JP2009179827A - メッキ方法およびその方法により製造されたメッキ皮膜を備えたメッキ品およびメッキ液 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明のメッキ方法は、微細形状体を含有するメッキ液を用いた微細形状体が分散したメッキ方法であって、少なくとも、微細形状体の表面にカルボキシル基を形成する表面処理工程と、表面にカルボキシル基を形成した微細形状体をメッキ液に分散するメッキ液調製工程と、微細形状体を分散させたメッキ液を用いて微細形状体が分散したメッキ皮膜を形成するメッキ工程とを備える。
【選択図】なし
Description
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。なお、以下の実施の形態の説明では、図面を用いて説明しているが、本願の図面において同一の参照符号を付したものは、同一部分または相当部分を示している。
<メッキ方法>
本発明のメッキ方法のフローチャートを図1に示す。本発明のメッキ方法は、微細形状体を含有するメッキ液を用いるものであり、図1に示すように、少なくとも、微細形状体の表面にカルボキシル基を形成する表面処理工程(工程2)と、表面にカルボキシル基を形成した微細形状体をメッキ液に分散するメッキ液調製工程(工程3)と、微細形状体を添加したメッキ液を用いてメッキ皮膜を形成するメッキ工程(工程4)とを備える。また、上記表面処理工程の前に、微細形状体を精製する精製工程(工程1)を任意で備える。
本発明において上記微細形状体とは、金メッキ液などのメッキ液に不溶の物質から構成されており、該微細形状体を含まないメッキ皮膜と機械的、電気的な特性の異なる物質からなるものであり、メッキ液に添加する直前の形態がその表面にカルボキシル基を形成されるものであればよく、たとえば、カーボンナノチューブ(CNT)や、ダイヤモンド、シリカ、アルミナなどの微粒子からなる微細形状体を例示することができる。カーボンナノチューブとしては、シングルウォール、ダブルウォール、マルチウォールのいずれも適用することができる。これらの微細形状体は、メッキ皮膜の用途に合わせて、1または2種以上を混合して用いてもよい。
図1の工程1は、微細形状体の精製工程である。上述のように微細形状体として用いるカーボンナノチューブは、シングルウォール、ダブルウォールまたマルチウォールであってもよく、これらはその構造にかかわらず以下の精製工程により精製することができる。この精製工程は、カーボンナノチューブを金メッキ液に加える前に行なう。
精製工程により精製したカーボンナノチューブを、90%の硫酸と30%の過酸化水素水とを容積比4:1で混合した混合液に、約70℃で約1時間浸漬する。液温度は70℃から90℃が反応時間の短縮および液の突沸を防止する観点で望ましい。浸漬後、カーボンナノチューブをフィルタで回収する。回収したカーボンナノチューブの模式図を図2に示す。図2に示されるように、この表面処理によりカーボンナノチューブ1の表面にはカルボキシル基が形成される。
次に上記表面処理工程により表面にカルボキシル基が形成されたカーボンナノチューブを金メッキ液に分散させる。金メッキ液は、亜硫酸金ナトリウムを主成分とする弱アルカリ性のメッキ液であり、シアン化金やシアン化金カリウムなどのシアン化合物を含まないノンシアンの金メッキ液である。上記で得られた表面にカルボキシル基が形成されたカーボンナノチューブを金メッキ液に加えて、超音波ホモジナイザー(出力50W)により約1時間攪拌することによりカーボンナノチューブが分散した金メッキ液を得ることができる。加えるカーボンナノチューブの量は、金メッキ液に対しておよそ0.1から5wt%の範囲であることが、メッキ液へのカーボンナノチューブの安定した分散状態を得る上で望ましい。液の透過率を測定してカーボンナノチューブの分散度合いを評価する。図3は、メッキ液におけるカーボンナノチューブの分散状態を透過率により示す図である。図3の縦軸は、カーボンナノチューブを加えていない状態の金メッキ液の透過率を対照とした透過率である。カーボンナノチューブの分散方法として、従来の界面活性剤を用いる方法と本発明である表面にカルボキシル基を形成させた後メッキ液に分散させる方法と結果の一例を示す。従来の界面活性剤を用いる方法では、金メッキ液に対し0.5wt%の界面活性剤(硫酸ドデシルナトリウム(Sodium dodecyl sulfate))を加え、出力50Wの超音波ホモジナイザーで1時間攪拌し分散させたメッキ液をとした。なお、透過率の測定には440nmの光を用い、光路長5mm、標準状態の条件で測定した。図3から明らかなように、界面活性剤を用いた従来方法と比較して本発明のメッキ液調製工程により調整したメッキ液は金メッキ液単独の場合からの透過率が変化している。これはカーボンナノチューブが光を吸収してしまう為であり、カーボンナノチューブが金メッキ液に分散している証左である。本発明における分散方法により、従来の界面活性剤を用いた方法と比較して金メッキ液透過率が10倍以上低下したことから、金メッキ液に分散しているカーボンナノチューブの量も10倍以上増やすことができることがわかる。また、メッキ液へのカーボンナノチューブの分散は非常に安定しており、1ヵ月経過後も分散状態はほとんど変わることがない。
カーボンナノチューブが分散された金メッキ液を用いてカーボンナノチューブが取り込まれた金メッキ皮膜を形成する。図4にメッキ装置の概略図を示す。メッキ液の温度を40℃から60℃の間に設定する。白金で被覆されたチタンを対向電極として、スパッタ金をメッキシード層(0.1〜0.5μm)としたシリコン基板を被メッキ物とし、被メッキ物には対向電極に対して負電位を印加して電流を流すことで金シード層上にメッキ皮膜を成長させる。電流密度は1mA/cm2〜10mA/cm2であることが、ある程度の皮膜の成長速度を維持し、かつ緻密な皮膜を形成する上で適当である。より平坦なメッキ面を得たい場合は低い電流密度が好ましい。
本発明のメッキ方法を用いた微小機械式スイッチの作製を述べる。図6(a)〜(f)に微小機械式スイッチ形成工程の断面模式図を示す。
微細形状体として炭素原子を含まない微細形状体、たとえばシリカ微粒子を用いたメッキ皮膜の形成方法を述べる。
例としてシリカ微粒子(SiO2)の場合を述べる。まず、シリカ微粒子(平均粒径50nm)を、90%の硫酸と30%の過酸化水素水の混合液(容量比 4:1)に液温90℃で10分浸漬することによりシリカ微粒子表面をOH基とする。なお、この処理は酸素プラズマ処理に置き換えることもできる。この場合、酸素流量70sccm(25℃)、ガス圧6Paで高周波電源により200Wを印加してプラズマ励起させた平行平板プラズマ装置内にシリカ微粒子を置いてプラズマに約30秒暴露した後に、シリカ微粒子を水に浸漬することで表面にOH基を形成できる。
金メッキ液に対しシリカ微粒子を0.1〜0.5wt%加える。超音波ホモジナイザー(出力50W)によりこの金メッキ液を約1時間攪拌することでシリカ微粒子が分散した金メッキ液を得ることができる。
次にシリカ微粒子が分散された金メッキ液を用いてシリカ微粒子が取り込まれた金メッキ皮膜を得ることができる。メッキ液温度を40℃〜60℃の間に設定する。上述の実施の態様1と同様に、白金で被覆されたチタンを対向電極としてスパッタにより金をメッキシード層として形成したシリコン基板に、対向電極に対して負電位を印加して電流を流すことで金メッキシード層上に本発明のメッキ皮膜を成長させた。電流密度は1mA/cm2〜10mA/cm2が適当である。平坦なメッキ面を得たい場合は低い電流密度が好ましい。
Claims (7)
- 微細形状体を含有するメッキ液を用いた微細形状体が分散したメッキ方法であって、
前記微細形状体の表面にカルボキシル基を形成する表面処理工程と、
前記表面にカルボキシル基を形成した微細形状体をメッキ液に分散するメッキ液調製工程と、
前記微細形状体を分散させたメッキ液を用いて微細形状体が分散したメッキ皮膜を形成するメッキ工程と
を含むメッキ方法。 - 前記微細形状体は、カーボンナノチューブからなる請求項1に記載のメッキ方法。
- 前記微細形状体は、シリカ微粒子からなる請求項1に記載のメッキ方法。
- 前記メッキ液は、金メッキ液である請求項1〜3のいずれかに記載のメッキ方法。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のメッキ方法により製造された微細形状体が分散したメッキ皮膜を備えたメッキ品。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のメッキ方法により製造された微細形状体が分散したメッキ皮膜を基材上に形成してなるスイッチング接点を有するスイッチ。
- 表面にカルボキシル基が形成された微細形状体を含む分散メッキ用のメッキ液。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009179827A true JP2009179827A (ja) | 2009-08-13 |
JP5066743B2 JP5066743B2 (ja) | 2012-11-07 |
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JP (1) | JP5066743B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011048984A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 株式会社 村田製作所 | めっき浴の作製方法、めっき浴、及び電子部品 |
WO2011048983A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 株式会社 村田製作所 | めっき浴の作製方法、めっき浴、及び電子部品 |
JP2015014019A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | パナソニック株式会社 | 電気接点の表面処理方法、電気接点部材、コネクタ並びに接点処理剤 |
KR20190091010A (ko) * | 2018-01-26 | 2019-08-05 | 삼성전자주식회사 | 도금액과 금속 복합 재료 및 그 제조 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005272184A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Honda Motor Co Ltd | 親水性カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2006037225A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-02-09 | Dowa Mining Co Ltd | 複合めっき材およびその製造方法 |
JP2006249484A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Shinshu Univ | 金めっき液および金めっき方法 |
JP2007042355A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Totoku Electric Co Ltd | 複合被覆銅線及び複合被覆エナメル銅線 |
JP2007162080A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nissan Motor Co Ltd | 熱伝導部材、自動車用部品及びその製造方法 |
JP2007170581A (ja) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Usui Kokusai Sangyo Kaisha Ltd | カーボンナノ材料を含有する低摩擦性の被覆層を有するネジ部材 |
-
2008
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005272184A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Honda Motor Co Ltd | 親水性カーボンナノチューブの製造方法 |
JP2006037225A (ja) * | 2004-06-21 | 2006-02-09 | Dowa Mining Co Ltd | 複合めっき材およびその製造方法 |
JP2006249484A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Shinshu Univ | 金めっき液および金めっき方法 |
JP2007042355A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Totoku Electric Co Ltd | 複合被覆銅線及び複合被覆エナメル銅線 |
JP2007162080A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-06-28 | Nissan Motor Co Ltd | 熱伝導部材、自動車用部品及びその製造方法 |
JP2007170581A (ja) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Usui Kokusai Sangyo Kaisha Ltd | カーボンナノ材料を含有する低摩擦性の被覆層を有するネジ部材 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011048984A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 株式会社 村田製作所 | めっき浴の作製方法、めっき浴、及び電子部品 |
WO2011048983A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 株式会社 村田製作所 | めっき浴の作製方法、めっき浴、及び電子部品 |
JP2015014019A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | パナソニック株式会社 | 電気接点の表面処理方法、電気接点部材、コネクタ並びに接点処理剤 |
KR20190091010A (ko) * | 2018-01-26 | 2019-08-05 | 삼성전자주식회사 | 도금액과 금속 복합 재료 및 그 제조 방법 |
US20210222311A1 (en) * | 2018-01-26 | 2021-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plating solution and metal composite and method of manufacturing the same |
KR102562279B1 (ko) * | 2018-01-26 | 2023-07-31 | 삼성전자주식회사 | 도금액과 금속 복합 재료 및 그 제조 방법 |
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Publication number | Publication date |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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