JP2009182305A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パワートランジスタ101上に延びた配線102,103はパワートランジスタ101に駆動電流が流れたときに発生する熱を外部へ放出するヒートシンクとして働く。また、配線102は、バンプ電極BP1が形成されたバンプ電極形成領域から出力用のパッド電極P1,P1の方向へ引き出されるが、その引き出し部の配線幅W1はバンプ電極BP1の直径R1よりも大きくなっている。これにより、配線102の配線抵抗が低減されると共に、熱や応力による断線も起こりにくくなる。
【選択図】図1
Description
4 P+型の分離拡散層 5 Pウエル拡散層 6 P+型拡散層
7 ゲート絶縁膜 8ゲート電極 9 絶縁膜 10 ソース配線
11 ドレイン配線 12 パッシベーション膜 13 第1の樹脂膜
14 第2の樹脂膜
100 パワー部 200 ロジック部
101 パワートランジスタ 102、103 配線
104 切り欠き部 201 ロジック回路 210 差動アンプ
P1 出力用のパッド電極 P2 接地用のパッド電極
P3 電源用のパッド電極 P4〜P6 入力信号印加用のパッド電極
BP1〜BP6 バンプ電極
Claims (7)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されたパワートランジスタと、
前記パワートランジスタの端子に接続された外部接続用のパッド電極と、
前記パワートランジスタ上に形成された第1の絶縁膜と、
前記パッド電極に接続されると共に、前記パッド電極から前記第1の絶縁膜上に延びて前記パワートランジスタの一部を覆う配線と、
前記パワートランジスタを覆う前記配線部分上に形成されたバンプ電極と、を備え、
前記配線は前記バンプ電極が形成されたバンプ電極形成領域から前記バンプ電極の直径よりも大きな配線幅を有して前記パッド電極の方向へ引き出された引き出し部を有していることを特徴とする半導体装置。 - 前記配線は前記引き出し部と前記パッド電極との間の部分で、前記引き出し部に対して斜めに切り欠かれていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記配線を覆って第2の絶縁膜が形成されており、前記配線が切り欠かれ前記第1の絶縁膜が露出した部分において、前記第2の絶縁膜が前記第1の絶縁膜に密着されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記配線は銅又は銅合金からなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記パッド電極は複数個設けられていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに1項に記載の半導体装置。
- 前記パワートランジスタの端子はドレイン又はソースであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記パワートランジスタは、モーターを駆動するためのパワートランジスタであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体装置。
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JP2004214556A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Denso Corp | チップサイズパッケージ |
JP2005064532A (ja) * | 2004-10-15 | 2005-03-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
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