JP7492993B2 - 制御パラメータ調整方法、プログラムおよび記録媒体 - Google Patents

Description

本明細書で開示される主題は、制御パラメータ調整方法、プログラムおよび記録媒体に関する。

フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造工程では、コータと呼ばれる基板処理装置が用いられる場合がある。コータは、ガラスなどの基板に対して、ノズルからレジスト液などの処理液を吐出させながら、基板に対してノズルを走査させる。コータは、レジスト液等の処理液に圧力を付与することによって、ノズルから処理液を吐出する。また、移動機構がノズルに対して基板を相対的に移動させることによって、基板の表面に処理液の塗布膜が形成される。

この種の基板処理装置においては、基板全体に亘って、塗布膜の膜厚を均一にすることが求められる場合がある。膜厚を均一にするために、吐出制御パラメータの調整が適宜行われる。この調整作業では、例えば、技術者が、目視で吐出圧力の波形を確認しつつ、複数の吐出制御パラメータの調整を行う。このため、調整作業は、技術者の知識や経験に依存するところが大きい。したがって、吐出制御パラメータの調整は、技術者の多大な時間と労力を要する。また、処理液や基板を大量に消費してしまうおそれがある。そのため、制御パラメータを効率的に調整する技術がこれまでにも提案されている。

例えば特許文献１には、基板以外に処理液を吐出する疑似吐出工程と、疑似吐出工程における処理液の吐出特性を計測する吐出特性計測工程と、計測された吐出特性の目標特性からのずれの状態量を導出する状態量導出工程と、パラメータの変更に伴う状態量の変化を機械学習して学習モデルを構築する学習工程とを有する基板処理方法について記載されている。この基板処理方法では、状態量が所定の許容範囲を超えている間、学習モデルに基づいてパラメータを変更した上で、疑似吐出工程、吐出特性計測工程、状態量導出工程および学習工程を繰り返して実行する一方、状態量が許容範囲に入ると、最後に変更されたパラメータを処理液供給工程で処理液を吐出する際のパラメータとして設定する。

特開２０２０－０４００４６号公報

特許文献１では、吐出制御パラメータを疑似吐出に基づいて調整するため、基板の消費を抑えることが可能である。しかしながら、疑似吐出は、実際に基板に処理液を吐出する場合とはノズル周りの環境等の種々の条件が異なる。このため、疑似吐出によって調整された吐出制御パラメータを使用した場合、実際に基板に処理液を塗布する際に理想的な圧力波形を再現することが困難な場合があった。

本発明の目的は、基板の消費を抑えつつ、実際に基板に処理液を吐出する環境に合わせて吐出制御パラメータを適切に調整することができる技術を提供することにある。

上記課題を解決するため、第１態様は、ノズルからの処理液の吐出を制御するための吐出制御パラメータを調整する制御パラメータ調整方法であって、ａ）ノズルから基板以外の箇所に処理液を吐出する疑似塗布を行った場合の、前記ノズル内の圧力変化を示す第１圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを調整する工程と、ｂ）前記工程ａ）によって調整された前記吐出制御パラメータにしたがって、前記ノズルから基板に処理液を吐出する実塗布を行った場合の、前記ノズル内の圧力変化を示す第２圧力波形を取得する工程と、ｃ）前記第２圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整するかどうかを判定する工程と、ｄ）前記工程ｃ）によって再調整すると判定された場合、前記疑似塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第３圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整する工程と、ｅ）前記工程ｄ）によって再調整された前記吐出制御パラメータにしたがって、前記実塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第４圧力波形を取得する工程と、ｆ）前記第４圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整するかどうかを判定する工程と、ｇ）前記工程ｆ）によって再調整すると判定された場合、前記実塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第５圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整する工程とを含む。

第２態様は、第１態様の制御パラメータ調整方法であって、ｈ）前記ノズルに対する前記基板の相対的な移動を制御するための移動制御パラメータを調整する工程、をさらに含み、前記実塗布は、前記工程ｈ）によって調整された移動制御パラメータにしたがって前記基板を前記ノズルに対して相対的に移動させつつ、前記ノズルから前記基板に処理液を吐出する。

第３態様は、第２態様の制御パラメータ調整方法であって、前記工程ｈ）は、前記ノズルに対する前記基板の相対速度の変化を示す速度波形に基づいて、前記移動制御パラメータが調整される。

第４態様は、コンピュータが実行可能なプログラムであって、前記コンピュータに第１態様または第２態様の制御パラメータ調整方法を実行させる。

第５態様は、コンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、第４態様のプログラムが記録されている。

第１態様から第４態様の制御パラメータ調整方法によれば、疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて吐出制御パラメータを調整および再調整することにより、基板の消費を抑えることができる。また、疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて調整された吐出制御パラメータを、実塗布で得られる第５圧力波形に基づいて再調整することによって、実塗布に合うように吐出制御パラメータを調整できる。

第２態様の制御パラメータ調整方法によれば、移動制御パラメータを調整することによって、基板に対する塗布を適切に行うことができる。

第３態様の制御パラメータ調整方法によれば、速度波形に基づき、移動制御パラメータを適切に調整できる。

実施形態に係る塗布装置の全体構成を模式的に示す図である。 処理液供給機構の構成を示す図である。 図２に示されるポンプの作動ディスク部の移動パターンを示すグラフである。 制御ユニットの構成例を示すブロック図である。 制御ユニットが制御パラメータを調整する流れを示す図である。 図５に示される第１調整工程の詳細を示すフローチャートである。 図５に示される第２調整工程の詳細を示すフローチャートである。 図５に示される第３調整工程の詳細を示すフローチャートである。 第２理想波形の設定例を示す図である。 図５に示される第４調整工程の詳細を示すフローチャートである。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数が誇張又は簡略化して図示されている場合がある。

＜１． 実施形態＞
図１は、実施形態に係る塗布装置１の全体構成を模式的に示す図である。塗布装置１は、基板Ｓの上面Ｓｆに処理液を塗布する基板処理装置である。基板Ｓは、例えば、液晶表示装置用のガラス基板である。なお、基板Ｓは、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、磁気・光ディスク用のガラス又はセラミック基板、有機ＥＬ用ガラス基板、太陽電池用ガラス基板又はシリコン基板、その他フレキシブル基板およびプリント基板などの電子機器向けの各種被処理基板であってもよい。塗布装置１は、例えばスリットコータである。

図１においては、塗布装置１の各要素の配置関係を説明するため、ＸＹＺ座標系を定義している。基板Ｓの移動方向は、「Ｘ方向」である。Ｘ方向において基板Ｓが進行する方向（移動方向の下流へ向かう方）が＋Ｘ方向、その逆方向（移動方向の上流へ向かう方）が－Ｘ方向である。また、Ｘ方向に直交する方向はＹ方向であり、Ｘ方向及びＹ方向に直交する方向はＺ方向である。以下の説明では、Ｚ方向を鉛直方向とし、Ｘ方向およびＹ方向を水平方向とする。Ｚ方向において、＋Ｚ方向を上方向、－Ｚ方向を下方向とする。

塗布装置１は、＋Ｘ方向に向かって順に、入力コンベヤ１００と、入力移載部２と、浮上ステージ部３と、出力移載部４と、出力コンベヤ１１０とを備えている。入力コンベヤ１００と、入力移載部２と、浮上ステージ部３と、出力移載部４と、出力コンベヤ１１０とは、基板Ｓが通過する移動経路を構成する。また、塗布装置１は、移動機構５と、塗布機構７と、処理液供給機構８と、制御ユニット９とをさらに備える。

基板Ｓは、上流側から入力コンベヤ１００に搬送される。入力コンベヤ１００は、コロコンベヤ１０１と、回転駆動機構１０２とを備えている。回転駆動機構１０２は、コロコンベヤ１０１の各コロを回転させる。コロコンベヤ１０１の各コロの回転によって、基板Ｓは、水平姿勢で下流（＋Ｘ方向）に搬送される。「水平姿勢」とは、基板Ｓの主面（面積が最大の面）が水平面（ＸＹ平面）に対して平行な状態をいう。

入力移載部２は、コロコンベヤ２１と回転・昇降駆動機構２２とを備えている。回転・昇降駆動機構２２は、コロコンベヤ２１の各コロを回転させるとともに、コロコンベヤ２１を昇降させる。コロコンベヤ２１の回転によって、基板Ｓは、水平姿勢で下流（＋Ｘ方向）に搬送される。また、コロコンベヤ２１の昇降により、基板ＳのＺ方向における位置が変更される。基板Ｓは、入力コンベヤ１００から入力移載部２を介して浮上ステージ部３へ移載される。

図１に示されるように、浮上ステージ部３は、略平板状である。浮上ステージ部３は、Ｘ方向に沿って３分割されている。浮上ステージ部３は、＋Ｘ方向に向かって順に、入口浮上ステージ３１と、塗布ステージ３２と、出口浮上ステージ３３とを備えている。入口浮上ステージ３１の上面、塗布ステージ３２の上面、および出口浮上ステージ３３の上面は、同一平面上にある。浮上ステージ部３は、リフトピン駆動機構３４と、浮上制御機構３５と、昇降駆動機構３６とをさらに備えている。入口浮上ステージ３１には、複数のリフトピンが配置されている。リフトピン駆動機構３４は、複数のリフトピンを昇降させる。浮上制御機構３５は、基板Ｓを浮上させるための圧縮空気を、入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２、および出口浮上ステージ３３に供給する。昇降駆動機構３６は、出口浮上ステージ３３を昇降させる。

入口浮上ステージ３１の上面、および、出口浮上ステージ３３の上面には、浮上制御機構３５から供給される圧縮空気を噴出する多数の噴出穴がマトリクス状に配置されている。各噴出穴から圧縮空気が噴出すると、基板Ｓが浮上ステージ部３に対して上方に浮上する。すると、基板Ｓの下面Ｓｂが浮上ステージ部３の上面から離間しつつ、水平姿勢で支持される。基板Ｓが浮上した状態における、基板Ｓの下面Ｓｂと浮上ステージ部３の上面との間の距離（浮上量）は、好ましくは１０μｍ以上である。当該距離は、好ましくは５００μｍ以下である。

塗布ステージ３２の上面には、浮上制御機構３５から供給される圧縮空気を噴出する噴出穴と、気体を吸引する吸引穴とが、Ｘ方向およびＹ方向において、交互に配置されている。浮上制御機構３５は、噴出穴からの圧縮空気の噴出量と、吸引穴からの空気の吸引量とを制御する。これにより、塗布ステージ３２の上方を通過する基板Ｓの上面ＳｆのＺ方向における位置が規定値となるように、塗布ステージ３２に対する基板Ｓの浮上量が精密に制御される。なお、塗布ステージ３２に対する基板Ｓの浮上量は、後述するセンサ６１またはセンサ６２の検出結果に基づいて、制御ユニット９により算出される。また、塗布ステージ３２に対する基板Ｓの浮上量は、好ましくは、気流制御によって高精度に調整可能とされる。

浮上ステージ部３に搬入された基板Ｓは、コロコンベヤ２１から＋Ｘ方向への推進力が付与され、入口浮上ステージ３１上に搬送される。入口浮上ステージ３１、塗布ステージ３２および出口浮上ステージ３３は、基板Ｓを浮上状態で支持する。浮上ステージ部３として、例えば、特許第５３４６６４３号に記載された構成が採用されてもよい。

移動機構５は、浮上ステージ部３の下方に配置されている。移動機構５は、チャック機構５１と、吸着・走行機構５２とを備える。チャック機構５１は、吸着部材に設けられた吸着パッド（図示省略）を備えている。チャック機構５１は吸着パッドを基板Ｓの下面Ｓｂの周縁部に当接させた状態で、基板Ｓを下側から支持する。吸着・走行機構５２は、吸着パッドに負圧を付与することにより、基板Ｓを吸着パッドに吸着する。また、吸着・走行機構５２は、チャック機構５１をＸ方向に往復走行させる。

チャック機構５１は、基板Ｓの下面Ｓｂが浮上ステージ部３の上面よりも高い位置に位置する状態で、基板Ｓを保持する。チャック機構５１により基板Ｓの周縁部が保持された状態で、基板Ｓは、浮上ステージ部３から付与される浮力により水平姿勢を維持する。

図１に示されるように、塗布装置１は、板厚測定用のセンサ６１を備えている。センサ６１は、コロコンベヤ２１の近傍に配置されている。センサ６１は、チャック機構５１に保持された基板Ｓの上面ＳｆのＺ方向における位置を検出する。また、センサ６１の直下に基板Ｓを保持していない状態のチャック（図示省略）が位置することで、センサ６１は吸着部材の上面である吸着面の鉛直方向Ｚにおける位置を検出可能となっている。

チャック機構５１は、浮上ステージ部３に搬入された基板Ｓを保持しつつ、＋Ｘ方向に移動する。これにより、基板Ｓが入口浮上ステージ３１の上方から塗布ステージ３２の上方を経由して、出口浮上ステージ３３の上方へ搬送される。そして、基板Ｓは、出口浮上ステージ３３から出力移載部４へ移動される。

出力移載部４は、基板Ｓを出口浮上ステージ３３の上方の位置から出力コンベヤ１１０へ移動させる。出力移載部４は、コロコンベヤ４１と、回転・昇降駆動機構４２とを備えている。回転・昇降駆動機構４２は、コロコンベヤ４１を回転駆動するとともに、コロコンベヤ４１をＺ方向に沿って昇降させる。コロコンベヤ４１の各コロが回転することによって、基板Ｓが＋Ｘ方向へ移動する。また、コロコンベヤ４１が昇降することによって、基板ＳがＺ方向に変位する。

出力コンベヤ１１０は、コロコンベヤ１１１と、回転駆動機構１１２とを備えている。出力コンベヤ１１０は、コロコンベヤ１１１の各コロの回転により基板Ｓを＋Ｘ方向に搬送し、基板Ｓを塗布装置１外へ払い出す。なお、入力コンベヤ１００および出力コンベヤ１１０は、塗布装置１の一部である。ただし、入力コンベヤ１００及び出力コンベヤ１１０は、塗布装置１とは別の装置に組み込まれていてもよい。

塗布機構７は、基板Ｓの上面Ｓｆに処理液を塗布する。塗布機構７は、基板Ｓの移動経路の上方に配置されている。塗布機構７は、ノズル７１を有する。ノズル７１は、下面にスリット状の吐出口を有するスリットノズルである。ノズル７１は、位置決め機構（不図示）に接続されている。位置決め機構は、ノズル７１を、塗布ステージ３２の上方の塗布位置（図１中、実線で示される位置）と、後述するメンテナンス位置との間で移動させる。処理液供給機構８は、ノズル７１に接続されている。処理液供給機構８がノズル７１に処理液を供給することによって、ノズル７１の下面に配置された吐出口から処理液が吐出される。

塗布装置１では、処理液を吐出するノズル７１に対して、移動機構５が基板Ｓを移動させることによって、基板Ｓに処理液が塗布される。しかしながら、移動機構５が、一定位置に配置された基板Ｓに対してノズル７１を移動させるように構成されていてもよい。また、移動機構５が、ノズル７１および基板Ｓの双方を移動させるように構成されてもよい。この場合、基板Ｓの移動方向は、ノズル７１の移動方向と反対であってもよい。また、基板Ｓの移動方向は、ノズル７１の移動方向と同じであってもよい。この場合、搬送される基板Ｓの速度よりも速い速度でノズル７１が基板Ｓを追いかけるように、移動機構５がノズル７１および基板Ｓを搬送してもよい。

図２は、処理液供給機構８の構成を示す図である。処理液供給機構８は、ポンプ８１と、配管８２と、処理液補充ユニット８３と、配管８４と、開閉弁８５と、圧力計８６と、駆動部８７とを備えている。ポンプ８１は、処理液をノズル７１に送給するための送給源であり、体積変化により処理液を送給する。ポンプ８１は、例えば、特開平１０－６１５５８号公報に記載されたベローズタイプのポンプであってもよい。図２に示されるように、ポンプ８１は、径方向において弾性膨張収縮自在である可撓性チューブ８１１を有する。可撓性チューブ８１１の一方端は、配管８２を介して処理液補充ユニット８３と接続される。可撓性チューブ８１１の他方端は、配管８４を介してノズル７１と接続される。

ポンプ８１は、軸方向において弾性変形自在であるベローズ８１２を有する。ベローズ８１２は、小型ベローズ部８１３と、大型ベローズ部８１４と、ポンプ室８１５と、作動ディスク部８１６とを有する。ポンプ室８１５は、可撓性チューブ８１１とベローズ８１２との間に位置する。ポンプ室８１５には、非圧縮性媒体が封入される。作動ディスク部８１６は、駆動部８７に接続される。

処理液補充ユニット８３は、処理液を貯留する貯留タンク８３１を有する。貯留タンク８３１は、配管８２を介してポンプ８１と接続される。配管８２には、開閉弁８３３が介挿される。開閉弁８３３は、制御ユニット９からの指令に応じて開閉する。開閉弁８３３が開かれると、貯留タンク８３１からポンプ８１の可撓性チューブ８１１への処理液の補給が可能となる。また、開閉弁８３３が閉じると、貯留タンク８３１からポンプ８１の可撓性チューブ８１１への処理液の補充が規制される。

配管８４は、ポンプ８１の出力側に接続されている。開閉弁８５は、配管８４に介挿されている。開閉弁８５は、制御ユニット９からの指令に応じて開閉する。開閉弁８５が開閉することにより、ノズル７１に対する処理液の送液と送液停止とが切り替えられる。圧力計８６は、配管８４に配置されている。圧力計８６は、ノズル７１に送液される処理液の圧力（吐出圧力）を検出し、検出した圧力値を示す信号を制御ユニット９に出力する。

図３は、図２に示されるポンプ８１の作動ディスク部８１６の移動パターンを示すグラフである。図３中、横軸は時刻を示しており、縦軸は作動ディスク部８１６の移動速度を示す。駆動部８７は、制御ユニット９からの指令に応じて、図３に示されるような移動パターン（時間経過に対する作動ディスク部８１６の速度の変化を示すパターン）で作動ディスク部８１６を軸方向に変位させる。作動ディスク部８１６の変位により、ベローズ８１２の内側の容積が変化する。これにより、可撓性チューブ８１１が径方向に膨張収縮してポンプ動作を実行し、処理液補充ユニット８３から補給される処理液がノズル７１に向けて送給される。作動ディスク部８１６の移動パターンは、ノズル７１から吐出される処理液の吐出特性と密接に関係しているため、移動パターンに応じて、吐出圧力の時間変化を示す圧力波形が得られる。なお、吐出圧力の増減に応じて、吐出量（ノズル７１から吐出される処理液の量）が増減する。

本実施形態では、作動ディスク部８１６の移動を規定する各種パラメータ（加速時間、定常速度、定常速度時間、減速時間など）を調整することによって、ノズル７１から吐出される処理液の、吐出圧力の圧力波形を理想的な波形と一致あるいは近似させる最適化処理（調整処理）が適宜行われる。この最適化処理については、後に詳述する。

図１および図２に示されるように、処理液供給機構８から処理液が供給されるノズル７１には、センサ６２が配置される。センサ６２は、基板ＳのＺ方向における高さを非接触で検知する。センサ６２は、制御ユニット９とデータ通信可能に接続される。センサ６２の検出結果に基づいて、制御ユニット９は、浮上している基板Ｓと、塗布ステージ３２の上面との間の距離（離間距離）を測定する。制御ユニット９は、センサ６２によって測定された離間距離に基づいて、位置決め機構によるノズル７１の塗布位置を調整する。なお、センサ６２としては、光学式センサ、または、超音波センサを採用し得る。

塗布機構７は、ノズル洗浄待機ユニット７２を備えている。ノズル洗浄待機ユニット７２は、メンテナンス位置に配置されたノズル７１に対して所定のメンテナンスを行う。ノズル洗浄待機ユニット７２は、ローラ７２１と、洗浄部７２２と、ローラバット７２３とを有している。ノズル洗浄待機ユニット７２は、ノズル７１に対して洗浄および液だまりの形成を行うことによって、ノズル７１の吐出口を塗布処理に適した状態に整える。また、塗布装置１においては、処理液に加わる吐出圧力を評価するため、ノズル７１がメンテナンス位置（疑似塗布位置）に配置された状態、すなわち、ノズル７１の吐出口がローラ７２１の外周面に対向する状態で、ノズル７１からローラ７２１の外周面に処理液を吐出する。このとき、ローラ７２１が回転することによって、ノズル７１から吐出される処理液を、移動する面に塗布することができる。すなわち、移動する基板Ｓに塗布する塗布を疑似的に再現できる。

ノズル７１からローラ７２１の表面に処理液を吐出することは、基板Ｓ以外の箇所で処理液を吐出する「疑似塗布」と称する。また、ノズル７１から基板Ｓに処理液を塗布することを、「実塗布」と称する。

図４は、制御ユニット９の構成例を示すブロック図である。制御ユニット９は、塗布装置１の各要素の動作を制御する。制御ユニット９は、コンピュータであって、演算部９１と、記憶部９３と、ユーザインターフェース９５とを備えている。演算部９１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＧＰＵ（Graphics Processing Unit）などで構成されるプロセッサである。記憶部９３は、ＲＡＭ（Random Access Memory）などの一過性の記憶装置、および、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）およびＳＳＤ（Solid State Drive）などの非一過性の補助記憶装置で構成される。

ユーザインターフェース９５は、ユーザに情報を表示するディスプレイ、および、ユーザによる入力操作を受け付ける入力機器を含む。制御ユニット９としては、例えばデスクトップ型、ラップトップ型、あるいはタブレット型のコンピュータを用いることができる。

記憶部９３は、プログラム９３１を記憶する。プログラム９３１は、記録媒体Ｍによって提供される。すなわち、記録媒体Ｍは、プログラム９３１を、コンピュータである制御ユニット９によって読取可能に記録されている。記録媒体Ｍは、例えば、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）メモリ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などの光学ディスク、磁気ディスクなどである。

演算部９１は、プログラム９３１を実行することにより、吐出制御部９１０、吐出圧力測定部９１１、移動制御部９１２、速度測定部９１３、吐出制御パラメータ調整部９１５および移動制御パラメータ調整部９１７として機能する。

吐出制御部９１０は、ノズル７１に処理液を送給するポンプ８１の動作（送給動作）を制御する。吐出制御部９１０は、予め設定された吐出制御パラメータにしたがって、ポンプ８１の送給動作を制御する。

吐出圧力測定部９１１は、吐出圧力の時間変化を示す圧力波形を測定する。すなわち、吐出圧力測定部９１１は、所定のサンプリング周期で圧力計８６が測定した吐出圧力を周期的に取得する。これにより、ノズル７１から処理液が吐出される期間において処理液に与えられた吐出圧力が取得され、圧力波形を示すデータ（吐出データ）として記憶部９３に記憶される。吐出データは、ある時刻とその時刻に測定された吐出圧力の関係（すなわち、吐出圧力の経時変化）を示すデータである。

移動制御部９１２は、ノズル７１に対して基板Ｓを移動させる吸着・走行機構５２の動作（移動動作）を、予め設定された移動制御パラメータに基づいて制御する。

速度測定部９１３は、チャック機構５１および吸着・走行機構５２による基板Ｓの移動速度を測定する。速度測定部９１３は、吸着・走行機構５２の出力（例えば、ロータリーエンコーダの出力など）に基づいて、基板Ｓの移動速度を測定する。速度測定部９１３は、取得した速度を、速度データとして記憶部９３に記憶させる。速度データは、時刻とその時刻に測定された移動速度の関係（すなわち、移動速度の経時変化）を示すデータである。

吐出制御パラメータ調整部９１５は、吐出制御パラメータを最適化する処理を行う。吐出制御パラメータ調整部９１５は、例えば、疑似塗布を行うことによって得られる圧力波形を評価し、その評価結果に基づいて吐出制御パラメータを更新する。吐出制御パラメータ調整部９１５は、疑似塗布および圧力波形の取得、圧力波形の評価、および吐出制御パラメータの更新を繰り返すことによって、吐出制御パラメータを最適化する。

塗布装置１において、ノズル７１から吐出される処理液を基板Ｓの上面Ｓｆに均一な膜厚で塗布するためには、ノズル７１から吐出される際の処理液の吐出速度、つまり吐出圧力を調整することが重要である。このため、吐出圧力の圧力波形が理想波形に近づくように、圧力波形と密接に関連する吐出制御パラメータが最適化される。具体的には、最適化対象の吐出制御パラメータは、作動ディスク部８１６の移動を規定する設定値であって、図３および以下に示す１６個のポンプ制御用の設定値である。
・定常速度Ｖ１
・加速時間Ｔ１：停止状態から定常速度Ｖ１に加速させる時間
・定常速度時間Ｔ２：定常速度Ｖ１を継続させる時間
・定常速度Ｖ２
・減速時間Ｔ３：定常速度Ｖ１から定常速度Ｖ２に減速させる時間
・定常速度時間Ｔ４：定常速度Ｖ２を継続させる時間
・定常速度Ｖ３
・加速時間Ｔ５：定常速度Ｖ２から定常速度Ｖ３に加速させる時間
・定常速度時間Ｔ６：定常速度Ｖ３を継続させる時間
・定常速度Ｖ４
・減速時間Ｔ７：定常速度Ｖ３から定常速度Ｖ４に減速させる時間
・定常速度時間Ｔ８：定常速度Ｖ４を継続させる時間
・定常速度Ｖ５
・加速時間Ｔ９：定常速度Ｖ４から定常速度Ｖ５に加速させる時間
・定常速度時間Ｔ１０：定常速度Ｖ５を継続させる時間
・減速時間Ｔ１１：定常速度Ｖ５から停止状態に減速させる時間

上記１６個の吐出制御パラメータは、ノズル７１に処理液を送給するポンプ８１の動作（送給動作）を制御するための制御量に相当する。なお、吐出制御パラメータの種類および個数は、特に制限されるものではなく、ポンプ８１の送給動作を制御する制御量である限り、任意に設定され得る。

移動制御パラメータ調整部９１７は、移動制御パラメータを調整する。移動制御パラメータ調整部９１７は、疑似移動に基づいて、移動制御パラメータを更新する。「疑似移動」とは、実塗布時におけるノズル７１に対する基板Ｓの相対的な移動を、疑似的に再現することをいう。疑似移動では、基板Ｓに対する処理液の塗布は行われない。例えば、本実施形態の疑似移動は、移動制御パラメータにしたがって、移動制御部９１２が吸着・走行機構５２を制御することによってチャック機構５１を移動させることをいう。なお、この疑似移動において、チャック機構５１は、実際に基板Ｓを保持ししていてもよいし、基板Ｓ以外の模擬的部材を保持していてもよい。また、チャック機構５１は、何も保持していなくてもよい。

移動制御パラメータ調整部９１７は、疑似移動によって得られる速度波形を評価し、その評価結果に基づいて、移動制御パラメータを更新する。そして、更新された移動制御パラメータに基づいて、疑似移動を再び実行する。このように、移動制御パラメータ調整部９１７は、疑似移動および速度波形の取得、速度波形の評価、および、移動制御パラメータの更新を繰り返すことによって、移動制御パラメータを最適化する。

＜制御パラメータの調整＞
図５は、制御ユニット９が制御パラメータを調整する流れを示す図である。図５に示されるように、制御パラメータの調整は、第１調整工程Ｓ１、第２調整工程Ｓ２、第３調整工程Ｓ３および第４調整工程Ｓ４を含む。なお、制御パラメータの調整は、第１調整工程Ｓ１、第２調整工程Ｓ２、第３調整工程Ｓ３、第４調整工程Ｓ４の順で行われる。以下、各工程について説明する。

＜第１調整工程Ｓ１＞
図６は、図５に示される第１調整工程Ｓ１の詳細を示すフローチャートである。第１調整工程Ｓ１は、塗布装置１において実塗布を行うに当たり、疑似塗布によって事前に吐出制御パラメータを調整する工程である。

図６に示されるように、第１調整工程Ｓ１が開始されると、まず、吐出制御パラメータ調整部９１５は、吐出制御パラメータを所定の初期値に設定する（ステップＳ１１）。初期値は、任意の値であってもよいし、あるいは、所定のアルゴリズムに基づいて設定される値であってもよい。吐出制御パラメータ調整部９１５は、設定した吐出制御パラメータを、記憶部９３に記憶させる。なお、吐出制御パラメータ調整部９１５は、ユーザからの初期値の入力を受け付け、受け付けた初期値を記憶部９３に記憶させてもよい。

ステップＳ１１によって吐出制御パラメータが設定された後、制御ユニット９は、疑似塗布を行うとともに、圧力波形を取得する（ステップＳ１２）。具体的には、制御ユニット９は、ノズル７１を所定のメンテナンス位置（ローラ７２１と対向する位置）へ移動させる。そして、制御ユニット９は、第１調整工程Ｓ１によって設定された制御パラメータにしたがってポンプ８１を制御し、ノズル７１からローラ７２１に処理液を吐出させる。また、疑似塗布が行われている間、吐出圧力測定部９１１は、圧力計８６によって測定される吐出圧力をサンプリングし、圧力波形のデータを取得する。ステップＳ１２によって取得される圧力波形は、「第１圧力波形」の一例である。

ステップＳ１２によって疑似塗布の圧力波形が取得された後、圧力波形の評価が行われる（ステップＳ１３）。評価方法の一例として、吐出制御パラメータ調整部９１５は、ステップＳ１２によって取得された圧力波形が、理想とする圧力波形である第１理想波形Ｗｔ１（図９参照）と同じであるかを判定する。具体的には、ステップＳ１２によって取得された圧力波形の、第１理想波形Ｗｔ１からのずれ量が、所定の許容範囲を越えているか否かを判定する。

なお、ステップＳ１３においては、ユーザが圧力波形を評価してもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部９１５は、圧力波形と、第１理想波形Ｗｔ１とをディスプレイに表示させてもよい。また、吐出制御パラメータ調整部９１５は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、吐出制御パラメータ調整部９１５は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付け、入力された評価結果を記憶部９３に記憶させてもよい。

ステップＳ１３によって疑似塗布の圧力波形が第１理想波形Ｗｔ１と同じであると評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップＳ１３においてＹｅｓ）、塗布装置１は、第１調整工程Ｓ１を終了する。一方、ステップＳ１３によって疑似塗布の圧力波形が第１理想波形Ｗｔ１とは異なると評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップＳ１３においてＮｏの場合）、塗布装置１は、吐出制御パラメータを更新する（ステップＳ１４）。具体的には、吐出制御パラメータ調整部９１５は、ステップＳ１３の評価結果に基づいて、疑似塗布を行った場合の圧力波形が第１理想波形Ｗｔ１となるように、記憶部９３に記憶されている吐出制御パラメータを更新する。吐出制御パラメータを更新するアルゴリズムしては、例えば、ベイズ最適化、遺伝的アルゴリズム、勾配法、線形計画法など、任意に選択し得る。

なお、吐出制御パラメータの更新は、特許文献１に記載されているように、吐出制御パラメータの変更量と、上記ずれ量の関係を学習した学習済モデルを用いて行われてもよい。学習用のモデルとしては、ニューラルネットワークを利用することができる。

また、ステップＳ１４においては、ユーザが、吐出制御パラメータを更新できるようにしてもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部９１５は、入力機器によって、新たな吐出制御パラメータの入力を受け付け、受け付けた吐出制御パラメータを記憶部９３に記憶させてもよい。

以上のように、第１調整工程Ｓ１では、実塗布を行うための吐出制御パラメータの調整を、ステップＳ１２の疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて行う。このため、実塗布で吐出制御パラメータを調整する場合よりも、基板Ｓの消費を抑えることができる。

＜第２調整工程Ｓ２＞
図７は、図５に示される第２調整工程Ｓ２の詳細を示すフローチャートである。第２調整工程Ｓ２は、塗布装置１において実塗布を行うに当たり、疑似移動によって事前に移動制御パラメータを調整する工程である。

図７に示されるように、第２調整工程Ｓ２が開始されると、まず、移動制御パラメータ調整部９１７は、移動制御パラメータを所定の初期値に設定する（ステップＳ２１）。初期値は、任意の値であってもよいし、あるいは、所定のアルゴリズムに基づいて設定される値であってもよい。移動制御パラメータ調整部９１７は、設定した移動制御パラメータを、記憶部９３に記憶させる。なお、移動制御パラメータ調整部９１７は、ユーザからの初期値の入力を受け付け、受け付けた初期値を記憶部９３に記憶させてもよい。

ステップＳ２１によって移動制御パラメータが設定された後、制御ユニット９は、疑似移動を実行するとともに、速度波形を取得する（ステップＳ２２）。具体的には、移動制御部９１２が、移動制御パラメータにしたがって、吸着・走行機構５２を制御することによって、基板Ｓを保持したチャック機構５１を移動させる。また、疑似移動が行われている間、速度測定部９１３は、吸着・走行機構５２の出力に基づいて、チャック機構５１の移動速度をサンプリングし、速度波形のデータを取得する。

ステップＳ２２によって疑似移動の速度波形が取得された後、速度波形の評価が行われる（ステップＳ２３）。評価方法の一例として、移動制御パラメータ調整部９１７は、速度波形の形状が、ステップＳ１１において調整された圧力波形の形状と同じかどうかを評価する。なお、速度波形の形状および圧力波形の形状を比較するに当たっては、速度波形における速度のスケールと、圧力波形の圧力のスケールとを一致させる正規化が行われる。そして、速度波形の、圧力波形からのずれ量が、所定の許容範囲を越えているか否かが判定される。

なお、速度波形および圧力波形を所定の関数で回帰して得られる回帰パラメータを、評価値として導出し、当該評価値に基づいて、形状が一致するかどうかが判定されてもよい。

また、ステップＳ２３においては、ユーザが速度波形を評価してもよい。この場合、移動制御パラメータ調整部９１７は、正規化された速度波形および圧力波形をディスプレイに表示させてもよい。また、移動制御パラメータ調整部９１７は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、移動制御パラメータ調整部９１７は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付け、入力された評価結果を記憶部９３に記憶させてもよい。

ステップＳ２３によって疑似移動の速度波形が圧力波形の形状と同じであると評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップＳ２３においてＹｅｓ）、塗布装置１は、第２調整工程Ｓ２を終了する。一方、ステップＳ２３によって疑似移動の速度波形が圧力波形の形状とは異なると評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップＳ２３においてＮｏ）、塗布装置１は、移動制御パラメータを更新する（ステップＳ２４）。具体的には、移動制御パラメータ調整部９１７は、疑似移動を行った場合の移動波形の形状が圧力波形となるように、記憶部９３に記憶されている移動制御パラメータを更新する。移動制御パラメータを更新するアルゴリズムとしては、例えば、ベイズ最適化、遺伝的アルゴリズム、勾配法、線形計画法など、任意に選択し得る。

また、移動制御パラメータの更新は、移動制御パラメータの変更量と、上記ずれ量の関係を学習した学習済モデルを用いて行われてもよい。学習用のモデルとしては、ニューラルネットワークを利用することができる。

また、ステップＳ２４においては、ユーザが、移動制御パラメータを更新できるようにしてもよい。この場合、移動制御パラメータ調整部９１７は、入力機器によって、ユーザからの新たな移動制御パラメータの入力を受け付けるとともに、受け付けた移動制御パラメータを記憶部９３に記憶させてもよい。

以上のように、第２調整工程Ｓ２では、速度波形の形状が、圧力波形の形状と一致するように移動制御パラメータが調整される。このように調整された移動制御パラメータに従って実塗布を行うことによって、処理液を均一な厚さで基板Ｓに塗布することが可能となる。

＜第３調整工程Ｓ３＞
図８は、図５に示される第３調整工程Ｓ３の詳細を示すフローチャートである。第３調整工程Ｓ３は、塗布装置１において実塗布を行うに当たり、第１調整工程Ｓ１で調整された吐出制御パラメータを、疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて再調整する工程である。

第３調整工程Ｓ３が開始されると、塗布装置１は、第１調整工程Ｓ１によって調整された吐出制御パラメータ、および、第２調整工程Ｓ２によって調整された移動制御パラメータにしたがって、実塗布を行うとともに、圧力波形を取得する（ステップＳ３１）。具体的には、塗布機構７は、ノズル７１を塗布位置に移動させる。そして、移動制御部９１２は、移動制御パラメータにしたがって吸着・走行機構５２を制御することによって、基板Ｓを移動させるとともに、吐出制御部９１０は、吐出制御パラメータにしたがってポンプ８１を制御することによって、ノズル７１から基板Ｓに処理液を吐出させる。また、実塗布が行われている間、吐出圧力測定部９１１は、圧力計８６によって測定される吐出圧力をサンプリングすることによって、圧力波形を取得する。ステップＳ３１で取得される圧力波形は、「第２圧力波形」の一例である。

ステップＳ３１によって実塗布の圧力波形が取得された後、当該圧力波形の評価が行われる（ステップＳ３２）。ステップＳ３２における圧力波形の評価方法は、図６に示されるステップＳ１３における圧力波形の評価方法と同じとしてもよい。すなわち、吐出制御パラメータ調整部９１５は、ステップＳ３１によって取得された圧力波形の、第１理想波形Ｗｔ１からのずれ量が、所定の許容範囲を越えているか否かを判定してもよい。

なお、ステップＳ３２においては、ユーザが実塗布の圧力波形を評価してもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部９１５は、圧力波形と、第１理想波形Ｗｔ１とをディスプレイに表示させてもよい。また、吐出制御パラメータ調整部９１５は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、吐出制御パラメータ調整部９１５は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付け、入力された評価結果を記憶部９３に記憶させてもよい。

ステップＳ３２によって、実塗布の圧力波形が第１理想波形と同じであると評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップＳ３２においてＹｅｓ）、塗布装置１は、第３調整工程Ｓ３を終了する。一方、ステップＳ３２において、実塗布の圧力波形が第１理想波形Ｗｔ１とは異なると評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップＳ３２においてＮｏ）、制御ユニット９は、吐出制御パラメータを再調整する必要があるものと判断し、吐出制御パラメータの再調整を行う。

吐出制御パラメータの再調整では、吐出制御パラメータ調整部９１５が、吐出制御パラメータを更新する（ステップＳ３３）。具体的には、吐出制御パラメータ調整部９１５は、疑似塗布を行った場合の圧力波形が、後述する第２理想波形Ｗｔ２（図６参照）となるように、記憶部９３に記憶されている吐出制御パラメータを更新する。吐出制御パラメータを更新するアルゴリズムとしては、例えば、ベイズ最適化、遺伝的アルゴリズム、勾配法、線形計画法など、任意に選択し得る。

なお、吐出制御パラメータの更新は、特許文献１に記載されているように、吐出制御パラメータの変更量と、上記ずれ量の関係を学習した学習済モデルを用いて行われてもよい。学習用のモデルとしては、ニューラルネットワークを利用することができる。

また、ステップＳ３３においては、ユーザが、吐出制御パラメータを更新できるようにしてもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部９１５は、入力機器によって、ユーザからの新たな吐出制御パラメータの入力を受け付け、受け付けた吐出制御パラメータを記憶部９３に記憶させてもよい。

図９は、第２理想波形Ｗｔ２の設定例を示す図である。第２理想波形Ｗｔ２は、例えば、吐出制御パラメータ調整部９１５によって生成され、記憶部９３に保存される。第２理想波形Ｗｔ２は、第１理想波形Ｗｔ１とは異なる形状を有する。具体的には、第２理想波形Ｗｔ２は、第１理想波形Ｗｔ１を、ステップＳ３１で取得された実塗布の圧力波形Ｗｒ１と第１理想波形Ｗｔ１との差分値（ずれ量）に基づいて変形された形状を有する。より具体的には、第２理想波形Ｗｔ２は、第１理想波形Ｗｔ１から上記差分値を差し引いた形状を有する。なお、第２理想波形Ｗｔ２の形状は、図９に示される形状に限定されるものではなく、適宜設定され得る。

図８に戻って、ステップＳ３３によって吐出制御パラメータが更新された後、塗布装置１は、更新された吐出制御パラメータにしたがって、疑似塗布を行う（ステップＳ３４）。ノズル７１が塗布ステージ３２上方の塗布位置にある場合、塗布機構７は、ノズル７１をメンテナンス位置まで移動させる。そして、ノズル７１から回転するローラ７２１に処理液が吐出される。疑似塗布が行われている間、吐出圧力測定部９１１は、圧力計８６によって測定される吐出圧力をサンプリングすることによって、圧力波形を取得する。ステップＳ３４によって取得される圧力波形は、「第３圧力波形」の一例である。

ステップＳ３４によって疑似塗布の圧力波形が取得された後、当該圧力波形が評価される（ステップＳ３５）。圧力波形の評価方法は、図６に示されるステップＳ１３における圧力波形の評価方法と同じとしてもよい。ただし、ステップＳ３５では、第１理想波形Ｗｔ１の代わりに、第２理想波形Ｗｔ２が使用される。具体的には、吐出制御パラメータ調整部９１５は、ステップＳ３４によって取得された圧力波形の、第２理想波形Ｗｔ２からのずれ量が、所定の許容範囲を越えているか否かを判定してもよい。

なお、ステップＳ３５においては、ユーザが圧力波形を評価してもよい。この場合、ステップＳ３５において、吐出制御パラメータ調整部９１５は、圧力波形と、第２理想波形Ｗｔ２とをディスプレイに表示させてもよい。また、吐出制御パラメータ調整部９１５は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、吐出制御パラメータ調整部９１５は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付け、入力された評価結果を記憶部９３に記憶させてもよい。

ステップＳ３５によって疑似塗布の圧力波形が第２理想波形Ｗｔ２と異なると評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップＳ３５においてＮｏ）、塗布装置１は、再びステップＳ３３（吐出制御パラメータの更新）を行う。一方、ステップＳ３５によって疑似塗布の圧力波形が第２理想波形Ｗｔ２と同じと評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップＳ３５においてＹｅｓ）、塗布装置１は、再びステップＳ３１（実塗布の圧力波形の取得）を行う。このように、塗布装置１は、疑似塗布で得られる圧力波形が第２理想波形Ｗｔ２と同じと評価されるまで、ステップＳ３３～ステップＳ３５を繰り返し行うことによって、吐出制御パラメータを再調整する。

以上のように、第３調整工程Ｓ３では、ステップＳ３２によって、実塗布の圧力波形が理想的な波形でないと評価された場合、ステップＳ３４の疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて吐出制御パラメータが再調整される。これにより、基板Ｓの消費を抑えつつ、吐出制御パラメータの再調整を行うことができる。基板Ｓの消費が抑制されることによって、環境負荷を低減できる。

疑似塗布と実塗布とでは、環境条件が異なるため、同じ吐出制御パラメータであっても、得られる圧力波形が変化してしまう場合がある。本実施形態では、疑似塗布の圧力波形を評価する基準となる第２理想波形Ｗｔ２を、第１理想波形Ｗｔ１を実塗布の圧力波形Ｗｒ１と第１理想波形Ｗｔ１との差分値に応じて変形させた形状としている。このため、実塗布の圧力波形が第１理想波形Ｗｔ１となるように、吐出制御パラメータを適切に再調整できる。

＜第４調整工程Ｓ４＞
図１０は、図５に示される第４調整工程Ｓ４の詳細を示すフローチャートである。第４調整工程Ｓ４は、塗布装置１において実塗布を行いながら、第３調整工程Ｓ３によって調整された吐出制御パラメータを、実塗布で得られる圧力波形に基づいて再調整する工程である。

第４調整工程Ｓ４が開始されると、塗布装置１は、第３調整工程Ｓ３によって調整された吐出制御パラメータ、および、第２調整工程Ｓ２によって調整された移動制御パラメータにしたがって実塗布を行うとともに、圧力波形を取得する（ステップＳ４１）。第３調整工程Ｓ３によって調整された吐出制御パラメータを使用した実塗布で取得される圧力波形は、「第４圧力波形」の一例である。

ステップＳ４１によって実塗布の圧力波形が取得された後、圧力波形の評価が行われる（ステップＳ４２）。評価方法の一例として、吐出制御パラメータ調整部９１５は、ステップＳ４１によって取得された実塗布の圧力波形が、第１理想波形Ｗｔ１と同じであるかを判定する。より具体的には、実塗布の圧力波形の、第１理想波形Ｗｔ１からのずれ量が、許容範囲を越えるか否かを判定する。

なお、ステップＳ４２においては、ユーザが圧力波形を評価してもよい。この場合、吐出制御パラメータ調整部９１５は、圧力波形と、第１理想波形Ｗｔ１とをディスプレイに表示させてもよい。また、吐出制御パラメータ調整部９１５は、上記ずれ量をディスプレイに表示させてもよい。このように、ディスプレイに各種情報が表示されることによって、ユーザが評価することを適切に支援できる。また、吐出制御パラメータ調整部９１５は、入力機器によって、ユーザからの評価結果の入力を受け付けるとともに、入力された評価結果を記憶部９３に記憶させてもよい。

ステップＳ４２によって実塗布の圧力波形が第１理想波形Ｗｔ１と異なると評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲を越える場合。ステップＳ４２においてＮｏ）、吐出制御パラメータ調整部９１５は、吐出制御パラメータを更新する（ステップＳ４３）。具体的には、吐出制御パラメータ調整部９１５は、ステップＳ４２の評価結果に基づき、実塗布の圧力波形が第１理想波形Ｗｔ１となるように、記憶部９３が記憶している吐出制御パラメータを更新する。吐出制御パラメータを更新するアルゴリズムとしては、例えば、ベイズ最適化、遺伝的アルゴリズム、勾配法、線形計画法など、任意に選択し得る。

また、吐出制御パラメータの更新は、例えば特許文献１に記載されているように、吐出制御パラメータの変更量と、上記ずれ量の関係を学習した学習済モデルを用いて行うことも可能である。学習用のモデルとしては、ニューラルネットワークを利用することができる。

ステップＳ４３によって吐出制御パラメータが更新されると、塗布装置１は、再びステップＳ４１（実塗布による圧力波形の取得）を実行する。更新された吐出制御パラメータを使用して取得される実塗布の圧力波形は、「第５圧力波形」の一例である。

ステップＳ４２によって実塗布の圧力波形が第１理想波形Ｗｔ１と同じであると評価された場合（例えば、ずれ量が許容範囲内である場合。ステップＳ４２においてＹｅｓ）、塗布装置１は、実塗布を終了するか否かを判定する（ステップＳ４３）。ステップＳ４３によって、実塗布を終了すると判定された場合（例えば、塗布処理するべき基板Ｓがない場合。ステップＳ４３においてＹｅｓ）、塗布装置１は、第４調整工程Ｓ４を終了する。ステップＳ４３によって、実塗布を継続すると判定された場合（例えば、塗布処理するべき基板Ｓがある場合。ステップＳ４３においてＮｏ）、塗布装置１は、ステップＳ４１を再び行う。

以上のように、第１調整工程Ｓ１および第３調整工程Ｓ３では、疑似塗布で得られる圧力波形に基づいて吐出制御パラメータが更新されるため、実塗布に合うように吐出制御パラメータを充分に調整しきれない場合が起こり得る。これに対して、第４調整工程Ｓ４では、実塗布で得られる圧力波形に基づいて、吐出制御パラメータが更新される。このため、実塗布に合うように吐出制御パラメータを調整できる。したがって、実塗布において、理想的な圧力波形を再現できる。

また、第１調整工程Ｓ１および第３調整工程Ｓ３を行わずに、第４調整工程Ｓ４のみで吐出制御パラメータを調整しようとした場合、大量の基板を消費することによって、環境負荷が増大するおそれがある。本実施形態では、先に第１調整工程Ｓ１および第３調整工程Ｓ３によって吐出制御パラメータをある程度調整してから、第４調整工程Ｓ４を行うため、基板Ｓの消費を抑えることができる。これにより、環境負荷を低減できる。

＜２． 変形例＞
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、疑似塗布を、ローラ７２１上に塗布液を吐出することとしている。しかしながら、ローラ７２１以外の箇所に塗布液が吐出されてもよい。例えば、ローラバット７２３など、ノズル７１から吐出された塗布液を受けることが可能な容器に対して、塗布液が吐出されてもよい。

この発明は詳細に説明されたが、上記の説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施形態及び各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

１ 塗布装置
５ 移動機構
７ 塗布機構
８ 処理液供給機構
９ 制御ユニット
５１ チャック機構
５２ 吸着・走行機構
７１ ノズル
８１ ポンプ
８３ 処理液補充ユニット
８６ 圧力計
９１０ 吐出制御部
９１１ 吐出圧力測定部
９１２ 移動制御部
９１３ 速度測定部
９１５ 吐出制御パラメータ調整部
９１７ 移動制御パラメータ調整部
９３１ プログラム
Ｍ 記録媒体
Ｓ 基板

Claims (5)

1. ノズルからの処理液の吐出を制御するための吐出制御パラメータを調整する制御パラメータ調整方法であって、
   ａ） ノズルから基板以外の箇所に処理液を吐出する疑似塗布を行った場合の、前記ノズル内の圧力変化を示す第１圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを調整する工程と、
   ｂ） 前記工程ａ）によって調整された前記吐出制御パラメータにしたがって、前記ノズルから基板に処理液を吐出する実塗布を行った場合の、前記ノズル内の圧力変化を示す第２圧力波形を取得する工程と、
   ｃ） 前記第２圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整するかどうかを判定する工程と、
   ｄ） 前記工程ｃ）によって再調整すると判定された場合、前記疑似塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第３圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整する工程と、
   ｅ） 前記工程ｄ）によって再調整された前記吐出制御パラメータにしたがって、前記実塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第４圧力波形を取得する工程と、
   ｆ） 前記第４圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整するかどうかを判定する工程と、
   ｇ） 前記工程ｆ）によって再調整すると判定された場合、前記実塗布を行った場合の前記ノズル内の圧力変化を示す第５圧力波形に基づいて、前記吐出制御パラメータを再調整する工程と、
   を含む、制御パラメータ調整方法。
2. 請求項１に記載の制御パラメータ調整方法であって、
   ｈ） 前記ノズルに対する前記基板の相対的な移動を制御するための移動制御パラメータを調整する工程、
   をさらに含み、
   前記実塗布は、前記工程ｈ）によって調整された移動制御パラメータにしたがって前記基板を前記ノズルに対して相対的に移動させつつ、前記ノズルから前記基板に処理液を吐出する、制御パラメータ調整方法。
3. 請求項２に記載の制御パラメータ調整方法であって、
   前記工程ｈ）は、前記ノズルに対する前記基板の相対速度の変化を示す速度波形に基づいて、前記移動制御パラメータが調整される、制御パラメータ調整方法。
4. コンピュータが実行可能なプログラムであって、
   前記コンピュータに請求項１または請求項２に記載の制御パラメータ調整方法を実行させる、プログラム。
5. コンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、
   請求項４に記載のプログラムが記録されている、記録媒体。

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