JP2013115073A - 半導体モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体モジュール1は半導体素子4を介在させた積層部材2とこの部材2の両面に接触配置される一対の冷却部材3a,3bとを備える。冷却部材3a,3bの内部には冷却部材3a,3bと積層部材2との接触面30a,30bと重複しないように冷媒流路31が形成されている。冷却部材3aは付勢部材16により積層部材2に圧接している。冷却部材3a,3bは接触面30a,30bと重複しない壁部32a,32bの壁厚が接触面30a,30bと重複する壁部33a,33bの壁厚よりも薄く設定されている。付勢部材16は密閉部材17の押圧を受けて壁部33aの面に圧接する。積層部材2間の空間には冷却部材3a,3bによって狭持される絶縁熱分離部材15が具備される。
【選択図】図1
Description
図1に示された本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、圧接型半導体モジュールであって、積層部材2とこの積層部材2の両面に接触配置される一対の冷却部材3a,3bとを備える。
図3に例示された実施形態2に係る半導体モジュール20の積層部材2は半導体素子4を複数備えていること以外は実施形態1に係る半導体モジュール1と同じ構成となっている。図示されたように単一の積層部材2は半導体素子4a,4bを介在させている。
4,4a,4b…半導体素子
2…積層部材
3a,3b…冷却部材
31…冷媒流路
16,23…付勢部材
17…密閉部材
15…絶縁熱分離部材
21…絶縁分離層
32a,32b,33a,33b…壁部
30a,30b…接触面
34…収納部
35…空間
Claims (11)
- 半導体素子を介在させた積層部材と、
この積層部材の両面に接触配置される一対の冷却部材と
を備え、
前記各冷却部材の内部には当該冷却部材と前記積層部材との接触面と重複しないように冷媒流路が形成され、
少なくとも前記一方の冷却部材は付勢部材により前記積層部材に圧接していること
を特徴とする半導体モジュール。 - 前記各冷却部材は前記接触面と重複しない壁部の壁厚が当該接触面と重複する壁部の壁厚よりも薄く設定されたこと
を特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記付勢部材は前記接触面と重複する壁部の面を押圧するように前記一方の冷却部材に設けられたこと
を特徴とする請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記一方の冷却部材は前記付勢部材を収納させる収納部を有し、この収納部は前記接触面と重複する当該接触面とは反対側の壁部にて形成されたこと
を特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。 - 前記一方の冷却部材は前記付勢部材を有する空間を密閉させる密閉部材を備え、
この密閉部材は当該付勢部材をその付勢方向に押圧するように当該冷却部材に固定されたこと
を特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記積層部材を同一平面上に複数配置し、
この各積層部材間の空間には当該部材間の電気的な短絡を防止すると共に当該部材間の放熱を遮断する絶縁熱分離部材を備えたこと
を特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記絶縁熱分離部材は板状に形成され、前記一対の冷却部材によって狭持されたこと
を特徴とする請求項6に記載の半導体モジュール。 - 前記積層部材は前記半導体素子を複数備え、
この各半導体素子間の電気的な短絡を防止する絶縁分離層をさらに備えたこと
を特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記冷却部材はヤング率が100GPa以下である材料からなること
を特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の半導体モジュール。 - 前記材料はアルミニウム、アルミニウム合金、AlSiCのいずれかであること
を特徴とする請求項9に記載の半導体モジュール。 - 前記付勢部材はコイルバネ、板バネ、皿バネのいずれかであること
を特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
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