JP2009182312A - 半導体冷却構造 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体モジュールと冷却管との間の熱抵抗のばらつきを抑制した冷却効率に優れた半導体冷却構造を提供すること。
【解決手段】冷却媒体を内部に流通させる一対の冷却管3の間に、半導体素子を内蔵した半導体モジュール2を複数個、互いの間に間隙部11を設けながら並列配置してなる半導体冷却構造1。一対の冷却管3を半導体モジュール2に押圧するための挟圧手段4が、各半導体モジュール2ごとに個別に配設してある。一対の冷却管3のうちの少なくとも一方は、隣り合う半導体モジュール2の間の間隙部11に対向する部分に、挟圧手段4の加圧力によって変形可能な可変形部31を設けてなる。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールの両面に冷却管を配置した半導体冷却構造に関する。
半導体素子を内蔵した半導体モジュールを一対の冷却管の間に複数個並列配置した半導体冷却構造がある(特許文献1)。この半導体冷却構造においては、複数の冷却管を積層配置すると共に、隣り合う冷却管の間に半導体モジュールを2個ずつ並列配置している。また、積層配置された冷却管と半導体モジュールとは、積層方向の両端に配置される一対の押圧板によって積層方向に押圧されることにより、互いに加圧された状態で密着するよう構成されている。
特開2004−214623号公報(図10)
しかしながら、上記の構成では、隣り合う一対の冷却管の間に並列配置された複数の半導体モジュールの間に厚みの差が生じている場合、これらの半導体モジュールのすべてに対して同じような加圧力にて冷却管を密着させることが困難となる。
その結果、半導体モジュールと冷却管との間の熱抵抗にばらつきが生じ、複数の半導体モジュールを充分に冷却することが困難となるおそれがある。
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、半導体モジュールと冷却管との間の熱抵抗のばらつきを抑制した冷却効率に優れた半導体冷却構造を提供しようとするものである。
本発明は、冷却媒体を内部に流通させる一対の冷却管の間に、半導体素子を内蔵した半導体モジュールを複数個、互いの間に間隙部を設けながら並列配置してなる半導体冷却構造であって、
上記一対の冷却管を上記半導体モジュールに押圧するための挟圧手段が、各上記半導体モジュールごとに個別に配設してあり、
上記一対の冷却管のうちの少なくとも一方は、隣り合う上記半導体モジュールの間の上記間隙部に対向する部分に、上記挟圧手段の加圧力によって変形可能な可変形部を設けてなることを特徴とする半導体冷却構造にある(請求項1)。
次に、本発明の作用効果につき説明する。
上記半導体冷却構造においては、上記挟圧手段が、各上記半導体モジュールごとに個別に配設してある。そして、一対の冷却管のうちの少なくとも一方は、隣り合う上記半導体モジュールの間の上記間隙部に対向する部分に、上記可変形部を設けてなる。これにより、一対の冷却管の間に配置された複数の半導体モジュールが互いの厚みに差を生じていても、これらの半導体モジュールに対して同等の加圧力にて冷却管を密着させることができる。
すなわち、上記冷却管が上記可変形部を設けていることによって、可変形部の両側の部分は、互いに拘束されることなく各半導体モジュール側へ個別に移動することが可能となる。そして、各半導体モジュールに対応して設けられた個々の上記挟圧手段によって、冷却管における各半導体モジュールに対向配置された部分を、個別に半導体モジュールに向かって押圧することができる。その結果、冷却管における各半導体モジュールに対向する部分は、半導体モジュールの厚みに差が生じていても、それぞれの半導体モジュールに対して充分な押圧力にて密着させ、半導体モジュールと冷却管との間の熱抵抗を充分に低減することができる。
それゆえ、半導体モジュールに厚みばらつきが生じていても、半導体モジュールごとに冷却ばらつきが生じることを抑制し、冷却効率を向上させることができる。
以上のごとく、本発明によれば、半導体モジュールと冷却管との間の熱抵抗のばらつきを抑制した冷却効率に優れた半導体冷却構造を提供することができる。
本発明において、上記半導体モジュールは、上記半導体素子を1個内蔵していてもよいし、複数個内蔵していてもよい。
また、上記半導体冷却構造は、たとえば、インバータ等の電力変換装置の一部を構成する構造とすることができる。
また、上記可変形部は、上記一対の冷却管の一方のみに形成されていてもよく、双方に形成されていてもよい。
また、上記可変形部は、塑性変形可能に構成されていることが好ましい(請求項2)。
この場合には、上記挟圧部材の加圧力によって、冷却管を充分に半導体モジュールへ押圧することができる。すなわち、上記可変形部が弾性変形する場合には、上記挟圧部材の加圧力に対する反力が作用する。それゆえ、冷却管と半導体モジュールとの間の加圧力を充分に確保するためには、その反力を考慮して挟圧部材の加圧力を大きくする必要がある。これに対して、上記可変形部が塑性変形可能であれば、上記挟圧部材の加圧力は比較的小さくしても、充分に冷却管と半導体モジュールとの間の押圧力を確保することができる。
また、上記冷却管は、上記半導体モジュールを密着配置させた部分における冷媒流路にインナーフィンを設け、上記可変形部における冷媒流路には上記インナーフィンを設けていないことが好ましい(請求項3)。
この場合には、冷却媒体の圧力損失を抑制しつつ、半導体モジュールの冷却効率を向上させることができる。また、上記インナーフィンが可変形部の変形を妨げることもない。
また、上記可変形部は、上記冷却管における他の部位よりも変形しやすい部位であることが好ましい(請求項4)。
この場合には、上記可変形部において局部的に、すなわち冷却管における隣り合う半導体モジュールの間の間隙部に対向する部分において局部的に冷却管を変形させやすくなる。それゆえ、その他の部位における余分な変形を防ぐことができる。
また、上記可変形部は、蛇腹形状を有していることが好ましい(請求項5)。
この場合には、上記可変形部を容易に変形しやすくすることができる。また、冷却管の内部を流れる冷却媒体が、上記可変形部の内側において、その流れに乱れを生じることとなる。その結果、冷却媒体が流れ方向に直交する方向に混合され、その下流側における冷媒流路内の温度分布を抑制することができ、半導体モジュールの冷却効率を向上させることができる。
(実施例1)
本発明の実施例に係る半導体冷却構造につき、図1〜図3を用いて説明する。
本例の半導体冷却構造1は、冷却媒体を内部に流通させる一対の冷却管3の間に、半導体素子21を内蔵した半導体モジュール2を複数個、互いの間に間隙部11を設けながら並列配置してなる。
そして、図1に示すごとく、上記一対の冷却管21を半導体モジュール2に押圧するための挟圧手段4が、各半導体モジュール2ごとに個別に配設してある。なお、図2、図3においては、挟圧手段4の記載を省略してある。
一対の冷却管3のうちの少なくとも一方は、隣り合う半導体モジュール2の間の間隙部11に対向する部分に、挟圧手段4の加圧力によって変形可能な可変形部31を設けてなる。
可変形部31は、塑性変形可能に構成されている。すなわち、冷却管3のうち少なくとも可変形部31は、塑性材料によって構成されている。
また、冷却管3は、図2、図3に示すごとく、半導体モジュール2を密着配置させた部分における冷媒流路にインナーフィン32を設けている。一方、可変形部31における冷媒流路にはインナーフィン32を設けていない。これにより、可変形部31は、冷却管3における他の部位よりも変形しやすい部位となる。
図3に示すごとく、冷却管3は、例えばアルミニウム等の熱伝導性の高い金属板を加工することによって形成された一対の外殻部33を重ね合わせることにより形成されている。そして、一対の外殻部33の内側に、同じく例えばアルミニウム等の熱伝導性の高い金属板を加工することによって波型に形成されたインナーフィン32が、部分的に配設されている。この波型のインナーフィン32は、一対の外殻部33の双方に対して内側から当接した状態で配設されている。これにより、冷却管3のうち、インナーフィン32を設けた部分の強度を向上させている。そして、上記のごとく、インナーフィン32は、可変形部31以外の部分に設けているため(図2参照)、可変形部31は、冷却管3における他の部位よりも変形しやすい部位となる。
図1に示すごとく、挟圧手段4は、冷却管3における半導体モジュール2と反対側の面に配された一対の押圧板41と、一対の押圧板41をその端部において貫通する複数のスルーボルト42と、該スルーボルト42に螺合するナット43とからなる。そして、挟圧手段4は、スルーボルト42とナット43とによって、一対の押圧板41を互いに近づける方向に締め付けることによって、一対の冷却管3を半導体モジュール2に押圧させる。
このようにして、複数の半導体モジュール2に対してそれぞれ設けられた複数の挟圧手段4によって、それぞれの半導体モジュール2に冷却管3を押圧して密着させる。このとき、各半導体モジュール2への冷却管3の加圧力は、複数の半導体モジュール2において均等になるようにする。すなわち、上記複数の挟圧手段の加圧力を同等にする。
なお、図3に示すごとく、半導体モジュール2は、半導体素子21と、該半導体素子21の両主面に半田22を介して接合された放熱板23とを樹脂によってモールドしてある。一対の放熱板23は、一対の電極端子24にそれぞれ電気的に接続されていると共に、半導体モジュール2の両主面に露出している。電極端子24は、半導体モジュール2における一方の端面から突出しており、その反対側の端面からは、半導体素子21を制御する制御回路に接続するための信号端子25が突出している。
半導体モジュール2と冷却管3との間には、熱伝導性に優れた絶縁材12が介在している。すなわち、半導体モジュール2の主面には、電極端子24に電気的に接続された放熱板23が露出しているため、この放熱板23と冷却管3との間の電気的絶縁を確保すべく、上記絶縁材12が介設されている。
また、図1に示すごとく、一対の冷却管3は、長手方向の両端部において、互いの冷媒流路を連結する連結管34によって互いに連結されている。そして、一方の冷却管3における長手方向の両端部には、冷却媒体を導入する冷媒導入管351と、冷却媒体を排出する冷媒排出管352とがそれぞれ配設されている。連結管34は、例えば蛇腹パイプ状とするなど、一対の冷却管3の積層方向に伸縮可能に構成されている。
次に、本例の作用効果につき説明する。
上記半導体冷却構造1においては、挟圧手段4が、各半導体モジュール2ごとに個別に配設してある。そして、一対の冷却管3のうちの少なくとも一方は、隣り合う半導体モジュール2の間の間隙部11に対向する部分に、可変形部31を設けてなる。これにより、一対の冷却管3の間に配置された複数の半導体モジュール2が互いの厚みに差を生じていても、これらの半導体モジュール2に対して同等の加圧力にて冷却管3を密着させることができる。
すなわち、冷却管3が可変形部31を設けていることによって、可変形部31の両側の部分は、互いに拘束されることなく各半導体モジュール2側へ個別に移動することが可能となる。そして、各半導体モジュール2に対応して設けられた個々の挟圧手段4によって、冷却管3における各半導体モジュール2に対向配置された部分を、個別に半導体モジュール2に向かって押圧することができる。その結果、冷却管3における各半導体モジュール2に対向する部分は、半導体モジュール2の厚みに差が生じていても、それぞれの半導体モジュール2に対して充分な押圧力にて密着させ、半導体モジュール2と冷却管3との間の熱抵抗を充分に低減することができる。
それゆえ、半導体モジュール2に厚みばらつきが生じていても、半導体モジュール2ごとに冷却ばらつきが生じることを抑制し、冷却効率を向上させることができる。
また、可変形部31は、塑性変形可能に構成されているため、挟圧部材4の加圧力によって、冷却管3を充分に半導体モジュール2へ押圧することができる。すなわち、可変形部31が弾性変形する場合には、挟圧部材4の加圧力に対する反力が作用する。それゆえ、冷却管31と半導体モジュール2との間の加圧力を充分に確保するためには、その反力を考慮して挟圧部材4の加圧力を大きくする必要がある。これに対して、可変形部31が塑性変形可能であれば、挟圧部材4の加圧力は比較的小さくしても、充分に冷却管3と半導体モジュール2との間の押圧力を確保することができる。
また、冷却管3は、半導体モジュール2を密着配置させた部分における冷媒流路にインナーフィン32を設け、可変形部31における冷媒流路にはインナーフィン32を設けていない。これにより、冷却媒体の圧力損失を抑制しつつ、半導体モジュール2の冷却効率を向上させることができる。また、インナーフィン32が可変形部31の変形を妨げることもない。
また、可変形部31は、冷却管3における他の部位よりも変形しやすいため、可変形部31において局部的に、すなわち冷却管3における隣り合う半導体モジュール2の間の間隙部11に対向する部分において局部的に冷却管3を変形させやすくなる。それゆえ、その他の部位における余分な変形を防ぐことができる。
以上のごとく、本例によれば、半導体モジュールと冷却管との間の熱抵抗のばらつきを抑制した冷却効率に優れた半導体冷却構造を提供することができる。
(実施例2)
本例は、図4に示すごとく、可変形部31を蛇腹形状とした例である。
すなわち、冷却管3における可変形部31となる部分において、外殻管33(図3参照)を波型に形成してある。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、可変形部31を容易に変形しやすくすることができる。また、冷却管3の内部を流れる冷却媒体が、可変形部31の内側において、その流れに乱れを生じることとなる。その結果、冷却媒体が流れ方向に直交する方向に混合され、その下流側における冷媒流路内の温度分布を抑制することができ、半導体モジュール2の冷却効率を向上させることができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
(実施例3)
本例は、図5に示すごとく、バネ部材44を有する挟圧手段4を用いた半導体冷却構造1の例である。
すなわち、各挟圧手段4の一対の押圧板41における半導体モジュール2側とは反対側の面に、バネ部材44を配置すると共に、該バネ部材44を、押圧板41との間に挟み込む支承板45を配設する。そして、この支承板45と一対の押圧板41とを貫通するように、スルーボルト42が設けられ、ナット43に螺合している。
具体的には、支承板45、バネ部材44、押圧板41、冷却管3、半導体モジュール2、冷却管3、押圧板41の順で積層された状態とし、これらの積層方向の両端に配される支承板45と押圧板41とを、複数のスルーボルト42及びナット43によって挟み込んでいる。
上記バネ部材44は、板バネからなり、上記積層方向に広がる方向の付勢力を付与された状態で、支承板45と押圧板41との間に介設されている。
その他は、実施例1と同様である。
本例の場合には、上記バネ部材44の付勢力によって、冷却管3を半導体モジュール2に押圧することができる。それゆえ、冷却管3と半導体モジュール2との間の加圧力を調整しやすく、複数の半導体モジュール2に対する冷却管3の加圧力のばらつきを、一層低減することができ、熱抵抗のばらつきを一層抑制することができる。
その他、実施例1と同様の作用効果を有する。
上記各実施例においては、一対の冷却管3の間に3個の半導体モジュール2を配置した例を示したが、一対の冷却管3の間に配置する半導体モジュール2は、2個であってもよいし、4個以上であってもよい。
なお、上記可変形部31は、一対の冷却管3の一方のみに形成されていてもよく、双方に形成されていてもよい。
また、可変形部31は、構造的に他の部位よりも変形しやすくすることができる他、例えば、他の部位よりも板厚を薄くしたり、他の部位よりも変形しやすい材料を用いたりすることにより、変形しやすくすることもできる。
実施例1における、半導体冷却構造の平面説明図。 実施例1における、半導体冷却構造の正面説明図。 実施例1における、半導体冷却構造の断面説明図。 実施例2における、半導体冷却構造の正面説明図。 実施例3における、半導体冷却構造の平面説明図。
符号の説明
1 半導体冷却構造
11 間隙部
2 半導体モジュール
21 半導体素子
3 冷却管
31 可変形部
4 挟圧手段

Claims (5)

  1. 冷却媒体を内部に流通させる一対の冷却管の間に、半導体素子を内蔵した半導体モジュールを複数個、互いの間に間隙部を設けながら並列配置してなる半導体冷却構造であって、
    上記一対の冷却管を上記半導体モジュールに押圧するための挟圧手段が、各上記半導体モジュールごとに個別に配設してあり、
    上記一対の冷却管のうちの少なくとも一方は、隣り合う上記半導体モジュールの間の上記間隙部に対向する部分に、上記挟圧手段の加圧力によって変形可能な可変形部を設けてなることを特徴とする半導体冷却構造。
  2. 請求項1において、上記可変形部は、塑性変形可能に構成されていることを特徴とする半導体冷却構造。
  3. 請求項1又は2において、上記冷却管は、上記半導体モジュールを密着配置させた部分における冷媒流路にインナーフィンを設け、上記可変形部における冷媒流路には上記インナーフィンを設けていないことを特徴とする半導体冷却構造。
  4. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記可変形部は、上記冷却管における他の部位よりも変形しやすい部位であることを特徴とする半導体冷却構造。
  5. 請求項4において、上記可変形部は、蛇腹形状を有していることを特徴とする半導体冷却構造。
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