JP2009188020A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1金属膜からなるバンプ6が形成されない領域のパッシベーション膜9上に、第2金属膜からなる容量素子7C、抵抗素子7Rまたはインダクタンス素子7L等の受動素子を形成する。第1金属膜は金膜、第2金属膜は金膜、ニッケル膜または銅膜であり、あるいは第1金属膜は下層をニッケル膜または銅膜とし上層を金膜とする積層膜、第2金属膜はニッケル膜または銅膜である。さらに、第1金属膜の厚さは第2金属膜の厚さと同じか、あるいは第2金属膜の厚さよりも厚く形成する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態1による半導体装置に搭載される容量素子、抵抗素子およびインダクタンス素子を図1〜図3を用いて説明する。図1(a)および(b)はそれぞれLCDドライバのチップ形状を示す要部平面図およびLCDドライバのチップの最表面のパターンを示す要部断面図、図2は最上層配線を重ねて記載した抵抗素子が形成された箇所の拡大平面図、図3(a)および(b)はそれぞれ図2のA−A′線における要部断面図および図2のB−B′線における要部断面図である。
本実施の形態2によるLCDドライバ20は、前述した実施の形態1と同様であり、チップ内においてバンプ6の存在しない領域のパッシベーション膜上に、各種受動素子7C,7R,7Lが端子電極10bに接続して形成されているが、バンプ6の高さと各種受動素子7C,7R,7Lの高さとが互いに異なる点が前述の実施の形態1と相違する。すなわち、前述した実施の形態1では、バンプ6と各種受動素子7C,7R,7Lとは同一工程で同時に形成されて、バンプ6の高さと各種受動素子7C,7R,7Lの高さとを同じにするLCDドライバ1を説明した。これに対して、本実施の形態2では、バンプ6および各種受動素子7C,7R,7Lを形成する工程のうちの全てまたは一部を異なる工程で形成することにより、各種受動素子7C,7R,7Lの高さがバンプ6の高さがよりも低く形成されたLCDドライバ20を説明する。
本実施の形態3によるLCDドライバ30は、前述した実施の形態1と同様であり、チップ内においてバンプ6の存在しない領域のパッシベーション膜上に、各種受動素子7C,7R,7Lが端子電極10bに接続して形成されているが、バンプ6を構成する材料と各種受動素子7C,7R,7Lを構成する材料とが互いに異なる点が前述の実施の形態1と相違する。すなわち、前述した実施の形態1では、バンプ6と各種受動素子7C,7R,7Lとは同一材料、例えば金膜により形成されたLCDドライバを説明した。これに対して、本実施の形態3では、バンプ6が金膜により形成され、各種受動素子7C,7R,7Lが金膜以外の材料、例えばニッケル(Ni)膜または銅膜により形成されたLCDドライバを説明する。
本実施の形態4によるLCDドライバは、前述した実施の形態3と同様であり、チップ内においてバンプ6の存在しない領域のパッシベーション膜上に、金膜以外の材料から構成される各種受動素子7C,7R,7Lが端子電極10bに接続して形成されているが、バンプ6の高さと各種受動素子7C,7R,7Lの高さとが互いに異なる点が前述の実施の形態3と相違する。すなわち、前述した実施の形態3では、バンプ6の高さと各種受動素子7C,7R,7Lの高さとを同じにするLCDドライバ30を説明した。これに対して、本実施の形態4では、バンプ6および各種受動素子7C,7R,7Lを形成する工程のうちの全てまたは一部を異なる工程で形成することにより、各種受動素子7C,7R,7Lの高さがバンプ6の高さがよりも低く形成されたLCDドライバ40を説明する。
2 携帯電話
3 液晶画面
4 基板
5 FPC
6 バンプ
7C 容量素子
7L インダクタンス素子
7R 抵抗素子
8 最上層配線
9 パッシベーション膜
10a パッド電極
10b 端子電極
11a 第1コンタクトホール
11b 第2コンタクトホール
12 UBM
13 金めっき膜
14 ガラス基板
15 電極
16 異方性導電フィルム
17 金属粒子
20 LCDドライバ
21 レジストパターン
22 第1金めっき膜
23 レジストパターン
24 第2金めっき膜
25 レジストパターン
26 第3金めっき膜
27 レジストパターン
28 第4金めっき膜
30 LCDドライバ
31 レジストパターン
32 第1金属めっき膜
33 レジストパターン
34 第2金属めっき膜
40 LCDドライバ
41 レジストパターン
42 第1金属めっき膜
43 レジストパターン
44 第2金属めっき膜
45 レジストパターン
46 第3金属めっき膜
47 レジストパターン
48 第4金属めっき膜
51 半導体基板
52 分離部
53 pウェル
54 nウェル
55 ゲート絶縁膜
56n,56p ゲート電極
57 サイドウォール
58 n型半導体領域
59 p型半導体領域
60 絶縁膜
61 接続孔
62 プラグ
63 ストッパ絶縁膜
64 絶縁膜
65 配線溝
66 バリアメタル膜
67 ストッパ絶縁膜
68 絶縁膜
69 接続孔
70 配線溝
71 バリアメタル膜
72 絶縁膜
73 接続孔
74 プラグ
75 レジストパターン
M1,M2,M3,M4 配線
Claims (27)
- 半導体基板の主面上に形成された最上層配線と同一層の金属膜からなるパッド電極と、
前記パッド電極に達する第1コンタクトホールを有して前記パッド電極上に設けられたパッシベーション膜と、
前記第1コンタクトホールを通して前記パッド電極と電気的に接続する第1金属膜からなるバンプとを備える半導体装置であって、
前記バンプが形成されていない領域の前記パッシベーション膜上に、第2金属膜からなる受動素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、前記受動素子は容量素子、抵抗素子またはインダクタンス素子であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記第1金属膜の厚さが前記第2金属膜の厚さと同じか、または前記第2金属膜の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項3記載の半導体装置において、前記第1金属膜の材料と前記第2金属膜の材料とが同じであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4記載の半導体装置において、前記第1および第2金属膜は金膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項3記載の半導体装置において、前記第1金属膜の材料と前記第2金属膜の材料とが異なることを特徴とする半導体装置。
- 請求項6記載の半導体装置において、前記第1金属膜は金膜、前記第2金属膜はニッケル膜または銅膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項6記載の半導体装置において、前記第1金属膜は下層金属膜と上層金属膜とからなる積層膜であり、前記下層金属膜はニッケル膜または銅膜、前記上層金属膜は金膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項8記載の半導体装置において、前記第2金属膜は前記下層金属膜と同一層の金属膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記パッド電極と前記バンプとの間にUBMが形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記受動素子の端子が、前記パッシベーション膜に形成された第2コンタクトホールを通じて前記最上層配線と同一層の金属膜からなる端子電極と電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
- 請求項11記載の半導体装置において、前記端子電極と前記受動素子の端子との間にUBMが形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1記載の半導体装置において、前記バンプは異方性導電フィルムを用いて、実装基板上の電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
- 半導体基板の主面上に受動素子を形成する半導体装置の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;
(a)半導体基板の主面上に形成された最上層配線上にパッシベーション膜を形成する工程、
(b)前記パッシベーション膜に前記最上層配線と同一層の金属膜からなるパッド電極に達する第1コンタクトホールおよび前記最上層配線と同一層の金属膜からなる端子電極に達する第2コンタクトホールを形成する工程、
(c)前記第1および第2コンタクトホールの内部を含む前記パッシベーション膜上にUBMを形成する工程、
(d)レジストパターンをマスクとした電解めっき法を用いて、前記第1コンタクトホールを埋め込んで前記パッド電極と電気的に接続するバンプと、前記バンプが形成されていない領域の前記パッシベーション膜上に、その端子が前記第2コンタクトホールを埋め込んで前記端子電極と電気的に接続する前記受動素子とを同一層の金属膜により形成する工程、
(e)前記レジストパターンを除去し、露出している前記UBMを除去する工程。 - 請求項14記載の半導体装置の製造方法において、前記(d)工程で電解めっき法を用いて形成される前記金属膜は金膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の主面上に受動素子を形成する半導体装置の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;
(a)半導体基板の主面上に形成された最上層配線上にパッシベーション膜を形成する工程、
(b)前記パッシベーション膜に前記最上層配線と同一層の金属膜からなるパッド電極に達する第1コンタクトホールおよび前記最上層配線と同一層の金属膜からなる端子電極に達する第2コンタクトホールを形成する工程、
(c)前記第1および第2コンタクトホールの内部を含む前記パッシベーション膜上にUBMを形成する工程、
(d)第1レジストパターンをマスクとした電解めっき法を用いて、バンプが形成されない領域の前記パッシベーション膜上に、その端子が前記第2コンタクトホールを埋め込んで前記端子電極と電気的に接続する前記受動素子を第2金属膜により形成する工程、
(e)前記第1レジストパターンを除去した後、第2レジストパターンをマスクとした電解めっき法を用いて、前記第1コンタクトホールを埋め込んで前記パッド電極と電気的に接続するバンプを第1金属膜により形成する工程、
(f)前記第2レジストパターンを除去し、露出している前記UBMを除去する工程。 - 請求項16記載の半導体装置の製造方法において、前記第1金属膜の厚さが前記第2金属膜の厚さと同じか、または前記第2金属膜の厚さよりも厚いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項17記載の半導体装置の製造方法において、前記第1金属膜の材料と前記第2金属膜の材料とが同じであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項18記載の半導体装置の製造方法において、前記第1および第2金属膜は金膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項17記載の半導体装置の製造方法において、前記第1金属膜の材料と前記第2金属膜の材料とが異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項20記載の半導体装置の製造方法において、前記第1金属膜は金膜、前記第2金属膜はニッケル膜または銅膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体基板の主面上に受動素子を形成する半導体装置の製造方法であって、以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法;
(a)半導体基板の主面上に形成された最上層配線上にパッシベーション膜を形成する工程、
(b)前記パッシベーション膜に前記最上層配線と同一層の金属膜からなるパッド電極に達する第1コンタクトホールおよび前記最上層配線と同一層の金属膜からなる端子電極に達する第2コンタクトホールを形成する工程、
(c)前記第1および第2コンタクトホールの内部を含む前記パッシベーション膜上にUBMを形成する工程、
(d)第1レジストパターンをマスクとした電解めっき法を用いて、前記第1コンタクトホールを埋め込んで前記パッド電極と電気的に接続するバンプ下層部と、前記バンプが形成されない領域の前記パッシベーション膜上に、その端子が前記第2コンタクトホールを埋め込んで前記端子電極と電気的に接続する前記受動素子とを同一層の第1金属膜により形成する工程、
(e)前記第1レジストパターンを除去した後、第2レジストパターンをマスクとした電解めっき法を用いて、前記バンプ下層部と電気的に接続するバンプ上層部を第2金属膜により形成する工程、
(f)前記第2レジストパターンを除去した後、露出している前記UBMを除去する工程。 - 請求項22記載の半導体装置の製造方法において、前記第1金属膜の材料と前記第2金属膜の材料とが同じであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項23記載の半導体装置の製造方法において、前記第1および第2金属膜は金膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項22記載の半導体装置の製造方法において、前記第1金属膜の材料と前記第2金属膜の材料とが異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項25記載の半導体装置の製造方法において、前記第1金属膜はニッケル膜または銅膜、前記第2金属膜は金膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14、16または22のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、前記受動素子は容量素子、抵抗素子またはインダクタンス素子であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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