WO2023166635A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2023166635A1
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佑輔 高木
裕二朗 金子
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日立Astemo株式会社
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs

Definitions

  • Patent Document 1 a power module including a laminate of a semiconductor device including a semiconductor element and a cooler is sandwiched between a pair of holding members having curved portions, and the laminate is formed by a reaction force of elastic deformation of the curved portions. is disclosed in which pressure is applied in the stacking direction.
  • the clamping members are fixed by fixing members on both sides of the direction perpendicular to the stacking direction of the laminate and in the direction in which the terminals are not pulled out.
  • the clamping member has two curved portions between three base portions, and the curved portions are elastically deformed by urging the base portions at both ends toward the cooler by the fixing portions.
  • the central base that connects the curved portions is not biased toward the cooler by the fixing portion, so there is a risk that the curved portions will not be elastically deformed sufficiently. That is, the earthquake resistance in holding the cooler was insufficient.
  • a semiconductor device comprises: one or more semiconductor modules arranged in a line; and a pair of cooling members arranged to sandwich the one or more semiconductor modules arranged in a line and cooling the semiconductor modules.
  • a pair of clamping members arranged opposite to the side of the pair of cooling members facing the semiconductor module, and a connecting portion that connects the pair of clamping members to each other and presses them against the cooling members that face each other;
  • at least one of the pair of clamping members includes a plurality of support portions disposed facing each other between both ends of the one or more semiconductor modules arranged in a line and between the semiconductor modules, and a plurality of the support portions. and a spring portion extending in the direction in which the semiconductor modules are arranged and abutting against the cooling member.
  • earthquake resistance can be improved.
  • FIG. 1 is a circuit diagram illustrating the circuit configuration of a semiconductor module provided in a semiconductor device.
  • FIG. 2 is an external perspective view of a semiconductor module.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
  • FIG. 4 is an external perspective view of a semiconductor device.
  • FIG. 5 is an exploded perspective view of the semiconductor device.
  • 6 is a cross-sectional view showing a part of the B cross section of FIG. 5.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 6.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG.
  • FIG. 9 is a diagram showing the procedure for assembling the cooling unit.
  • 10A and 10B are diagrams for explaining attachment of the connecting member in the procedure for assembling the cooling unit.
  • FIG. FIG. 11 is a diagram showing Modification 1, and is a perspective view of a semiconductor device.
  • 12 is a sectional view showing the E section of FIG. 11.
  • FIG. FIG. 13 is a diagram showing Modification 2, and is a perspective view of a semiconductor device.
  • FIG. 1 is a circuit diagram for explaining the circuit configuration of a semiconductor module 300 provided in a semiconductor device.
  • the semiconductor device of the present embodiment is provided, for example, in an inverter circuit of a power conversion device mounted on an electric vehicle, a hybrid vehicle, or the like.
  • a power conversion device performs power conversion between a DC power supply and a motor generator for vehicle running (for example, a three-phase AC rotating electric machine).
  • a power converter includes a smoothing capacitor and an inverter circuit that is a power converter.
  • the inverter circuit converts the input DC power into a three-phase AC power of a predetermined frequency, and outputs it to the motor generator.
  • the inverter circuit includes, for example, semiconductor modules for three phases.
  • FIG. 1 shows a circuit diagram of a semiconductor module 300 for one phase.
  • the circuit of the semiconductor module 300 is composed of an upper arm 300U and a lower arm 300L that are connected in series.
  • Upper arm 300U includes power semiconductor element 321U and diode 322U.
  • Lower arm 300L includes power semiconductor element 321L and diode 322L.
  • the power semiconductor elements 321U and 321L are composed of, for example, insulated gate bipolar transistors (IGBT) or FETs.
  • Power semiconductor element 321U of upper arm 300U is on/off controlled by a control signal input to upper arm control terminal 314 .
  • the power semiconductor element 321L of the lower arm 300L is on/off controlled by a control signal input to the lower arm control terminal 315.
  • the external connection P terminal 311 of the upper arm 300U is connected to the high potential power line of the DC power supply, and the external connection N terminal 312 of the lower arm 300L is connected to the low potential power line of the DC power supply.
  • An external connection AC terminal 313 is provided at a connection point between the upper arm 300U and the lower arm 300L, and an alternating current is output from the external connection AC terminal 313 to an external device (for example, a motor).
  • a capacitor or the like is connected to the DC power supply line in parallel with the upper and lower arms 300U and 300L.
  • FIG. 2 is an external perspective view of the semiconductor module 300.
  • FIG. Power semiconductor elements 321U and 321L and diodes 322U and 322L of semiconductor module 300 are sealed with sealing resin 330 made of an electrically insulating material.
  • External connection P terminal 311 , external connection N terminal 312 , external connection AC terminal 313 , upper arm control terminal 314 and lower arm control terminal 315 are exposed from sealing resin 330 .
  • Heat conductive members 350 are provided on both sides of the semiconductor module 300, which is a circuit mold body.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view along line AA in FIG.
  • Main surfaces of power semiconductor elements 321U, 321L and diodes 322U, 322L are bonded to heat sink 341 via bonding material 345 .
  • the surfaces of the power semiconductor elements 321U, 321L and the diodes 322U, 322L opposite to the main surfaces are bonded to the heat sink 342 via the bonding material 346 .
  • Solder or sintered material is used for the bonding materials 345 and 346 .
  • the heat sinks 341 and 342 are made of metal such as copper or aluminum, or an insulating substrate having copper wiring.
  • the sealing resin 330 seals the power semiconductor elements 321U, 321L, the diodes 322U, 322L, the radiator plates 341, 342, and the bonding materials 345, 346.
  • a heat dissipation surface 343 is provided on the opposite side of the surface of the heat dissipation plate 341 that is joined to the bonding material 345 .
  • a heat dissipation surface 344 is provided on the opposite side of the surface of the heat dissipation plate 342 that is joined to the bonding material 346 .
  • the heat dissipation surfaces 343 and 344 are exposed from the sealing resin 330 .
  • a heat conducting member 350 is provided in close contact with each of the heat dissipation surfaces 343 and 344 .
  • a resin, ceramic, or the like having insulation performance is used for the heat conducting member 350 .
  • the heat conducting member 350 When ceramic is used for the heat conducting member 350, it is brought into close contact with heat radiating surfaces 343, 344 of the circuit mold body and cooling members 110, 210, which will be described later, via grease or the like. Also, although illustration is omitted, grease is used as the heat conducting member 350 in the case of a configuration in which an insulating substrate or a resin insulating member is provided in close contact with the heat sinks 341 and 342 . Heat generated in the semiconductor module 300 is radiated to the cooling members 110 and 210 via the heat conducting member 350 .
  • FIG. 4 is an external perspective view of the semiconductor device 100.
  • FIG. FIG. 5 is an exploded perspective view of the semiconductor device 100.
  • the cooling unit includes a pair of cooling members 110 and 210 , a pair of clamping members 410 and 420 and a plurality of connecting members 430 .
  • the semiconductor device 100 shown in FIG. 4 includes the semiconductor modules 300 for three phases, but may be configured to include only one phase, for example.
  • the cooling members 110 and 210 are arranged so as to sandwich the plurality of semiconductor modules 300 arranged in the x direction from both front and back sides in the z direction. As will be described later, inside the cooling members 110 and 210, channels are formed through which a coolant flows. Although illustration is omitted, the cooling members 110 and 210 are provided with inlets and outlets for the coolant, and the coolant is supplied from the outside. As shown in FIG. 5 , flow path connection portions 111 connected to flow path connection portions 211 of the cooling member 210 are provided on surfaces facing the cooling member 120 on both end sides of the cooling member 110 . By connecting the flow path connection portion 111 and the flow path connection portion 211, the flow path in the cooling member 110 and the flow path in the cooling member 210 communicate with each other. A flange 270 for connecting to a case (not shown) that supplies a coolant is provided on the lower surface of the cooling member 210 in the figure. Mounting holes 272 are formed in the flange 270 for passing fastening members such as screws.
  • a semiconductor device 100A includes a plurality of semiconductor modules 300 arranged in a row and a plurality of semiconductor modules 300 arranged in a row, which are arranged so as to sandwich the semiconductor modules 300.
  • a pair of cooling members 110 and 210 to be cooled, a pair of sandwiching members 410 and 420A arranged opposite to the side of the pair of cooling members 110 and 210 facing the semiconductor module, and a pair of sandwiching members 410 and 420A are arranged to face each other.
  • a plurality of connecting members 440 as connecting portions that connect and press them against the cooling members 110 and 210 facing each other.
  • the holding member 410 which is one of the pair of holding members 410 and 420A, includes a plurality of supporting portions 411 arranged facing each other between both ends of the plurality of semiconductor modules 300 arranged in a row and between the semiconductor modules 300, and Spring portions 412 and 413 extend from each of the plurality of support portions 411 in the arrangement direction (x direction) of the semiconductor modules 300 and abut on the cooling member 110 .
  • the supporting portion 411 and the holding member 420A are connected.
  • a connection member 440 for pressing the support portion 411 against the cooling member 110 is provided for each of the support portions 411 on which the spring portions 412 and 413 are formed. Therefore, by pressing the support portions 411 that receive the reaction force from the spring portions 412 and 413 with the connecting member 440, the pressing force due to the elastic deformation of the spring portions 412 and 413 can be increased. As a result, the holding of the cooling members 110 and 210 can be improved in earthquake resistance.
  • the spring portions 412 extend from the support portions 411 disposed facing each other at both ends of the plurality of semiconductor modules 300 and between the semiconductor modules 300 in the arrangement direction (x direction) of the semiconductor modules 300 . ).
  • a spring portion 412 extending from the support portion 411 abuts on a region of the cooling member 110 facing each semiconductor module 300 and presses the region toward the semiconductor module 300 .
  • the cooling member 110 is evenly pressed against each semiconductor module 300, and each semiconductor module 300 is cooled more effectively.
  • a plurality of semiconductor modules 300 are provided in the semiconductor device, but the present invention can also be applied to one semiconductor module 300 as described above.
  • (C2) In the above (C1), as shown in FIGS. a plurality of support portions 411 and 421 respectively arranged as pillars, and spring portions extending from each of the plurality of support portions 411 and 421 in the arrangement direction (x direction) of the semiconductor modules 300 and abutting on the cooling members 110 and 210 412, 413, 422, and each connecting member 430 connects the supporting portions 411, 421 of the pair of holding members 410, 420 facing each other. As a result, both cooling members 110 and 210 can be pressed more uniformly against each semiconductor module 300 .
  • the support portions 411 and 421 extend in the y-direction orthogonal to the module arrangement direction, and the support portion 411 provided on the holding member 410 extends.
  • a connecting member 430 connects one end in the direction and the opposite end of the supporting portion 421 provided on the holding member 420 to the other end in the extending direction of the supporting portion 411 provided on the holding member 410 .
  • the other end of the supporting portion 421 provided on the holding member 420 and the opposing end are connected by another connecting member 430 .
  • both ends of the supporting portions 411 and 421 in the extending direction are connected by the connecting member 430, the bending of the supporting portions 411 and 421 due to the reaction force of the spring portion is suppressed, and the pressing force is strengthened and equalized. can be done.
  • the connecting member 430 is formed separately from the pair of holding members 410 and 420, as shown in FIGS. By forming the connecting member 430 as a separate member, the connecting portion does not interfere with other members during the assembly work unlike the case where the connecting member is integrated, and workability is excellent.
  • the rigidity of the connecting member 430 is higher than the rigidity of the supporting portions 411 and 421 provided in the holding members 410 and 420 .
  • the plate thickness t1 of the connecting member 430 is made thicker than the plate thicknesses t2 and t3 of the clamping members 410 and 420 . Since the reaction force of the spring portions 412 , 413 , 422 is applied to the connecting member 430 via the support portions 411 , 421 , by increasing the rigidity of the connecting member 430 , the cooling member 110 by the spring portions 412 , 413 , 422 , 210 can be made larger.
  • the cooling member 110 has a flow path 114 and a flow path connecting portion 111 provided at a position facing the cooling member 210,
  • the cooling member 210 has a channel connection portion 211 formed with a channel 214 and connected to the channel connection portion 111, and the sandwiching member in the region where the channel connection portion 111 of the cooling member 110 is provided.
  • the opposing surface (cover 113) is in contact with the opposing spring portion 413 of the sandwiching member 410. As shown in FIG.

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Abstract

半導体装置は、一列に配列された1以上の半導体モジュールと、それらの半導体モジュールを挟むように配置されて該半導体モジュールを冷却する一対の冷却部材と、一対の冷却部材の半導体モジュール対向側とは反対側に対向配置される一対の挟持部材と、一対の挟持部材を互いに連結してそれらを対向する冷却部材にそれぞれ押圧する連結部と、を備え、一対の挟持部材の少なくとも一方は、配列された半導体モジュールの両端および半導体モジュール間に相対してそれぞれ配置される複数の支持部、および、複数の支持部の各々から半導体モジュールの配列方向に伸延して冷却部材に当接するバネ部を有し、連結部は、一方の挟持部材に設けられた支持部と他方の挟持部材とを連結する。

Description

半導体装置
 本発明は、半導体モジュールを備える半導体装置に関する。
 特許文献1には、半導体素子を含む半導体装置と冷却器との積層体を備えたパワーモジュールを、湾曲部を有する一対の挟持部材で挟持して、湾曲部の弾性変形の反力により積層体を積層方向に加圧する構成が開示されている。
日本国特開2021-005603号公報
 特許文献1の技術では、積層体の積層方向に直交する方向であって、端子が引き出されていない方向の両側において、挟持部材同士を固定部材で固定している。挟持部材は3つの基部の間に2つの湾曲部を有し、両端の基部を固定部により冷却器の方向に付勢することで湾曲部が弾性変形する。しかしながら、3つの基部の内、湾曲部同士を繋ぐ中央に位置する基部は固定部により冷却器の方向に付勢されていないので、湾曲部の弾性変形が十分に行えないおそれがあった。すなわち、冷却器保持における耐震性が不十分であった。
 本発明の態様による半導体装置は、一列に配列された1以上の半導体モジュールと、一列に配列された1以上の前記半導体モジュールを挟むように配置されて該半導体モジュールを冷却する一対の冷却部材と、一対の前記冷却部材の半導体モジュール対向側とは反対側に対向配置される一対の挟持部材と、一対の前記挟持部材を互いに連結してそれらを対向する前記冷却部材にそれぞれ押圧する連結部と、を備え、一対の前記挟持部材の少なくとも一方は、一列に配列された1以上の前記半導体モジュールの両端および半導体モジュール間に相対してそれぞれ配置される複数の支持部、および、複数の前記支持部の各々から前記半導体モジュールの配列方向に伸延して前記冷却部材に当接するバネ部を有し、前記連結部は、前記一方の挟持部材に設けられた前記支持部と他方の前記挟持部材とを連結する。
 本発明によれば、耐震性の向上を図ることができる。
図1は、半導体装置に設けられる半導体モジュールの回路構成を説明する回路図である。 図2は、半導体モジュールの外観斜視図である。 図3は、図2のA-A断面図である。 図4は、半導体装置の外観斜視図である。 図5は、半導体装置の分解斜視図である。 図6は、図5のB断面の一部を示す断面図である。 図7は、図6のC-C断面図である。 図8は、図6のD-D断面図である。 図9は、冷却ユニットの組立手順を示す図である。 図10は、冷却ユニットの組立手順における連結部材の装着を説明する図である。 図11は、変形例1を示す図であり、半導体装置の斜視図である。 図12は、図11のE断面を示す断面図である。 図13は、変形例2を示す図であり、半導体装置の斜視図である。
 以下、図面を参照して本発明に係る半導体装置の実施の形態について説明する。以下の記載および図面は、本発明を説明するための例示であって、説明の明確化のため、適宜、省略および簡略化がなされている。また、以下の説明では、同一または類似の要素および処理には同一の符号を付し、重複説明を省略する場合がある。なお、以下に記載する内容はあくまでも本発明の実施の形態の一例を示すものであって、本発明は下記の実施の形態に限定されるものではなく、他の種々の形態でも実施する事が可能である。
 図1は、半導体装置に設けられる半導体モジュール300の回路構成を説明する回路図である。本実施の形態の半導体装置は、例えば、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載される電力変換装置のインバータ回路に設けられる。電力変換装置は、直流電源と車両走行用のモータジェネレータ(例えば、三相交流方式の回転電機)との間で電力変換を行う。電力変換装置は、平滑コンデンサと電力変換器であるインバータ回路とを備えている。インバータ回路は、入力された直流電力を所定周波数の三相交流に変換し、モータジェネレータに出力する。インバータ回路は、例えば、三相分の半導体モジュールを備えている。図1は、一相分の半導体モジュール300の回路図を示したものである。
 半導体モジュール300の回路は、直列接続された上アーム300Uおよび下アーム300Lで構成される。上アーム300Uは、パワー半導体素子321Uおよびダイオード322Uを備える。下アーム300Lは、パワー半導体素子321Lおよびダイオード322Lを備える。パワー半導体素子321U,321Lは、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やFETなどで構成される。上アーム300Uのパワー半導体素子321Uは、上アーム制御端子314に入力される制御信号によりオンオフ制御される。同様に、下アーム300Lのパワー半導体素子321Lは、下アーム制御端子315に入力される制御信号によりオンオフ制御される。
 上アーム300Uの外部接続P端子311は直流電源の高電位電源ラインに接続され、下アーム300Lの外部接続N端子312は直流電源の低電位電源ラインに接続される。上アーム300Uと下アーム300Lとの接続点には外部接続AC端子313が設けられ、外部接続AC端子313から外部機器(例えば、モータ)に交流の電流を出力する。直流電源ラインには、上下アーム300U,300Lと並列にコンデンサなどが接続される。
 図2は、半導体モジュール300の外観斜視図である。半導体モジュール300のパワー半導体素子321U,321Lおよびダイオード322U,322L等は、電気的絶縁材料で形成される封止樹脂330で封止されている。外部接続P端子311、外部接続N端子312、外部接続AC端子313、上アーム制御端子314および下アーム制御端子315は、封止樹脂330から露出している。回路モールド体である半導体モジュール300の両面には、熱伝導部材350がそれぞれ設けられる。
 図3は、図2のA-A断面図である。パワー半導体素子321U,321Lおよびダイオード322U,322Lは、それらの主面が接合材345を介して放熱板341に接合される。パワー半導体素子321U,321Lおよびダイオード322U,322Lの主面と反対側の面は、接合材346を介して放熱板342に接合される。接合材345,346には、はんだや焼結材が用いられる。放熱板341,342は、銅やアルミなどの金属、もしくは銅配線を有する絶縁基板などが用いられる。封止樹脂330は、パワー半導体素子321U,321Lおよびダイオード322U,322Lと、放熱板341,342と、接合材345,346とを封止する。
 放熱板341の接合材345と接合している面の反対側には、放熱面343が設けられている。放熱板342の接合材346と接合している面の反対側には、放熱面344が設けられている。放熱面343,344は、封止樹脂330から露出している。放熱面343および放熱面344のそれぞれには、熱伝導部材350が密着して設けられている。熱伝導部材350には、絶縁性能を持った樹脂またはセラミック等が用いられる。熱伝導部材350にセラミックを用いる場合には、回路モールド体の放熱面343,344および後述する冷却部材110,210との間に、グリスなどを介して密着させる。また、図示は省略するが、放熱板341,342に密着して絶縁基板または樹脂絶縁部材が設けられる構成の場合には、熱伝導部材350としてグリスが用いられる。半導体モジュール300で発生した熱は、熱伝導部材350を介して冷却部材110,210に放熱される。
 図4~8を用いて、半導体装置100の全体構成について説明する。図4は、半導体装置100の外観斜視図である。図5は、半導体装置100の分解斜視図である。図5に示すように、半導体装置100おいては、3相インバータ回路を構成する3つの半導体モジュール300がx方向に一列に配列され、半導体モジュール300を冷却するための冷却ユニットが設けられている。冷却ユニットは、一対の冷却部材110,210と、一対の挟持部材410,420と、複数の連結部材430とを備えている。図4に示す半導体装置100では、3相分の半導体モジュール300を備えているが、例えば、1相分だけ備える構成でも良い。
 冷却部材110,210は、x方向に配列された複数の半導体モジュール300をz方向の表裏両側から挟み込むように配置されている。後述するように、冷却部材110,210の内部には、冷媒が流れる流路が形成されている。なお、図示は省略するが、冷却部材110,210には冷媒の出入口が設けられ、外部から冷媒が供給される。図5に示すように、冷却部材110の両端側の冷却部材120に対向する面には、冷却部材210の流路接続部211と接続される流路接続部111が設けられている。流路接続部111と流路接続部211とを接続することにより、冷却部材110内の流路と冷却部材210内の流路とが連通する。冷却部材210の図示下面には、冷媒を供給するケース(不図示)に接続するためのフランジ270が設けられている。フランジ270には、ねじなどの締結部材を通すための取り付け孔272が形成されている。
 図4に示すように、各半導体モジュール300の外部接続P端子311、外部接続N端子312、外部接続AC端子313、上アーム制御端子314および下アーム制御端子315は、半導体モジュール300の配列方向と直交するy方向に引き出されている。冷却部材110を挟んで半導体モジュール300の反対側には、すなわち冷却部材110のz方向プラス側には、冷却部材110と対向するように挟持部材410が配置される。一方、冷却部材210を挟んで半導体モジュール300の反対側には、すなわち冷却部材210のz方向マイナス側には、冷却部材210と対向するように挟持部材420が配置される。
 挟持部材410は、一枚の板部材(例えば、金属板材)から形成され、複数の支持部411と、枠部414と、バネ部412,413とを備えている。y方向に延在する複数の支持部411は、半導体モジュール300の配列方向(x方向)に並んで配置され、かつ、x方向に配列された3つの半導体モジュール300の配列両端およびモジュール間に相対するように配置されている。各支持部411の両端は、x方向に延在する枠部414によって互いに連結されている。各支持部411には、配列方向(x方向)の両端にバネ部412,413が形成されている。バネ部412,413は、支持部411からx方向に伸延して冷却部材110に当接している。なお、バネ部413はモジュール配列の最もx方向マイナス側および最もx方向プラス側に配置された2つの支持部411にのみ設けられている。そして、複数のバネ部412,413の配列において、2つのバネ部413は、モジュール配列の最もx方向マイナス側および最もx方向プラス側に配置されている。
 挟持部材420は、挟持部材410とほぼ同様の構成を有している。すなわち、半導体モジュール300の配列方向(x方向)に複数の支持部421を備え、各支持部421の両端は、x方向に延在する枠部424によって互いに連結されている。支持部421には、x方向に伸延して冷却部材210に当接するバネ部422が形成されている。ただし、挟持部材420のモジュール配列の最もx方向マイナス側および最もx方向プラス側に配置された2つの支持部421には、一つのバネ部412しか形成されていない。もちろん、挟持部材410の支持部411の場合と同様に、2つのバネ部を備える構成としても良い。
 複数の連結部材430は、一対の挟持部材410,420を対向する冷却部材110,210に押圧させる。その結果、複数の半導体モジュール300の表裏両面に冷却部材110,210が押圧されるように保持される。連結部材430は、挟持部材410,420の短手方向(y方向)の側方に配置され、挟持部材410,420の長手方向(x方向)に関してほぼ等間隔で配置されている。
 図6は、図5の面Bで断面したB断面の一部を示す図であり、流路接続部111と流路接続部211とそれに隣接する半導体モジュール300を含む個所の断面図である。3つの半導体モジュール300は図示左右方向(x方向)に並んで配置されており、それらを挟むように冷却部材110,210が上下に配置されている。冷却部材110の図示上側には挟持部材410が配置され、冷却部材210の図示下側には挟持部材420が配置されている。複数の連結部材430を装着することで、挟持部材410,420が、対向する冷却部材110,210に押圧される。
 冷却部材110は、ベース112にカバー113を接合して流路114を形成したものである。冷却部材110の半導体モジュール300に対向する領域には、流路114内にフィン115がそれぞれ設けられている。半導体モジュール300の熱は、モジュール上面に密着するベース112を介して流路114内の冷媒に放出される。流路114内の半導体モジュール300と対向する領域にフィン115を設けたことにより、半導体モジュール300から冷媒への熱伝達がより効果的に行われる。なお、流路接続部111が設けられている領域は冷却が不要であるので、図6のようにフィン115を設けないことで、冷媒の圧力損失の低減を図ることができる。
 ベース112の図示左側の端部領域の下面には、上述した流路接続部111が設けられている。流路接続部111、ベース112、カバー113およびフィン115は、アルミ、アルミ合金または銅、銅合金等で形成され、ロウ付けにより接合される。ロウ付けに代えて、接着剤で接着しても良い。カバー113には、フィン115が設けられていて半導体モジュール300が相対する対向部113bと、対向部113bの両側の領域に設けられた凹部113aとが形成されている。このように、フィン115が設けられていない領域に凹部113aを設けることで、凹部113aの領域では冷却部材110の曲げに対する剛性を、フィン115が設けられている対向部113bの領域に比べて小さくすることができる。
 冷却部材210も冷却部材110と同様の構成を有しており、流路214を形成するベース212およびカバー213を備える。流路214内には複数のフィン215が設けられ、カバー213には凹部213aおよび対向部213bが形成されている。ベース212の図示上面には、冷却部材110の流路接続部111と対向する位置に、流路接続部211が設けられている。シール材400が設けられた流路接続部211は、流路接続部111の内側に水密状態で挿入されている。これにより、冷却部材110の流路114と冷却部材210の流路214とが連通している。カバー213の左右両端の下面にはフランジ270がそれぞれ固定されている(図5参照)。ベース212は半導体モジュール300の図示下面に密着している。冷却部材210の場合も、冷却が不要な流路接続部211が設けられている領域にフィン215が設けられていないので、冷媒の圧力損失の低減を図ることができる。
 冷却部材110の図示上側には挟持部材410が配置され、冷却部材210の図示下側には挟持部材420が配置される。図6においては、挟持部材410に関しては最も図示左側に配置された支持部411とそれに隣接する支持部411が図示されており、挟持部材420に関しては最も図示左側に配置された支持部421が図示されている。最も図示左側に配置された支持部411,421は、一列に配列された複数の半導体モジュール300の左端に相対して配置される支持部である。また、図示右側に隣接する支持部411は、2つの半導体モジュール300のモジュール間に相対して配置される支持部である。
 モジュール配列の左端に相対して配置される支持部411,421において、支持部411には、x方向プラス側に伸延するバネ部412と、x方向マイナス側に伸延するバネ部413とが設けられている。一方、支持部421には、x方向プラス側に伸延するバネ部412のみが形成されている。モジュール配列のモジュール間に相対して配置される支持部411,421には、x方向プラス側およびマイナス側に伸延する一対のバネ部412,422が設けられている。なお、図6では、x方向プラス側に伸延するバネ部412,422については図示を省略した。
 バネ部412はカバー113のフィン115が設けられている部分、すなわち、冷却部材110の半導体モジュール300に相対する位置に当接している。図5,6から分かるように、冷却部材110の半導体モジュール300に相対する領域には、両側の支持部411から伸延する2つのバネ部412が当接している。一方、バネ部413は、流路接続部111が設けられている部分のカバー113に当接している。バネ部412とバネ部413とはバネ定数が異なる。冷却部材210に対向する挟持部材420の場合には、両側の支持部421から伸延する2つのバネ部422が、冷却部材210の半導体モジュール300に相対する領域に当接している。バネ部422のバネ定数は、例えば、バネ部412のバネ定数とほぼ同一に設定されている。
 冷却部材110,210の半導体モジュール300に相対する領域は、バネ部412,413,422の反力により半導体モジュール300に押圧される。このように、挟持部材410,420は、冷却部材110,210の半導体モジュール300に相対する領域毎に、半導体モジュール300の方向へ押圧している。そのため、冷却部材110,210や半導体モジュール300に反りや厚みばらつきがあったとしても、冷却部材110,210の各半導体モジュール相対領域が、反りや厚みばらつきに対応するように各半導体モジュール300に押圧されることになる。すなわち、冷却部材110,210が、偏りなく各半導体モジュール300に押圧される。また、半導体モジュール300は、構成部材の線膨張係数差により発熱時に部材が変形しようとするが、半導体モジュール300毎に押圧力が加わるので変形が抑制され、製品の信頼性を向上することができる。
 また、上述したように、冷却部材110,210において、凹部113a,213aが設けられている領域は対向部113b、213bが設けられている領域に比べて剛性が低く撓みやすい。そのため、複数の半導体モジュール300に厚さや反りのばらつきがあったとしても、凹部113a,213aの領域が撓んで各半導体モジュール300に密着しやすく、冷却性能の向上を図ることができる。
 図6に示すように、図示左側の支持部411からx方向マイナス側に伸延するバネ部413は、流路接続部111が設けられている領域のカバー113に当接している。半導体モジュール300を挟持している冷却部材110,210には、冷媒が流れたときの冷媒の圧力により、冷却部材110,210を半導体モジュール300から引き離すような力が加わる。バネ部413の押圧力は、この引き離す作用を低減することができる。バネ部412でフィン115が設けられた部分を半導体モジュール300に押圧するための押圧力と、バネ部413の押圧力とは設定が異なる。バネ部412,413のバネ定数を異ならせることで、異なる押圧力に容易に対応することができる。
 挟持部材410と挟持部材420とは別体の部材である連結部材430により連結され、それらは連結部材430によって対向する冷却部材110,210へ押圧されている。図7は、図6のC-C断面図である。C-C断面は挟持部材410,420および冷却部材110,210の短手方向(y方向)に断面したものであり、複数の連結部材430は、挟持部材410,420および冷却部材110,210の短手方向の側方に配置されている。連結部材430は、支持部411,421に係合する係合部430aと、それら2つの係合部430aを接続する接続部430bとを備えている。接続部430bの上下両端に設けられた係合部430aは、y方向の側方に位置する接続部430bから挟持部材410,420の方向に延在している。
 2つの係合部430aの支持部411,421に対向する面には、突起431がそれぞれ形成されている。突起431はプレス加工等により形成される。図示上側の係合部430aの突起431は、挟持部材410の支持部411に形成された孔411aに係合する。図示下側の係合部430aの突起431は、挟持部材420の支持部421に形成された孔421aに係合する。なお、孔411a,421aは、突起431が係合可能な凹部であっても良い。このように、突起431が孔411a,421aに係合することにより、連結部材430が挟持部材410,420から脱落するのを防止することができる。
 図8は、図6のD-D断面図である。バネ部413が当接している領域のカバー113の内部には、図7のバネ部412が当接しているカバー領域のようにフィン115が設けられていない。しかし、バネ部413は、図5に示すようにy方向の寸法がバネ部412よりも大きいため、カバー113のz方向に立設する側壁113cの部分にも当接している。そのため、カバー113の変形が側壁113cによって抑制されている。
 図9,10は、挟持部材410,420および連結部材430の組立手順を示す図である。まず、x方向に一列に配列した複数の半導体モジュール300の厚さ方向(図9のz方向)の表裏両面側に、冷却部材110,210を配置して、複数の半導体モジュール300を冷却部材110,210で挟んだ積層状態とする。そして、冷却部材110の図示上側に挟持部材410を配置すると共に、冷却部材210の図示下側に冷却部材420を配置して、図10に示すような積層体Sとする。
 次いで、図10に示すように、一対の押圧治具500を用いて、積層体Sを上下方向に圧縮して、複数の連結部材30を装着する。このとき、挟持部材410,420の支持部411,421が対向する冷却部材110,210の方向に押圧され、支持部411,421に設けられたバネ部412,413,422が弾性変形する。その結果、積層体Sの厚さ寸法a(すなわち、z方向の寸法)が減少する。ここでは、積層体Sの厚さ寸法aが連結部材430の一対の係合部430aの間隔bとほぼ同一またはやや小さくなるように、積層体Sを押圧治具500により圧縮し、図10のように、積層体Sの短手方向の側方から積層体Sを挟むように連結部材430を装着する。
 連結部材430を装着すると、上下2つの係合部430aの突起431が、それぞれ支持部411の孔411aおよび支持部421の孔421aに係合する(図7参照)。その後、治具500を積層体Sから外す。治具500を外すと、弾性変形しているバネ部412,422の反力により、支持部411,421が係合部430aに押し付けられる。その結果、冷却部材110,210が、半導体モジュール300を挟持した状態で保持される。
 なお、連結部材430の剛性は、バネ部412,413,422の反力により変形しないように、バネ部412,413,422が設けられている支持部411,421の剛性よりも高く設定されている。例えば、連結部材430および挟持部材410,420は金属板材により形成されるが、図6に示すように、挟持部材410,420の板厚をt2,t3とした場合、連結部材430の板厚t1はt2,t3よりも厚く設定される。このように、剛性の大きな連結部材430で支持部411,421を押さえることで、バネ部412,413,422による冷却部材110,210への押圧力をより大きくすることができる。その結果、冷却部材110,210の半導体モジュール300に対する押圧力を大きくすることができ、冷却性能に関して信頼性向上を図ることができる。
 上述した実施の形態では、バネ部412が設けられている複数の支持部411およびバネ部422が設けられている複数の支持部421の相対するもの同士を、それぞれ連結部材430で連結している。その結果、冷却部材110,210を半導体モジュール300の方向に押圧するバネ部412,422の押圧力をより大きくすることができ、冷却部材110,210の保持に関して耐震性の向上を図ることができる。
 なお、上述した実施の形態では、半導体装置100は複数の半導体モジュール300を備えているが、半導体モジュール300が一つの場合にも適用することが可能である。図示は省略するが、その場合、挟持部材410,420には、図4,5の半導体モジュール300の端子311等が引き出されるy方向と直交するx方向であって、半導体モジュール300の両側に支持部411,421がそれぞれ配置される。そして、各支持部411にはバネ部412,413が形成され、各支持部421にはバネ部422が形成される。冷却部材110,210においては、対向部113bの両側に一対の凹部113aが設けられ、対向部213bの両側に一対の凹部213aが設けられる構成となる。冷却部材110の対向部113bの領域は、2つのバネ部412により半導体モジュール300に押圧される。同様に、冷却部材210の対向部213bの領域は、2つのバネ部422により半導体モジュール300に押圧される。
(変形例1)
 図11,12は上述した実施の形態の変形例1を示す図である。図11は半導体装置100Aの斜視図であり、図12は図11の面Eで断面した断面図である。変形例1では、挟持部材420に代えて挟持部材420Aが用いられ、連結部材430に代えて連結部材440が用いられている点が、上述した実施の形態と異なる。複数の半導体モジュール300、冷却部材110,210および挟持部材410については、上述した実施の形態の場合と同一構成である。以下では、主に異なる構成について説明する。
 冷却部材210のz方向マイナス側(図12における図示下側)には、挟持部材420Aが固着されている。なお、挟持部材420Aを冷却部材210に固着させずに、単に下側に配設する構成でも良い。挟持部材420Aのx方向両端には、取り付け孔428が設けられたフランジ427がそれぞれ形成されている。連結部材440は、一対の係合部440aおよびそれらを接続する接続部440bを備えている。各係合部440aには、係合用の突起441が形成されている。
 このように、変形例1では、上述した実施の形態における一対のフランジ270と挟持部材420とを一つの挟持部材420Aで兼用し、挟持部材420Aを単なる板状部材としている。言い換えると、変形例1は、挟持部材420を廃止して、両端にフランジ270を有するx方向に延在する板状部材(挟持部材420A)で置き換えた構成と言うことができる。
 連結部材440を装着する場合には、複数の連結部材440を各支持部411に当接させて、押圧治具を用いて全ての連結部材440を図示下方に押圧する。その結果、バネ部412が変形して突起441の傾斜面が420Aのy方向端面に押し当てられ、一対の係合部440aの間隔が拡がる。連結部材440をさらに押し下げると、突起441が挟持部材420Aの下面側に係合する。
 上述のように、変形例1においても、冷却部材110の半導体モジュール300に相対する領域を、挟持部材410のバネ部412で半導体モジュール300にそれぞれ押圧するようにしているので、冷却部材110が半導体モジュール300のそれぞれに適切に押圧される。また、各支持部411が連結部材440の接続部440bによって冷却部材10の方向にそれぞれ押圧されるので、バネ部412の反力による支持部411の変形が防止され、バネ部412による押圧力を大きくすることが可能となる。さらに、変形例1では、一対のフランジ270と複雑な形状の挟持部材420とを、単純な形状の板状部材である挟持部材420Aに置き換えているので、コスト低減を図ることができる。
 なお、図11に示す例において、挟持部材420Aを冷却部材210に固着させないで、挟持部材420Aと冷却部材210との間に図4,5に示した挟持部材420を配置しても良い。また、変形例1の連結部材440は、図4,5に示す実施形態にも適用することができる。すなわち、図4,5において、連結部材430の代わりに図13の連結部材440を使用する。そして、各連結部材440の係合部440aを挟持部材420の短手方向端部に係合させる。その場合、挟持部材420の支持部421の両端を冷却部材110,210の短手方向の外側まで伸延させて、そこに係合部440aを係合させる。
(変形例2)
 図13は、変形例2を示す図であり、半導体装置100Bの斜視図である。変形例2では、連結部材を挟持部材410Aに一体に形成する構成とした。なお、その他の構成は上述した変形例1と同一であり説明を省略する。y方向に延在する支持部411は、破線Rで示すように、その両端が冷却部材110,210の短手方向の外側まで伸延している。各支持部411は、支持部411の延在方向の両端に、z方向に伸延する連結部415がそれぞれ形成されている。連結部415の形状は、変形例1の連結部材440の係合部440aの形状と同一である。挟持部材420A、冷却部材210、複数の半導体モジュール300、冷却部材110および挟持部材410Bを積層し、押圧治具により挟持部材410Bを冷却部材110の方向に押圧すると、各連結部415が挟持部材420Aの短手方向端部に係合する。変形例2では、連結部415と挟持部材410Bとが一体に形成されているので、変形例1と比較して部品点数を少なくすることができ、さらに組立作業性に優れている。
 なお、変形例2の場合において、挟持部材420Aを冷却部材210に固着させないで、挟持部材420Aと冷却部材210との間に図4,5に示した挟持部材420を配置しても良い。また、変形例2の挟持部材410Bは、図4,5に示す実施形態にも適用することができる。すなわち、図4,5において、挟持部材410および連結部材430の代わりに図13の挟持部材410Bを使用する。そして、挟持部材410Bの各連結部415を挟持部材420の短手方向端部に係合させる。その場合、図13の支持部411の場合と同様に、挟持部材420の支持部421の両端を冷却部材110,210の短手方向の外側まで伸延させる。
 以上説明した本発明の実施形態および変形例によれば、以下の作用効果を奏する。
(C1)図11,12に示すように、半導体装置100Aは、一列に配列された複数の半導体モジュール300と、一列に配列された複数の半導体モジュール300を挟むように配置されて半導体モジュール300を冷却する一対の冷却部材110,210と、一対の冷却部材110,210の半導体モジュール対向側とは反対側に対向配置される一対の挟持部材410,420Aと、一対の挟持部材410,420Aを互いに連結してそれらを対向する冷却部材110,210にそれぞれ押圧する連結部としての複数の連結部材440と、を備える。そして、一対の挟持部材410,420Aの一方である挟持部材410は、一列に配列された複数の半導体モジュール300の両端および半導体モジュール300間に相対してそれぞれ配置される複数の支持部411および、複数の支持部411の各々から半導体モジュール300の配列方向(x方向)に伸延して冷却部材110に当接するバネ部412,413を有し、複数の連結部材440は、挟持部材410に設けられた支持部411と他方の挟持部材420Aとを連結する。
 バネ部412,413が形成された支持部411のそれぞれに対して、支持部411を冷却部材110に押圧する連結部材440が設けられている。そのため、バネ部412,413からの反力を受ける各支持部411をそれぞれ連結部材440により押圧することで、バネ部412,413の弾性変形による押圧力を大きくすることが可能となる。その結果、冷却部材110,210の保持に関して耐震性の向上を図ることができる。
 さらに、図11,12に示すように、バネ部412は、複数の半導体モジュール300の両端および半導体モジュール300間に相対してそれぞれ配置される支持部411から、半導体モジュール300の配列方向(x方向)に伸延している。支持部411から伸延するバネ部412は、冷却部材110の各半導体モジュール300に対向する領域に当接し、その領域を半導体モジュール300の方向に押圧することになる。その結果、各半導体モジュール300のそれぞれに対して冷却部材110がより均等に押圧されるようになり、各半導体モジュール300がより効果的に冷却される。
 なお、上述した実施の形態および変形例2,3では、半導体装置に複数の半導体モジュール300が設けられていたが、上述したように一つの半導体モジュール300に対しても適用することができる。
(C2)上記(C1)において、図4,5,6に示すように、一対の挟持部材410,420の各々は、一列に配列された複数の半導体モジュール300の両端および半導体モジュール300間に相対してそれぞれ配置される複数の支持部411,421、および、複数の支持部411,421の各々から半導体モジュール300の配列方向(x方向)に伸延して冷却部材110,210に当接するバネ部412,413,422を有し、各連結部材430は、一対の挟持部材410,420の互いに相対する支持部411,421同士を連結する。その結果、冷却部材110,210の両方を、各半導体モジュール300のそれぞれに対してより均一に押圧することが可能となる。
(C3)上記(C2)において、図4,6に示すように、支持部411は、該支持部411におけるモジュール配列方向であるx方向の両端にバネ部412、413をそれぞれ備える。このようなバネ部412、413が設けられた支持部411をモジュール配列方向に複数備えることで、半導体モジュール300が複数ある場合でも、半導体モジュール300毎にバネ部412による押圧力を加えることができる。その結果、冷却部材110の反りや半導体モジュール300の厚さばらつきがあった場合でも、各半導体モジュールに加えられる押圧力の均一化を図ることができる。
(C4)上記(C2)において、図4~6に示すように、支持部411,421はモジュール配列方向に直交するy方向に延在し、挟持部材410に設けられた支持部411の延在方向の一端と、挟持部材420に設けられた支持部421における前記一端と相対する端部とを連結部材430で連結し、挟持部材410に設けられた支持部411の延在方向の他端と、挟持部材420に設けられた支持部421における前記他端と相対する端部とを他の連結部材430で連結する。支持部411,421の延在方向の両端を連結部材430でそれぞれ連結しているので、バネ部の反力による支持部411,421の撓みが抑制され、押圧力の強化および均等化を図ることができる。
(C5)上記(C4)において、図4~6に示すように、連結部材430は、一対の挟持部材410,420に対して別体で形成されている。連結部材430を別体とすることで、一体の場合のように連結部が組立作業時に他の部材と干渉せず、作業性に優れている。
(C6)上記(C5)において、図7に示すように、連結部材430は、挟持部材410に設けられた支持部411に係合する係合部430aと、挟持部材420に設けられた支持部421に係合する係合部430aと、2つの係合部430aを接続する接続部430bとを備える。このような構成とすることで、係合部430aを挟持部材410,420に係合させることにより、連結部材430を簡単に半導体装置100に装着することができ、組立作業性の向上を図ることができる。
(C7)上記(C5)において、連結部材430の剛性は、挟持部材410,420に設けられた支持部411,421の剛性よりも高い。例えば、図6に示すように、連結部材430の板厚t1を挟持部材410,420の板厚t2,t3よりも厚くする。連結部材430には、バネ部412,413,422の反力が支持部411,421を介して加わるので、連結部材430の剛性を高くすることで、バネ部412,413,422による冷却部材110,210への押圧力をより大きくすることが可能となる。
(C8)上記(C3)において、図6に示すように、冷却部材110は、流路114が形成されると共に、冷却部材210が対向する位置に設けられた流路接続部111を有し、冷却部材210は、流路214が形成されると共に、流路接続部111と接続される流路接続部211を有し、冷却部材110の流路接続部111が設けられている領域の挟持部材対向面(カバー113)には、対向する挟持部材410のバネ部413が当接する。バネ部413が冷却部材110の挟持部材対向面(カバー113)に当接する構成とすることで、バネ部413の押圧力によって、流路接続部111と流路接続部211との接続状態が冷媒圧力に抗して適切に維持される。
(C9)上記(C8)において、図6に示すように、挟持部材対向面(カバー113)に当接するバネ部413が設けられた挟持部材410の複数のバネ部412,413において、当接するバネ部413のバネ定数は、他のバネ部412のバネ定数と異なる値に設定される。バネ部413のバネ定数をバネ部412のバネ定数と異ならせることで、冷却部材110の対向部113bの領域への押圧力と、流路接続部111が設けられている領域への押圧力とを個別に設定することができる。図6に示す例では、流路接続部111が設けられている領域は、カバー113内にフィン115が設けられていないので剛性が低く、当接するバネ部413のバネ定数を抑えることでカバー113の変形を防止することができる。
(C10)上記(C1)において、図5,6に示すように、冷却部材110,210の各々は、半導体モジュール300が対向する対向部113b,213bと、対向部113b,213bのモジュール配列方向(x方向)の両端に設けられた可撓部としての凹部113a,213aとを備える。複数の半導体モジュール300の厚さばらつきに応じて冷却部材110,210が凹部113a,213aで撓むことにより、各半導体モジュール300に対して冷却部材110,210を均等に押圧することができる。
 以上説明した各実施形態や各種変形例はあくまで一例であり、発明の特徴が損なわれない限り、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。また、上記では種々の実施形態や変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
 100,100A,100B…半導体装置、110,210…冷却部材、111,211…流路接続部、113…カバー、113a,213a…凹部、113b,213b…対向部、300…半導体モジュール、410,410A,420,420A…挟持部材、411,421…支持部、412,413,422…バネ部、415…連結部、430,440…連結部材、430a,440a…係合部、430b,440b…接続部

Claims (10)

  1.  一列に配列された1以上の半導体モジュールと、
     一列に配列された1以上の前記半導体モジュールを挟むように配置されて該半導体モジュールを冷却する一対の冷却部材と、
     一対の前記冷却部材の半導体モジュール対向側とは反対側に対向配置される一対の挟持部材と、
     一対の前記挟持部材を互いに連結してそれらを対向する前記冷却部材にそれぞれ押圧する連結部と、を備え、
     一対の前記挟持部材の少なくとも一方は、一列に配列された1以上の前記半導体モジュールの両端および半導体モジュール間に相対してそれぞれ配置される複数の支持部、および、複数の前記支持部の各々から前記半導体モジュールの配列方向に伸延して前記冷却部材に当接するバネ部を有し、
     前記連結部は、前記一方の挟持部材に設けられた前記支持部と他方の前記挟持部材とを連結する、半導体装置。
  2.  請求項1に記載の半導体装置において、
     一対の前記挟持部材の各々は、一列に配列された1以上の前記半導体モジュールの両端および半導体モジュール間に相対してそれぞれ配置される複数の支持部、および、複数の前記支持部の各々から前記半導体モジュールの配列方向に伸延して前記冷却部材に当接するバネ部を有し、
     前記連結部は、一対の前記挟持部材の互いに相対する前記支持部同士を連結する連結部材を、前記支持部毎に備える、半導体装置。
  3.  請求項2に記載の半導体装置において、
     前記支持部は、該支持部の前記配列方向の両端に前記バネ部をそれぞれ備える、半導体装置。
  4.  請求項2に記載の半導体装置において、
     前記支持部は前記配列方向に直交する方向に延在し、
     一対の前記挟持部材の一方に設けられた前記支持部の延在方向の一端と、一対の前記挟持部材の他方に設けられた前記支持部における前記一端と相対する端部とを複数の前記連結部材の一つで連結し、
     一対の前記挟持部材の一方に設けられた前記支持部の延在方向の他端と、一対の前記挟持部材の他方に設けられた前記支持部における前記他端と相対する端部とを複数の前記連結部材の他の一つで連結する、半導体装置。
  5.  請求項4に記載の半導体装置において、
     前記連結部材は、一対の前記挟持部材に対して別体で形成されている、半導体装置。
  6.  請求項5に記載の半導体装置において、
     前記連結部材は、
     一対の前記挟持部材の一方に設けられた前記支持部に係合する第1係合部と、
     一対の前記挟持部材の他方に設けられた前記支持部に係合する第2係合部と、
     前記第1係合部と前記第2係合部とを接続する接続部とを備える、半導体装置。
  7.  請求項5に記載の半導体装置において、
     前記連結部材の剛性は、一対の前記挟持部材に設けられた前記支持部の剛性よりも高い、半導体装置。
  8.  請求項3に記載の半導体装置において、
     一対の前記冷却部材の一方は、第1冷媒流路が形成されると共に、他方の前記冷却部材が対向する位置に設けられた第1流路接続部を有し、
     前記他方の冷却部材は、第2冷媒流路が形成されると共に、前記第1流路接続部と接続される第2流路接続部を有し、
     前記一方の冷却部材の前記第1流路接続部が設けられている領域の挟持部材対向面、および、前記他方の冷却部材の前記第2流路接続部が設けられている領域の挟持部材対向面の少なくとも一方には、対向する前記挟持部材が有する複数の前記バネ部のいずれか一つが当接する、半導体装置。
  9.  請求項8に記載の半導体装置において、
     前記挟持部材対向面に当接するバネ部が設けられた前記挟持部材の複数の前記バネ部において、前記当接するバネ部のバネ定数は、他のバネ部のバネ定数と異なる値に設定される、半導体装置。
  10.  請求項1に記載の半導体装置において、
     一対の前記冷却部材の各々は、前記半導体モジュールが対向する対向部と、前記対向部の前記配列方向の両端に設けられた可撓部とを備える、半導体装置。
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