CN117427803A - 控制参数调整方法以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够在抑制基板的消耗的同时根据实际向基板喷出处理液的环境适当地调整喷出控制参数的技术。在第一调整工序(S1)中,基于进行模拟涂布时的第一压力波形对喷出控制参数进行调整。在第三调整工序(S3)中,基于按照通过第一调整工序(S1)调整的喷出控制参数进行实际涂布时的第二压力波形,判定是否重新调整喷出控制参数,在重新调整的情况下,基于进行模拟涂布时的第三压力波形重新调整喷出控制参数。在第四调整工序(S4)中,基于按照通过第三调整工序(S3)重新调整的喷出控制参数进行实际涂布时的第四压力波形,判定是否重新调整喷出控制参数,在重新调整的情况下,基于进行实际涂布时的第五压力波形重新调整喷出控制参数。

Description

控制参数调整方法以及存储介质
技术领域
本说明书中公开的主题涉及控制参数调整方法以及存储介质。
背景技术
在平板显示器(FPD)的制造工序中,有时使用被称为涂布机的基板处理装置。涂布机将抗蚀液等处理液从喷嘴向玻璃等基板喷出,并且使喷嘴扫描基板。通过对抗蚀液等处理液施加压力,从喷嘴喷出处理液。另外,移动机构使基板相对于喷嘴相对地移动,从而在基板的表面形成处理液的涂布膜。
在这种基板处理装置中,有时要求在整个基板上使涂布膜的膜厚均匀。适当地进行喷出控制参数的调整以使膜厚均匀。在该调整作业中,例如技术人员目视确认喷出压力的波形,并且进行多个喷出控制参数的调整。因此,调整作业在很大程度上依赖于技术人员的知识或经验。因此,喷出控制参数的调整需要技术人员大量的时间和劳力。另外,有可能消耗大量处理液、基板。因此,到目前为止也提出了高效地调整控制参数的技术。
例如专利文献1记载了一种基板处理方法,其具有:模拟喷出工序,向基板以外喷出处理液;喷出特性测量工序,测量模拟喷出工序中的处理液的喷出特性;状态量导出工序,导出测量的喷出特性相对于目标特性的偏差的状态量;以及学习工序,对伴随参数的改变的状态量的变化进行机器学习来构建学习模型。在该基板处理方法中,在状态量超出规定的允许范围的期间,在基于学习模型改变参数的基础上,反复执行模拟喷出工序、喷出特性测量工序、状态量导出工序以及学习工序,另一方面,状态量进入允许范围时,将最后改变的参数设定为处理液供给工序中喷出处理液时的参数。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-040046号公报。
在专利文献1中,由于基于模拟喷出来调整喷出控制参数,因此,能够抑制基板的消耗。然而,模拟喷出的喷嘴周围的环境等各种条件与实际上向基板喷出处理液的情况不同。因此,当使用通过模拟喷出调整的喷出控制参数时,实际上向基板涂布处理液时有时难以再现理想的压力波形。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种能够在抑制基板的消耗的同时根据实际向基板喷出处理液的环境适当地调整喷出控制参数的技术。
解决课题的技术手段
为了解决上述课题,第一技术方案是调整用于对从喷嘴喷出处理液进行控制的喷出控制参数的控制参数调整方法,包括:工序a),基于进行从喷嘴向基板以外的部位喷出处理液的模拟涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第一压力波形对所述喷出控制参数进行调整;工序b),按照通过所述工序a)调整的所述喷出控制参数,获取进行从所述喷嘴向基板喷出处理液的实际涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第二压力波形;工序c),基于所述第二压力波形,判定是否重新调整所述喷出控制参数;工序d),当判定为通过所述工序c)重新调整时,基于进行所述模拟涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第三压力波形,重新调整所述喷出控制参数;工序e),按照通过所述工序d)重新调整的所述喷出控制参数,获取进行所述实际涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第四压力波形;工序f),基于所述第四压力波形,判定是否重新调整所述喷出控制参数;以及工序g),当判定为通过所述工序f)重新调整时,基于进行所述实际涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第五压力波形,重新调整所述喷出控制参数。
第二技术方案是如第一技术方案的控制参数调整方法,还包括:工序h),调整用于对所述基板相对于所述喷嘴的相对移动进行控制的移动控制参数,所述实际涂布按照通过所述工序h)调整的移动控制参数使所述基板相对于所述喷嘴相对移动,并从所述喷嘴向所述基板喷出处理液。
第三技术方案是如第一技术方案或第二技术方案的控制参数调整方法,所述工序h)基于表示所述基板相对于所述喷嘴的相对速度的变化的速度波形来调整所述移动控制参数。
第四技术方案是一种存储有计算机可读程序的存储介质,所述程序使所述计算机执行第一技术方案至第三技术方案中任一项所述的控制参数调整方法。
发明效果
根据第一技术方案至第四技术方案的控制参数调整方法,通过基于通过模拟涂布得到的压力波形对喷出控制参数进行调整以及重新调整,能够抑制基板的消耗。另外,通过基于通过实际涂布得到的第五压力波形来重新调整基于通过模拟涂布得到的压力波形而调整的喷出控制参数,从而能够调整喷出控制参数以配合实际涂布。
根据第二技术方案的控制参数调整方法,通过调整移动控制参数,能够适当地进行对基板的涂布。
根据第三技术方案的控制参数调整方法,能够基于速度波形适当地调整移动控制参数。
附图说明
图1是示意性地表示实施方式的涂布装置的整体结构的图。
图2是表示处理液供给机构的结构的图。
图3是表示图2所示的泵的工作盘部的移动模式的曲线图。
图4是表示控制单元的构成例的框图。
图5是表示控制单元调整控制参数的流程的图。
图6是表示图5所示的第一调整工序的详细情况的流程图。
图7是表示图5所示的第二调整工序的详细情况的流程图。
图8是表示图5所示的第三调整工序的详细情况的流程图。
图9是表示第二理想波形的设定例的图。
图10是表示图5所示的第四调整工序的详细情况的流程图。
附图标记说明
1 涂布装置
5 移动机构
7 涂布机构
8 处理液供给机构
9 控制单元
51 卡盘机构
52 吸附行进机构
71 喷嘴
81 泵
83 处理液补充单元
86 压力计
910 喷出控制部
911 喷出压力测定部
912 移动控制部
913 速度测定部
915 喷出控制参数调整部
917 移动控制参数调整部
931 程序
M 存储介质
S 基板
具体实施方式
下面,参考附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是,该实施方式所记载的结构构件只是例示,本发明的范围并不限于此。在附图中,为了便于理解,会根据需要夸大或简化各部的尺寸或数量来进行图示。
<1.实施方式>
图1是示意性地表示实施方式的涂布装置1的整体结构的图。涂布装置1是向基板S的上表面Sf涂布处理液的基板处理装置。基板S例如为液晶显示装置用的玻璃基板。需要说明的是,基板S可以为半导体晶片、光掩模用玻璃基板、等离子体显示器用玻璃基板、磁盘和光盘用的玻璃或陶瓷基板、有机EL用玻璃基板、太阳电池用玻璃基板或硅基板、其他柔性基板以及印刷基板等面向电子设备的各种被处理基板。涂布装置1例如为狭缝式涂布机。
在图1中,为了说明涂布装置1的各要素的配置关系,定义了XYZ坐标系。基板S的移动方向为“X方向”。在X方向上基板S行进的方向(朝向移动方向的下游的方向)为+X方向,与其相反的方向(朝向移动方向的上游的方向)为-X方向。另外,与X方向正交的方向为Y方向,与X方向和Y方向正交的方向为Z方向。在以下说明中,将Z方向设为铅垂方向,将X方向以及Y方向设为水平方向。在Z方向上,将+Z方向设为向上方向,将-Z方向设为向下方向。
涂布装置1朝向+X方向依次具有输入输送机100、输入移载部2、浮起台部3、输出移载部4以及输出输送机110。输入输送机100、输入移载部2、浮起台部3、输出移载部4以及输出输送机110构成供基板S通过的移动路径。另外,涂布装置1还具有移动机构5、涂布机构7、处理液供给机构8以及控制单元9。
基板S从上游侧被输送至输入输送机100。输入输送机100具有滚筒输送机101以及旋转驱动机构102。旋转驱动机构102使滚筒输送机101的各滚筒旋转。通过滚筒输送机101的各滚筒的旋转,基板S以水平姿势被输送至下游(+X方向)。“水平姿势”是指基板S的主表面(面积最大的面)相对于水平面(XY平面)平行的状态。
输入移载部2具有滚筒输送机21以及旋转升降驱动机构22。旋转升降驱动机构22使滚筒输送机21的各滚筒旋转,并且使滚筒输送机21升降。通过滚筒输送机21的旋转,基板S以水平姿势向下游(+X方向)输送。另外,通过滚筒输送机21的升降来改变基板S的Z方向上的位置。基板S从输入输送机100通过输入移载部2向浮起台部3被移载。
如图1所示,浮起台部3为大致平板状。浮起台部3沿着X方向被分成三部分。浮起台部3沿着+X方向依次具有入口浮起台31、涂布台32以及出口浮起台33。入口浮起台31的上表面、涂布台32的上表面以及出口浮起台33的上表面处于同一平面上。浮起台部3还具有升降销驱动机构34、浮起控制机构35以及升降驱动机构36。在入口浮起台31上配置有多个升降销。升降销驱动机构34使多个升降销升降。浮起控制机构35将用于使基板S浮起的压缩空气供给至入口浮起台31、涂布台32以及出口浮起台33。升降驱动机构36使出口浮起台33升降。
在入口浮起台31的上表面以及出口浮起台33的上表面以矩阵状配置有喷出从浮起控制机构35供给的压缩空气的多个喷出孔。从各喷出孔喷出压缩空气时,基板S相对于浮起台部3向上方浮起。于是,基板S的下表面Sb从浮起台部3的上表面离开,并且以水平姿势被支撑。基板S浮起的状态下的基板S的下表面Sb与浮起台部3的上表面之间的距离(浮起量)优选为10μm以上。该距离优选为500μm以下。
喷出从浮起控制机构35供给的压缩空气的喷出孔和吸引气体的吸引孔在X方向和Y方向上交替地配置于涂布台32的上表面。浮起控制机构35对从喷出孔喷出的压缩空气的喷出量和从吸引孔吸引的空气的吸引量进行控制。由此,精密地对基板S相对于涂布台32的浮起量进行控制,以使通过涂布台32的上方的基板S的上表面Sf的Z方向上的位置达到规定值。需要说明的是,根据后述的传感器61或传感器62的检测结果由控制单元9算出基板S相对于涂布台32的浮起量。另外,优选基板S相对于涂布台32的浮起量能够通过气流控制高精度地调整。
被搬入至浮起台部3的基板S被赋予从滚筒输送机21向+X方向的推动力,并被输送至入口浮起台31上。入口浮起台31、涂布台32以及出口浮起台33以浮起状态支撑基板S。作为浮起台部3,例如,可以采用日本专利第5346643号记载的结构。
移动机构5配置在浮起台部3的下方。移动机构5具有卡盘机构51以及吸附行进机构52。卡盘机构51具有设置于吸附部件的吸附盘(省略图示)。卡盘机构51在使吸附盘与基板S的下表面Sb的周缘部抵接的状态下从下侧支撑基板S。吸附行进机构52通过对吸附盘赋予负压来将基板S吸附在吸附盘上。另外,吸附行进机构52使卡盘机构51沿X方向往复行进。
卡盘机构51在基板S的下表面Sb位于比浮起台部3的上表面更高的位置的状态下保持基板S。在由卡盘机构51保持基板S的周缘部的状态下,基板S利用由浮起台部3赋予的浮力维持水平姿势。
如图1所示,涂布装置1具有板厚测定用的传感器61。传感器61配置在滚筒输送机21的附近。传感器61检测被卡盘机构51保持的基板S的上表面Sf的Z方向上的位置。另外,通过使未保持基板S的状态的卡盘(省略图示)位于传感器61的正下方,从而传感器61能够检测作为吸附部件的上表面的吸附面的铅垂方向Z上的位置。
卡盘机构51一边保持被搬入至浮起台部3的基板S一边沿+X方向移动。由此,基板S从入口浮起台31的上方经由涂布台32的上方,向出口浮起台33的上方被输送。然后,基板S从出口浮起台33向输出移载部4移动。
输出移载部4使基板S从出口浮起台33的上方的位置向输出输送机110移动。输出移载部4具有滚筒输送机41以及旋转升降驱动机构42。旋转升降驱动机构42使滚筒输送机41旋转驱动,并且使滚筒输送机41沿Z方向升降。通过滚筒输送机41的各滚筒旋转使得基板S向+X方向移动。另外,通过滚筒输送机41升降使得基板S向Z方向发生位移。
输出输送机110具有滚筒输送机111以及旋转驱动机构112。输出输送机110通过滚筒输送机111的各滚筒的旋转沿+X方向输送基板S,将基板S向涂布装置1外排出。需要说明的是,输入输送机100和输出输送机110是涂布装置1的一部分。但是,输入输送机100和输出输送机110可以被组装在与涂布装置1不同的另外的装置中。
涂布机构7向基板S的上表面Sf涂布处理液。涂布机构7配置在基板S的移动路径的上方。涂布机构7具有喷嘴71。喷嘴71为在下表面具有狭缝状的喷出口的狭缝喷嘴。喷嘴71与定位机构(未图示)连接。定位机构使喷嘴71在涂布台32的上方的涂布位置(图1中,用实线表示的位置)与后述的维护位置之间移动。处理液供给机构8与喷嘴71连接。处理液供给机构8向喷嘴71供给处理液,从而从配置在喷嘴71的下表面的喷出口喷出处理液。
在涂布装置1中,通过移动机构5使基板S相对于喷出处理液的喷嘴71移动,向基板S涂布处理液。然而,移动机构5可以构成为使喷嘴71相对于配置在规定位置的基板S移动。另外,移动机构5也可以构成为使喷嘴71和基板S两者移动。在该情况下,基板S的移动方向也可以为与喷嘴71的移动方向相反。另外,基板S的移动方向也可以为与喷嘴71的移动方向相反。在该情况下,移动机构5可以以使喷嘴71以比输送的基板S的速度更快的速度追赶基板S的方式输送喷嘴71以及基板S。
图2是表示处理液供给机构8的结构的图。处理液供给机构8具有泵81、配管82、处理液补充单元83、配管84、开闭阀85、压力计86以及驱动部87。泵81是用于将处理液输送至喷嘴71的输送源,根据体积变化输送处理液。泵81例如可以为日本特开平10-61558号公报记载的波纹管式泵。如图2所示,泵81具有在径向上自由弹性膨胀收缩的挠性管811。挠性管811的一端通过配管82与处理液补充单元83连接。挠性管811的另一端通过配管84与喷嘴71连接。
泵81在轴向上具有自由弹性变形的波纹管812。波纹管812具有小型波纹管部813、大型波纹管部814、泵室815以及工作盘部816。泵室815位于挠性管811与波纹管812之间。在泵室815封入有非压缩性介质。工作盘部816与驱动部87连接。
处理液补充单元83具有贮存处理液的贮存罐831。贮存罐831通过配管82与泵81连接。在配管82中安装有开闭阀833。开闭阀833根据来自控制单元9的指令开闭。开闭阀833打开时,能够从贮存罐831向泵81的挠性管811补给处理液。另外,开闭阀833关闭时,限制从贮存罐831向泵81的挠性管811补充处理液。
配管84与泵81的输出侧连接。开闭阀85安装在配管84中。开闭阀85根据来自控制单元9的指令开闭。通过开闭开闭阀85,在对喷嘴71输送处理液和停止输送处理液之间切换。压力计86配置于配管84。压力计86检测向喷嘴71输送的处理液的压力(喷出压力),并将表示检测的压力值的信号输出至控制单元9。
图3是表示图2所示的泵81的工作盘部816的移动模式的曲线图。图3中,横轴表示时刻,纵轴表示工作盘部816的移动速度。驱动部87根据来自控制单元9的指令使工作盘部816以图3所示那样的移动模式(表示工作盘部816的速度相对于时间经过的变化的模式)沿轴向发生位移。通过工作盘部816的位移,波纹管812的内侧的容积发生变化。由此,挠性管811沿径向膨胀收缩而执行泵动作,从处理液补充单元83补给的处理液向喷嘴71被输送。工作盘部816的移动模式与从喷嘴71喷出的处理液的喷出特性密切相关,因此,根据移动模式,能得到表示喷出压力的时间变化的压力波形。需要说明的是,根据喷出压力的增减,喷出量(从喷嘴71喷出的处理液的量)增减。
在本实施方式中,通过对规定工作盘部816的移动的各种参数(加速时间、稳定速度、稳定速度时间、减速时间等)进行调整,适当地进行使从喷嘴71喷出的处理液的喷出压力的压力波形与理想的波形一致或者近似的最优化处理(调整处理)。该最优化处理将在后面详细描述。
如图1和图2所示,在从处理液供给机构8供给处理液的喷嘴71中配置有传感器62。传感器62以非接触方式检测基板S的Z方向的高度。传感器62与控制单元9以能够进行数据通信的方式连接。基于传感器62的检测结果,控制单元9测定浮起的基板S与涂布台32的上表面之间的距离(离开距离)。控制单元9基于通过传感器62测定的离开距离利用定位机构对喷嘴71的涂布位置进行调整。需要说明的是,作为传感器62,能够采用光学式传感器或超声波传感器。
涂布机构7具有喷嘴清洗待机单元72。喷嘴清洗待机单元72对配置于维护位置的喷嘴71进行规定的维护。喷嘴清洗待机单元72具有辊721、清洗部722以及辊槽(rollerbat)723。喷嘴清洗待机单元72对喷嘴71进行清洗以及积液的形成,从而将喷嘴71的喷出口调整为适于涂布处理的状态。另外,在涂布装置1中,喷嘴71配置在维护位置(模拟涂布位置)的状态、即喷嘴71的喷出口与辊721的外周面相对的状态下,从喷嘴71向辊721的外周面喷出处理液,以对施加给处理液的喷出压力进行评价。此时,通过辊721旋转,能够向移动的面涂布从喷嘴71喷出的处理液。即,能够模拟地再现涂布于移动的基板S的涂布。
将从喷嘴71向辊721的表面喷出处理液称为在基板S以外的部位喷出处理液的“模拟涂布”。另外,将从喷嘴71向基板S涂布处理液称为“实际涂布”。
图4是表示控制单元9的构成例的框图。控制单元9对涂布装置1的各要素的动作进行控制。控制单元9是计算机,具有运算部91、存储部93以及用户接口95。运算部91是由CPU(Central Processing Unit:中央处理单元)或GPU(Graphics Processing Unit:图形处理单元)等构成的处理器。存储部93由RAM(Random Access Memory:随机存取存储器)等瞬时性的存储装置、HDD(Hard Disk Drive:硬盘驱动器)以及SSD(Solid State Drive:固态硬盘)等非瞬时性的辅助存储装置构成。
用户接口95包括为用户表示信息的显示器以及接受用户的输入操作的输入设备。作为控制单元9,例如,能够使用台式型、膝上型或者平板型的计算机。
存储部93存储程序931。程序931由存储介质M提供。即,存储介质M由作为计算机的控制单元9可读取地存储程序931。存储介质M例如为USB(Universal Serial Bus:通用串行总线)存储器、DVD(Digital Versatile Disc:数字通用光盘)等光盘、磁盘等。
运算部91执行程序931,从而作为喷出控制部910、喷出压力测定部911、移动控制部912、速度测定部913、喷出控制参数调整部915以及移动控制参数调整部917发挥作用。
喷出控制部910对向喷嘴71输送处理液的泵81的动作(输送动作)进行控制。喷出控制部910基于预先设定的喷出控制参数对泵81的输送动作进行控制。
喷出压力测定部911测定表示喷出压力的时间变化的压力波形。即,喷出压力测定部911以规定的采样周期周期性获取压力计86测定的喷出压力。由此,获取在从喷嘴71喷出处理液的期间施加给处理液的喷出压力,并将其作为表示压力波形的数据(喷出数据)存储在存储部93中。喷出数据为表示某一时刻与在该时刻测定的喷出压力的关系(即,喷出压力的随时间变化)的数据。
移动控制部912基于预先设定的移动控制参数对使基板S相对于喷嘴71移动的吸附行进机构52的动作(移动动作)进行控制。
速度测定部913测定卡盘机构51以及吸附行进机构52对基板S的移动速度。速度测定部913基于吸附行进机构52的输出(例如,旋转编码器的输出等)测定基板S的移动速度。速度测定部913将获取的速度作为速度数据存储在存储部93中。速度数据是表示时刻与在该时刻测定的移动速度的关系(即,移动速度的随时间变化)的数据。
喷出控制参数调整部915进行对喷出控制参数进行最优化的处理。喷出控制参数调整部915例如对通过进行模拟涂布而得到的压力波形进行评价,并基于该评价结果更新喷出控制参数。喷出控制参数调整部915反复进行模拟涂布以及压力波形的获取、压力波形的评价以及喷出控制参数的更新,从而对喷出控制参数进行最优化。
在涂布装置1中,为了将从喷嘴71喷出的处理液以均匀的膜厚涂布于基板S的上表面Sf,重要的是对从喷嘴71喷出时的处理液的喷出速度、即喷出压力进行调整。因此,对与压力波形密切相关的喷出控制参数进行最优化,以使喷出压力的压力波形接近理想波形。具体而言,最优化对象的喷出控制参数为规定工作盘部816的移动的设定值,其是图3以及以下所示的16个泵控制用设定值。
·稳定速度V1
·加速时间T1:从停止状态加速至稳定速度V1的时间
·稳定速度时间T2:持续稳定速度V1的时间
·稳定速度V2
·减速时间T3:从稳定速度V1减速至稳定速度V2的时间
·稳定速度时间T4:持续稳定速度V2的时间
·稳定速度V3
·加速时间T5:从稳定速度V2加速至稳定速度V3的时间
·稳定速度时间T6:持续稳定速度V3的时间
·稳定速度V4
·减速时间T7:从稳定速度V3减速至稳定速度V4的时间
·稳定速度时间T8:持续稳定速度V4的时间
·稳定速度V5
·加速时间T9:从稳定速度V4加速至稳定速度V5的时间
·稳定速度时间T10:持续稳定速度V5的时间
·减速时间T11:从稳定速度V5减速至停止状态的时间
上述16个喷出控制参数相当于用于控制向喷嘴71输送处理液的泵81的动作(输送动作)的控制量。需要说明的是,对喷出控制参数的种类以及个数没有特别的限制,只要是控制泵81的输送动作的控制量,就可以任意设定。
移动控制参数调整部917调整移动控制参数。移动控制参数调整部917基于模拟移动更新移动控制参数。“模拟移动”是指模拟地再现实际涂布时基板S相对于喷嘴71的相对移动。在模拟移动中,不进行对基板S涂布处理液。例如,本实施方式的模拟移动是指根据移动控制参数,移动控制部912对吸附行进机构52进行控制从而使卡盘机构51移动。需要说明的是,在该模拟移动中,卡盘机构51实际上可以保持基板S,也可以保持基板S以外的模拟部件。另外,卡盘机构51也可以均不保持。
移动控制参数调整部917对通过模拟移动得到的速度波形进行评价,并基于该评价结果更新移动控制参数。然后,基于更新的移动控制参数,再次执行模拟移动。如此地,移动控制参数调整部917反复进行模拟移动以及速度波形的获取、速度波形的评价以及移动控制参数的更新,从而对移动控制参数进行最优化。
<控制参数的调整>
图5是表示控制单元9调整控制参数的流程的图。如图5所示,控制参数的调整包括第一调整工序S1、第二调整工序S2、第三调整工序S3以及第四调整工序S4。需要说明的是,控制参数的调整按照第一调整工序S1、第二调整工序S2、第三调整工序S3、第四调整工序S4的顺序进行。以下,对各工序进行说明。
<第一调整工序S1>
图6是表示图5所示的第一调整工序S1的详细情况的流程图。第一调整工序S1是在涂布装置1中进行实际涂布时通过模拟涂布事先调整喷出控制参数的工序。
如图6所示,第一调整工序S1开始时,首先,喷出控制参数调整部915将喷出控制参数设定为规定的初始值(步骤S11)。初始值既可以是任意的值、或者也可以是基于规定的算法设定的值。喷出控制参数调整部915将设定的喷出控制参数存储在存储部93中。需要说明的是,喷出控制参数调整部915也可以接受来自用户的初始值的输入,并将接受到的初始值存储在存储部93中。
通过步骤S11设定喷出控制参数后,控制单元9进行模拟涂布并且获取压力波形(步骤S12)。具体而言,控制单元9使喷嘴71向规定的维护位置(与辊721相对的位置)移动。而且,控制单元9根据通过第一调整工序S1设定的控制参数对泵81进行控制,从喷嘴71对辊721喷出处理液。另外,在进行模拟涂布的期间,喷出压力测定部911对通过压力计86测定的喷出压力进行采样,并获取压力波形的数据。通过步骤S12获取的压力波形是“第一压力波形”的一个示例。
通过步骤S12获取模拟涂布的压力波形后,进行压力波形的评价(步骤S13)。作为评价方法的一个示例,喷出控制参数调整部915判定通过步骤S12获取的压力波形是否与作为理想的压力波形的第一理想波形Wt1(参照图9)相同。具体而言,通过步骤S12获取的压力波形相对于第一理想波形Wt1的偏差量是否超出规定的允许范围。
需要说明的是,在步骤S13中,用户也可以对压力波形进行评价。在该情况下,喷出控制参数调整部915可以使显示器显示压力波形和第一理想波形Wt1。另外,喷出控制参数调整部915也可以使显示器显示上述偏差量。如此地,通过在显示器显示各种信息,能够适当地支持用户进行评价。另外,喷出控制参数调整部915可以通过输入设备接受来自用户的评价结果的输入,并将输入的评价结果存储在存储部93中。
当通过步骤S13评价为模拟涂布的压力波形与第一理想波形Wt1相同时(例如,偏差量为允许范围内的情况。步骤S13中为“是”),涂布装置1结束第一调整工序S1。另一方面,当通过步骤S13评价为模拟涂布的压力波形与第一理想波形Wt1不同时(例如,偏差量超出允许范围的情况。步骤S13中为“否”的情况)。涂布装置1更新喷出控制参数(步骤S14)。具体而言,喷出控制参数调整部915基于步骤S13的评价结果更新存储在存储部93中的喷出控制参数,以使进行模拟涂布时的压力波形成为第一理想波形Wt1。作为更新喷出控制参数的算法,例如,能够任意地选择贝叶斯优化、遗传算法、梯度法、线性规划法等。
需要说明的是,如专利文献1所记载,喷出控制参数的更新可以使用学习了喷出控制参数的改变量与上述偏差量的关系的已学习模型进行。作为学习用模型,能够利用神经网络。
另外,在步骤S14中,也可以使得用户能够更新喷出控制参数。在该情况下,喷出控制参数调整部915可以通过输入设备接受新的喷出控制参数的输入,并将接收到的喷出控制参数存储在存储部93中。
如上所述,在第一调整工序S1中,基于通过步骤S12的模拟涂布得到的压力波形进行用于进行实际涂布的喷出控制参数的调整。因此,与通过实际涂布调整喷出控制参数的情况相比,能够抑制基板S的消耗。
<第二调整工序S2>
图7是表示图5所示的第二调整工序S2的详细情况的流程图。第二调整工序S2是在涂布装置1中进行实际涂布时通过模拟移动事先调整移动控制参数的工序。
如图7所示,第二调整工序S2开始时,首先,移动控制参数调整部917将移动控制参数设定为规定的初始值(步骤S21)。初始值既可以是任意的值、或者也可以是基于规定的算法设定的值。移动控制参数调整部917将设定的移动控制参数存储在存储部93中。需要说明的是,移动控制参数调整部917也可以接受来自用户的初始值的输入,并将接收到的初始值存储在存储部93中。
通过步骤S21设定移动控制参数后,控制单元9执行模拟移动并且获取速度波形(步骤S22)。具体而言,移动控制部912根据移动控制参数对吸附行进机构52进行控制,从而使保持基板S的卡盘机构51移动。另外,在进行模拟移动的期间,速度测定部913基于吸附行进机构52的输出对卡盘机构51的移动速度进行采样,并获取速度波形的数据。
通过步骤S22获取模拟移动的速度波形后,进行速度波形的评价(步骤S23)。作为评价方法的一个示例,移动控制参数调整部917对速度波形的形状是否与步骤S11中调整的压力波形的形状相同进行评价。需要说明的是,将速度波形的形状和压力波形的形状进行比较时,进行使速度波形中的速度的标度与压力波形中的压力的标度一致的归一化。而且,判定速度波形相对于压力波形的偏差量是否超出规定的允许范围。
需要说明的是,可以导出通过规定的函数将速度波形和压力波形回归而得到的回归参数作为评价值,并基于该评价值判定形状是否一致。
另外,在步骤S23中,用户也可以对速度波形进行评价。在该情况下,移动控制参数调整部917可以使显示器显示归一化的速度波形以及压力波形。另外,移动控制参数调整部917可以使显示器显示上述偏差量。如此地,通过在显示器显示各种信息,能够适当地支持用户进行评价。另外,移动控制参数调整部917可以通过输入设备接受来自用户的评价结果的输入,并将输入的评价结果存储在存储部93中。
当通过步骤S23评价为模拟移动的速度波形与压力波形的形状相同时(例如,偏差量为允许范围内的情况。步骤S23中为“是”),涂布装置1结束第二调整工序S2。另一方面,当通过步骤S23评价为模拟移动的速度波形与压力波形的形状不同时(例如,偏差量超出允许范围的情况。步骤S23中为“否”),涂布装置1更新移动控制参数(步骤S24)。具体而言,移动控制参数调整部917更新存储在存储部93中的移动控制参数,以使进行模拟移动时的移动波形的形状成为压力波形。作为更新移动控制参数的算法,例如,能够任意地选择贝叶斯优化、遗传算法、梯度法、线性规划法等。
另外,移动控制参数的更新也可以使用学习了移动控制参数的改变量与上述偏差量的关系的已学习模型进行。作为学习用模型,能够利用神经网络。
另外,在步骤S24中,也可以使得用户能够更新移动控制参数。在该情况下,移动控制参数调整部917可以通过输入设备接受来自用户的新移动控制参数的输入,并且将接收到的移动控制参数存储在存储部93中。
如上所述,在第二调整工序S2中,对移动控制参数进行调整,以使速度波形的形状与压力波形的形状一致。通过根据如上所述调整的移动控制参数进行实际涂布,从而能够以均匀的厚度将处理液涂布在基板S上。
<第三调整工序S3>
图8是表示图5所示的第三调整工序S3的详细情况的流程图。第三调整工序S3是在涂布装置1中进行实际涂布时基于通过模拟涂布得到的压力波形重新调整通过第一调整工序S1调整的喷出控制参数的工序。
第三调整工序S3开始时,涂布装置1根据通过第一调整工序S1调整的喷出控制参数以及通过第二调整工序S2调整的移动控制参数进行实际涂布,并且获取压力波形(步骤S31)。具体而言,涂布机构7使喷嘴71移动至涂布位置。而且,移动控制部912根据移动控制参数对吸附行进机构52进行控制,从而使基板S移动,并且,喷出控制部910根据喷出控制参数对泵81进行控制,从而使处理液从喷嘴71向基板S喷出。另外,在进行实际涂布的期间,喷出压力测定部911对通过压力计86测定的喷出压力进行采样,从而获取压力波形。通过步骤S31获取的压力波形为“第二压力波形”的一个示例。
通过步骤S31获取实际涂布的压力波形后,进行该压力波形的评价(步骤S32)。步骤S32中的压力波形的评价方法也可以与图6所示的步骤S13中的压力波形的评价方法相同。即,喷出控制参数调整部915也可以判定通过步骤S31获取的压力波形相对于第一理想波形Wt1的偏差量是否超出规定的允许范围。
需要说明的是,在步骤S32中,用户也可以对实际涂布的压力波形进行评价。在该情况下,喷出控制参数调整部915也可以使显示器显示压力波形和第一理想波形Wt1。另外,喷出控制参数调整部915也可以使显示器显示上述偏差量。如此地,通过在显示器显示各种信息,能够适当地支持用户进行评价。另外,喷出控制参数调整部915可以通过输入设备接受来自用户的评价结果的输入,并将输入的评价结果存储在存储部93中。
当通过步骤S32评价为实际涂布的压力波形与第一理想波形相同时(例如,偏差量为允许范围内的情况。步骤S32中为“是”),涂布装置1结束第三调整工序S3。另一方面,在步骤S32中,当评价为实际涂布的压力波形与第一理想波形Wt1不同时(例如,偏差量超出允许范围的情况。步骤S32中为“否”),控制单元9判断需要重新调整喷出控制参数,并进行喷出控制参数的重新调整。
在喷出控制参数的重新调整中,喷出控制参数调整部915更新喷出控制参数(步骤S33)。具体而言,喷出控制参数调整部915更新存储在存储部93中的喷出控制参数,以使进行模拟涂布时的压力波形成为后述的第二理想波形Wt2(参照图6)。作为更新喷出控制参数的算法,例如,能够任意地选择贝叶斯优化、遗传算法、梯度法、线性规划法等。
需要说明的是,如专利文献1所记载,喷出控制参数的更新可以使用学习了喷出控制参数的改变量与上述偏差量的关系的已学习模型进行。作为学习用模型,能够利用神经网络。
另外,在步骤S33中,可以使得用户能够更新喷出控制参数。在该情况下,喷出控制参数调整部915可以通过输入设备接受来自用户的新喷出控制参数的输入,并将接收到的喷出控制参数存储在存储部93中。
图9是表示第二理想波形Wt2的设定例的图。第二理想波形Wt2例如由喷出控制参数调整部915生成,并保存在存储部93中。第二理想波形Wt2具有与第一理想波形Wt1不同的形状。具体而言,第二理想波形Wt2具有使第一理想波形Wt1基于通过步骤S31获取的实际涂布的压力波形Wr1与第一理想波形Wt1的差值(偏差量)变形而得到的形状。更具体而言,第二理想波形Wt2具有从第一理想波形Wt1减去上述差值而得到的形状。需要说明的是,第二理想波形Wt2的形状并不限于图9所示的形状,能够适当地设定。
返回到图8,通过步骤S33更新喷出控制参数后,涂布装置1根据更新的喷出控制参数进行模拟涂布(步骤S34)。当喷嘴71处于涂布台32的上方的涂布位置时,涂布机构7使喷嘴71移动至维护位置。而且,从喷嘴71向旋转的辊721喷出处理液。在进行模拟涂布的期间,喷出压力测定部911对通过压力计86测定的喷出压力进行采样,从而获取压力波形。通过步骤S34获取的压力波形是“第三压力波形”的一个示例。
通过步骤S34获取模拟涂布的压力波形后,对该压力波形进行评价(步骤S35)。压力波形的评价方法也可以与图6所示的步骤S13中的压力波形的评价方法相同。但是,在步骤S35中,使用第二理想波形Wt2来代替第一理想波形Wt1。具体而言,喷出控制参数调整部915可以判定通过步骤S34获取的压力波形相对于第二理想波形Wt2的偏差量是否超出规定的允许范围。
需要说明的是,在步骤S35中,用户也可以对压力波形进行评价。在该情况下,喷出控制参数调整部915也可以使显示器显示压力波形和第二理想波形Wt2。另外,喷出控制参数调整部915也可以使显示器显示上述偏差量。如此地,通过在显示器显示各种信息,能够适当地支持用户进行评价。另外,喷出控制参数调整部915可以通过输入设备接受来自用户的评价结果的输入,并将输入的评价结果存储在存储部93中。
当通过步骤S35评价为模拟涂布的压力波形与第二理想波形Wt2不同时(例如,偏差量超出允许范围的情况。步骤S35中为“否”),涂布装置1再次进行步骤S33(喷出控制参数的更新)。另一方面,当通过步骤S35评价为模拟涂布的压力波形与第二理想波形Wt2相同时(例如,偏差量为允许范围内的情况。步骤S35中为“是”),涂布装置1再次进行步骤S31(实际涂布的压力波形的获取)。如此地,涂布装置1反复进行步骤S33~步骤S35直至评价为通过模拟涂布得到的压力波形与第二理想波形Wt2相同,从而重新调整喷出控制参数。
如上所述,在第三调整工序S3中,当通过步骤S32评价为实际涂布的压力波形不是理想的波形时,基于通过步骤S34的模拟涂布得到的压力波形重新调整喷出控制参数。由此,能够在抑制基板S的消耗的同时进行喷出控制参数的重新调整。通过抑制基板S的消耗,能够降低环境负荷。
由于模拟涂布与实际涂布的环境条件不同,因此,即使是相同的喷出控制参数,有时得到的压力波形也会变化。在本实施方式中,将作为评价模拟涂布的压力波形的基准的第二理想波形Wt2设为使第一理想波形Wt1根据实际涂布的压力波形Wr1与第一理想波形Wt1的差值而变形的形状。因此,能够适当地重新调整喷出控制参数,以使实际涂布的压力波形成为第一理想波形Wt1。
<第四调整工序S4>
图10是表示图5所示的第四调整工序S4的详细情况的流程图。第四调整工序S4是一边在涂布装置1中进行实际涂布一边基于通过实际涂布得到的压力波形重新调整通过第三调整工序S3调整的喷出控制参数的工序。
第四调整工序S4开始时,涂布装置1根据通过第三调整工序S3调整的喷出控制参数以及通过第二调整工序S2调整的移动控制参数进行实际涂布,并且获取压力波形(步骤S41)。通过使用了通过第三调整工序S3调整的喷出控制参数的实际涂布获取的压力波形为“第四压力波形”的一个示例。
通过步骤S41获取实际涂布的压力波形后,进行压力波形的评价(步骤S42)。作为评价方法的一个示例,喷出控制参数调整部915判定通过步骤S41获取的实际涂布的压力波形是否与第一理想波形Wt1相同。更具体而言,判定实际涂布的压力波形相对于第一理想波形Wt1的偏差量是否超出允许范围。
需要说明的是,在步骤S42中,用户也可以对压力波形进行评价。在该情况下,喷出控制参数调整部915也可以使显示器显示压力波形和第一理想波形Wt1。另外,喷出控制参数调整部915也可以使显示器显示上述偏差量。如此地,通过在显示器显示各种信息,能够适当地支持用户进行评价。另外,喷出控制参数调整部915可以通过输入设备接受来自用户的评价结果的输入,并将输入的评价结果存储在存储部93中。
当通过步骤S42评价为实际涂布的压力波形与第一理想波形Wt1不同时(例如,偏差量超出允许范围的情况。步骤S42中为“否”),喷出控制参数调整部915更新喷出控制参数(步骤S43)。具体而言,喷出控制参数调整部915基于步骤S42的评价结果更新存储部93存储的喷出控制参数,以使实际涂布的压力波形成为第一理想波形Wt1。作为更新喷出控制参数的算法,例如,能够任意地选择贝叶斯优化、遗传算法、梯度法、线性规划法等。
另外,例如,如专利文献1所记载,喷出控制参数的更新也能够使用学习了喷出控制参数的改变量与上述偏差量的关系的已学习模型进行。作为学习用模型,能够利用神经网络。
通过步骤S43更新喷出控制参数时,涂布装置1再次执行步骤S41(基于实际涂布的压力波形的获取)。使用更新的喷出控制参数获取的实际涂布的压力波形为“第五压力波形”的一个示例。
当通过步骤S42评价为实际涂布的压力波形与第一理想波形Wt1相同时(例如,偏差量为允许范围内的情况。步骤S42中为“是”),涂布装置1判定是否结束实际涂布(步骤S43)。当通过步骤S43判定为结束实际涂布时(例如,没有应进行涂布处理的基板S的情况。步骤S43中为“是”),涂布装置1结束第四调整工序S4。当通过步骤S43判定为继续进行实际涂布时(例如,存在应进行涂布处理的基板S的情况。步骤S43中为“否”),涂布装置1再次进行步骤S41。
如上所述,在第一调整工序S1以及第三调整工序S3中,由于基于通过模拟涂布得到的压力波形更新喷出控制参数,因此,可能会发生无法充分调整喷出控制参数以配合实际涂布的情况。针对此,在第四调整工序S4中,基于通过实际涂布得到的压力波形更新喷出控制参数。因此,能够调整喷出控制参数以配合实际涂布。因此,在实际涂布中,能够再现理想的压力波形。
另外,当希望仅通过第四调整工序S4调整喷出控制参数而不进行第一调整工序S1和第三调整工序S3时,消耗大量的基板,从而有可能导致环境负荷增大。在本实施方式中,首先,通过第一调整工序S1以及第三调整工序S3将喷出控制参数进行一定程度的调整后,进行第四调整工序S4,因此,能够抑制基板S的消耗。由此,能够降低环境负荷。
<2.变形例>
上面针对实施方式进行了说明,但是,本发明并不限于上述内容,可以有各种变形。
例如,在上述实施方式中,将模拟涂布设为向辊721上喷出涂布液。然而,也可以向辊721以外的部位喷出涂布液。例如,也可以对辊槽723等能够接受从喷嘴71喷出的涂布液的容器喷出涂布液。
详细说明了本发明,上述说明在所有方面均为例示,本发明并不仅限于此。应理解为在不脱离本发明的范围的情况下能够想到未例示的众多变形例。只要不相互矛盾,上述各实施方式及各变形例中所说明的各个结构能够适当组合或省略。

Claims (4)

1.一种控制参数调整方法,其是调整用于对从喷嘴喷出处理液进行控制的喷出控制参数的控制参数调整方法,其中,包括:
工序a),基于进行从喷嘴向基板以外的部位喷出处理液的模拟涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第一压力波形,对所述喷出控制参数进行调整;
工序b),按照通过所述工序a)调整的所述喷出控制参数,获取进行从所述喷嘴向基板喷出处理液的实际涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第二压力波形;
工序c),基于所述第二压力波形,判定是否重新调整所述喷出控制参数;
工序d),当判定为通过所述工序c)重新调整时,基于进行所述模拟涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第三压力波形,重新调整所述喷出控制参数的工序;
e)工序,按照通过所述工序d)重新调整的所述喷出控制参数,获取进行所述实际涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第四压力波形;
f)工序,基于所述第四压力波形,判定是否重新调整所述喷出控制参数;以及
工序g),当判定为通过所述工序f)重新调整时,基于进行所述实际涂布时的表示所述喷嘴内的压力变化的第五压力波形,重新调整所述喷出控制参数。
2.如权利要求1所述的控制参数调整方法,其中,
还包括:工序h),调整用于对所述基板相对于所述喷嘴的相对移动进行控制的移动控制参数,
所述实际涂布按照通过所述工序h)调整的移动控制参数使所述基板相对于所述喷嘴相对移动,并从所述喷嘴向所述基板喷出处理液。
3.如权利要求1或2的控制参数调整方法,其中,
所述工序h)基于表示所述基板相对于所述喷嘴的相对速度的变化的速度波形来调整所述移动控制参数。
4.一种存储介质,其是存储有计算机可读的程序的存储介质,其中,
所述程序使所述计算机执行权利要求1~3中任一项所述的控制参数调整方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP3988817B2 (ja) 2001-09-25 2007-10-10 大日本スクリーン製造株式会社 塗布液塗布方法及びその装置並びにその装置の塗布条件調整方法
JP4742511B2 (ja) 2004-04-02 2011-08-10 東レ株式会社 塗布方法および塗布装置並びにディスプレイ用部材の製造方法
JP2010227762A (ja) 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 液滴吐出装置、薄膜形成方法
JP2011235237A (ja) 2010-05-11 2011-11-24 Olympus Corp 塗布剤塗布方法および塗布剤塗布装置
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