JP2009175436A - バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物及びレジスト下層膜のバリア性評価方法 - Google Patents
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Abstract
バリア性を示すレジスト下層膜を形成するための組成物、及びレジスト下層膜のバリア性を適当な数値に換算して評価する方法を提供する。
【解決手段】
バリア性を示すレジスト下層膜を形成するための組成物は、少なくとも1つのヒドロキシル基が結合した芳香族環を有する化合物と有機溶媒と架橋剤を含む。そして、所定の条件で第1のレジスト下層膜単層をベークする際に発生する昇華物の量、第2のレジスト下層膜単層を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量、及び第1のレジスト下層膜上に第2のレジスト下層膜を所定の条件でベークして形成する際に発生する昇華物の量を定量した結果を用いて、第2のレジスト下層膜のバリア性を評価する。
【選択図】図1
Description
〔上記式中、Xは下記式(2)、式(3)又は式(4):
(上記式中、R1乃至R5はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数3乃至6のアルケニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも1つの基で置換されていてもよく、R1とR2、R3とR4は互いに結合して炭素原子数3乃至6の環を形成していてもよい)を表す〕
で表される繰り返し単位構造を有する、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物である。
で表される繰り返し単位構造を有する。
(上記式中、R6及びR7はそれぞれ独立に水素原子又は炭素原子数1乃至6のアルキル基を表し、Y1及びY2はそれぞれ独立にフェノール誘導体を表す)
で表される繰り返し単位構造を有する、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物である。ここで、フェノール誘導体とは、フェノールのベンゼン環における水素原子少なくとも1つが有機基(炭素原子を含む置換基)で置換されたものである。
〔上記式中、Z1乃至Z4はそれぞれ独立に水素原子又は下記式(8a)若しくは式(8b):
(上記式中のZ1乃至Z4も上記同様である)を表す〕で表される繰り返し単位構造を有する。この式(7)で表される繰り返し単位構造を有する化合物は、分岐ポリ−ヒドロキシスチレン(Branched Poly−(hydroxy)styrene)である。
で表される構造を有する、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物である。
で表されるモノマー、又はそれらの組み合わせである。
第1の条件でベークすることにより基板上に第1のレジスト下層膜を形成し、前記第1のレジスト下層膜を第2の条件でベークする際に発生する昇華物の量SUを定量し、
前記第2の条件でベークすることにより基板上に第2のレジスト下層膜を形成する際に発生する昇華物の量SBを定量し、
前記第1の条件でベークすることにより基板上に前記第1のレジスト下層膜を形成し、前記第1のレジスト下層膜上に前記第2のレジスト下層膜を前記第2の条件でベークすることにより形成する際に発生する昇華物の量SU+Bを定量し、
定量された前記昇華物の量SU、SB及びSU+Bを用いて、前記第2のレジスト下層膜のバリア性を評価する、レジスト下層膜のバリア性評価方法である。
〔1−(SU+B−SB)/SU〕×100
に代入して算出される数値によって、第2のレジスト下層膜のバリア性を評価する。本明細書では、この数値を、「%」を単位とするバリア率(Barrier rate)と称する。このバリア率が高いほど(100%に近いほど)バリア性が高いと判断し、バリア率が80%以上であるレジスト下層膜が、バリア層(バリア膜)として特に有効であるとみなす。このように、レジスト下層膜のバリア性は、レジスト下層膜の昇華物透過性に置き換えることで数値化することができる。そして、数値化することによって、レジスト下層膜のバリア性を容易に評価できる。
に代入してバリア率(%)を算出する。
GPCカラム:Shodex〔登録商標〕・Asahipak〔登録商標〕(昭和電工(株))
カラム温度:40℃
溶媒:N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)
流量:0.6ml/min
標準試料:ポリスチレン(東ソー(株))
ベンジルメタクリレート(東京化成工業(株))13.2g(0.08モル)、ヒドロキシプロピルメタクリレート(東京化成工業(株))8.0g(0.07モル)、及びγ−ブチロラクトンメタクリレート(東京化成工業(株))18.8g(0.15モル)を乳酸エチル131.6gに溶解させた後、70℃へ昇温した。乳酸エチル溶液が70℃で安定したところで、アゾビスイソブチロニトリル0.4gを乳酸エチル30gに溶解させた溶液を滴下して加えた。滴下終了後、24時間、70℃で攪拌して反応生成物を含む溶液を得た。得られた反応生成物のGPC分析をおこなったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は28000であった。この反応生成物は、下記式で表されるように、芳香族環に結合したヒドロキシル基を有さない。
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸(四国化成工業(株)、商品名:MADGIC)23.346g、ジエチルバルビツール酸15.473g、及び触媒としてベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.845gをプロピレングリコールモノメチルエーテル160.34gに溶解させた後、130℃で4時間反応させ、反応生成物を含む溶液を得た。得られた反応生成物のGPC分析をおこなったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は9700であった。この反応生成物は下記式で表されるように、芳香族環に結合したヒドロキシル基を有さない。
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸(四国化成工業(株)、商品名:MADGIC)23.447g、5−ヒドロキシイソフタル酸15.366g、及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.848gをプロピレングリコールモノメチルエーテル160.34gに溶解させた後、130℃で4時間反応させ、反応生成物を含む溶液を得た。得られた反応生成物のプロトンNMR分析をおこなったところ、芳香族性ヒドロキシル基のピークが確認された。また、得られた反応生成物のGPC分析をおこなったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は17000であった。この反応生成物は前記式(11)で表される。
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸(四国化成工業(株)、商品名:MADGIC)22.773g、5−メトキシイソフタル酸16.074g、及び触媒としてベンジルトリエチルアンモニウムクロリド0.824gをプロピレングリコールモノメチルエーテル160.33gに溶解させた後、130℃で4時間反応させ反応生成物を含む溶液を得た。得られた反応生成物のGPC分析をおこなったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は7000であった。この反応生成物は下記式で表されるように、芳香族環に結合したヒドロキシル基を有さない。
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸(四国化成工業(株)、商品名:MADGIC)37.720g、酒石酸20.371g、及び触媒としてエチルトリフェニルホスホニウムブロミド1.365gをプロピレングリコールモノメチルエーテル140.54gに溶解させた後、130℃で4時間反応させ反応生成物を含む溶液を得た。得られた反応生成物のGPC分析をおこなったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は10000であった。この反応生成物は下記式で表されるように、芳香族環に結合したヒドロキシル基を有さない。
トリス(2,3−エポキシプロピル)イソシアヌル酸(日産化学工業(株)、商品名:TEPIC〔登録商標〕)39.159g、3,5−ジヒドロキシ安息香酸60.841gをプロピレングリコールモノメチルエーテル100.00gに溶解させた後、130℃で24時間反応させ反応生成物を含む溶液を得た。得られた反応生成物のGPC分析をおこなったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は1000であった。この反応生成物は例えば前記式(15)で表され、芳香族環に結合したヒドロキシル基を有する。
合成例1で得られた反応生成物2.510gを含む溶液12.549gに、プロピレングリコールモノメチルエーテル43.7g、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート23.4g、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ(株)、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.627g、及びピリジニウム−p−トルエンスルホネート0.063gを加え、溶液とした。その後、孔径0.10μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、第2のレジスト下層膜形成用組成物(以下、組成物Aという)を調製した。
合成例2で得られた反応生成物を含む溶液を用い、比較例1と同様の処理をおこない、第2のレジスト下層膜形成用組成物(以下、組成物Bという)を調整した。
合成例3で得られた反応生成物を含む溶液を用い、比較例1と同様の処理をおこない、第2のレジスト下層膜形成用組成物(以下、組成物Cという)を調整した。
分岐ポリ−パラヒドロキシスチレン(デュポン・エレクトロニックポリマー(株)、商品名:PHS−B5E)を用い、比較例1と同様の処理をおこない、第2のレジスト下層膜形成用組成物(以下、組成物Dという)を調整した。使用した分岐ポリ−パラヒドロキシスチレンは、芳香族環に結合したヒドロキシル基を有し、GPC分析をおこなったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量は5000であった。
合成例4で得られた反応生成物を含む溶液を用い、比較例1と同様の処理をおこない、第2のレジスト下層膜形成用組成物(以下、組成物Eという)を調整した。
合成例5で得られた反応生成物を含む溶液を用い、比較例1と同様の処理をおこない、第2のレジスト下層膜形成用組成物(以下、組成物Fという)を調整した。
合成例6で得られた反応生成物を含む溶液を用い、比較例1と同様の処理をおこない、第2のレジスト下層膜形成用組成物(以下、組成物Gという)を調整した。
酸発生剤を含む前述の第1のレジスト下層膜形成用組成物を、スピナーによりシリコンウエハー上に塗布し、ホットプレート上、205℃で1分間ベークし、第1のレジスト下層膜(膜厚0.023μm)を形成した。このような第1のレジスト下層膜が形成されたシリコンウエハーを3枚用意した。
前述の第1のレジスト下層膜形成用組成物(ただし酸発生剤を含まない)を用いて、シリコンウエハー上に形成された第1のレジスト下層膜(膜厚約80nm)単層から発生する昇華物の量SUを、前述の昇華物量測定装置で定量した。組成物A乃至組成物Gを用いてシリコンウエハー上に第2のレジスト下層膜(膜厚約30nm)単層をそれぞれ形成する際に発生する昇華物の量SBを、前述の昇華物量測定装置で定量した。シリコンウエハー上に前記第1のレジスト下層膜(膜厚約80nm)を形成し、その上に前記第2のレジスト下層膜(膜厚約30nm)を図2に示すように形成する際に発生する昇華物の量SU+Bを、前述の昇華物量測定装置で定量した。定量時のベーク条件は、205℃で2分間である。ベーク時間が長くなるほど、昇華物の量は増加するが、所定の時間を超えると昇華物の量はほとんど増加しなくなる。
バリア率(%)=〔1−(SU+B−SB)/SU〕×100
膜厚の異なる第2のレジスト下層膜について、バリア率を算出した結果を図3に示す。第2のレジスト下層膜として、2種類の膜を用いた。一方はフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物を含む組成物から形成され、他方はフェノール性ヒドロキシル基を有する化合物を含まない組成物から形成されたものである。30nm程度の薄い膜厚で高いバリア性を示す第2のレジスト下層膜は、フェノール性ヒドロキシル基を有する化合物を含む組成物から形成され、膜厚の変化に伴うバリア率の変化は小さい。30nm程度の薄い膜厚でのバリア性が低い第2のレジスト下層膜は、膜厚を厚くしなければ、バリア率を上昇させることができない。
組成物Aを用いて形成される第2のレジスト下層膜と組成物Cを用いて形成される第2のレジスト下層膜(いずれも膜厚約100nm)の密度を、PANalytical社製X線回折装置(X’Pert PRO MRD)を用いて測定したところ、前者は1.26g/cm3、後者は1.41g/cm3であった。この結果は、膜密度が高いほどバリア率も高い傾向を示唆している。
102 第1のレジスト下層膜
103 第2のレジスト下層膜
Claims (13)
- 少なくとも1つのヒドロキシル基が結合した芳香族環を有する化合物と有機溶媒と架橋剤を含み、前記化合物は下記式(1):
〔上記式中、Xは下記式(2)、式(3)又は式(4):
(上記式中、R1乃至R5はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1乃至6のアルキル基、炭素原子数3乃至6のアルケニル基、ベンジル基又はフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数1乃至6のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数1乃至6のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも1つの基で置換されていてもよく、R1とR2、R3とR4は互いに結合して炭素原子数3乃至6の環を形成していてもよい)を表す〕
で表される繰り返し単位構造を有する、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物。 - 請求項1において、前記式(1)は下記式(5):
で表される繰り返し単位構造を有する、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物。 - 少なくとも1つのヒドロキシル基が結合した芳香族環を有する化合物と有機溶媒と架橋剤を含み、前記化合物は下記式(6):
(上記式中、R6及びR7はそれぞれ独立に水素原子又は炭素原子数1乃至6のアルキル基を表し、Y1及びY2はそれぞれ独立にフェノール誘導体を表す)
で表される繰り返し単位構造を有する、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物。 - 請求項3において、前記式(6)は下記式(7):
〔上記式中、Z1乃至Z4はそれぞれ独立に水素原子又は下記式(8a)若しくは式(8b):
(上記式中のZ1乃至Z4も上記同様である)を表す〕で表される繰り返し単位構造を有する、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物。 - 少なくとも1つのヒドロキシル基が結合した芳香族環を有する化合物と有機溶媒と架橋剤を含み、前記化合物は下記式(9):
で表される構造を有する、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記化合物はポリマー、オリゴマー、又はそれらの組み合わせである、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物。
- 請求項5において、前記化合物は前記式(9)で表される構造を末端に有するオリゴマー、下記式(10):
で表されるモノマー、又はそれらの組み合わせである、バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物。 - 基板上に第1のレジスト下層膜形成用組成物を塗布しベークして第1のレジスト下層膜を形成する工程と、請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載のバリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物を前記第1のレジスト下層膜上に塗布しベークして第2のレジスト下層膜を形成する工程と、前記第2のレジスト下層膜上にレジストを塗布しベークする工程と、前記レジストを露光する工程と、露光後の前記レジストを現像する工程、を含む半導体装置の製造に用いるレジストパターンの形成方法。
- 第1の条件でベークすることにより基板上に第1のレジスト下層膜を形成し、前記第1のレジスト下層膜を第2の条件でベークする際に発生する昇華物の量SUを定量し、
前記第2の条件でベークすることにより基板上に第2のレジスト下層膜を形成する際に発生する昇華物の量SBを定量し、
前記第1の条件でベークすることにより基板上に前記第1のレジスト下層膜を形成し、前記第1のレジスト下層膜上に前記第2のレジスト下層膜を前記第2の条件でベークすることにより形成する際に発生する昇華物の量SU+Bを定量し、
定量された前記昇華物の量SU、SB及びSU+Bを用いて、前記第2のレジスト下層膜のバリア性を評価する、レジスト下層膜のバリア性評価方法。 - 請求項9において定量された前記昇華物の量SU、SB及びSU+Bを下記式:
〔1−(SU+B−SB)/SU〕×100
に代入して算出される数値によって第2のレジスト下層膜のバリア性を評価する、レジスト下層膜のバリア性評価方法。 - 請求項9又は請求項10において、前記第1の条件は130℃以上180℃以下の温度で0.5分以上5分以下の時間、前記第2の条件は130℃以上250℃以下の温度で0.5分以上5分以下の時間である、レジスト下層膜のバリア性評価方法。
- 請求項11において、前記第1の条件の温度は前記第2の条件の温度よりも低い、レジスト下層膜のバリア性評価方法。
- 請求項9乃至請求項12のいずれか一項において、前記昇華物の量SU、SB及びSU+BはQCM(水晶振動子マイクロバランス)法によって定量される、レジスト下層膜のバリア性評価方法。
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