JP6458952B2 - レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 - Google Patents
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Description
(式中、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至13の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、ハロゲノ基又はヒドロキシ基を表し、前記R1、R2及びR3の少なくとも1つは前記アルキル基を表し、Arはベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を表し、2つのカルボニル基はそれぞれ前記Arで表される環の隣接する2つの炭素原子と結合するものであり、Xは炭素原子数1乃至3のアルコキシ基を置換基として有してもよい炭素原子数1乃至6の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。)
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、前記式(1)で表される構造をポリマー鎖の末端に有する。該式(1)中、R1、R2及びR3の少なくとも1つは、炭素原子数1乃至13の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基を表す。該アルキル基として、例えば、tert−ブチル基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基を挙げることができ、本発明ではtert−ブチル基が好ましい。前記式(1)中、Xを表すアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基を挙げることができ、置換基であるアルコキシ基として、例えば、メトキシ基、エトキシ基及びプロポキシ基を挙げることができる。さらに、前記式(1)のR1、R2及びR3のうち1つ又は2つがハロゲノ基を表す場合、該ハロゲノ基として、例えば、クロロ基、フルオロ基、ブロモ基及びヨード基を挙げることができる。
(式中、R1、R2、R3、Ar及びXは前記式(1)と同義である。)
(式中、Q1及びQ2はそれぞれ独立に、炭素原子数1乃至13の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基を有する二価の基、脂環式炭化水素基を有する二価の基、芳香環を有する二価の基、又は窒素原子を1乃至3つ含む複素環を有する二価の基を表し、前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基、前記芳香環及び前記複素環は置換基を少なくとも1つ有してもよい。)
この場合、上記ポリマーを得るための原料モノマーには、上記式(1a)で表される化合物及び上記式(1b)で表される化合物と共に、上記式(2)で表される構造単位を形成するモノマーと、上記式(3)で表される構造単位を形成するモノマーが含まれる。
(式中、Q3は炭素原子数1乃至13の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、脂環式炭化水素基を有する二価の基、又は芳香環を有する二価の基を表し、前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基及び前記芳香環は置換基を少なくとも1つ有してもよく、2つのvはそれぞれ独立に0又は1を表す。)
(式中、Q4は炭素原子数1乃至13の直鎖状若しくは分岐鎖状の炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香環を表し、前記炭化水素基、前記脂環式炭化水素基及び前記芳香環は置換基を少なくとも1つ有してもよく、前記炭化水素基は主鎖に1つ又は2つの硫黄原子を有しても、二重結合を有してもよく、2つのwはそれぞれ独立に0又は1を表す。)
(式中、R1、R2、R3、Ar及びXは前記式(1)と同義であり、Yは前記式(2)及び前記式(3)で表される構造単位を有するポリマー鎖を表す。)
上記式(4)は、前記式(1)で表される構造によって、上記ポリマー鎖の末端がキャッピングされていることを表している。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、さらに架橋剤を含む。その架橋剤として、特に制限はないが、少なくとも二つの架橋形成置換基(例えば、メチロール基、メトキシメチル基、ブトキシメチル基)を有する含窒素化合物が好ましく用いられる。
架橋反応を促進させるために、本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物は、さらに架橋反応を促進させる化合物を含む。そのような化合物としては、例えば、p−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウムp−トルエンスルホナート、サリチル酸、カンファースルホン酸、5−スルホサリチル酸、4−クロロベンゼンスルホン酸、4−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、1−ナフタレンスルホン酸、クエン酸、安息香酸、ヒドロキシ安息香酸等のスルホン酸化合物及びカルボン酸化合物を使用できる。これら架橋反応を促進させる化合物は、一種のみを使用することができ、また、二種以上を組み合わせて用いることもできる。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物に含まれる上記架橋反応を促進させる化合物は、当該組成物中のポリマーを100質量%とすると、例えば0.1質量%乃至25質量%、好ましくは1質量%乃至10質量%である。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物はさらに有機溶媒を含む。本発明において使用される有機溶媒としては、前述のポリマーを溶解することができれば特に制限されず、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、1−エトキシ−2−プロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、1−メトキシ−2−ブタノール、2−メトキシ−1−ブタノール、3−メトキシ−3−メチルブタノール、3−メトキシ−1−ブタノール、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、2−ヒドロキシイソ酪酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチルを用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、又は2種以上の組合せで使用される。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物はさらに酸発生剤を含んでいてもよい。そのような酸発生剤としては、例えば、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホンが挙げられる。本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物が上記酸発生剤を含む場合、当該組成物中のポリマーを100質量%とすると、例えば0.1質量%乃至5質量%、好ましくは0.2質量%乃至3質量%含む。
本発明のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物には、必要に応じて界面活性剤等の各種添加剤を、本発明の効果を損なわない限りにおいてさらに含んでもよい。界面活性剤は、基板に対する当該組成物の塗布性を向上させるための添加物である。ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤のような公知の界面活性剤を用いることができる。
GPCカラム:Shodex〔登録商標〕・Asahipak〔登録商標〕(昭和電工(株))
カラム温度:40℃
溶媒:N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)
流量:0.6ml/分
標準試料:ポリスチレン(東ソー(株)製)
ディテクター:RIディテクター(東ソー(株)製、RI−8020)
テレフタル酸ジグリシジルエステル(ナガセケムテックス(株)製、商品名:デナコール〔登録商標〕EX711)5.00g、5−ヒドロキシイソフタル酸(東京化成工業(株)製)3.17g、4−tert−ブチルフタル酸無水物(東京化成工業(株)製)0.53g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド(東京化成工業(株)製)0.20gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル35.58gに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、135℃で4時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。GPC分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量5029、分散度は3.04であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式(5)及び式(6)で表される構造単位を有すると共に、下記式(7)で表される構造を末端に有する。
テレフタル酸ジグリシジルエステル(ナガセケムテックス(株)製、商品名:デナコール〔登録商標〕EX711)5.00g、5−ヒドロキシイソフタル酸(東京化成工業(株)製)3.17g、4−tert−ブチルフタル酸無水物(東京化成工業(株)製)0.71g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド(東京化成工業(株)製)0.20gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル36.30gに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、135℃で4時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。GPC分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量1639、分散度は2.67であった。本合成例で得られたポリマーは、合成例1で得られたポリマーと同様、上記式(5)及び式(6)で表される構造単位を有すると共に、上記式(7)で表される構造を末端に有する。
テレフタル酸ジグリシジルエステル(ナガセケムテックス(株)製、商品名:デナコール〔登録商標〕EX711)5.00g、5−ヒドロキシイソフタル酸(東京化成工業(株)製)3.17g、4−tert−ブチルフタル酸無水物(東京化成工業(株)製)0.80g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド(東京化成工業(株)製)0.20gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル36.65gに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、135℃で4時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。GPC分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量4366、分散度は2.29であった。本合成例で得られたポリマーは、合成例1で得られたポリマーと同様、上記式(5)及び式(6)で表される構造単位を有すると共に、上記式(7)で表される構造を末端に有する。
テレフタル酸ジグリシジルエステル(ナガセケムテックス(株)製、商品名:デナコール〔登録商標〕EX711)5.00g、2,4−ジヒドロキシ安息香酸(東京化成工業(株)製)2.68g、4−tert−ブチルフタル酸無水物(東京化成工業(株)製)0.80g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド(東京化成工業(株)製)0.20gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル34.70gに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、135℃で4時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。GPC分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量1671、分散度は1.78であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式(5)及び式(8)で表される構造単位を有すると共に、下記式(7)で表される構造を末端に有する。
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸(四国化成工業(株)製)5.00g、5−ヒドロキシイソフタル酸(東京化成工業(株)製)3.27g、4−tert−ブチルフタル酸無水物(東京化成工業(株)製)0.82g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド(東京化成工業(株)製)0.20gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル37.18gに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、135℃で4時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。GPC分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量4319、分散度は1.92であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式(9)及び式(6)で表される構造単位を有すると共に、下記式(7)で表される構造を末端に有する。
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸(四国化成工業(株)製)5.00g、2,4−ジヒドロキシ安息香酸(東京化成工業(株)製)2.76g、4−tert−ブチルフタル酸無水物(東京化成工業(株)製)0.82g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド(東京化成工業(株)製)0.20gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル35.17gに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、135℃で4時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。GPC分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量1726、分散度は1.69であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式(9)及び式(8)で表される構造単位を有すると共に、下記式(7)で表される構造を末端に有する。
テレフタル酸ジグリシジルエステル(ナガセケムテックス(株)製、商品名:デナコール〔登録商標〕EX711)5.00g、5−ヒドロキシイソフタル酸(東京化成工業(株)製)3.15g及びベンジルトリエチルアンモニウムクロリド(東京化成工業(株)製)0.20gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル35.60gに加え溶解させた。反応容器を窒素置換後、135℃で4時間反応させ、ポリマー溶液を得た。当該ポリマー溶液は、室温に冷却しても白濁等を生じることはなく、プロピレングリコールモノメチルエーテルに対する溶解性は良好である。GPC分析を行ったところ、得られた溶液中のポリマーは、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量15673、分散度は3.39であった。本合成例で得られたポリマーは、下記式(5)及び式(6)で表される構造単位を有するが、そのポリマーは上記式(7)で表される構造を末端に有さない。
得られたポリマーを用いてリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を調製する際、使用する有機溶媒へのポリマーの溶解性の向上は、当該組成物の塗布性を向上させる。そのため、PGMEAと略称されるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートへの溶解性を、紫外線可視分光光度計UV−2550((株)島津製作所製)を用いて、吸光度にて評価した。測定される吸光度が低いほど、ポリマーの溶解性が高いことを示す。リファレンス用として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート/プロピレングリコールモノメチルエーテル=97/3(質量%)の混合溶媒を用いた。
上記合成例3で得られた、ポリマー0.31gを含むポリマー溶液1.75gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕(株)製、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.078g及び5−スルホサリチル酸(東京化成工業(株)製)0.0078gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル10.36g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート27.72gを加え溶解させた。その後孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記合成例4で得られた、ポリマー0.24gを含むポリマー溶液1.40gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕(株)製、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.059g及びピリジニウムp−トルエンスルホナート0.0059g(東京化成工業(株)製)を混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル7.75g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20.79gを加え溶解させた。その後孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記合成例5で得られた、ポリマー0.24gを含むポリマー溶液1.35gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕(株)製、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.059g及びピリジニウムp−トルエンスルホナート(東京化成工業(株))製0.0059gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル7.74g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20.79gを加え溶解させた。その後孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記合成例6で得られた、ポリマー0.24gを含むポリマー溶液1.29gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕(株)製、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.059g及びピリジニウムp−トルエンスルホナート(東京化成工業(株))製0.0059gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル7.80g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート20.79gを加え溶解させた。その後孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
上記合成例7で得られた、ポリマー0.23gを含むポリマー溶液1.31gに、テトラメトキシメチルグリコールウリル(日本サイテックインダストリーズ〔旧三井サイテック〕(株)製、商品名:POWDERLINK〔登録商標〕1174)0.059g及び5−スルホサリチル酸0.0058gを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル21.27g及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート8.91gを加え溶解させた。その後孔径0.05μmのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物とした。
下記式(10)で表される共重合体をポリマーとして含み、さらに添加物として下記式(11)で表される架橋剤、及びピリジニウムp−トルエンスルホナートを含むレジスト下層膜形成組成物を用意した。
実施例1乃至4、比較例1及び比較例2のレジスト下層膜形成組成物を、それぞれ、スピナーにより、半導体基板であるシリコンウェハー上に塗布した。そのシリコンウェハーをホットプレート上に配置し、205℃で1分間ベークし、レジスト下層膜(膜厚0.05μm)を形成した。これらのレジスト下層膜をフォトレジストに使用する溶剤である乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルに浸漬し、それらの溶剤に不溶であることを確認した。
実施例1乃至4、比較例1及び比較例2のレジスト下層膜形成組成物を、それぞれ、スピナーを用い、シリコンウェハー上に塗布した。そのシリコンウェハーをホットプレート上に配置し、205℃で1分間ベークし、レジスト下層膜(膜厚0.10μm)を形成した。そして、日本サイエンティフィック社製、RIEシステムES401を用いてドライエッチング速度を測定した。
実施例1乃至4、比較例1で調製されたレジスト下層膜形成組成物を、それぞれ、図1に上面及び断面を示す構造の、縦13μm、横13μm、高さ230nmの正方形のパターン、及び縦14μm、横14μm、高さ230nmの十字形のパターンが形成されたシリコンウェハー基板に5nmの膜厚で塗布し、光学顕微鏡(オリンパス(株)製、MX61L)のダークフィールドで塗布性を確認した。実施例1乃至4のレジスト下層膜形成組成物を塗布した場合のみ、良好な塗布性を確認できた。
Claims (10)
- 下記式(1)で表される構造をポリマー鎖の末端に有するポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含み、そして
該ポリマーの重量平均分子量は1000乃至10000である、
リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記ポリマーは、下記式(1a)で表される化合物及び下記式(1b)で表される化合物を含む原料モノマーの反応生成物である、請求項1に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記ポリマーは下記式(2)及び式(3)で表される構造単位を有する請求項1又は請求項2に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記式(2)で表される構造単位は下記式(2´)で表される請求項3に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記式(3)で表される構造単位は、下記式(3´)で表される請求項3に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記ポリマーは下記式(4)で表される請求項3乃至請求項5のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記有機溶媒は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、1−エトキシ−2−プロパノール、乳酸エチル、乳酸ブチル、及びシクロヘキサノンからなる群から選択される1種、又は2種以上の組み合わせである請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 前記有機溶媒は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである請求項7に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 更に酸発生剤を含むものである請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
- 請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布しベークして厚さ1nm乃至20nmのレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板をKrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、極端紫外線及び電子線からなる群から選択される放射線により露光する工程、及び露光後にアルカリ性現像液によって現像する工程を含む、レジストパターンの形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013201830 | 2013-09-27 | ||
JP2013201830 | 2013-09-27 | ||
PCT/JP2014/075095 WO2015046149A1 (ja) | 2013-09-27 | 2014-09-22 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015046149A1 JPWO2015046149A1 (ja) | 2017-03-09 |
JP6458952B2 true JP6458952B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=52743285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015539206A Active JP6458952B2 (ja) | 2013-09-27 | 2014-09-22 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9448480B2 (ja) |
JP (1) | JP6458952B2 (ja) |
KR (1) | KR102008161B1 (ja) |
CN (1) | CN105579909B (ja) |
TW (1) | TWI656167B (ja) |
WO (1) | WO2015046149A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102093828B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2020-03-26 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 트리아진환 및 황원자를 주쇄에 갖는 공중합체를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물 |
US10684546B2 (en) | 2016-04-28 | 2020-06-16 | Nissan Chemical Corporation | Composition for forming resist underlayer film |
KR20210071980A (ko) | 2018-10-05 | 2021-06-16 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 레지스트 하층막 형성 조성물 및 그것을 이용한 레지스트패턴의 형성방법 |
KR102348675B1 (ko) | 2019-03-06 | 2022-01-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 |
JPWO2021153698A1 (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-05 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5296542A (en) * | 1988-10-11 | 1994-03-22 | Amoco Corporation | Heat resistant polymers and blends of hydroquinone poly (isoterephthalates) containing residues of p-hydroxybenzoic acid |
JP4013057B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2007-11-28 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及び下層膜形成材料 |
JP4105036B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-06-18 | 信越化学工業株式会社 | レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法 |
KR100853004B1 (ko) | 2004-04-09 | 2008-08-19 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 축합계 폴리머를 갖는 반도체용 반사 방지막 |
KR20100058591A (ko) * | 2007-08-27 | 2010-06-03 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물 및 반도체 장치의 제조방법 |
US8318410B2 (en) | 2008-01-30 | 2012-11-27 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Sulfur atom-containing resist underlayer film forming composition and method for forming resist pattern |
US8435721B2 (en) * | 2008-02-21 | 2013-05-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist underlayer film forming composition and forming method of resist pattern using the same |
US20100092894A1 (en) * | 2008-10-14 | 2010-04-15 | Weihong Liu | Bottom Antireflective Coating Compositions |
US10437150B2 (en) | 2008-11-27 | 2019-10-08 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming resist underlayer film with reduced outgassing |
JP5333737B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2013-11-06 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
WO2012124597A1 (ja) * | 2011-03-15 | 2012-09-20 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法 |
JP6083537B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2017-02-22 | 日産化学工業株式会社 | Euvリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物 |
-
2014
- 2014-09-22 WO PCT/JP2014/075095 patent/WO2015046149A1/ja active Application Filing
- 2014-09-22 CN CN201480052938.6A patent/CN105579909B/zh active Active
- 2014-09-22 US US15/023,823 patent/US9448480B2/en active Active
- 2014-09-22 JP JP2015539206A patent/JP6458952B2/ja active Active
- 2014-09-22 KR KR1020167005611A patent/KR102008161B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-26 TW TW103133587A patent/TWI656167B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201527401A (zh) | 2015-07-16 |
KR102008161B1 (ko) | 2019-08-07 |
CN105579909A (zh) | 2016-05-11 |
US9448480B2 (en) | 2016-09-20 |
KR20160060035A (ko) | 2016-05-27 |
JPWO2015046149A1 (ja) | 2017-03-09 |
US20160238936A1 (en) | 2016-08-18 |
CN105579909B (zh) | 2019-11-12 |
WO2015046149A1 (ja) | 2015-04-02 |
TWI656167B (zh) | 2019-04-11 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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