JP2004363340A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電層からなる最上層メタル7と、最上層メタル7上に形成された導電層からなる外部端子9と、最上層メタル7の下部に最上層メタル7とビア5を通して接続された下層メタル3とを備え、下層メタル3の周辺部に多数の凸形状3aを有する。最上層メタル7と下層メタル3の導電材料は銅からなり、外部端子9の導電材料はアルミニウムからなる。下層メタル3が2層以上で形成され、各層の周辺部に多数の凸形状3aを有する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体組立工程であるワイヤボンドの衝撃によるパッド直下、特に層間絶縁膜のダメージフリーを実現するパッド構造を有する半導体装置とその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報技術の広がりとともにコンピュータ、携帯電話など電子機器の能力として高速化の要求は高まっている。それに伴い電子機器の性能に大きく影響するシステムLSIに代表される半導体の性能として更なる高速化が必然的に求められている。しかし半導体の高速化に大きな妨げになるのが、MOSトランジスタ自体の遅延とその上層にある配線による配線遅延である。従来はゲート長を短くする微細化技術によりMOSトランジスタ自体の遅延を低減してきた。しかしながら微細化技術の進展によるMOSトランジスタ自体の遅延が小さくなるに従い配線遅延の問題が顕著になってきた。そこで配線間遅延を小さくするため配線間に挟まれている絶縁膜に誘電率の低い絶縁膜(低誘電率膜)を採用しようとしている。
【0003】
しかしながら、誘電率が3.0以下を実現する低誘電率膜は、従来から採用されていたシリコン酸化膜よりも機械的強度が大きく低下する。これは半導体の回路形成を担う拡散工程が完了した後の半導体のパッケージングを担う組立工程、特にワイヤボンド工程で問題となる。具体的には次のようなことである。層間絶縁膜の機械的強度が十分でないため半導体に搭載されているパッド上にワイヤボンドを行うと、ワイヤボンドの衝撃荷重がパッドを通じてパッド直下の層間絶縁膜に伝わり、それが層間絶縁膜を大きく変形させる。その変形が層間絶縁膜にクラックを発生させ、パッド剥がれや層間はく離による信頼性不良の原因となる。さらに近年は半導体素子の寸法を縮小しコスト低減を目的に、トランジスタ上にパッドを設置した半導体素子が開発されている。このとき配線間および層間絶縁膜に機械的強度の低い低誘電率膜を用いると、ワイヤボンドの衝撃により低誘電率膜が変形し、トランジスタに衝撃が伝わりやすくなることでトランジスタへダメージを与えてしまい品質不良を引起してしまう。
【0004】
そこで、従来は図11に示すようにパッド100の直下に層間絶縁膜101を挟んでメタル層102を形成し、そのメタル層102とパッド100をビア103で接続することで、ワイヤボンドにより層間絶縁膜101へ与えられる衝撃をメタル層102が受け止め、さらに衝撃でメタル層102が衝撃の印加方向へ変形しようとするのをビア103が支えるようになり、パッド直下に成膜された層間絶縁膜101の機械的強度の低下を補うようなパッド構造を形成している(例えば特許文献1)。その結果、ワイヤボンドによるトランジスタへのダメージが抑制できる。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−114309号 明細書
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記のパッド構造では下記のような問題がある。メタル材料にCuを採用する場合、ダマシンプロセスでCu配線を形成する。つまりCuを電解めっきした後、めっきしたCuを平坦化するため機械的化学研磨(以下、CMPと略す)を行う。しかしながらCuは柔らかいため、Cuを大面積化するとCMPによりCuパターンの中央部はCuが削られ膜厚は非常に薄くなることが知られている。これをディッシングという。更に下層では微細なビア加工を実現するためメタルの膜厚を薄膜化することで、Cuが大面積化した場合、CMP後にCuが完全に削り取られる部分がでてくる。図11では2層目のメタル層102、すなわちCu形成時に上記の現象が発生する。Cuパターンの中央部が薄くなる、またはCuが削り取られると、層間絶縁膜101が受けるワイヤボンドの衝撃が大きくなりクラック発生の可能性が増大する。
【0007】
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、パッド直下の絶縁膜およびトランジスタに対しワイヤボンドによるダメージ防止が可能なパッド構造を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の半導体装置は、導電層からなる第1の電極と、前記第1の電極上に形成された導電層からなる外部接続電極と、前記第1の電極の下部に前記第1の電極とスルーホールを介して接続された少なくとも一層の第2の電極とを備え、前記第2の電極の周辺部に多数の凸形状を有することを特徴とするものである。
【0009】
請求項1記載の半導体装置によれば、ワイヤボンドの衝撃によりパッド直下の配線間および層間の絶縁膜に採用される低誘電率膜の変形またクラック発生を防ぐため最上層メタルと層間絶縁膜で挟まれたメタル層(以下は下層メタルと呼ぶ)をビアで接続した構造にする。このパッド構造を有することによりワイヤボンドの衝撃に対し最上層メタルは下層メタルに支えられ、ワイヤボンドの衝撃を受けても最上層メタルは変形しない。その結果、パッド直下の層間絶縁膜、つまり低誘電率膜に伝わるワイヤボンドの衝撃は抑えられ低誘電率膜の変形およびクラックを防ぐことができる。
【0010】
更に下層メタルの大面積化によるCMPのディッシングを防ぐため、下層メタルの周辺部に多くの凸形状を設ける。凸形状を設けることにより下層メタルの表面積が拡大され、層間膜との密着性を高めることで、ワイヤボンドの衝撃によるトランジスタへのダメージおよび層間絶縁膜のクラックが低減される。
【0011】
請求項2記載の半導体装置は、導電層からなる第1の電極と、前記第1の電極上に形成された導電層からなる外部接続電極と、前記第1の電極の下部に前記第1の電極とスルーホールを介して接続された少なくとも一層の第2の電極と、前記第2の電極の下面の層間絶縁膜とを備え、前記層間絶縁膜は表面に凹凸が形成されていることを特徴とするものである。
【0012】
請求項2記載の半導体装置によれば、第2の電極により、パッド直下の層間絶縁膜、つまり低誘電率膜に伝わるワイヤボンドの衝撃は抑えられ低誘電率膜の変形およびクラックを防ぐことができる。電極下面の層間絶縁膜を凹凸にすることで、アンカー効果により電極および特に配線絶縁膜との密着性を高めることができる。
【0013】
請求項3記載の半導体装置は、導電層からなる第1の電極と、前記第1の電極上に形成された導電層からなる外部接続電極と、前記第1の電極の下部に前記第1の電極とスルーホールを介して接続された少なくとも一層の第2の電極とを備え、前記第2の電極の周辺部に多数の凸形状を有し、前記第2の電極下面の層間絶縁膜を凹凸にしたことを特徴とするものである。
【0014】
請求項3記載の半導体装置によれば、請求項1と同様な効果のほか、電極下面の層間絶縁膜を凹凸にすることで、アンカー効果により電極および特に配線絶縁膜との密着性を高めることができる。
【0015】
請求項4記載の半導体装置は、請求項1、請求項2または請求項3において、第1の電極と第2の電極の導電材料は銅からなり、前記外部接続電極の導電材料はアルミニウムからなるものである。
【0016】
請求項4記載の半導体装置によれば、請求項1、請求項2または請求項3と同様な効果がある。
【0017】
請求項5記載の半導体装置は、請求項1、請求項2または請求項3において、第2の電極が2層以上で形成され、各層の周辺部に多数の凸形状を有するものである。
【0018】
請求項5記載の半導体装置によれば、請求項1、請求項2または請求項3と同様な効果のほか、メタルの積層数を3層以上に増やすことで、パッド直下には機械的強度の低い低誘電率膜の占有面積が減少することでワイヤボンドの衝撃がトランジスタに伝わることを抑制できる。
【0019】
請求項6記載の半導体装置の製造方法は、表面に凹凸のある第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に導電層からなる第2の電極を形成する工程と、この第2の電極上に第2の層間絶縁膜を形成しかつスルーホールを形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜上に第1の電極を形成するとともに前記スルーホールを通して前記第2の電極と接続する工程と、前記第1の電極上に外部接続電極を形成する工程とを含むものである。
【0020】
請求項6記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項2または請求項3と同様な効果がある。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のパッド構造について実施形態の図面を参照にしながら説明する。
【0022】
図1において、1は第1の層間絶縁膜、2は第1の配線間絶縁膜、3は下層メタル、4は第2の層間絶縁膜、5はビア、6は第2の配線間絶縁膜、7は最上層メタル、8は第1の保護膜、9は外部端子、10は第2の保護膜を示す。
【0023】
図1に示すとおり、本発明における実施形態のパッド構造は、第1の配線間絶縁膜2に埋め込まれた下層メタル3と第2の配線間絶縁膜6に埋め込まれた最上層メタル7を第2の層間絶縁膜4を貫通したスルーホールのビア5で接続したものである。効果として、ワイヤボンドの衝撃を外部端子9を通して最上層メタル7に伝わることによる最上層メタル7の変形を低減し、その結果として第2の層間絶縁膜4の変形およびダメージを抑えることができる。これは第2の層間絶縁膜4が機械的強度の低い低誘電率膜を採用しても下層メタル3がビア5を通して最上層メタル7を支えているためである。更にメタル材料にCuを採用する場合には、Cu配線を形成するためダマシンプロセスを用いる。このダマシンプロセスにはCuを平坦化するCMPも含まれており、Cuパターンが大面積化するとパターン中央部が薄く削り取られるディッシングが発生する。また、微細なビア加工を実現するため下層ではメタルは薄膜となる。従って下層メタル3は最上層メタル7と比較し薄膜化されており、ディッシングの影響が顕著になる。
【0024】
そこで下層メタル3の周辺部に凸形状3aを設ける。効果としては、下層メタル3の周辺部に図1(b)に示すように凸形状3aを多数設けることにより接触面積を増やすことでクラック防止および剥がれを防ぐことが可能になる。また下層メタル3の表面積が増えることで耐クラック性を向上させる。
【0025】
図2から図5には本発明における一実施形態の製造方法を示す。図2(a)は第1の層間絶縁膜1の上に第1の配線間絶縁膜2を化学気相堆積法(以下、CVDと略す)により成膜する。図2(b)は第1の配線間絶縁膜2にドライエッチング法により配線溝14を形成する。図2(c)は配線溝14に電解めっきによりメタル15を埋め込む。図2(d)は図2(c)で埋め込んだ第1のメタル15をCMPにより第1の配線間絶縁膜2が露出するまで平坦化を進め、下層メタル3を形成する。図2(e)はCVDにより第2の層間絶縁膜4を成膜し、第2の層間絶縁膜4の上に第2の配線間絶縁膜6をCVDにより成膜する。図3(a)および(b)は第2の層間絶縁膜4にビア溝16と第2の配線間絶縁膜6に配線溝17をドライエッチング法により形成する。図3(c)はビア溝16と配線溝17へ電解めっきにより第2のメタル18を埋め込む。図3(d)は図3(c)で埋め込んだ第2のメタル18をCMPにより第2の配線間絶縁膜6が露出するまで平坦化を進め、最上層メタル7を形成する。図4(a)はウェハ全面にCVDを用いて第1の保護膜8を成膜する。保護膜材料はSiNが採用される。図4(b)は図4(a)で成膜した第1の保護膜8をドライエッチング法により最上層メタル7の上のみ開口する。図4(c)はウェハ全面にCVDを用いて外部端子9の材料となるメタルを成膜する。外部端子9の材料にはAlが用いられる。図5(a)はドライエッチング法により図4(c)で成膜した外部端子9のメタルを外部端子9の形状に形成する。図5(b)はウェハ全面にCVDを用いて第2の保護膜10を成膜する。保護膜材料はSiNが採用される。図5(c)は外部端子9上の第2の保護膜10をドライエッチング法により開口する。以上の工程を経て本発明の上記実施形態の半導体装置を製造する。
【0026】
図6は別の実施の形態であり、図1のパッド構造において、第1の層間絶縁膜1の表面をスパッタすることで非常に小さな凹凸を設けている。これにより、下層メタル3や第1の配線間絶縁膜2との密着性をアンカー効果により高めている。特に層間絶縁膜1、4や配線間絶縁膜2、6の機械的強度が低い低誘電率膜になると、その効果は顕著になる。なお、この実施の形態において、下層メタル3の周囲は凸形状3aがない場合もある。
【0027】
図7から図10には本発明における図6の実施形態の製造方法を示す。
【0028】
図7(b)は図7(a)の第1の層間絶縁膜1にスパッタ19をかけることで図7(c)のように表面に微小な凹凸形状を作成させる。次に図7(d)は第1の層間絶縁膜1の上に第1の配線間絶縁膜2を化学気相堆積法(以下、CVDと略す)により成膜する。この時、第1の配線間絶縁膜1の表面凹凸がアンカー効果により、密着強度を著しく強化する。図7(e)以下は、図2(b)以下と同様である。
【0029】
なお、この発明において、下層メタル3は2層以上で形成されてもよく、その場合各層の周辺部に多数の凸形状を設けてもよい。
【0030】
以上のような本実施形態をとることにより、ワイヤボンドの衝撃に対し配線および層間絶縁膜の耐クラック性とトランジスタの耐ダメージ性の向上を図ることができる。また、パッド構造としてパッド直下の機械的強度を高めたことにより絶縁膜には機械的強度が低い絶縁膜を採用できる。その結果、半導体の特性を向上することが可能となる。
【0031】
【発明の効果】
請求項1記載の半導体装置によれば、ワイヤボンドの衝撃によりパッド直下の配線間および層間の絶縁膜に採用される低誘電率膜の変形またクラック発生を防ぐため最上層メタルと層間絶縁膜で挟まれたメタル層をビアで接続した構造にする。このパッド構造を有することによりワイヤボンドの衝撃に対し最上層メタルは下層メタルに支えられ、ワイヤボンドの衝撃を受けても最上層メタルは変形しない。その結果、パッド直下の層間絶縁膜、つまり低誘電率膜に伝わるワイヤボンドの衝撃は抑えられ低誘電率膜の変形およびクラックを防ぐことができる。
【0032】
更に下層メタルの大面積化によるCMPのディッシングを防ぐため、下層メタルの周辺部に多くの凸形状を設ける。凸形状を設けることにより下層メタルの表面積が拡大され、層間膜との密着性を高めることで、ワイヤボンドの衝撃によるトランジスタへのダメージおよび層間絶縁膜のクラックが低減される。
【0033】
請求項2記載の半導体装置によれば、第2の電極により、パッド直下の層間絶縁膜、つまり低誘電率膜に伝わるワイヤボンドの衝撃は抑えられ低誘電率膜の変形およびクラックを防ぐことができる。電極下面の層間絶縁膜を凹凸にすることで、アンカー効果により電極および特に配線絶縁膜との密着性を高めることができる。
【0034】
請求項3記載の半導体装置によれば、請求項1と同様な効果のほか、電極下面の層間絶縁膜を凹凸にすることで、アンカー効果により電極および特に配線絶縁膜との密着性を高めることができる。
【0035】
請求項4記載の半導体装置によれば、請求項1、請求項2または請求項3と同様な効果がある。
【0036】
請求項5記載の半導体装置によれば、請求項1、請求項2または請求項3と同様な効果のほか、メタルの積層数を3層以上に増やすことで、パッド直下には機械的強度の低い低誘電率膜の占有面積が減少することでワイヤボンドの衝撃がトランジスタに伝わることを抑制できる。
【0037】
請求項6記載の半導体装置の製造方法によれば、請求項2または請求項3と同様な効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における一実施形態を示し、(a)は断面図、(b)はそのA−A′線断面図、(c)はB−B′線断面図である。
【図2】本発明における一実施形態の製造方法の一部を工程順に示す工程断面図である。
【図3】図2に続く工程断面図である。
【図4】図3に続く工程断面図である。
【図5】図4に続く工程断面図である。
【図6】本発明における別の実施形態を示し、(a)は断面図、(b)はその部分拡大図、(c)は(a)のA−A′線断面図、(d)はB−B′線断面図である。
【図7】本発明における別の実施形態の製造方法の一部を工程順に示す工程断面図である。
【図8】図7に続く工程断面図である。
【図9】図8に続く工程断面図である。
【図10】図9に続く工程断面図である。
【図11】従来のパッド構造の断面図である。
【符号の説明】
1 第1の層間絶縁膜
2 第2の配線間絶縁膜
3 下層メタル
4 第2の層間絶縁膜
5 ビア
6 第2の配線間絶縁膜
7 最上層メタル
8 第1の保護膜
9 外部端子
10 第2の保護膜
14 配線溝
15 第1のメタル
16 ビア溝
17 配線溝
18 第2のメタル
19 スパッタ
Claims (6)
- 導電層からなる第1の電極と、前記第1の電極上に形成された導電層からなる外部接続電極と、前記第1の電極の下部に前記第1の電極とスルーホールを介して接続された少なくとも一層の第2の電極とを備え、前記第2の電極の周辺部に多数の凸形状を有することを特徴とする半導体装置。
- 導電層からなる第1の電極と、前記第1の電極上に形成された導電層からなる外部接続電極と、前記第1の電極の下部に前記第1の電極とスルーホールを介して接続された少なくとも一層の第2の電極と、前記第2の電極の下面の層間絶縁膜とを備え、前記層間絶縁膜は表面に凹凸が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 導電層からなる第1の電極と、前記第1の電極上に形成された導電層からなる外部接続電極と、前記第1の電極の下部に前記第1の電極とスルーホールを介して接続された少なくとも一層の第2の電極と、前記第2の電極の下面の層間絶縁膜とを備え、前記第2の電極の周辺部に多数の凸形状を有し、前記層間絶縁膜の表面を凹凸にしたことを特徴とする半導体装置。
- 第1の電極と第2の電極の導電材料は銅からなり、前記外部接続電極の導電材料はアルミニウムからなる請求項1、請求項2または請求項3記載の半導体装置。
- 第2の電極が2層以上で形成され、各層の周辺部に多数の凸形状を有する請求項1、請求項2または請求項3記載の半導体装置。
- 表面に凹凸のある第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に導電層からなる第2の電極を形成する工程と、この第2の電極上に第2の層間絶縁膜を形成しかつスルーホールを形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜上に第1の電極を形成するとともに前記スルーホールを通して前記第2の電極と接続する工程と、前記第1の電極上に外部接続電極を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
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