係經由配管84而與噴嘴71連接。
泵81具有波紋管812，該波紋管812可於軸向上彈性變形自如。波紋管812具有小型波紋管部813、大型波紋管部814、泵室815、及作動碟部816。泵室815係位於可撓性管811與波紋管812之間。於泵室815內封入有非壓縮性媒體。作動碟部816係連接於驅動部87。
處理液補充單元83具有貯存處理液之貯存槽831。貯存槽831經由配管82而與泵81連接。於配管82間插有開閉閥833。開閉閥833根據來自控制單元9之指令而進行開閉。若將開閉閥833開啟，則可自貯存槽831朝泵81之可撓性管811補給處理液。此外，若將開閉閥833關閉，則限制自貯存槽831朝泵81之可撓性管811補充處理液。
配管84連接於泵81之輸出側。開閉閥85係間插於配管84。開閉閥85根據來自控制單元9之指令而進行開閉。藉由開閉閥85進行開閉，而切換對噴嘴71之處理液輸送及輸送停止。壓力計86被配置於配管84。壓力計86檢測對噴嘴71輸送之處理液的壓力(吐出壓力)，且將顯示檢測出之壓力值的信號「輸出至控制單元9」。
圖3為顯示圖2所示之泵81的作動碟部816之移動模式的曲線圖。於圖3中，橫軸表示時刻，縱軸表示作動碟部816之移動速度。驅動部87係根據來自控制單元9之指令，以如圖3所示之移動模式(顯示作動碟部816之速度隨時間經過而變化之模式)使作動碟部816於軸向上位移。藉由作動碟部816之位移，波紋管812內側之容積變化。藉此，可撓性管811朝徑向膨脹收縮而執行泵動作，將自處理液補充單元83補給之處理液朝向噴嘴71供給。由於作動碟部816之移動模式係與自噴嘴71吐出之處理液的吐出特性密切相關，因此根據移動模式，可獲得顯示吐出壓力之時間變化的壓力波形。再者，根據吐出壓力之增減，以增減吐出量(自噴嘴71吐出之處理液的量)。
於本實施形態中，藉由調整規定作動碟部816之移動的各種參數(加速時間、穩定速度、穩定速度時間、減速時間等)，而適宜地進行用以使自噴嘴71吐出之處理液之吐出壓力的壓力波形與理想波形一致或近似之最佳化處理(調整處理)。對於該最佳化處理，容待後續詳述。
如圖1及圖2所示，於自處理液供給機構8供給處理液之噴嘴71配置有感測器62。感測器62係以非接觸方式檢測基板S在Z方向之高度。感測器62係以可進行資料通信之方式與控制單元9連接。根據感測器62之檢測結果，控制單元9測定懸浮中之基板S與塗佈台32上面之間的距離(離開距離)。控制單元9根據由感測器62測定之離開距離，來調整定位機構所定位之噴嘴71的塗佈位置。再者，作為感測器62，可採用光學式感測器或超音波感測器。
塗佈機構7具備有噴嘴洗淨待機單元72。噴嘴洗淨待機單元72係對被配置於維護位置之噴嘴71進行既定之維護。噴嘴洗淨待機單元72具有輥721、洗淨部722、及輥槽723。噴嘴洗淨待機單元72係藉由對噴嘴71進行洗淨及形成積液，而將噴嘴71之吐出口調整為適於塗佈處理之狀態。此外，於塗佈裝置1中，為了評價施加於處理液之吐出壓力，故而於噴嘴71被配置於維護位置(模擬塗佈位置)的狀態下、即於噴嘴71之吐出口與輥721之外周面相對向的狀態下，自噴嘴71對輥721之外周面吐出處理液。此時，藉由使輥721旋轉，可將自噴嘴71吐出之處理液塗佈於移動之面上。即，可模擬地再現對於移動之基板S的塗佈。
自噴嘴71對輥721之表面吐出處理液係被稱為於基板S以外之部位吐出處理液之「模擬塗佈」。此外，將自噴嘴71對基板S塗佈處理液稱為「實際塗佈」。
圖4為顯示控制單元9之構成例的方塊圖。控制單元9控制塗佈裝置1之各要素的動作。控制單元9係一電腦，其具備有運算部91、記憶部93及使用者介面95。運算部91係由CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)或GPU(Graphics Processing Unit，圖形處理單元)等構成之處理器。記憶部93係由RAM(Random Access Memory，隨機存取記憶體)等暫時性之記憶裝置、及HDD(Hard Disk Drive，硬碟機)及SSD(Solid State Drive，固態硬碟)等非暫時性之輔助記憶裝置所構成。
使用者介面95包含有對使用者顯示資訊之顯示器、及受理使用者之輸入操作的輸入機器。作為控制單元9，例如可使用桌上型、膝上型或平板型之電腦。
記憶部93係記憶程式931。程式931係由記錄媒體M所提供。即，記錄媒體M記錄有程式931，該程式931係可由電腦即控制單元9讀取。記錄媒體M例如為USB(Universal Serial Bus，通用串列匯流排)記憶體、DVD(Digital Versatile Disc，數位多功能光碟)等光碟、磁碟等。
運算部91係藉由執行程式931而發揮作為吐出控制部910、吐出壓力測定部911、移動控制部912、速度測定部913及吐出控制參數調整部915之功能。
吐出控制部910控制對噴嘴71供給處理液之泵81的動作(供給動作)。吐出控制部910根據預先設定之吐出控制參數，來控制泵81之供給動作。
吐出壓力測定部911係測定顯示吐出壓力之時間變化的壓力波形。即，吐出壓力測定部911係以既定之取樣周期而周期性地取得壓力計86所測定之吐出壓力。藉此，取得於自噴嘴71吐出處理液之期間內被施加於處理液之吐出壓力，且將其作為顯示壓力波形之資料(吐出資料)而記憶於記憶部93。吐出資料為顯示某時刻與於該時刻測定之吐出壓力的關係(即，吐出壓力之歷時變化)的資料。
移動控制部912係根據預先設定之移動控制參數來控制使基板S相對於噴嘴71移動之吸附・移行機構52的動作(移動動作)。
速度測定部913係測定卡盤機構51及吸附・移行機構52使基板S移動之移動速度。速度測定部913根據吸附・移行機構52之輸出(例如，旋轉編碼器之輸出等)，來測定基板S之移動速度。速度測定部913將取得之速度作為速度資料而記憶於記憶部93。速度資料為顯示時刻與於該時刻測定之移動速度的關係(即，移動速度之歷時變化)的資料。
吐出控制參數調整部915係進行將吐出控制參數最佳化之處理。吐出控制參數調整部915係對藉由進行模擬塗佈而獲得之壓力進行評價，且根據該評價結果來更新吐出控制參數。吐出控制參數調整部915係藉由反復執行模擬塗佈及壓力波形之取得、壓力波形之評價、及吐出控制參數之更新，而使吐出控制參數最佳化。
於塗佈裝置1中，為了將自噴嘴71吐出之處理液以均勻之膜厚塗佈於基板S之上面Sf，對自噴嘴71吐出時之處理液的吐出速度、即吐出壓力進行調整尤為重要。因此，以吐出壓力之壓力波形接近理想波形之方式，使與壓力波形密切相關之吐出控制參數最佳化。具體而言，最佳化對象之吐出控制參數係規定作動碟部816之移動的設定值，且為圖3及以下所示之16個泵控制用的設定值。 •穩定速度V1 •加速時間T1：自停止狀態加速至穩定速度V1之時間 •穩定速度時間T2：持續穩定速度V1之時間 •穩定速度V2 •加速時間T3：自穩定速度V1減速至穩定速度V2之時間 •穩定速度時間T4：持續穩定速度V2之時間 •穩定速度V3 •加速時間T5：自穩定速度V2加速至穩定速度V3之時間 •穩定速度時間T6：持續穩定速度V3之時間 •穩定速度V4 •加速時間T7：自穩定速度V3減速至穩定速度V4之時間 •穩定速度時間T8：持續穩定速度V4之時間 •穩定速度V5 •加速時間T9：自穩定速度V4加速至穩定速度V5之時間 •穩定速度時間T10：持續穩定速度V5之時間 •減速時間T11：自穩定速度V5減速至停止狀態之時間
前述16個吐出控制參數係相當於用以控制對噴嘴71供給處理液之泵81的動作(供給動作)之控制量。再者，吐出控制參數之種類及個數並無特別限制，只要為控制泵81之供給動作的控制量，即可任意設定。
＜吐出控制參數之調整＞ 圖5為顯示吐出控制參數之調整處理的流程的圖。圖5所示之調整處理係於變更了處理配方之情況下、或者具有來自使用者之指示輸入的情況下進行。具體而言，處理配方包含有處理程序或處理內容(處理液之種類、基材之種類、處理液之供給量)。
圖5所示之調整處理包含有：事前調整階段(步驟S1〜步驟S4)，其於進行實際塗佈之前調整吐出控制參數；及實際塗佈階段(步驟S5以後)，其根據藉由事前調整而被調整之吐出控制參數，實際地對基板S進行塗佈。此外，實際塗佈階段包含有根據測定之壓力波形來對吐出控制參數進行再調整之再調整階段(步驟S7〜步驟S9)。於事前調整階段及再調整階段中，如後述般，根據由模擬塗佈所獲得之壓力波形來更新吐出控制參數。
＜事前調整階段＞ 於事前調整階段中，首先，吐出控制參數調整部915將吐出控制參數設定為既定之初始值(步驟S1)。初始值可為任意值，或者也可為根據既定之演算法而設定之值。此外，吐出控制參數調整部915也可受理來自使用者之初始值的輸入，而將受理之初始值記憶於記憶部93。
於藉由步驟S1而設定吐出控制參數之後，塗佈裝置1進行模擬塗佈，並且取得壓力波形(步驟S2)。具體而言，使噴嘴71朝既定之維護位置(與輥721相對向之位置)移動。然後，控制單元9根據由步驟S1所設定之控制參數來控制泵81，使處理液自噴嘴71對輥721吐出。此外，於進行模擬塗佈之期間，吐出壓力測定部911對藉由壓力計86測定之吐出壓力進行取樣，而取得壓力波形之資料。由步驟S2取得之壓力波形係「第二模擬塗佈波形」之一例。步驟S2係「第二模擬塗佈步驟」及「第三取得步驟」之一例。
於藉由步驟S2而取得模擬塗佈之壓力波形之後，進行模擬塗佈壓力波形之評價(步驟S3)。作為評價方法之一例，吐出控制參數調整部915對於在步驟S2中取得之壓力波形偏離理想波形即第一理想波形Wt1(參照圖6)之偏離量是否超過既定之容許範圍進行判定。步驟S3係「第三評價步驟」之一例。
再者，於步驟S3中，也可由使用者來評價壓力波形。於該情況下，於步驟S3中，控制單元9可於顯示器中顯示壓力波形及第一理想波形Wt1。此外，控制單元9也可於顯示器中顯示前述偏離量。如此，藉由於顯示器中顯示各種資訊，可適宜地輔助使用者進行評價。此外，控制單元9也可藉由輸入機器而受理來自使用者之評價結果的輸入，且將輸入之評價結果記憶於記憶部93。
於由步驟S3評價為模擬塗佈壓力波形與第一理想波形Wt1相同之情況下(例如，偏離量在容許範圍內之情況。於步驟S3中為Yes)，塗佈裝置1結束事前調整階段，而進行步驟S5以後之實際塗佈階段。
於由步驟S3評價為壓力波形與第一理想波形Wt1不同之情況下(例如，偏離量超過容許範圍之情況。步驟S3中為No時)，塗佈裝置1更新吐出控制參數(步驟S4)。具體而言，吐出控制參數調整部915根據步驟3之評價結果，更新吐出控制參數，以使進行了模擬塗佈之情況下之壓力波形成為第一理想波形Wt1。作為更新吐出控制參數之演算法，可任意選擇例如貝氏最佳化(Bayesian Optimization)、基因演算法(genetic algorithm)、梯度法、線性規劃法等。步驟S4係「第二更新步驟」之一例。
再者，吐出控制參數之更新也可如專利文獻1之記載般，使用學習了吐出控制參數之變更量及前述偏離量之關係的學習完成模型來進行。作為學習用之模型，可利用類神經網路。
此外，於步驟S4中，也可設為，能讓使用者更新吐出控制參數。於該情況下，控制單元9也可藉由輸入機器來受理新的吐出控制參數之輸入，且將受理之吐出控制參數記憶於記憶部93。
於由步驟S4更新了吐出控制參數之後，塗佈裝置1返回步驟S2，再次執行模擬塗佈。如此，直到由模擬塗佈獲得之壓力波形成為理想波形為止，塗佈裝置1反復進行步驟S2至步驟S4。藉此，將吐出控制參數調整為適當值。
＜實際塗佈階段＞ 於實際塗佈階段中，首先，塗佈裝置1根據藉由事前調整階段被調整之吐出控制參數來進行實際塗佈，並且取得壓力波形(步驟S5)。具體而言，處理液供給機構8使噴嘴71移動至塗佈位置。然後，控制單元9藉由控制移動機構5而一面使基板S朝既定之搬送方向Dt移動，一面根據吐出控制參數來驅動泵81，藉此，自噴嘴71對基板S吐出處理液。此外，於進行實際塗佈之期間，吐出壓力測定部911對由壓力計86測定之吐出壓力進行取樣，藉以取得壓力波形資料。以下，將於步驟S5中取得之壓力波形稱為「實際塗佈壓力波形」。步驟S5係「實際塗佈步驟」及「第一取得步驟」之一例。
於藉由步驟S5取得實際塗佈壓力波形後，進行實際塗佈壓力波形之評價(步驟S6)。實際塗佈壓力波形之評價方法也可與步驟S3中之壓力波形的評價方法相同。即，吐出控制參數調整部915也可對於由步驟S5取得之實際塗佈壓力波形偏離第一理想波形Wt1之偏離量是否超過既定之容許範圍進行判定。步驟S6係「第一評價步驟」之一例。
再者，於步驟S6中，使用者也可評價實際塗佈壓力波形。於該情況下，在步驟S6中，控制單元9可於顯示器中顯示實際塗佈壓力波形及第一理想波形Wt1。此外，控制單元9也可於顯示器中顯示前述偏離量。如此，藉由於顯示器中顯示各種資訊，而可適宜地輔助使用者進行評價。此外，控制單元9也可藉由輸入機器而受理來自使用者之評價結果的輸入，且將輸入之評價結果記憶於記憶部93。
於由步驟S6評價為實際塗佈壓力波形與第一理想波形Wt1相同之情況下(例如，偏離量在容許範圍內之情況。於步驟S6中為Yes)，塗佈裝置1結束吐出控制參數之調整處理。即，於以後之實際塗佈中，使用於步驟S5中所使用之吐出控制參數。另一方面，於步驟S6中，於評價為實際塗佈壓力波形與第一理想波形Wt1不一致之情況下(例如，偏離量超過容許範圍之情況。於步驟S6中為No)，塗佈裝置1判斷為需要對吐出控制參數進行再調整，而執行自步驟S7至步驟S9之再調整階段。
＜再調整階段＞ 於再調整階段中，首先更新吐出控制參數(步驟S7)。具體而言，吐出控制參數調整部915更新吐出控制參數，以使進行了模擬塗佈之情況下的壓力波形成為後述之第二理想波形Wt2(參照圖6)。更新吐出控制參數之演算法，可任意選擇例如貝氏最佳化、基因演算法、梯度法、線性規劃法等。步驟S7係「第一更新步驟」之一例。
再者，吐出控制參數之更新也可如專利文獻1所記載般，使用學習了吐出控制參數之變更量及前述偏離量之關係的學習完成模型來進行。作為學習用之模型，可利用類神經網路。
此外，於步驟S7中，也可設為，能讓使用者來更新吐出控制參數。於該情況下，吐出控制參數調整部915，也可藉由輸入機器而受理來自使用者之新的吐出控制參數之輸入，且將受理之吐出控制參數記憶於記憶部93。
圖6為顯示第二理想波形Wt2之設定例的圖。第二理想波形Wt2例如藉由吐出控制參數調整部915來生成，且被保存於記憶部93。第二理想波形Wt2具有與第一理想波形Wt1不同之形狀。具體而言，第二理想波形Wt2具有根據實際塗佈壓力波形Wr1與第一理想波形Wt1之差分值(偏離量)而使第一理想波形Wt1變形之形狀。更具體而言，第二理想波形Wt2具有自第一理想波形Wt1減去前述差分值後之形狀。再者，第二理想波形Wt2之形狀不限於圖6所示之形狀，可適宜地設定。
返回圖5，於藉由步驟S7更新了吐出控制參數之後，塗佈裝置1根據更新後之吐出控制參數來進行模擬塗佈(步驟S8)。步驟S8係「第一模擬塗佈步驟」及「第二取得步驟」之一例。於噴嘴71位於塗佈台32上方之塗佈位置之情況下，塗佈機構7使噴嘴71移動至維護位置。然後，自噴嘴71對旋轉之輥721吐出處理液。於進行模擬塗佈之期間，吐出壓力測定部911藉由對以壓力計86所測定之吐出壓力進行取樣，而取得壓力波形。藉由步驟S8而取得之壓力波形係「第一模擬塗佈壓力波形」之一例。
於藉由步驟S8而取得壓力波形之後，對模擬塗佈壓力波形進行評價(步驟S9)。壓力波形之評價方法也可與步驟S3中之壓力波形的評價方法相同。然而，於步驟S9中，使用第二理想波形Wt2以取代第一理想波形Wt1。具體而言，吐出控制參數調整部915也可對於由步驟S8所取得之壓力波形偏離第二理想波形Wt2之偏離量是否超過既定之容許範圍進行判定。步驟S8係「第二評價步驟」之一例。
再者，於步驟S9中，也可由使用者評價壓力波形。於該情況下，在步驟S6，控制單元9可於顯示器中顯示壓力波形及第二理想波形Wt2。此外，控制單元9也可於顯示器中顯示前述偏離量。如此，藉由於顯示器中顯示各種資訊，而可適宜地輔助使用者進行評價。此外，控制單元9也可藉由輸入機器而受理來自使用者之評價結果的輸入，且將輸入之評價結果記憶於記憶部93。
於由步驟S9評價為模擬塗佈之壓力波形與第二理想波形Wt2不同之情況下(例如，偏離量超過容許範圍之情況。於步驟S9中為No)，塗佈裝置1再次進行步驟S7(吐出控制參數之更新)。另一方面，於由步驟S9評價為模擬塗佈之壓力波形與第二理想波形Wt2相同之情況下，塗佈裝置1結束再調整階段，而進行步驟S5之實際塗佈。如此，直到評價為由模擬塗佈所獲得之壓力波形與第二理想波形Wt2相同為止，塗佈裝置1反復進行步驟S7至步驟S9。藉此，對吐出控制參數進行再調整。
＜功效＞ 於由步驟S6評價為實際塗佈壓力波形不理想之情況下，根據由模擬塗佈(步驟S8)所獲得之壓力波形來對吐出控制參數進行再調整。藉此，可一面抑制基板S之消耗，一面進行吐出控制參數之再調整。藉由抑制基板S之消耗，而可降低環境負擔。
此外，於再調整階段，將作為評價基準之第二理想波形Wt2設為，根據實際塗佈壓力波形Wr1與第一理想波形Wt1的差分值而使第一理想波形Wt1變形後之形狀。藉此，可有效地對吐出控制參數進行再調整，以使進行實際塗佈時之壓力波形成為第一理想波形Wt1。
此外，藉由根據以步驟S2之模擬塗佈所獲得的壓力波形來進行用於實際塗佈之吐出控制參數的事前調整，而可進一步抑制基板S之消耗。
＜2.變形例＞ 以上，對實施形態進行了說明，但本發明不限於上述之形態，其可進行各種變形。
例如，於前述實施形態中，將模擬塗佈設為對輥721上吐出處理液。然而，也可對輥721以外之部位吐出處理液。例如，也可對輥槽723等可接受自噴嘴71吐出之處理液的容器吐出處理液。
以上已對本發明進行了詳細說明，但前述態樣皆為例示而已，本發明不限於此。應當理解為，於不超出本發明之範圍之情況下，可推知未例示之無數個變形例。於前述各實施形態及各變形例中所說明之各構成，只要不相互矛盾即可適宜地組合或省略。
1:塗佈裝置 2:輸入移載部 3:懸浮台部 4:輸出移載部 5:移動機構 7:塗佈機構 8:處理液供給機構 9:控制單元 21:滾子傳送機 22:旋轉・升降驅動機構 31:入口懸浮台 32:塗佈台 33:出口懸浮台 34:升降銷驅動機構 35:懸浮控制機構 36:升降驅動機構 41:滾子傳送機 42:旋轉・升降驅動機構 51:卡盤機構 52:吸附・移行機構 61、62:感測器 71:噴嘴 72:噴嘴洗淨待機單元 81:泵 82、84:配管 83:處理液補充單元 85:開閉閥 86:壓力計 87:驅動部 91:運算部 93:記憶部 95:使用者介面 100:輸入傳送機 101:滾子傳送機 102:旋轉驅動機構 110:輸出傳送機 111:滾子傳送機 112:旋轉驅動機構 721:輥 722:洗淨部 723:輥槽 811:可撓性管 812:波紋管 813:小型波紋管部 814:大型波紋管部 815:泵室 816:作動碟部 831:貯存槽 833:開閉閥 910:吐出控制部 911:吐出壓力測定部 912:移動控制部 913:速度測定部 915:吐出控制參數調整部 931:程式 Dt:搬送方向 M:記錄媒體 S:基板 Sb:基板之下面 Sf:基板之上面 T1、T3、T5、T7、T9:加速時間 T2、T4、T6、T8、T10:穩定速度時間 T11:減速時間 V1~V5:穩定速度 Wr1:實際塗佈壓力波形 Wt1:第一理想波形 Wt2:第二理想波形 X、Y、Z:方向
圖1為示意性地顯示實施形態的塗佈裝置之整體構成的圖。 圖2為顯示處理液供給機構之構成的圖。 圖3為顯示圖2所示之泵的作動碟部之移動模式的曲線圖。 圖4為顯示控制單元之構成例的方塊圖。 圖5為顯示吐出控制參數之調整處理之流程的圖。 圖6為顯示第二理想波形之設定例的圖。
71:噴嘴
81:泵
721:輥
S:基板

Claims (6)

  1. 一種塗佈方法，其係對基板塗佈處理液者；其包含以下步驟： a)實際塗佈步驟，其根據預先設定之吐出控制參數，進行一面使前述基板相對於噴嘴相對地移動一面自前述噴嘴對前述基板吐出處理液之實際塗佈； b)第一取得步驟，其取得前述實際塗佈步驟中之顯示前述噴嘴之吐出壓力的時間變化之實際塗佈壓力波形； c)第一評價步驟，其對前述實際塗佈壓力波形進行評價；及 d)再調整步驟，其根據前述第一評價步驟之評價結果，對前述吐出控制參數進行再調整； 前述再調整步驟包含以下步驟： d1)第一模擬塗佈步驟，其根據前述吐出控制參數，進行自前述噴嘴對前述基板以外之部位吐出前述處理液之模擬塗佈； d2)第二取得步驟，其取得於前述第一模擬塗佈步驟中顯示前述吐出壓力之時間變化的第一模擬塗佈壓力波形； d3)第二評價步驟，其對前述第一模擬塗佈壓力波形進行評價；及 d4)第一更新步驟，其根據前述第二評價步驟之評價結果，更新前述吐出控制參數。
  2. 如請求項1之塗佈方法，其中，前述第一評價步驟包含有：根據前述實際塗佈壓力波形偏離第一理想波形之偏離量來進行評價的步驟， 前述第二評價步驟包含有：根據前述第一模擬塗佈壓力波形偏離與前述第一理想波形形狀不同之第二理想波形的偏離量來進行評價的步驟。
  3. 如請求項2之塗佈方法，其中，前述第二理想波形係具有根據前述實際塗佈壓力波形與前述第一理想波形之差分值而使前述第一理想波形變形之形狀。
  4. 如請求項1至3中任一項之塗佈方法，其中，進一步包含如下步驟： e)事前調整步驟，其於前述第一取得步驟之前，對前述吐出控制參數進行調整； 前述事前調整步驟包含如下步驟： e1)第二模擬塗佈步驟，其根據預先設定之前述吐出控制參數來進行前述模擬塗佈； e2)第三取得步驟，其於前述第二模擬塗佈步驟中，取得顯示前述吐出壓力之時間變化的第二模擬塗佈壓力波形； e3)第三評價步驟，其對前述第二模擬塗佈壓力波形進行評價；及 e4)第二更新步驟，其根據前述第三評價步驟之評價結果，來更新前述吐出控制參數。
  5. 一種電腦可執行之程式，其使前述電腦執行請求項1至3中任一項之塗佈方法。
  6. 一種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有請求項5之程式。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4294757B2 (ja) 1998-06-18 2009-07-15 平田機工株式会社 スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法
JP3988817B2 (ja) 2001-09-25 2007-10-10 大日本スクリーン製造株式会社 塗布液塗布方法及びその装置並びにその装置の塗布条件調整方法
JP4742511B2 (ja) 2004-04-02 2011-08-10 東レ株式会社 塗布方法および塗布装置並びにディスプレイ用部材の製造方法
JP2010227762A (ja) 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置、薄膜形成方法
JP2011235237A (ja) 2010-05-11 2011-11-24 Olympus Corp 塗布剤塗布方法および塗布剤塗布装置
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