JP2005228877A - 冷却器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 部品点数を増加させることなく、電子部品とチューブとの接触面積を充分に確保可能にする。
【解決手段】 隣接する扁平チューブ1間に配置された電子部品7を、チューブ積層方向Yに押圧力を付加して保持した冷却器において、扁平チューブ1に、チューブ積層方向Yに細くなったくびれ1bを形成する。扁平チューブ1間の隙間や電子部品7の厚さに応じて、扁平チューブ1はくびれ1bの部位で積層方向Yに容易に変形する。この際、扁平チューブ1におけるくびれ1bとくびれ1bの間は弓なりにならないため、扁平チューブ1と電子部品7は両者が対向する面の全域で密着する。
【選択図】 図1
【解決手段】 隣接する扁平チューブ1間に配置された電子部品7を、チューブ積層方向Yに押圧力を付加して保持した冷却器において、扁平チューブ1に、チューブ積層方向Yに細くなったくびれ1bを形成する。扁平チューブ1間の隙間や電子部品7の厚さに応じて、扁平チューブ1はくびれ1bの部位で積層方向Yに容易に変形する。この際、扁平チューブ1におけるくびれ1bとくびれ1bの間は弓なりにならないため、扁平チューブ1と電子部品7は両者が対向する面の全域で密着する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電子部品を冷却する冷却器に関するもので、特にハイブリッド電気自動車用インバータの両面冷却型電子部品を冷却する冷却器として好適である。
従来、半導体モジュール(電子部品)を水冷式の冷却器に取り付けて冷却するものが知られている。また、両面冷却型半導体装置としては、特許文献1で提案されている。この特許文献1に示された装置は、冷却水の通路を有するチューブと両面冷却型半導体モジュールとを交互に積層し、チューブ積層方向に押圧力を付加して、チューブ間に半導体モジュールを保持する構成となっている。そして、特許文献1には、チューブ間の隙間や半導体モジュールの厚さにばらつきがあっても、半導体モジュールとチューブとを密着させるようにした装置の例が多数示されている。
そのうちの1つ(以下、第1従来装置という)は、隣接するチューブ同士を蛇腹状の弾性筒部で連結し、チューブ間の隙間や半導体モジュールの厚さに応じて弾性筒部が伸縮するようになっている。
また、他の例(以下、第2従来装置という)では、チューブの途中に低剛性の鍔状筒部を設け、チューブ間の隙間や半導体モジュールの厚さに応じて鍔状筒部を変形させるようになっている。
また、さらに他の例(以下、第3従来装置という)では、チューブを薄肉化して低剛性にし、チューブ間の隙間や半導体モジュールの厚さに応じてチューブ自体を変形させるようにしている。
特開2002−26215号公報
しかしながら、第1従来装置または第2従来装置は、チューブの積層段数分の弾性筒部または鍔状筒部が必要であり、製品の部品点数が多くなると言う問題が生じてしまう。
また、第3従来装置は、チューブが弓なりに変形するため、チューブは半導体モジュールの表面に完全に密着することができず、したがって両者の接触面積が減少してしまうという問題が生じてしまう。しかも、第3従来装置は、チューブが変形したときにヘッダタンクとの接合部に応力が集中するという問題が発生する。
本発明は上記点に鑑みて、部品点数を増加させることなく、電子部品とチューブとの接触面積を充分に確保可能にすることを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、冷却流体が流れる流体通路(1a)が内部に形成されるとともに、流体通路(1a)内での冷却流体流れ方向(X)に対して直交する方向に所定間隔を隔てて積層された複数の扁平チューブ(1)と、扁平チューブ(1)の両端に配置されて冷却流体の分配・集合を行うヘッダタンク(3、5)とを備え、隣接する扁平チューブ(1)間に配置された電子部品(7)を、チューブ積層方向(Y)に押圧力を付加して保持した冷却器において、扁平チューブ(1)は、チューブ積層方向(Y)に細くなったくびれ(1b)が形成されていることを特徴とする。
これによると、扁平チューブ間の隙間や電子部品の厚さに応じて、扁平チューブはくびれの部位でチューブ積層方向に容易に変形する。その際、扁平チューブにおけるくびれとくびれの間は弓なりにならないため、扁平チューブと電子部品は両者が対向する面の全域で密着し、電子部品とチューブとの接触面積を充分に確保することができる。
また、扁平チューブにくびれを形成するだけであるため、部品点数を増加させることなく実施することができる。
さらに、扁平チューブはくびれの部位でチューブ積層方向に容易に変形するため、扁平チューブが変形したときにヘッダタンクとの接合部に応力が集中することがなく、変形時の応力を緩和することができる。
また、ヘッダタンクと扁平チューブをろう付けする場合は、くびれがろうだまりとなり、扁平チューブと電子部品が接触する箇所までろうが流れることを防止することができる。
請求項2に記載の発明では、くびれ(1b)は、扁平チューブ(1)における電子部品(7)を保持しない部位に位置することを特徴とする。
これによると、電子部品と扁平チューブとの接触面積の減少を防止することができる。
請求項3に記載の発明では、チューブ積層方向(Y)の剛性が扁平チューブ(1)よりも高い補強板(9)を、チューブ積層方向(Y)の一端側に備えることを特徴とする。
これによると、チューブ積層方向の押圧力を冷却器自体で受けることができる。また、冷却器の強度を向上させることができるため、電子部品を保持する前の時点において冷却器を搬送するとき、冷却器自体が変形するのをおさえることができる。
請求項4に記載の発明では、電子部品(7)は、チューブ積層方向(Y)に見たときに複数列配置されるとともに、各列毎に独立して押圧力が付加されることを特徴とする。
これによると、各列毎に独立して押圧力を付加するため、隣り合う電子部品の厚さがばらついたとしてもそのバラツキを吸収することができ、接触熱抵抗を低減することができる。
請求項5に記載の発明では、くびれ(1b)は、チューブ積層方向(Y)に対して直交するとともに、流体通路(1a)内での冷却流体流れ方向(X)に対して直交する方向に延びていることを特徴とする。
これによると、扁平チューブをくびれの部位でチューブ積層方向に容易に変形させることができる。
請求項6に記載の発明では、熱交換を促進するフィン(2)が、扁平チューブ(1)内で且つくびれ(1b)が形成されていない位置に配置されていることを特徴とする。
これによると、冷却器の製造工程において、くびれをフィンの位置決めに利用することができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態に係る冷却器について説明する。図1は第1実施形態に係る冷却器の正面図、図2は図1の平面図、図3は図1のA−A線に沿う断面図、図4は図2のB−B線に沿うチューブの断面図、図5は図1のC部の拡大図である。
本発明の第1実施形態に係る冷却器について説明する。図1は第1実施形態に係る冷却器の正面図、図2は図1の平面図、図3は図1のA−A線に沿う断面図、図4は図2のB−B線に沿うチューブの断面図、図5は図1のC部の拡大図である。
本発明の冷却器は、ハイブリッド電気自動車用インバータの両面冷却型半導体モジュールの冷却に用いることができる。
図1〜図4に示すように、冷却器は、冷却流体が流れる流体通路1aが内部に形成された多数の扁平チューブ1を備えている。扁平チューブ1は、流体通路1a内での冷却流体の流れ方向X(以下、流れ方向Xという)に対して直交する方向Y(以下、積層方向Yという)に所定間隔を隔てて多数積層配置されている。なお、本実施形態では、冷却流体としてエチレングリコール系の不凍液が混入した水を用いている。
扁平チューブ1は、アルミニウム製の薄板をプレス成形にて所定形状に加工した2枚のプレートからなり、アルミニウム製の薄板をプレス成形にて波板状に加工したフィン2を2枚のプレート間に挟み込んだ状態で、2枚のプレートの縁部をろう付け接合して形成されている。
扁平チューブ1には、積層方向Yに細くなったくびれ1bが、流れ方向Xの両端付近と中央部の計3個所に形成されている。このくびれ1bは、積層方向Yに対して直交するとともに、流れ方向Xに対して直交する方向に延びている。また、くびれ1bは、扁平チューブ1において半導体モジュール(詳細後述)を保持しない部位に位置している。
フィン2は、冷却流体と扁平チューブ1との間の熱交換を促進するもので、くびれ1bが形成されていない位置に配置されている。
扁平チューブ1の一端は、扁平チューブ1へ冷却流体を分配するアルミニウム製の入口ヘッダタンク3がろう付け接合され、入口ヘッダタンク3の一端には、冷却流体が流入するアルミニウム製の入口パイプ4がろう付け接合されている。
扁平チューブ1の他端は、扁平チューブ1からの冷却流体を集合させるアルミニウム製の出口ヘッダタンク5がろう付け接合され、出口ヘッダタンク5の一端には、冷却流体が流出するアルミニウム製の出口パイプ6がろう付け接合されている。
入口パイプ4および出口パイプ6は、冷却流体を循環させる図示しないポンプ、および冷却流体を冷却する図示しない熱交換器に接続される。
発熱体となる両面冷却型の半導体モジュール7は、隣接する扁平チューブ1間に2個ずつ配置されており、換言すると、半導体モジュール7は、積層方向Yに見たときに複数列(本例では2列)配置されている。扁平チューブ1と半導体モジュール7は、直接または絶縁材(主にセラミック板)や熱伝導グリスを介して接触するようになっている。本例の半導体モジュール7は、IGBT素子とダイオードを内蔵したものであり、本発明の電子部品に相当する。
そして、積層された扁平チューブ1を積層方向Y両端から板ばね8によって挟圧することにより、積層方向Yに押圧力を付加して扁平チューブ1間に半導体モジュール7を保持するようになっている。また、板ばね8は、複数列配置された半導体モジュール7を、各列毎に独立して挟圧することにより、各列毎に独立して押圧力を付加するようになっている。
このように、板ばね8にて積層方向Yに押圧力を付加することにより、扁平チューブ1間の隙間や半導体モジュール7の厚さに応じて、図5に示すように扁平チューブ1がくびれ1bの部位で積層方向Yに変形する。これにより、扁平チューブ1と半導体モジュール7は両者が対向する面の全域で密着する。また、各列毎に独立して押圧力を付加しているため、隣り合う半導体モジュール7の厚さがばらついたとしても、中央部のくびれ1bの部位で積層方向Yに変形して、そのばらつきを吸収する。
上記構成において、入口パイプ4から流入した冷却流体は、入口ヘッダタンク3内を通って各扁平チューブ1の流体通路1aの一端側に流入し、流体通路1a内を流れて出口ヘッダタンク5に流入し、出口パイプ6に至る。そして、流体通路1a内を流れる冷却流体と半導体モジュール7との間で熱交換が行われ、半導体モジュール7が冷却される。
上記した本実施形態では、扁平チューブ1間の隙間や半導体モジュール7の厚さに応じて、扁平チューブ1はくびれ1bの部位で積層方向Yに容易に変形する。この際、扁平チューブ1におけるくびれ1bとくびれ1bの間は弓なりにならないため、扁平チューブ1と半導体モジュール7は両者が対向する面の全域で密着し、半導体モジュール7とチューブとの接触面積を充分に確保することができる。
また、扁平チューブ1にくびれ1bを形成するだけであるため、部品点数を増加させることなく実施することができる。
さらに、扁平チューブ1はくびれ1bの部位で積層方向Yに容易に変形するため、扁平チューブ1が変形したときにヘッダタンク3、5との接合部d(図5参照)に応力が集中することがなく、変形時の応力を緩和することができる。
また、ヘッダタンク3、5と扁平チューブ1をろう付けする場合は、くびれ1bがろうだまりとなり、扁平チューブ1と半導体モジュール7が接触する箇所までろうが流れることを防止することができる。
また、くびれ1bは、扁平チューブ1において半導体モジュール7を保持しない部位に位置しているため、半導体モジュール7と扁平チューブ1との接触面積の減少を防止することができる。
また、積層方向Yに見たときに2列になった半導体モジュール7に対して、各列毎に独立して押圧力を付加するため、隣り合う半導体モジュール7の厚さがばらついたとしても、中央部のくびれ1bの部位で積層方向Yに変形してそのバラツキを吸収することができ、接触熱抵抗を低減することができる。
また、くびれ1bは、積層方向Yに対して直交するとともに、流れ方向Xに対して直交する方向に延びているため、扁平チューブ1をくびれ1bの部位で積層方向Yに容易に変形させることができる。
また、フィン2が、扁平チューブ1内で且つくびれ1bが形成されていない位置に配置されているため、製造工程において、くびれ1bをフィン2の位置決めに利用することができる。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態に係る冷却器について説明する。図6は第2実施形態に係る冷却器の正面図である。第1実施形態と同一もしくは均等部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本発明の第2実施形態に係る冷却器について説明する。図6は第2実施形態に係る冷却器の正面図である。第1実施形態と同一もしくは均等部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
本実施形態では、図6に示すように、積層方向Yの剛性が扁平チューブ1よりも高い補強板9を備えている。補強板9は、アルミニウム製であり、両端がヘッダタンク3、5にろう付け接合され、中間部が積層方向Yの一端側の扁平チューブ1に接している。
この冷却器を例えば車両に装着した後、積層方向Yの他端側の扁平チューブ1と車両の固定壁10との間に、コイルばね11が装着される。そして、コイルばね11により積層方向Yに押圧力を付加して扁平チューブ1間に半導体モジュール7を保持する。この際、コイルばね11の押圧力は補強板9にて受ける。なお、コイルばね11は、複数列配置された半導体モジュール7を、各列毎に独立して押圧する。
このように、コイルばね11にて積層方向Yに押圧力を付加することにより、扁平チューブ1間の隙間や半導体モジュール7の厚さに応じて、扁平チューブ1がくびれ1bの部位で積層方向Yに変形して、扁平チューブ1と半導体モジュール7は両者が対向する面の全域で密着する。また、各列毎に独立して押圧力を付加しているため、隣り合う半導体モジュール7の厚さがばらついたとしても、中央部のくびれ1bの部位で積層方向Yに変形して、そのばらつきを吸収する。
本実施形態では、補強板9により冷却器の強度を向上させることができるため、半導体モジュール7を保持する前の時点において冷却器を搬送するとき、冷却器自体が変形するのをおさえることができる。
なお、本実施形態ではコイルばね11を用いたが、板ばねにて積層方向Yに押圧力を付加するようにしてもよい。
(他の実施形態)
上記各実施形態では、冷却流体としてエチレングリコール系の不凍液が混入した水を用いたが、冷却流体としては、水やアンモニア等の自然冷媒や、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒などを用いることができる。
上記各実施形態では、冷却流体としてエチレングリコール系の不凍液が混入した水を用いたが、冷却流体としては、水やアンモニア等の自然冷媒や、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、HCFC123、HFC134a等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒などを用いることができる。
また、上記実施形態においては、ハイブリッド電気自動車用インバータの両面冷却型半導体モジュールの冷却に本発明を適用したが、例えば産業機器のモータ駆動インバータや、ビル空調用のエアコンインバータなどの半導体モジュールの冷却に本発明を適用することもできる。
また、本発明の冷却器は、半導体モジュール7ではなく、パワートランジスタ、パワーFET、IGBTなどの半導体モジュール7を冷却することも可能である。
1…扁平チューブ、1a…流体通路、3、5…ヘッダタンク、7…半導体モジュール(電子部品)、X…冷却流体流れ方向、Y…チューブ積層方向。
Claims (6)
- 冷却流体が流れる流体通路(1a)が内部に形成されるとともに、前記流体通路(1a)内での冷却流体流れ方向(X)に対して直交する方向に所定間隔を隔てて積層された複数の扁平チューブ(1)と、
前記扁平チューブ(1)の両端に配置されて冷却流体の分配・集合を行うヘッダタンク(3、5)とを備え、
隣接する前記扁平チューブ(1)間に配置された電子部品(7)を、チューブ積層方向(Y)に押圧力を付加して保持した冷却器において、
前記扁平チューブ(1)は、チューブ積層方向(Y)に細くなったくびれ(1b)が形成されていることを特徴とする冷却器。 - 前記くびれ(1b)は、前記扁平チューブ(1)における前記電子部品(7)を保持しない部位に位置することを特徴とする請求項1に記載の冷却器。
- チューブ積層方向(Y)の剛性が前記扁平チューブ(1)よりも高い補強板(9)を、チューブ積層方向(Y)の一端側に備えることを特徴とする請求項1または2に記載の冷却器。
- 前記電子部品(7)は、チューブ積層方向(Y)に見たときに複数列配置されるとともに、各列毎に独立して押圧力が付加されることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の冷却器。
- 前記くびれ(1b)は、チューブ積層方向(Y)に対して直交するとともに、前記流体通路(1a)内での冷却流体流れ方向(X)に対して直交する方向に延びていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の冷却器。
- 熱交換を促進するフィン(2)が、前記扁平チューブ(1)内で且つ前記くびれ(1b)が形成されていない位置に配置されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の冷却器。
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