JP2009182069A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板(20)の上に、電子走行層(21)と電子供給層(23)とが配置されている。電子供給層の上に、ソース電極(30F)及びドレイン電極(31F)が、相互に間隔を隔てて配置されている。ソース電極とドレイン電極との間の電子供給層の上に、ゲート電極(40F)が配置されている。電子供給層の上に、ソース電極とゲート電極との間の領域、及びドレイン電極とゲート電極との間の領域を覆う保護膜(35)が形成されている。ゲート横開口(38)が保護膜に形成されている。ゲート横開口は、ソース電極とゲート電極との間の領域、及びドレイン電極とゲート電極との間の領域の少なくとも一方に、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極のいずれからも間隔を隔てて配置されている。
【選択図】 図2−2
Description
半導体基板の上方に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体基板の上方に形成され、前記ソース電極とドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、
前記ソース電極とゲート電極との間、及び前記ドレイン電極とゲート電極との間に形成された絶縁材料からなる保護膜と、
前記保護膜に形成され、前記ソース電極とゲート電極との間の領域、及び前記ドレイン電極とゲート電極との間の領域の少なくとも一方に、該ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極のいずれからも間隔を隔てて配置されたゲート横開口と
を有する。
(a)半導体基板の上方に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
(b)前記ソース電極とドレイン電極との間に、絶縁材料からなる保護膜を形成する工程と、
(c)前記保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(d)前記ゲート開口と前記ソース電極との間、及び該ゲート開口と前記ドレイン電極との間の少なくとも一方に配置されるゲート横開口を、前記保護膜に形成する工程と、
(e)前記ゲート開口を含む領域にゲート電極を形成する工程と、
(f)前記ゲート電極を形成する工程(e)の後、前記半導体基板の熱処理または該半導体基板への紫外線照射を行う工程と
を有する。
半導体基板の上方に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体基板の上方に形成され、前記ソース電極とドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、
前記ソース電極とゲート電極との間、及び前記ドレイン電極とゲート電極との間に形成された絶縁材料からなる保護膜と、
前記保護膜に形成され、前記ソース電極とゲート電極との間の領域、及び前記ドレイン電極とゲート電極との間の領域の少なくとも一方に、該ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極のいずれからも間隔を隔てて配置されたゲート横開口と
を有する半導体装置。
前記半導体基板の上方に形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上方に形成された電子供給層と
をさらに有し、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ゲート電極は、前記電子供給層の上方に形成されていることを特徴とする付記1に記載の半導体装置。
前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ゲート電極、及び前記ゲート横開口の各々は、第1の方向に延在するように配置されている付記1または2に記載の半導体装置。
前記保護膜の線膨張係数が、前記半導体基板の線膨張係数よりも大きい付記1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
さらに、前記保護膜とは異なる絶縁材料で形成され、前記ゲート電極と前記電子供給層との間に配置されるとともに、前記保護膜の表面を覆う絶縁膜を有する付記2に記載の半導体装置。
前記絶縁膜が、前記ゲート横開口の内面を覆っている付記5に記載の半導体装置。
前記保護膜が、前記ゲート電極の表面を覆っている付記1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置。
前記ドレイン電極及び前記ソース電極は、前記電子供給層とオーミック接合していることを特徴とする付記1乃至7のいずれか1項に記載の半導体装置。
半導体基板の上方に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体基板の上方に形成され、前記ソース電極とドレイン電極との間に配置されると共に、基部と該基部上に形成された庇部とを含むゲート電極と、
前記ゲート電極の庇部の下方の領域及び基部の側面に形成された絶縁材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜の表面を覆うと共に、前記ソース電極と前記ゲート電極との間、及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成された絶縁材料からなる第2の保護膜と
を有する半導体装置。
(a)半導体基板の上方に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
(b)前記ソース電極とドレイン電極との間に、絶縁材料からなる保護膜を形成する工程と、
(c)前記保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(d)前記ゲート開口と前記ソース電極との間、及び該ゲート開口と前記ドレイン電極との間の少なくとも一方に配置されるゲート横開口を、前記保護膜に形成する工程と、
(e)前記ゲート開口を含む領域にゲート電極を形成する工程と、
(f)前記ゲート電極を形成する工程(e)の後、前記半導体基板の熱処理を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法
(付記11)
前記ゲート開口と、前記ゲート横開口とを同時に形成する付記10に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(d)の後、前記ゲート開口の内面、前記ゲート横開口の内面、及び前記保護膜の上面を被覆し、前記ゲート開口の内面形状を反映した凹部を上面に持つ絶縁膜を形成する工程を有し、
前記工程(e)において、前記ゲート電極の下端が前記絶縁膜の上面に形成された凹部内を充填するように該ゲート電極を形成する付記11に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(c)の後、前記ゲート開口の内面、及び前記保護膜の上面を被覆し、前記ゲート開口の内面形状を反映した凹部を上面に持つ絶縁膜を形成する工程を有し、
前記工程(d)において、前記絶縁膜及び前記保護膜の両方に、前記ゲート横開口を形成し、
前記工程(e)において、前記絶縁膜の上面に形成されている凹部内に前記ゲート電極の下端が充填されるように、前記ゲート電極を形成する付記10に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(f)の後、少なくとも前記保護膜及び前記ゲート横開口を覆う絶縁材料からなる上部保護膜を形成する工程を含む付記10乃至13のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記保護膜と、前記上部保護膜とが、同一の絶縁材料で形成されている付記14に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板の上方に、電子走行層を形成する工程と、
前記電子走行層の上方に電子供給層を形成する工程と
をさらに有し、
前記工程(a)は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を前記電子供給層の上方に形成することを特徴とする付記10乃至15のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
前記電子供給層の上にキャップ層を形成する工程と、
前記キャップ層をパターニングして、前記電子供給層の一部を露出させる工程と
をさらに有し、
前記工程(a)は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を、前記露出した電子供給層の上に形成することを特徴とする付記16に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(b)は、前記キャップ層の上に前記保護膜を形成する形成することを特徴とする付記17に記載の半導体装置の製造方法。
前記工程(c)は、前記キャップ層を露出させるように前記ゲート開口を形成することを特徴とする付記18に記載の半導体装置の製造方法。
前記電子走行層の上にスペーサ層を形成する工程をさらに有し、
前記電子供給層は、前記スペーサ層の上に形成されることを特徴とする付記16乃至19のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
20 半導体基板
21 電子走行層
22 スペーサ層
23 電子供給層
24 キャップ層
30F ソース電極
30W ソース配線
30P ソースパッド
31F ドレイン電極
31W ドレイン配線
31P ドレインパッド
35 保護膜
37 ゲート開口
38 ゲート横開口
40F ゲート電極
40W ゲート配線
40P ゲートパッド
40A 庇部
45 保護膜
46 層間絶縁膜
50 絶縁膜
60 保護膜
61 ゲート横開口
62 レジスト膜
90 隙間
Claims (10)
- 半導体基板の上方に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体基板の上方に形成され、前記ソース電極とドレイン電極との間に配置されたゲート電極と、
前記ソース電極とゲート電極との間、及び前記ドレイン電極とゲート電極との間に形成された絶縁材料からなる保護膜と、
前記保護膜に形成され、前記ソース電極とゲート電極との間の領域、及び前記ドレイン電極とゲート電極との間の領域の少なくとも一方に、該ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極のいずれからも間隔を隔てて配置されたゲート横開口と
を有する半導体装置。 - 前記半導体基板の上方に形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上方に形成された電子供給層と
をさらに有し、前記ソース電極、前記ドレイン電極、及び前記ゲート電極は、前記電子供給層の上方に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記ゲート電極、及び前記ゲート横開口の各々は、第1の方向に延在するように配置されている請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記保護膜の線膨張係数が、前記半導体基板の線膨張係数よりも大きい請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板の上方に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記半導体基板の上方に形成され、前記ソース電極とドレイン電極との間に配置されると共に、基部と該基部上に形成された庇部とを含むゲート電極と、
前記ゲート電極の庇部の下方の領域及び基部の側面に形成された絶縁材料からなる第1の保護膜と、
前記第1の保護膜の表面を覆うと共に、前記ソース電極と前記ゲート電極との間、及び前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間に形成された絶縁材料からなる第2の保護膜と
を有する半導体装置。 - (a)半導体基板の上方に、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
(b)前記ソース電極とドレイン電極との間に、絶縁材料からなる保護膜を形成する工程と、
(c)前記保護膜にゲート開口を形成する工程と、
(d)前記ゲート開口と前記ソース電極との間、及び該ゲート開口と前記ドレイン電極との間の少なくとも一方に配置されるゲート横開口を、前記保護膜に形成する工程と、
(e)前記ゲート開口を含む領域にゲート電極を形成する工程と、
(f)前記ゲート電極を形成する工程(e)の後、前記半導体基板の熱処理または該半導体基板への紫外線照射を行う工程と
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート開口と、前記ゲート横開口とを同時に形成する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記工程(c)の後、前記ゲート開口の内面、及び前記保護膜の上面を被覆し、前記ゲート開口の内面形状を反映した凹部を上面に持つ絶縁膜を形成する工程を有し、
前記工程(d)において、前記絶縁膜及び前記保護膜の両方に、前記ゲート横開口を形成し、
前記工程(e)において、前記絶縁膜の上面に形成されている凹部内に前記ゲート電極の下端が充填されるように、前記ゲート電極を形成する請求項6に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記工程(f)の後、少なくとも前記保護膜及び前記ゲート横開口を覆う絶縁材料からなる上部保護膜を形成する工程を含む請求項6乃至8のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板の上方に、電子走行層を形成する工程と、
前記電子走行層の上方に電子供給層を形成する工程と
をさらに有し、
前記工程(a)は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を前記電子供給層の上方に形成することを特徴とする請求項6乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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