JP5888523B2 - レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 - Google Patents

レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5888523B2
JP5888523B2 JP2013504690A JP2013504690A JP5888523B2 JP 5888523 B2 JP5888523 B2 JP 5888523B2 JP 2013504690 A JP2013504690 A JP 2013504690A JP 2013504690 A JP2013504690 A JP 2013504690A JP 5888523 B2 JP5888523 B2 JP 5888523B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist underlayer
underlayer film
hydrocarbon group
group
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013504690A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2012124597A1 (ja
Inventor
竜慈 大西
竜慈 大西
貴文 遠藤
貴文 遠藤
坂本　力丸
力丸 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Priority to JP2013504690A priority Critical patent/JP5888523B2/ja
Publication of JPWO2012124597A1 publication Critical patent/JPWO2012124597A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5888523B2 publication Critical patent/JP5888523B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/14—Polycondensates modified by chemical after-treatment
    • C08G59/1433—Polycondensates modified by chemical after-treatment with organic low-molecular-weight compounds
    • C08G59/1438—Polycondensates modified by chemical after-treatment with organic low-molecular-weight compounds containing oxygen
    • C08G59/1455—Monocarboxylic acids, anhydrides, halides, or low-molecular-weight esters thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C08G59/4223—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L67/00—Compositions of polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L67/02—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D167/00—Coating compositions based on polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D167/02—Polyesters derived from dicarboxylic acids and dihydroxy compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、薄い膜厚（例えば２０ｎｍ以下）のレジスト下層膜を形成する場合であっても、欠陥のない均一な膜を形成することができる、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物、及び該レジスト下層膜形成組成物を用いるレジストパターン形成方法に関するものである。
従来から半導体装置の製造において、レジスト組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。前記微細加工は、シリコンウェハー等の半導体基板上にフォトレジスト組成物の薄膜を形成し、その上にデバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介して紫外線などの活性光線を照射し、現像し、得られたフォトレジストパターンを保護膜として基板をエッチング処理することにより、基板表面に、前記パターンに対応する微細凹凸を形成する加工法である。近年、半導体デバイスの高集積度化が進み、使用される活性光線もｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）からＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）へと短波長化されている。これに伴い、活性光線の半導体基板からの乱反射や定在波の影響が大きな問題となった。そこでこの問題を解決すべく、レジストと半導体基板の間に反射防止膜（Ｂｏｔｔｏｍ Ａｎｔｉ−Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ Ｃｏａｔｉｎｇ：ＢＡＲＣ）を設ける方法が広く検討されている。当該反射防止膜はレジスト下層膜とも称される。かかる反射防止膜としては、その使用の容易さなどから、吸光部位を有するポリマー等からなる有機反射防止膜について数多くの検討が行われている。
特許文献１乃至特許文献３には、上層に形成するフォトレジスト膜とのインターミキシングがなく、ＡｒＦエキシマレーザーを用いて露光する場合、所望の光学パラメーター（ｋ値、ｎ値）が得られ、かつ所望のドライエッチング速度が得られる、レジスト下層膜（反射防止膜）が開示されている。
一方、さらなる微細加工技術である、ＥＵＶ（極端紫外線の略称、波長１３．５ｎｍ）露光を採用したリソグラフィーでは基板からの反射はないものの、パターン微細化に伴いレジストパターン側壁のラフネスが問題となるため、矩形性の高いレジストパターン形状を形成するためのレジスト下層膜に関して多くの検討が行われている。ＥＵＶ、Ｘ線、電子線等の高エネルギー線露光用レジスト下層膜を形成する材料として、アウトガス発生が低減されたレジスト下層膜形成組成物が開示されている（特許文献４）。
国際公開第２００５／０９８５４２号パンフレット 国際公開第２００９／０９６３４０号パンフレット 国際公開第２００９／１０４６８５号パンフレット 国際公開第２０１０／０６１７７４号パンフレット
レジスト下層膜に要求される特性としては、例えば、上層に形成されるレジスト膜とのインターミキシングが起こらないこと（レジスト溶剤に不溶であること）、レジスト膜に比べて大きなドライエッチング速度を有することが挙げられる。
ＥＵＶ露光を伴うリソグラフィーの場合、形成されるパターン線幅は３２ｎｍ以下となり、ＥＵＶ露光用のレジスト下層膜は、従来よりも膜厚を薄く形成して用いられる。このような薄膜を形成する際、基板表面、使用するポリマーなどの影響により、ピンホール、凝集などが発生しやすく、欠陥のない均一な膜を形成することが困難であった。
本発明は、上記問題が解決されることによって、所望のレジストパターンを形成できる、レジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。
本発明の第１の態様は、下記式（１）で表される構造をポリマー鎖の末端に有するポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、又はヒドロキシ基を表し、前記Ｒ1、Ｒ2及びＲ3の少なくとも１つは前記炭化水素基であり、ｍ及びｎはそれぞれ独立に０又は１を表し、前記ポリマーの主鎖はｎが１を表す場合メチレン基と結合し、ｎが０を表す場合−Ｏ−で表される基と結合する。）
上記式（１）において、ｍが０を表す場合は、カルボニル基が存在せず、−Ｏ−で表される基すなわちエーテル結合が直接ベンゼン環と結合する。
本発明の第２の態様は、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布しベークして厚さ１ｎｍ乃至２０ｎｍのレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板をＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、極端紫外線（ＥＵＶ）及び電子線からなる群から選択される放射線により露光する工程、並びに露光後にアルカリ性現像液によって現像する工程を含む、レジストパターンの形成方法に関する。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、当該レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーの末端が、前記式（１）で表される構造でキャッピングされていることを特徴とするものであり、斯かるポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物、及び有機溶媒を含有する組成物である。このような構成としたことにより、塗布性能が向上し、欠陥のない均一なレジスト下層膜を形成することができる。
実施例１で調製された組成物を用いて形成したレジスト下層膜のＦＥ−ＳＥＭ像である。 実施例２で調製された組成物を用いて形成したレジスト下層膜のＦＥ−ＳＥＭ像である。 実施例３で調製された組成物を用いて形成したレジスト下層膜のＦＥ−ＳＥＭ像である。 実施例４で調製された組成物を用いて形成したレジスト下層膜のＦＥ−ＳＥＭ像である。 比較例１で調製された組成物を用いて形成したレジスト下層膜のＦＥ−ＳＥＭ像である。 比較例２で調製された組成物を用いて形成したレジスト下層膜のＦＥ−ＳＥＭ像である。
［ポリマー］
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、前記式（１）で表される構造をポリマー鎖の末端に有する。該式（１）中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3の少なくとも１つは炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基である。該炭化水素基としてアルキル基、例えば、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｉｓｏ−プロピル基、メチル基がポリマーの溶解性及び組成物の塗布性を向上させる点で好ましく、これらのうちｔｅｒｔ−ブチル基及びｉｓｏ−プロピル基が特に好ましい。
そして、上記ポリマーは、例えば下記式（２）及び式（３）で表される構造単位を有する。
（式中、Ｑ1及びＱ2はそれぞれ独立に、炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基を有する二価の有機基、脂環式炭化水素基を有する二価の有機基、芳香環又は窒素原子を１乃至３つ含む複素環を有する二価の有機基を表し、前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基、前記芳香環及び前記複素環は置換基を少なくとも１つ有していてもよい。）
上記式（２）で表される構造単位は、例えば下記式（２´）で表される。
（式中、Ｑ3は炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香環を表し、前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基及び前記芳香環は置換基を少なくとも１つ有していてもよく、２つのｖはそれぞれ独立に０又は１を表す。）
前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基及び前記芳香環は置換基として、メチル基、ヒドロキシ基又はフルオロ基を少なくとも１つ有していてもよい。
さらに、上記式（３）で表される構造単位は、例えば下記式（３´）で表される。
（式中、Ｑ4は炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香環を表し、前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基及び前記芳香環は置換基を少なくとも１つ有していてもよく、前記炭化水素基は主鎖に１つ又は２つの硫黄原子を有していてもよく、二重結合を有していてもよく、２つのｗはそれぞれ独立に０又は１を表す。）
上記直鎖状又は分岐鎖状の炭化水素基の置換基として、例えば、ヒドロキシ基、フルオロ基を挙げることができる。上記脂環式炭化水素基、上記芳香環及び上記複素環の置換基として、例えば、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アリル基、ヒドロキシ基、フルオロ基を挙げることができる。該脂環式炭化水素基として、例えば、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基を挙げることができる。上記芳香環として、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環を挙げることができる。上記複素環として、例えば、トリアジントリオン環、ピリミジントリオン環、イミダゾリジンジオン環、イミダゾリドン環、ピリドン環を挙げることができる。
前記式（１）で表される構造を形成するモノマーとしては、例えば、下記式（１−１）乃至式（１−９）で表される化合物を挙げることができる。
前記式（２）で表される構造単位を形成するモノマーとしては、例えば、下記式（２−１）乃至式（２−１６）で表される、エポキシ基を２つ有する化合物を挙げることができる。
前記式（３）で表される構造単位を形成するモノマーとして、例えば、下記式（３−１）乃至式（３−１０）で表される化合物が挙げられる。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、例えば下記式（４）で表される。
（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記式（１）と同義であり、２つのｍ及び２つのｎはそれぞれ独立に０又は１を表し、Ｘは前記式（２）及び式（３）で表される構造単位を有するポリマー鎖を表す。）
上記式（４）は、前記式（１）で表される構造によって、上記ポリマー鎖の末端がキャッピングされていることを表している。
上記式（４）で表されるポリマーを得るために必要な前記式（１）で表される構造を形成するモノマーは、式（２）及び式（３）で表される構造単位を形成するモノマーの総計を１００質量％とすると、例えば１質量％乃至３０質量％（モノマーの仕込み比換算）であり、好ましくは２質量％乃至２０質量％である。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、ランダム共重合体、ブロック共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよい。ポリマーの重合方法としては、溶液重合、懸濁重合、乳化重合、塊状重合など種々の方法が可能であり、適宜重合触媒等を用いてもよい。
重合方法の一例として、有機溶媒中で、前記式（２）で表される構造単位を形成するモノマー及び式（３）で表される構造単位を形成するモノマーに、前記式（１）で表される構造を形成するモノマーと重合触媒を加えて加熱重合を行い合成することができる。ここで使用する有機溶媒は、後述する本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれる有機溶媒として好ましい例示の中より適宜選択できる。当該重合触媒として、例えば、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリド、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドを挙げることができ、例えば５０℃乃至１６０℃、好ましくは７０℃乃至１３０℃に加熱して重合できる。反応時間としては例えば１時間乃至５０時間、好ましくは２時間乃至１２時間である。
上記ポリマーの重量平均分子量は、例えば１０００乃至１０００００、好ましくは１０００乃至１００００である。この重量平均分子量の値が高すぎると、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物の塗布性が悪化する。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を１００質量％とすると、当該組成物に含まれる上記ポリマーは、例えば０．０１質量％乃至３質量％、好ましくは０．１質量％乃至２質量％である。
なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、標準試料としてポリスチレンを用いて得られる値である。
［架橋剤］
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、さらに架橋剤を含む。その架橋剤として、特に制限はないが、少なくとも二つの架橋形成置換基（例えば、メチロール基、メトキシメチル基、ブトキシメチル基）を有する含窒素化合物が好ましく用いられる。
上記架橋剤としては、例えば、ヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン、１，３，４，６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６−テトラキス（ブトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６−テトラキス（ヒドロキシメチル）グリコールウリル、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）尿素、１，１，３，３−テトラキス（ブトキシメチル）尿素、１，１，３，３−テトラキス（メトキシメチル）尿素が挙げられる。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれる上記架橋剤は、当該組成物中のポリマーを１００質量％とすると、例えば１質量％乃至１００質量％、好ましくは１０質量％乃至５０質量％である。これら架橋剤は、自己縮合による架橋反応を起こすこともあるが、前記ポリマー、特に架橋剤と反応して架橋を形成する構造単位である式（２）及び式（３）で表される構造単位中の架橋官能基（ヒドロキシ基）と架橋反応を起こすことができる。
［架橋反応を促進させる化合物］
架橋反応を促進させるために、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、さらに架橋反応を促進させる化合物を含む。そのような化合物としては、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム−ｐ−トルエンスルホナート、サリチル酸、カンファースルホン酸、５−スルホサリチル酸、４−クロロベンゼンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、１−ナフタレンスルホン酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸等のスルホン酸化合物及びカルボン酸化合物を使用できる。これら架橋反応を促進させる化合物は、一種のみを使用することができ、また、二種以上を組み合わせて用いることもできる。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれる上記架橋反応を促進させる化合物は、当該組成物中のポリマーを１００質量％とすると、例えば０．１質量％乃至２５質量％、好ましくは１質量％乃至１０質量％である。
［有機溶媒］
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物はさらに有機溶媒を含む。本発明において使用される有機溶媒としては、前述のポリマーを溶解することができれば特に制限されず、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、１−エトキシ−２−プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、１−メトキシ−２−ブタノール、２−メトキシ−１−ブタノール、３−メトキシ−３−メチルブタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、を用いることができる。これらの有機溶媒は単独で、又は２種以上の組合せで使用される。
上記有機溶媒の中で、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、１−エトキシ−２−プロパノール、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノンが好ましい。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれる上記有機溶媒は、当該組成物を１００質量％とすると、例えば９０質量％乃至９９．９９質量％、好ましくは９８質量％乃至９９．９質量％である。
［酸発生剤］
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物はさらに酸発生剤を含んでいてもよい。そのような酸発生剤としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホンが挙げられる。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物が上記酸発生剤を含む場合、当該組成物中のポリマーを１００質量％とすると、例えば０．１質量％乃至５質量％、好ましくは０．２質量％乃至３質量％含む。
［その他の添加剤］
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物には、必要に応じて界面活性剤等の各種添加剤を、本発明の効果を損なわない限りにおいてさらに含んでもよい。界面活性剤は、基板に対する当該組成物の塗布性を向上させるための添加物である。ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤のような公知の界面活性剤を用いることができる。
上記界面活性剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップ〔登録商標〕ＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２〔三菱マテリアル電子化成（株）（旧（株）ジェムコ）製〕、メガファック〔登録商標〕Ｆ１７１、同Ｆ１７３、同Ｒ３０（ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガード〔登録商標〕ＡＧ７１０、サーフロン〔登録商標〕Ｓ−３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また２種以上の組合せで添加することもできる。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物が上記界面活性剤を含む場合、当該組成物中のポリマーを１００質量％とすると、例えば０．１質量％乃至５質量％であり、好ましくは０．２質量％乃至３質量％含む。
次に本発明のレジストパターン形成方法について説明する。まず、精密集積回路素子の製造に使用される基板〔例えば、酸化珪素膜、窒化珪素膜又は酸化窒化珪素膜で被覆されたシリコンウェハー等の半導体基板、窒化珪素基板、石英基板、ガラス基板（無アルカリガラス、低アルカリガラス、結晶化ガラスを含む）、ＩＴＯ膜が形成されたガラス基板〕上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法により本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を塗布し、その後、ホットプレート等の加熱手段を用いてベークして硬化させレジスト下層膜を作製する。
塗布後、ベークする条件としては、例えばベーク温度８０℃乃至２５０℃、ベーク時間０．３分乃至６０分間の範囲から適宜選択され、好ましくは、１５０℃乃至２５０℃、０．５分乃至５分間である。このような条件でベークすることにより、ポリマーの構造単位中のヒドロキシ基等の架橋部位と架橋剤が反応して架橋構造が形成される。特に、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーを架橋させることで、架橋ポリマーの架橋密度を高くすることができる。また、レジスト下層膜の膜厚としては、例えば０．００１μｍ（１ｎｍ）乃至０．１μｍであり、好ましくは０．００１μｍ乃至０．０２μｍであり、さらに好ましくは０．００３μｍ乃至０．０１μｍである。
次に、作製したレジスト下層膜上にレジスト膜を形成する。レジスト膜の形成は一般的な方法、すなわち、レジスト溶液をレジスト下層膜上への塗布及びベークによって行うことができる。塗布されるレジスト溶液としては、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ、電子線に感光するものであれば、特に限定はなく、ネガ型、ポジ型いずれも使用できる。使用可能なレジスト溶液としては、例えば、住友化学（株）製；商品名ＰＡＲ７１０，同ＰＡＲ８５５、ＪＳＲ（株）社製；商品名ＡＲ２７７２ＪＮ、信越化学工業（株）製；商品名ＳＥＰＲ４３０、ダウケミカル社（旧ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ社）製；商品名ＡＰＥＸ−Ｘが挙げられる。
続いて、レジスト下層膜の上層に形成されたレジスト膜に対して、所定のマスク（レチクル）を通して露光する。露光には、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶを使用することができる。但し、電子線露光の場合、マスク（レチクル）を必要としない。また露光後、必要に応じて露光後加熱（ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を行うこともできる。露光後加熱の条件としては、加熱温度８０℃乃至１５０℃、加熱時間０．３分乃至６０分間の範囲から適宜選択される。
露光後、現像、リンス及び乾燥することにより良好なレジストパターンが得られる。レジスト膜の現像液としてはアルカリ類、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第１級アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第２級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第３級アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第４級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、の水溶液を使用することができる。さらに、前記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。これらの中で好ましい現像液は第４級アンモニウム塩の水溶液、さらに好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液である。現像の条件としては、現像温度５℃乃至５０℃、現像時間１０秒乃至３００秒の範囲から適宜選択される。
そして、レジスト膜が前記工程により現像除去されたことにより露出した部分のレジスト下層膜を、ドライエッチングにより除去し、所望のパターンを基板上に形成することができる。
以下、本発明について合成例及び実施例を挙げて詳述するが、本発明は下記記載に何ら限定されるものではない。
本明細書の下記合成例１乃至合成例６に示す重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、本明細書ではＧＰＣと略称する。）による測定結果である。測定には東ソー株式会社製ＧＰＣ装置を用い、測定条件は下記のとおりである。また、本明細書の下記合成例に示す分散度は、測定された重量平均分子量、及び数平均分子量から算出した。
ＧＰＣカラム：Ｓｈｏｄｅｘ〔登録商標〕・Ａｓａｈｉｐａｋ〔登録商標〕（昭和電工（株））
カラム温度：４０℃
溶媒：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
流量：０．６ｍｌ／分
標準試料：ポリスチレン（東ソー株式会社製）
ディテクター：ＲＩディテクター（東ソー株式会社製、ＲＩ−８０２０）
＜合成例１＞
テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：デナコール〔登録商標〕ＥＸ７１１）５ｇ、５−ヒドロキシイソフタル酸３．１４６ｇ、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリチル酸水和物０．５６２ｇ及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド０．１９９ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル３５．６ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好であった。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量６０６６、分散度は２．６４であった。
＜合成例２＞
テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：デナコール〔登録商標〕ＥＸ７１１）５ｇ、５−ヒドロキシイソフタル酸３．１４６ｇ、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルサリチル酸水和物０．８６４ｇ及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド０．１９７ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル３６．８ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好であった。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量４７４６、分散度は２．６８であった。
＜合成例３＞
テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：デナコール〔登録商標〕ＥＸ７１１）５ｇ、５−ヒドロキシイソフタル酸３．１４６ｇ、３，５−ジイソプロピルサリチル酸水和物０．５７５ｇ及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド０．１９７ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル３５．７ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好であった。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量５６３４、分散度は２．７０であった。
＜合成例４＞
テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：デナコール〔登録商標〕ＥＸ７１１）５ｇ、５−ヒドロキシイソフタル酸３．１４６ｇ、３，５−ジイソプロピルサリチル酸水和物０．７６７ｇ及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド０．１９７ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル３５．７ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好であった。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量４６６９、分散度は２．５０であった。
＜合成例５＞
テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：デナコール〔登録商標〕ＥＸ７１１）５ｇ、５−ヒドロキシイソフタル酸３．１４６ｇ及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド０．２０２ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル３５．６ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好であった。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量１５６７３、分散度は３．３９であった。
＜合成例６＞
テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：デナコール〔登録商標〕ＥＸ７１１）５ｇ、５−ヒドロキシイソフタル酸３．１４６ｇ、サリチル酸０．３５７ｇ及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド０．２０２ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテル３７．５ｇに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、１３５℃で４時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好であった。ＧＰＣ分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量５７４５、分散度は２．６７であった。
＜実施例１＞
上記合成例１で得られたポリマー０．０７ｇを含む溶液０．４ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕株式会社製、商品名：ＰＯＷＤＥＲＬＩＮＫ〔登録商標〕１１７４）０．０１８４ｇ及び５−スルホサリチル酸０．００１８ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル２１．２７ｇ及び１−エトキシ−２−プロパノール９．３３ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜実施例２＞
上記合成例２で得られたポリマー０．０７ｇを含む溶液０．４ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕株式会社製、商品名：ＰＯＷＤＥＲＬＩＮＫ〔登録商標〕１１７４）０．０１８４ｇ及び５−スルホサリチル酸０．００１８ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル２１．２７ｇ及び１−エトキシ−２−プロパノール９．３３ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜実施例３＞
上記合成例３で得られたポリマー０．０７ｇを含む溶液０．４ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕株式会社製、商品名：ＰＯＷＤＥＲＬＩＮＫ〔登録商標〕１１７４）０．０１８４ｇ及び５−スルホサリチル酸０．００１８ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル２１．２７ｇ及び１−エトキシ−２−プロパノール９．３３ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜実施例４＞
上記合成例４で得られたポリマー０．０７ｇを含む溶液０．４ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕株式会社製、商品名：ＰＯＷＤＥＲＬＩＮＫ〔登録商標〕１１７４）０．０１８４ｇ及び５−スルホサリチル酸０．００１８ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル２１．２７ｇ及び１−エトキシ−２−プロパノール９．３３ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜比較例１＞
上記合成例５で得られたポリマー０．０７ｇを含む溶液０．４ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕株式会社製、商品名：ＰＯＷＤＥＲＬＩＮＫ〔登録商標〕１１７４）０．０１８４ｇ、５−スルホサリチル酸０．００１８ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル２１．２７ｇ及び１−エトキシ−２−プロパノール９．３３ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜比較例２＞
上記合成例６で得られたポリマー０．０７ｇを含む溶液０．４ｇに、テトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕株式会社製、商品名：ＰＯＷＤＥＲＬＩＮＫ〔登録商標〕１１７４）０．０１８４ｇ及び５−スルホサリチル酸０．００１８ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル２１．２７ｇ及び１−エトキシ−２−プロパノール９．３３ｇを加え溶解させた。その後孔径０．０５μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
＜比較例３＞
下記式（５）で表される共重合体をポリマーとして含み、さらに添加物として下記式（６）で表される架橋剤、及びピリジニウム−ｐ−トルエンスルホネートを含むレジスト下層膜形成組成物を用意した。
（フォトレジスト溶剤への溶出試験）
実施例１乃至実施例４、比較例１及び比較例２で調製されたレジスト下層膜形成組成物を、それぞれ、スピナーにより、半導体基板であるシリコンウェハー上に塗布した。そのシリコンウェハーをホットプレート上に配置し、２０５℃で１分間ベークし、レジスト下層膜（膜厚０．０５μｍ）を形成した。これらのレジスト下層膜をフォトレジストに使用する溶剤である乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルに浸漬し、それらの溶剤に不溶であることを確認した。
（ドライエッチング速度の測定）
実施例１乃至実施例４、及び比較例３で調製されたレジスト下層膜形成組成物を、それぞれ、スピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。そのシリコンウェハーをホットプレート上に配置し、２０５℃で１分間ベークし、レジスト下層膜（膜厚０．１０μｍ）を形成した。そして、日本サイエンティフィック社製、ＲＩＥシステムＥＳ４０１を用いてドライエッチング速度を測定した。
同様に、レジスト溶液（住友化学（株）製、ＰＡＲ８５５）を、スピナーを用いシリコンウェハー上に塗布し、レジスト膜を作成した。そして、日本サイエンティフィック社製ＲＩＥシステムＥＳ４０１を用いてドライエッチング速度を測定し、実施例１乃至実施例４、及び比較例３のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜のドライエッチング速度との比較を行った。結果を表１に示す。
表１において、レジスト膜に対する本発明の塗布型レジスト下層膜のドライエッチング速度の選択比（レジスト下層膜／レジスト膜）の測定は、ＣＦ4ガスをエッチングガスとして用いて行った。各実施例のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜は、比較例３のレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜よりも、ドライエッチング速度の選択比は大きい値となった。
（塗布後欠陥数の測定）
実施例１乃至実施例４、比較例１及び比較例２で調製されたレジスト下層膜形成組成物を、それぞれ、スピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。そのシリコンウェハーをホットプレート上に配置し、２０５℃で１分間ベークし、レジスト下層膜（膜厚０．００５μｍ）を形成した。そして、株式会社日立ハイテクノロジーズ製、高分解能電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）Ｓ−４８００を用いて、白色点として観察されるレジスト下層膜上の欠陥数の比較を行った。結果を表２に示す。表２において、レジスト下層膜上の欠陥数は、倍率１５０００倍における１６．７μｍ×１２．６μｍの範囲の欠陥数を数えることにより測定した。図１乃至図６は、上記ＦＥ−ＳＥＭにて、各実施例及び各比較例で調製された組成物を用いて形成したレジスト下層膜を上面から観察した際の、ＳＥＭ像を示している。

Claims (9)

  1. 下記式（１）で表される構造をポリマー鎖の末端に有するポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
    （式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、又はヒドロキシ基を表し、前記Ｒ1、Ｒ2及びＲ3の少なくとも１つは前記炭化水素基であり、ｍ及びｎはそれぞれ独立に０又は１を表し、前記ポリマーの主鎖はｎが１を表す場合メチレン基と結合し、ｎが０を表す場合−Ｏ−で表される基と結合する。）
  2. 前記炭化水素基はｔｅｒｔ−ブチル基又はｉｓｏ−プロピル基である、請求項１に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
  3. 前記ポリマーは下記式（２）及び式（３）で表される構造単位を有する、請求項１又は請求項２に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
    （式中、Ｑ1及びＱ2はそれぞれ独立に、炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状
    の炭化水素基を有する二価の有機基、脂環式炭化水素基を有する二価の有機基、芳香環を有する二価の有機基又は窒素原子を１乃至３つ含む複素環を有する二価の有機基を表し、前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基、前記芳香環及び前記複素環は置換基を少なくとも１つ有していてもよい。）
  4. 前記式（２）で表される構造単位は下記式（２´）で表される構造単位である、請求項３に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
    （式中、Ｑ3は炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香環を表し、前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基及び前記芳香環は置換基を少なくとも１つ有していてもよく、２つのｖはそれぞれ独立に０又は１を表す。）
  5. 前記式（３）で表される構造単位は下記式（３´）で表される構造単位である、請求項３に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
    （式中、Ｑ4は炭素原子数１乃至１３の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香環を表し、前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基及び前記芳香環は置換基を少なくとも１つ有していてもよく、前記炭化水素基は主鎖に１つ又は２つの硫黄原子を有していてもよく、二重結合を有していてもよく、２つのｗはそれぞれ独立に０又は１を表す。）
  6. 前記ポリマーは下記式（４）で表されるポリマーである、請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
    （式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は前記式（１）と同義であり、２つのｍ及び２つのｎはそれぞれ独立に０又は１を表し、Ｘは前記式（２）及び式（３）で表される構造単位を有するポリマー鎖を表す。）
  7. 更に酸発生剤を含む、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
  8. 前記ポリマーの重量平均分子量は１０００乃至１０００００である、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
  9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布しベークして厚さ１ｎｍ乃至２０ｎｍのレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板をＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、極端紫外線及び電子線からなる群から選択される放射線により露光する工程、並びに露光後にアルカリ性現像液によって現像する工程を含む、レジストパターンの形成方法。
JP2013504690A 2011-03-15 2012-03-08 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 Active JP5888523B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013504690A JP5888523B2 (ja) 2011-03-15 2012-03-08 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011056593 2011-03-15
JP2011056593 2011-03-15
JP2013504690A JP5888523B2 (ja) 2011-03-15 2012-03-08 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
PCT/JP2012/055963 WO2012124597A1 (ja) 2011-03-15 2012-03-08 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2012124597A1 JPWO2012124597A1 (ja) 2014-07-24
JP5888523B2 true JP5888523B2 (ja) 2016-03-22

Family

ID=46830670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013504690A Active JP5888523B2 (ja) 2011-03-15 2012-03-08 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8962234B2 (ja)
JP (1) JP5888523B2 (ja)
KR (1) KR101804392B1 (ja)
CN (1) CN103415809B (ja)
TW (1) TWI531864B (ja)
WO (1) WO2012124597A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013141015A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 日産化学工業株式会社 Ｅｕｖリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
US9448480B2 (en) 2013-09-27 2016-09-20 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film formation composition and method for forming resist pattern using the same
CN106233207B (zh) * 2014-04-25 2020-04-10 日产化学工业株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物以及使用该组合物的抗蚀剂图案的形成方法
US10242871B2 (en) * 2014-10-21 2019-03-26 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film-forming composition including a compound having an amino group protected with a tert-butoxycarbonyl group
US10613435B2 (en) * 2015-03-31 2020-04-07 Nissan Chemical Industries, Ltd. Coating solution for resist pattern coating and method for forming pattern
JP6714492B2 (ja) * 2015-12-24 2020-06-24 信越化学工業株式会社 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法
JP6714493B2 (ja) 2015-12-24 2020-06-24 信越化学工業株式会社 有機膜形成用化合物、有機膜形成用組成物、有機膜形成方法、及びパターン形成方法
WO2018143359A1 (ja) * 2017-02-03 2018-08-09 日産化学工業株式会社 ウレア結合を有する構造単位を有するポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物
KR102261688B1 (ko) 2018-04-17 2021-06-07 주식회사 엘지화학 타원 편광판 및 유기발광장치
CN112789556A (zh) * 2018-10-05 2021-05-11 日产化学株式会社 抗蚀剂下层膜形成用组合物及使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法
KR102400603B1 (ko) * 2019-03-29 2022-05-19 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
JPWO2020209327A1 (ja) * 2019-04-11 2020-10-15
TW202348671A (zh) * 2022-01-25 2023-12-16 日商日產化學股份有限公司 包含末端封閉聚合物之阻劑下層膜形成組成物

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004250377A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Maruzen Petrochem Co Ltd チオール化合物、共重合体及び共重合体の製造方法
JP2007513491A (ja) * 2003-10-15 2007-05-24 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． 現像液に可溶な材料および現像液に可溶な材料をビアファーストデュアルダマシン適用において用いる方法
JP2009175436A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Nissan Chem Ind Ltd バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物及びレジスト下層膜のバリア性評価方法
JP2010181453A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Nissan Chem Ind Ltd レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP2011042645A (ja) * 2009-05-20 2011-03-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 上塗りフォトレジストと共に使用するためのコーティング組成物

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1484645A4 (en) * 2002-02-19 2008-12-17 Nissan Chemical Ind Ltd COMPOSITION FOR FORMING ANTIREFLECTION COATING
EP1560070B1 (en) * 2002-10-09 2009-12-30 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming antireflection film for lithography
WO2005098542A1 (ja) 2004-04-09 2005-10-20 Nissan Chemical Industries, Ltd. 縮合系ポリマーを有する半導体用反射防止膜
JP2006229127A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Showa Denko Kk ソルダーレジスト用熱硬化性組成物及びその硬化物
US7736822B2 (en) * 2006-02-13 2010-06-15 Hoya Corporation Resist underlayer coating forming composition for mask blank, mask blank and mask
JP4878876B2 (ja) * 2006-03-15 2012-02-15 株式会社Ａｄｅｋａ エポキシ樹脂、アルカリ現像性樹脂組成物及びアルカリ現像性感光性樹脂組成物
WO2007148627A1 (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Nissan Chemical Industries, Ltd. 水酸基含有縮合系樹脂を含有するレジスト下層膜形成組成物
CN101622580B (zh) * 2007-02-27 2013-12-25 日产化学工业株式会社 形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物
CN101821677B (zh) * 2007-10-31 2012-07-04 日产化学工业株式会社 形成抗蚀剂下层膜的组合物和采用该形成抗蚀剂下层膜的组合物形成抗蚀剂图案的方法
US8361695B2 (en) * 2007-12-13 2013-01-29 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film forming composition and method for forming resist pattern
KR101404141B1 (ko) 2008-01-30 2014-06-10 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 유황원자를 함유하는 레지스트 하층막 형성용 조성물 및 레지스트패턴의 형성방법
EP2251742B1 (en) 2008-02-21 2012-05-16 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming resist underlayer film and method for forming resist pattern using the same
JPWO2010061774A1 (ja) 2008-11-27 2012-04-26 日産化学工業株式会社 アウトガス発生が低減されたレジスト下層膜形成組成物
JP5338009B2 (ja) * 2009-03-27 2013-11-13 太陽ホールディングス株式会社 光硬化性熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物並びにそれらを用いたプリント配線板
JP5561494B2 (ja) * 2009-04-21 2014-07-30 日産化学工業株式会社 Ｅｕｖリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
US20120251955A1 (en) * 2009-12-14 2012-10-04 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for formation of resist underlayer film
JP5610168B2 (ja) * 2010-11-17 2014-10-22 日産化学工業株式会社 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004250377A (ja) * 2003-02-20 2004-09-09 Maruzen Petrochem Co Ltd チオール化合物、共重合体及び共重合体の製造方法
JP2007513491A (ja) * 2003-10-15 2007-05-24 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． 現像液に可溶な材料および現像液に可溶な材料をビアファーストデュアルダマシン適用において用いる方法
JP2009175436A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Nissan Chem Ind Ltd バリア性を示すレジスト下層膜の形成用組成物及びレジスト下層膜のバリア性評価方法
JP2010181453A (ja) * 2009-02-03 2010-08-19 Nissan Chem Ind Ltd レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP2011042645A (ja) * 2009-05-20 2011-03-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 上塗りフォトレジストと共に使用するためのコーティング組成物

Also Published As

Publication number Publication date
US8962234B2 (en) 2015-02-24
US20140004465A1 (en) 2014-01-02
JPWO2012124597A1 (ja) 2014-07-24
WO2012124597A1 (ja) 2012-09-20
KR101804392B1 (ko) 2017-12-04
TW201303510A (zh) 2013-01-16
CN103415809A (zh) 2013-11-27
KR20140012111A (ko) 2014-01-29
TWI531864B (zh) 2016-05-01
CN103415809B (zh) 2017-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5888523B2 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP6493695B2 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP6458952B2 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP4697464B2 (ja) 含窒素芳香環構造を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物
JP6274445B2 (ja) レジスト下層膜形成組成物
WO2017086213A1 (ja) レジスト下層膜形成組成物用添加剤及び該添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物
JP5737526B2 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JPWO2012081619A1 (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP2015145944A (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
WO2022075339A1 (ja) ３官能化合物の反応生成物を含むレジスト下層膜形成組成物
JP2023100689A (ja) レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150130

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160120

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160202

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5888523

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350