JP2009170779A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコン基板1の主面上で選択エッチングにより、二次元アレイ状に配列された柱状パターン2と、柱状パターン2を列方向に接続するブリッジパターン3とを形成する工程と、柱状パターン2及びブリッジパターン3の表面部分と、シリコン基板1の表面部分とに不純物イオンを注入し、不純物注入層4を形成する工程と、柱状パターン2及びブリッジパターン3の側壁にサイドウォール5を形成する工程と、サイドウォール5の底部に覆われた不純物注入層4を除いて、シリコン基板1に形成された不純物注入層4を除去する工程と、エッチバックによりサイドウォール5を除去する工程と、ブリッジパターン3の表面部分を熱酸化した後に、エッチング除去する工程と、をこの順に有し、柱状パターン2の列方向に延びる埋込配線6をシリコン基板1内に形成する。
【選択図】図5
Description
前記柱状パターン及びブリッジパターンの頂部表面部分と前記半導体基板の露出した表面部分とに不純物を注入し、拡散領域を形成する工程と、
前記柱状パターン及びブリッジパターンの側壁を覆う側壁酸化膜を形成する工程と、
前記側壁酸化膜に覆われる拡散領域を除いて、前記半導体基板の表面部分の拡散領域を除去する工程と、
前記側壁酸化膜を除去する工程とを有し、
前記半導体基板上に残された拡散領域を列方向に延びる列配線とすることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
前記半導体基板上に二次元アレイ状に配列され、それぞれが頂部に第1の拡散層を有する、半導体からなる複数の柱状パターンと、
前記半導体基板の表面上に形成され、列方向に並ぶ柱状パターンの周囲を囲み且つ該柱状パターンを列方向に接続する第2の拡散層と、
行方向に並ぶ柱状パターンの側壁に絶縁膜を介してそれぞれ形成され、行方向に相互に接続されたゲート電極とを備えることを特徴とする半導体装置を提供する。
2:柱状パターン
3:ブリッジパターン
4:不純物注入層
4a:上部拡散層
4b:コンタクト形成領域
5:サイドウォール
6:埋込配線
7:熱酸化膜
8:ゲート酸化膜
9:ゲート電極
10,15:層間絶縁膜
11:コンタクトプラグ
12:キャパシタ
13:シリコン窒化膜
14:DOPOS
20a〜20d:マスクパターン
100,100A:半導体装置
A:第2距離
B:第1距離
Claims (8)
- 半導体基板上に、二次元アレイ状に配列された柱状パターン及び該柱状パターンを列方向に接続するブリッジパターンを形成する工程と、
前記柱状パターン及びブリッジパターンの頂部表面部分と前記半導体基板の露出した表面部分とに不純物を注入し、拡散領域を形成する工程と、
前記柱状パターン及びブリッジパターンの側壁を覆う側壁酸化膜を形成する工程と、
前記側壁酸化膜に覆われる拡散領域を除いて、前記半導体基板の表面部分の拡散領域を除去する工程と、
前記側壁酸化膜を除去する工程とを有し、
前記半導体基板上に残された拡散領域を列方向に延びる列配線とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記側壁酸化膜を除去する工程に後続し、熱酸化法により少なくとも前記ブリッジパターンを酸化する工程と、該酸化されたブリッジパターンを除去する工程とを更に有する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ブリッジパターンを除去する工程に後続し、前記柱状パターン及び前記半導体基板の表面部分を覆う酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜の表面上に、前記柱状パターンの側壁及び前記半導体基板の表面上で行方向に延びる行配線を形成する工程とを更に有する、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記柱状パターン及びブリッジパターンを形成する工程では、前記ブリッジパターンで接続された列方向に隣り合う前記柱状パターン間の第1距離と、行方向に隣り合う前記柱状パターン間の第2距離とを略同一とする、請求項1〜3の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記柱状パターン及びブリッジパターンを形成する工程では、前記ブリッジパターンで接続された列方向に隣り合う前記柱状パターン間の第1距離を、行方向に隣り合う前記柱状パターン間の第2距離よりも大きくする、請求項1〜3の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 行方向に隣り合う前記柱状パターンは、列方向に前記第1距離以下ずれている請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板がシリコン基板である、請求項1〜6の何れか一に記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に二次元アレイ状に配列され、それぞれが頂部に第1の拡散層を有する、半導体からなる複数の柱状パターンと、
前記半導体基板の表面上に形成され、列方向に並ぶ柱状パターンの周囲を囲み且つ該柱状パターンを列方向に接続する第2の拡散層と、
行方向に並ぶ柱状パターンの側壁に絶縁膜を介してそれぞれ形成され、行方向に相互に接続されたゲート電極とを備えることを特徴とする半導体装置。
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