JP2009152635A - 枚葉式の処理装置 - Google Patents
枚葉式の処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009152635A JP2009152635A JP2009078287A JP2009078287A JP2009152635A JP 2009152635 A JP2009152635 A JP 2009152635A JP 2009078287 A JP2009078287 A JP 2009078287A JP 2009078287 A JP2009078287 A JP 2009078287A JP 2009152635 A JP2009152635 A JP 2009152635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting table
- wafer
- processing apparatus
- processing
- temperature measurement
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】 載置台における温度分布の面内均一性を高く保持して処理の面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器３６内に設けられた薄板状の載置台５８にリフトピン７０を昇降させることによって被処理体Ｗを載置し、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプ１０８により加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記被処理体の周辺のエッジ部を支持できるように前記リフトピンを配置すると共に、前記載置台には前記エッジ部に対応する部分に前記昇降するリフトピンを通すためのピン挿通部６０が形成される。これにより、ピン挿通部を通過する加熱ランプからの照射光が載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制する。
【選択図】 図１
【解決手段】 処理容器３６内に設けられた薄板状の載置台５８にリフトピン７０を昇降させることによって被処理体Ｗを載置し、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプ１０８により加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記被処理体の周辺のエッジ部を支持できるように前記リフトピンを配置すると共に、前記載置台には前記エッジ部に対応する部分に前記昇降するリフトピンを通すためのピン挿通部６０が形成される。これにより、ピン挿通部を通過する加熱ランプからの照射光が載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制する。
【選択図】 図１
Description
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に所定の処理を施す枚葉式の処理装置に関する。
一般に、半導体集積回路を製造するには、半導体ウエハ等の被処理体に、成膜処理、エッチング処理、熱処理、改質処理、結晶化処理等の各種の処理を繰り返し行なって、所望する集積回路を形成するようになっている。上記したような各種の処理を行なう場合には、その処理の種類に対応して必要な処理ガス、例えば成膜処理の場合には成膜ガスを、改質処理の場合にはオゾンガス等を、結晶化処理の場合にはＮ２ ガス等の不活性ガスやＯ２ ガス等をそれぞれ処理容器内へ導入する。
例えば半導体ウエハに対して１枚毎に熱処理を施す枚葉式の処理装置を例にとれば（特許文献１参照）、真空引き可能になされた処理容器内に、薄い載置台を設置し、この上面に半導体ウエハを載置した状態で下方より加熱ランプで加熱しつつ所定の処理ガスを流し、ウエハに各種の熱処理を施すようになっている。
例えば半導体ウエハに対して１枚毎に熱処理を施す枚葉式の処理装置を例にとれば（特許文献１参照）、真空引き可能になされた処理容器内に、薄い載置台を設置し、この上面に半導体ウエハを載置した状態で下方より加熱ランプで加熱しつつ所定の処理ガスを流し、ウエハに各種の熱処理を施すようになっている。
ところで、この載置台には、周知のように処理容器内へ搬入されてきたウエハを載置台上に移載するために上下方向へ出没可能になされた押し上げピンが設けられており、これを昇降させることにより、ウエハを載置台上に載置したり、或いは逆に、載置台上のウエハを上方へ突き上げたりできるようになっている。そして、載置台上のウエハは、その周縁部をリング状のクランプ部材で載置台側に押し付けて固定され、処理中にこのウエハが位置ずれしないようにしている。
この点について、図２１及び図２２を参照して詳しく説明する。
図２１は一般的な枚葉式の処理装置を示す構成図、図２２は載置台の部分を中心として示す平面図である。図２１に示すように、例えば真空引き可能になされた処理容器２内には、半導体ウエハＷを載置する載置台４が設けられると共に、この対向側にはシャワーヘッド部６が設けられて所定の処理ガスを供給する。また、載置台４の下方であって、処理容器２の底部側には透過窓１０を介して加熱手段として加熱ランプ８が設けられて、上記ウエハＷを加熱するようになっている。
図２１は一般的な枚葉式の処理装置を示す構成図、図２２は載置台の部分を中心として示す平面図である。図２１に示すように、例えば真空引き可能になされた処理容器２内には、半導体ウエハＷを載置する載置台４が設けられると共に、この対向側にはシャワーヘッド部６が設けられて所定の処理ガスを供給する。また、載置台４の下方であって、処理容器２の底部側には透過窓１０を介して加熱手段として加熱ランプ８が設けられて、上記ウエハＷを加熱するようになっている。
また、上記載置台４の直下には、アクチュエータ（図示せず）により一体的に昇降可能になされた複数、例えば３本のリフトピン１２（図示例では２本のみ記す）が設けられ、このリフトピン１２の先端が載置台４に設けたピン孔１４に挿通されてウエハＷを持ち上げたり、持ち下げたりできるようになっている。
そして、このリフトピン１２と一体的に、載置台４の外側に位置させてロッド部材１６が設けられる。このロッド部材１６は、石英製の弾発部材収容筒１８内に収容されたバネの如き弾発部材により上下方向へ出没可能になされている。そして、このロッド部材１６の上端部に例えば金属汚染の少ない、しかも熱伸縮も少ない窒化アルミ（ＡｌＮ）等のセラミックよりなる円形リング状のクランプ部材２０が取り付けられており、このクランプ部材２０の内側周縁部が上記ウエハＷの周縁部の上面と当接してこのウエハＷを載置台４側に押圧固定するようになっている。
そして、このリフトピン１２と一体的に、載置台４の外側に位置させてロッド部材１６が設けられる。このロッド部材１６は、石英製の弾発部材収容筒１８内に収容されたバネの如き弾発部材により上下方向へ出没可能になされている。そして、このロッド部材１６の上端部に例えば金属汚染の少ない、しかも熱伸縮も少ない窒化アルミ（ＡｌＮ）等のセラミックよりなる円形リング状のクランプ部材２０が取り付けられており、このクランプ部材２０の内側周縁部が上記ウエハＷの周縁部の上面と当接してこのウエハＷを載置台４側に押圧固定するようになっている。
そして、上記載置台４の下方の側部には、その内壁面が反射面になされた円筒体状の反射部材２２が処理容器２の底部より起立させて設けられており、側方に発散する加熱ランプ８からの照射光を載置台４の裏面側に向けて反射するようになっている。そして、この反射部材２２の上端部には、上記ロッド部材１６やリフタピン１２等の昇降移動を許容するための切り込み部２４が部分的に形成されている。
また、上記反射部材２２の外側には、円筒体状の支柱２６が起立させて設けられており、この支柱２６の上端部には、補助リング２８を介して同じく円形リング状に成形されたアタッチメント部材３０（図２２参照）が設けられている。そして、このアタッチメント部材３０の内周面に、中心方向へ突出した複数の、図示例では４つの支持突起３０Ａが設けられており、この支持突起３０Ａに、前記載置台４の周縁部の裏面を当接させて、これを支持するようになっている。また、このアタッチメント部材３０には、上記ロッド部材１６や弾発部材収容筒１８を挿通するための挿通孔３２が形成されている。また、載置台４の外周端部には、載置台４の内部に向けて温度測定穴（図示せず）が設けられており、この温度測定穴に熱電対や光ファイバのロッドを挿入して載置台４の中心部や周辺部の温度を検出して温度制御を行うようになっている。
また、上記反射部材２２の外側には、円筒体状の支柱２６が起立させて設けられており、この支柱２６の上端部には、補助リング２８を介して同じく円形リング状に成形されたアタッチメント部材３０（図２２参照）が設けられている。そして、このアタッチメント部材３０の内周面に、中心方向へ突出した複数の、図示例では４つの支持突起３０Ａが設けられており、この支持突起３０Ａに、前記載置台４の周縁部の裏面を当接させて、これを支持するようになっている。また、このアタッチメント部材３０には、上記ロッド部材１６や弾発部材収容筒１８を挿通するための挿通孔３２が形成されている。また、載置台４の外周端部には、載置台４の内部に向けて温度測定穴（図示せず）が設けられており、この温度測定穴に熱電対や光ファイバのロッドを挿入して載置台４の中心部や周辺部の温度を検出して温度制御を行うようになっている。
ところで、半導体集積回路の微細化、薄膜化及び集積化が更に進むに従って、処理の面内均一性を更に向上させることが要求されるに至っており、例えば成膜処理を例にとれば、膜厚の面内均一性を一層向上させることが求められている。
しかしながら、従来の装置例にあっては、載置台４の周縁部より相当内側に、リフトピン１２を挿通するためのピン孔１４が形成されているために、この部分における温度分布に悪影響を与える、といった問題があった。すなわち、載置台４は、例えば窒化アルミニウムよりなり、その裏面は略黒色になされていることから、加熱ランプ８からの照射光を効率的に吸収できるのに対して、直径が１０ｍｍ程度の上記ピン孔１４の部分では、これに照射光８が直接的に侵入して赤外線の透過率が大きなウエハＷを透過してしまうので、加熱温度分布特性に悪影響を与える傾向にあった。
しかしながら、従来の装置例にあっては、載置台４の周縁部より相当内側に、リフトピン１２を挿通するためのピン孔１４が形成されているために、この部分における温度分布に悪影響を与える、といった問題があった。すなわち、載置台４は、例えば窒化アルミニウムよりなり、その裏面は略黒色になされていることから、加熱ランプ８からの照射光を効率的に吸収できるのに対して、直径が１０ｍｍ程度の上記ピン孔１４の部分では、これに照射光８が直接的に侵入して赤外線の透過率が大きなウエハＷを透過してしまうので、加熱温度分布特性に悪影響を与える傾向にあった。
また、クランプ部材２０を支持する弾発部材収容筒１８は、一般的には全体で３個設けられているが、この弾発部材収容筒１８が加熱ランプ８からの照射光を直接的に受けるような構造となっているために、アタッチメント部材３０の裏面側等において上記弾発部材収容筒１８の影となって照射光が直接的に当たらない部分が発生するなどして、載置台４の加熱温度分布特性に悪影響を与える傾向にあった。
更には、図２２に示すように、載置台４は、例えば石英製のアタッチメント部材３０に形成した支持突起３０Ａと部分的に接し、且つこの支持突起３０Ａの部分のみで上下方向にオーバラップしているので、温度分布のバランスを崩す原因となり、この点よりも載置台４の加熱温度分布特性に悪影響を与える傾向にあった。
更には、図２２に示すように、載置台４は、例えば石英製のアタッチメント部材３０に形成した支持突起３０Ａと部分的に接し、且つこの支持突起３０Ａの部分のみで上下方向にオーバラップしているので、温度分布のバランスを崩す原因となり、この点よりも載置台４の加熱温度分布特性に悪影響を与える傾向にあった。
また載置台４の温度測定穴には、熱電対や光ファイバのロッドを挿入して載置台４の温度を検出しているが、この温度測定穴に処理ガス、例えば成膜ガスが侵入してくると、成膜ガスの種類によっては、次のような問題があった。すなわち、温度測定のために熱電対を用いている場合には、腐食性の成膜ガスが熱電対や載置台の内部を構成する材料と反応してしまい、この熱電対を温度測定穴から抜いて取り出すことができなくなったり、温度測定が不安定になってしまう。
また温度測定のために光ファイバのロッドを用いている場合には、ロッドの先端または外周部分に所定の屈折率を有する堆積物が付着してしまい、これがために、測定帯域の波長の光成分の入射量が減少したり、一部が外へ漏れ出してしまったり、或いは逆に外部より光ファイバ内へ外乱の光が侵入してしまったりし、正確な温度測定ができなくなる、といった問題があった。
また温度測定のために光ファイバのロッドを用いている場合には、ロッドの先端または外周部分に所定の屈折率を有する堆積物が付着してしまい、これがために、測定帯域の波長の光成分の入射量が減少したり、一部が外へ漏れ出してしまったり、或いは逆に外部より光ファイバ内へ外乱の光が侵入してしまったりし、正確な温度測定ができなくなる、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、載置台における温度分布の面内均一性を高く保持して処理の面内均一性を向上させることが可能な枚葉式の処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、熱電対や光ファイバのロッドを挿入する温度測定穴内へ処理ガスが侵入することを確実に防止して正確な載置台温度を検出することが可能な枚葉式の処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、熱電対や光ファイバのロッドを挿入する温度測定穴内へ処理ガスが侵入することを確実に防止して正確な載置台温度を検出することが可能な枚葉式の処理装置を提供することにある。
請求項１に係る発明は、処理容器内に設けられた薄板状の載置台にリフトピンを昇降させることによって被処理体を載置し、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプにより加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記被処理体の周辺のエッジ部を支持できるように前記リフトピンを配置すると共に、前記載置台には前記エッジ部に対応する部分に前記昇降するリフトピンを通すためのピン挿通部が形成されていることを特徴とする枚葉式の処理装置である。
このように、被処理体の周辺の端部であるエッジ部を支持できるようにリフトピンを配置し、且つ載置台には上記エッジ部に対応する部分にリフトピンを通す挿通部を形成するようにしたので、このピン挿通部を通過する加熱ランプからの照射光が載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制することが可能となり、この結果、被処理体の面内処理の均一性を向上させることが可能となる。
このように、被処理体の周辺の端部であるエッジ部を支持できるようにリフトピンを配置し、且つ載置台には上記エッジ部に対応する部分にリフトピンを通す挿通部を形成するようにしたので、このピン挿通部を通過する加熱ランプからの照射光が載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制することが可能となり、この結果、被処理体の面内処理の均一性を向上させることが可能となる。
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記エッジ部は、前記被処理体の外周端面より５ｍｍ以内の範囲である。
また、例えば請求項３に規定するように、前記ピン挿通部は、前記載置台の周縁部に形成した切り欠きにより構成される。
また、例えば請求項４に規定するように、前記ピン挿通部は、前記載置台の周縁部に形成した貫通孔により構成される。
また、例えば請求項３に規定するように、前記ピン挿通部は、前記載置台の周縁部に形成した切り欠きにより構成される。
また、例えば請求項４に規定するように、前記ピン挿通部は、前記載置台の周縁部に形成した貫通孔により構成される。
請求項５に係る発明は、処理容器内にリング状のアタッチメント部材を設け、該アタッチメント部材の内側周縁部により薄板円板状の載置台を支持させ、前記載置台上に被処理体を載置して前記載置台の下方に配置した加熱ランプにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記アタッチメント部材は、その内側周縁部と前記載置台の周縁部とが所定の幅でその周方向に沿って上下方向に重なるような状態で前記載置台を支持するように構成したことを特徴とする枚葉式の処理装置である。
このように、リング状のアタッチメント部材は、その内側周縁部と載置台の周縁部とがその周方向に沿って上下方向に全体的に重なるような状態で載置台を支持するように構成したので、載置台の周縁部において照射光が直接当たる部分と当たらない部分（支持突起の部分に対応）とが発生するような従来の処理装置と異なり、載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制することが可能となる。この結果、被処理体の面内処理の均一性を向上させることが可能となる。
このように、リング状のアタッチメント部材は、その内側周縁部と載置台の周縁部とがその周方向に沿って上下方向に全体的に重なるような状態で載置台を支持するように構成したので、載置台の周縁部において照射光が直接当たる部分と当たらない部分（支持突起の部分に対応）とが発生するような従来の処理装置と異なり、載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制することが可能となる。この結果、被処理体の面内処理の均一性を向上させることが可能となる。
この場合、例えば請求項６に規定するように、前記アタッチメント部材の内側周縁部の上面と前記載置台の周縁部の下面との間には複数のスペーサ部材がその周方向に沿って適宜配置されている。
請求項７に係る発明は、処理容器内に設けられた薄板状の載置台にリフトピンを昇降させることによって被処理体を載置し、前記被処理体の上面の周縁部に当接して弾発機構部により発生する弾性力により前記被処理体を前記載置台側に押圧して保持させるクランプ部材を設け、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプにより加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記載置台の外側の下方に、前記加熱ランプからの照射光を前記載置台に向けて反射するために円筒体状に成形された所定の厚みの反射部材を設け、前記反射部材の上部に、前記クランプ部材に弾発力を付与する前記弾発機構部を収容するための部材収容空間を形成するように構成したことを特徴とする枚葉式の処理装置である。
請求項７に係る発明は、処理容器内に設けられた薄板状の載置台にリフトピンを昇降させることによって被処理体を載置し、前記被処理体の上面の周縁部に当接して弾発機構部により発生する弾性力により前記被処理体を前記載置台側に押圧して保持させるクランプ部材を設け、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプにより加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記載置台の外側の下方に、前記加熱ランプからの照射光を前記載置台に向けて反射するために円筒体状に成形された所定の厚みの反射部材を設け、前記反射部材の上部に、前記クランプ部材に弾発力を付与する前記弾発機構部を収容するための部材収容空間を形成するように構成したことを特徴とする枚葉式の処理装置である。
このように、加熱ランプからの照射光を載置台の裏面に向けて反射する円筒体状に成形された反射部材の上部に、例えば切り込み状の部材収容空間を設け、この部材収容空間内に、クランプ部材へ弾発力を付与する弾発機構部を収容するようにしたので、この弾発機構部に加熱ランプからの照射光が直接的に当たっていた従来の処理装置とは異なり、載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制することが可能となる。この結果、被処理体の面内処理の均一性を向上させることが可能となる。
この場合、例えば請求項８に規定するように、前記弾発機構部は、石英製の弾発部材収容筒と、該弾発部材収容筒内に収容された弾発部材と、上端部が前記クランプ部材に連結されて下端部が前記弾発部材に係合されたシャフト部材とにより構成される。
請求項９に係る発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載された処理装置に含まれる特徴的構成と、請求項５または６に記載された処理装置に含まれる特徴的構成と、請求項７または８に記載された処理装置に含まれる特徴的構成とを含む３つの特徴的構成の中から、選択された２以上の特徴的構成を含むことを特徴とする枚葉式の処理装置である。
請求項９に係る発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載された処理装置に含まれる特徴的構成と、請求項５または６に記載された処理装置に含まれる特徴的構成と、請求項７または８に記載された処理装置に含まれる特徴的構成とを含む３つの特徴的構成の中から、選択された２以上の特徴的構成を含むことを特徴とする枚葉式の処理装置である。
請求項１０に係る発明は、処理容器内の処理空間へ処理ガスを供給するガス供給手段を設け、前記処理容器内にリング状のアタッチメント部材を設け、該アタッチメント部材の内側周縁部により薄板円板状の載置台の外周端部を支持させ、前記載置台の下方にバックサイドガスを供給するバックサイドガス供給手段を設け、前記載置台上に被処理体を載置して前記載置台の下方に配置した加熱ランプにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、前記載置台の外周端部の側面に、該側面より載置台の内部に向かって温度測定穴を形成し、前記アタッチメント部材側より前記温度測定穴に向けて温度測定用検出子を挿入し、前記温度測定穴を形成した前記載置台の外周端部及び前記温度測定穴を臨む前記アタッチメント部材の内側周縁部の内の少なくともいずれか一方に、前記載置台の下方より上方の前記処理空間に向かうバックサイドガスの通りを促進させるガス流促進切り欠きを設けるように構成したことを特徴とする枚葉式の処理装置である。
このように、温度測定用検出子を挿入する温度測定穴を形成した載置台の外周端部やこの温度測定穴を臨むアタッチメント部材にガス流促進切り欠きを設けて、載置台の下方に供給されているバックサイドガスを上記ガス流促進切り欠きを介して上方の処理空間側へ積極的に流すようにしたので、上記温度測定穴内へ処理ガスが侵入することを確実に防止することができ、この結果、温度測定用検出子の表面に堆積物が付着するのを防止したり、温度測定穴内で腐食が発生することを確実に防止することができる。
この場合、例えば請求項１１に規定するように、前記温度測定用検出子には、温度測定ユニットが接続される。
また例えば請求項１２に規定するように、前記温度測定用検出子は２本設けられており、一方の温度測定用検出子の先端部は前記載置台の略中央部に位置されると共に、他方の温度測定用検出子の先端部は前記載置台の略周辺部に位置される。
また例えば請求項１３に規定するように、前記温度測定用検出子は光ファイバのロッドである。
また例えば請求項１４に規定するように、前記温度測定用検出子は熱電対である。
また例えば請求項１２に規定するように、前記温度測定用検出子は２本設けられており、一方の温度測定用検出子の先端部は前記載置台の略中央部に位置されると共に、他方の温度測定用検出子の先端部は前記載置台の略周辺部に位置される。
また例えば請求項１３に規定するように、前記温度測定用検出子は光ファイバのロッドである。
また例えば請求項１４に規定するように、前記温度測定用検出子は熱電対である。
本発明の枚葉式の処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項１〜４に係る発明によれば、被処理体の周辺の端部であるエッジ部を支持できるようにリフトピンを配置し、且つ載置台には上記エッジ部に対応する部分にリフトピンを通す挿通部を形成するようにしたので、このピン挿通部を通過する加熱ランプからの照射光が載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制することが可能となり、この結果、被処理体の面内処理の均一性を向上させることができる。
請求項１〜４に係る発明によれば、被処理体の周辺の端部であるエッジ部を支持できるようにリフトピンを配置し、且つ載置台には上記エッジ部に対応する部分にリフトピンを通す挿通部を形成するようにしたので、このピン挿通部を通過する加熱ランプからの照射光が載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制することが可能となり、この結果、被処理体の面内処理の均一性を向上させることができる。
請求項５、６に係る発明によれば、リング状のアタッチメント部材は、その内側周縁部と載置台の周縁部とがその周方向に沿って上下方向に全体的に重なるような状態で載置台を支持するように構成したので、載置台の周縁部において照射光が直接当たる部分と当たらない部分（支持突起の部分に対応）とが発生するような従来の処理装置と異なり、載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制することができる。この結果、被処理体の面内処理の均一性を向上させることができる。
請求項７、８に係る発明によれば、加熱ランプからの照射光を載置台の裏面に向けて反射する円筒体状に成形された反射部材の上部に、例えば切り込み状の部材収容空間を設け、この部材収容空間内に、クランプ部材へ弾発力を付与する弾発機構部を収容するようにしたので、この弾発機構部に加熱ランプからの照射光が直接的に当たっていた従来の処理装置とは異なり、載置台の加熱温度の分布特性に与える悪影響を大幅に抑制することができる。この結果、被処理体の面内処理の均一性を向上させることができる。
請求項９に係る発明によれば、上記したような作用効果を一層促進させることができる。
請求項９に係る発明によれば、上記したような作用効果を一層促進させることができる。
請求項１０〜１４に係る発明によれば、温度測定用検出子を挿入する温度測定穴を形成した載置台の外周端部やこの温度測定穴を臨むアタッチメント部材にガス流促進切り欠きを設けて、載置台の下方に供給されているバックサイドガスを上記ガス流促進切り欠きを介して上方の処理空間側へ積極的に流すようにしたので、上記温度測定穴内へ処理ガスが侵入することを確実に防止することができ、この結果、温度測定用検出子の表面に堆積物が付着するのを防止したり、温度測定穴内で腐食が発生することを確実に防止することができる。
以下に、本発明に係る枚葉式の処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る枚葉式の処理装置の一実施例を示す断面図、図２は載置台とアタッチメント部材との取り付け状態を示す平面図、図３は載置台を示す平面図、図４はアタッチメント部材を主体とする平面図、図５は載置台の支持状態を示す部分拡大断面図、図６はリフトピンと弾発機構部を示す斜視図、図７はリフトピンとクランプ部材の動作を説明するための動作説明図、図８は反射部材を示す斜視図、図９は反射部材と弾発機構部との位置関係を説明するための平面図である。
図１は本発明に係る枚葉式の処理装置の一実施例を示す断面図、図２は載置台とアタッチメント部材との取り付け状態を示す平面図、図３は載置台を示す平面図、図４はアタッチメント部材を主体とする平面図、図５は載置台の支持状態を示す部分拡大断面図、図６はリフトピンと弾発機構部を示す斜視図、図７はリフトピンとクランプ部材の動作を説明するための動作説明図、図８は反射部材を示す斜視図、図９は反射部材と弾発機構部との位置関係を説明するための平面図である。
まず、本実施例では、処理装置３４として加熱ランプを用いた高速昇温が可能な枚葉式の成膜装置を例にとって説明する。この処理装置３４は、例えばアルミニウム等により円筒状或いは箱状に成形された処理容器３６を有している。この処理容器３６の天井部には、成膜用ガスやクリーニングガス等の処理ガスをこの処理容器３６内へ導入するためのガス供給手段としてシャワーヘッド部３８がＯリング等のシール部材３９を介して設けられている。具体的には、このシャワーヘッド部３８は、例えばアルミニウム等により円形箱状に成形されたヘッド本体４０を有し、このヘッド本体４０の下面であるガス噴出面には、ヘッド本体４０内へ供給されたガスを放出するための多数のガス噴出孔４２が面内に均等に配置されており、この下方の処理空間Ｓにガスを供給してウエハ表面に亘って均等にガスを放出するようになっている。シャワーヘッド部３８は上記構成に限定されず、使用する処理ガスの種類に応じて種々の構造のものが採用される。処理容器３６内の天井部において上記シャワーヘッド部３８の側方にはガス流を安定化させるために例えば石英よりなるリング状のガス流安定化部材４４が配置されている。
また、この処理容器３６の側壁には、この中へウエハＷを搬入、或いは搬出する際に開閉されるゲートバルブＧが設けられており、例えば真空引き可能になされたロードロック室や搬送室（図示せず）に連結されている。
また、処理容器３６の底部の周辺部には、排気口４６が形成されており、この排気口４６には図示しない真空ポンプ等を介設した排気路４８が接続されて、処理容器３６内を真空引きできるようになっている。
また、処理容器３６の底部の周辺部には、排気口４６が形成されており、この排気口４６には図示しない真空ポンプ等を介設した排気路４８が接続されて、処理容器３６内を真空引きできるようになっている。
そして、処理容器３６の底部からは、円筒状の支持コラム５０が起立させて設けられており、この支持コラム５０の上端の外周側には、下方向へのガス流を整える整流板５２が設けられている。また、この支持コラム５０の上端の内周側には、例えばアルミニウムよりなる環状の補助リング５４を介してその内側に、例えば石英よりなる同じく環状（リング状）に成形されたアタッチメント部材５６が支持させて設けられている。そして、図２にも示すように、このアタッチメント部材５６の内側周縁部により載置台５８を支持するようになっている。具体的には、この載置台５８は、セラミックス、例えば窒化アルミニウムにより厚さが例えば３．５ｍｍ程度の薄板円板状に成形されており、この上面側にこれと略同一直径サイズの被処理体である半導体ウエハＷを載置し得るようになっている。この載置台５８の裏面は、照射光の吸収を高めるように黒色処理されている。そして、この載置台５８には、図３にも示すように、上記半導体ウエハＷの周辺のエッジ部に対応させて、この外周端部には周方向に沿って略均等に配置させて後述するリフトピンを通すための複数、図示例では３つのピン挿通部６０が形成されている。ここでは、各ピン挿通部６０は、外方へ解放された矩形状の切り欠きとして成形されている。
また、上記アタッチメント部材５６の内側周縁部には、図４にも示すように所定の幅Ｗ１の係合段部６２が周方向に沿ってリング状に形成されており、この係合段部６２に上記ウエハＷの周縁部全体を上下に重なるような状態で設置することにより、載置台５８を保持するようになっている。これにより、ウエハＷの周縁部における熱的不均衡を抑制するようになっている。そして、この係合段部６２の上面には、その周方向に沿って所定の間隔で複数、図示例では６個のスペーサ部材６４（図４及び図５も参照）が配置されており、このスペーサ部材６４に載置台５８の周縁部の下面を直接的に当接させてこれを支持するようになっている。このスペーサ部材６４は例えば石英よりなり、その厚みは例えば０．５ｍｍ程度である。
また、上記係合段部６２には、上記載置台５８に形成したピン挿通部６０に対応させた位置に、同じく後述するリフトピンを通すための３つの切り欠き６６が形成されており、このピン挿通部６０と切り欠き６６の位置が一致するようにして上記載置台５８が支持される（図２参照）。
また、上記アタッチメント部材５６には、上記切り欠き６６の位置に対応させて、後述するクランプ部材を支持するロッド部材等を挿通させるためのロッド挿通孔６８がその周方向に沿って３つ形成されている。
そして、上記載置台５８の外側方向の斜め下方には、複数本、例えば３本のＬ字状になされたリフトピン７０が上方へ起立させて設けられており（図６参照）、このリフトピン７０を上下動させることにより、上記リフトピン７０を載置台５８に設けた３つの切り欠き状の挿通部６０及びアタッチメント部材５６に設けた切り欠き６６を通ってウエハＷを持ち上げ、或いは持ち下げ得るようになっている。
また、上記アタッチメント部材５６には、上記切り欠き６６の位置に対応させて、後述するクランプ部材を支持するロッド部材等を挿通させるためのロッド挿通孔６８がその周方向に沿って３つ形成されている。
そして、上記載置台５８の外側方向の斜め下方には、複数本、例えば３本のＬ字状になされたリフトピン７０が上方へ起立させて設けられており（図６参照）、このリフトピン７０を上下動させることにより、上記リフトピン７０を載置台５８に設けた３つの切り欠き状の挿通部６０及びアタッチメント部材５６に設けた切り欠き６６を通ってウエハＷを持ち上げ、或いは持ち下げ得るようになっている。
ここで図７にも示すように、リフトピン７０は、ウエハＷの周辺のエッジ部を支持できるように配置されている。具体的には、このリフトピン７０の直径Ｄ１は例えば５ｍｍ程度であるのに対して、上記載置台５８のピン挿通部６０の幅Ｗ２は例えば４ｍｍ程度である。そして、リフトピン７０の上端の一部でウエハＷを支持するようになっており、この時のウエハＷのエッジ部とリフトピン７０の上端の重なり幅Ｗ３は例えば３ｍｍ程度に設定されている。尚、ウエハＷの搬送位置精度は±０．２ｍｍ程度なので、上記寸法でもウエハＷの位置制御を十分に行うことができる。また、上記重なり幅Ｗ３は、ウエハＷの外周端面から最大５ｍｍ程度まで拡大させてもよい。これにより、ピン挿通部６０を通る後述する加熱ランプからの照射光がウエハＷに与える熱的影響をできるだけ抑制するようになっている。
そして、上記載置台５８の外側斜め上方には、これに載置されるウエハＷを位置ずれしないようにウエハＷを保持するためのクランプ部材７２が設けられる。具体的には、このクランプ部材７２は、上記ウエハＷの直径よりも１廻り大きな直径を有し、且つその厚さが薄くなされてリング状に成形されている。このクランプ部材７２は、ウエハＷに対する金属汚染の恐れが非常に少なく、且つ耐熱性に優れてその熱伸縮量も小さな材料、例えば窒化アルミ等のセラミックにより形成されている。このクランプ部材７２の内側周縁部の下面がウエハＷの周縁部の上面と接触してこれを下方向へ押圧することによりウエハＷを載置台５８側へ押さえ付けている（図７参照）。
このリング状のクランプ部材７２には、これにウエハ押圧時の弾発力を付与するための弾発機構部７４が取り付けられている（図７参照）。この弾発機構部７４は、上端部が上記クランプ部材７２に連結されたシャフト部材７６と、このシャフト部材７６の下端部に係合された弾発部材７８と、この弾発部材７８を収容する例えば石英製の弾発部材収容筒８０とにより主に構成されている。具体的には、上記シャフト部材７６は、クランプ部材７２の周方向に沿って略等間隔で３つ設けられており、図７に示すように各シャフト部材７６の上端部が上記クランプ部材７２にＣリング８２を介して取り付けられている。
上記弾発部材収容筒８０は、前述のように円筒体状に成形されており、その外側の一部には、上方へ突出したストッパ突部８４が形成されている。そして、この弾発部材収容筒８０内に上記シャフト部材７６の基部が収容される。このシャフト部材７６は、例えばＮｉ合金等の金属材料よりなり、下方へは直径が小さくなされた芯棒８６が延びている。この芯棒８６は、この弾発部材収容筒８０内の、その内径を小さくしたストッパ部８８の開口を介して下方に延びている。そして、この芯棒８６に、コイルバネのような上記弾発部材７８をやや圧縮した状態で装着してその下端にストッパ部材９０とＣリング９２を取り付けている。これにより、上記シャフト部材７６は常時下方向へ付勢された状態となっている。
そして、この弾発部材収容筒８０の下部の内側には、上記リフトピン７０が容器中心側に向けて取り付け固定され、両者は一体的になされている。また、この弾発部材収容筒８０の下部の外側には、例えば石英製のアーム部材９４が水平方向外方に向けて取り付け固定されている。そして、各アーム部材９４は、円形リング状に成形された例えば酸化アルミニウム等のセラミックよりなる保持板９６に連結されており（図６参照）、この保持板９６の一側の下面は、上下方向に延びる一本の昇降ロッド９８の上端に接合固定されて片持ち支持されている。この昇降ロッド９８の下端は、処理容器３６内の気密状態を保持するために伸縮可能なベローズ１００（図１参照）を介して図示しないアクチュエータに接続されている。
また、載置台５８の直下の処理容器底部には、石英等の熱線透過材料よりなる透過窓１０２がＯリング等のシール部材１０４を介して気密に設けられており、この下方には、透過窓１０２を囲むように箱状のランプ室１０６が設けられている。このランプ室１０６内には加熱手段として複数の加熱ランプ１０８が反射鏡も兼ねる回転台１１０に取り付けられており、この回転台１１０は回転可能になされる。従って、この加熱ランプ１０８より放出された照射光（熱線）は、透過窓１０２を透過して載置台５８の下面を照射してこれを加熱し得るようになっている。
また、処理容器３６内の底部であって、上記支持コラム５０の内側には、例えばアルミニウムにより円筒体状に成形された反射部材１１２が設けられている。この反射部材１１２の直径は、半導体ウエハＷの直径よりもやや大きく設定されており、その内側１１２Ａが鏡面仕上げされて、斜め下方よりこの鏡面に当たった照射光を載置台５８の裏面側へ反射し得るようになっている。この反射部材１１２は所定の厚み、例えばＷ４＝１５ｍｍ程度（図８参照）の厚みに設定されており、その上端は、上記アタッチメント部材５６の直下近傍まで延びている。そして、この反射部材１１２の上部には、例えば矩形状に切り欠くことによって形成された部材収容空間１１４が、その周方向に沿って所定の間隔で複数個、図８に示す例では３つ設けられている。そして、この部材収容空間１１４内に、図９にも示すように上記弾発部材収容筒８０を略完全に収容されている。従って、この部材収容空間１１４の高さは上記弾発部材収容筒８０の昇降移動を許容できるような高さに設定されている。
これにより、加熱ランプ１０８から射出される照射光は、上記弾発部材収容筒８０に遮断されることなく、載置台５８の裏面に直接的に当たるので、弾発部材収容筒８０が存在することによりウエハＷに与える熱的悪影響をできるだけ抑制するようになっている。また、上記反射部材１１２の下部には、載置台５８の下方にバックサイドガスとして例えばＡｒガスを導入するためのバックサイドガス供給手段１１５が設けられている。具体的には、このバックサイドガス供給手段１１５は、上記載置台５８の下方の空間に連通されたガス導入路１１６を有しており、このガス導入路１１６を図示しないガス源に接続して、Ａｒガスを流量制御しつつ供給できるようになっている。
次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
まず、ロードロックロック室、或いは搬送室内に収容されている未処理の半導体ウエハＷを、開放されたゲートバルブＧを介して処理容器３６内へ搬入し、リフトピン７０を押し上げた状態で上記ウエハＷをリフトピン７０側に受け渡す。そして、このリフトピン７０を、昇降ロッド９８を下げることによって降下させてウエハＷを持ち下げ、このウエハＷを載置台５８上に載置すると共に更に昇降ロッド９８を下げることによってウエハＷの周縁部をクランプ部材７２の内側端部で押圧してこれを固定する。
まず、ロードロックロック室、或いは搬送室内に収容されている未処理の半導体ウエハＷを、開放されたゲートバルブＧを介して処理容器３６内へ搬入し、リフトピン７０を押し上げた状態で上記ウエハＷをリフトピン７０側に受け渡す。そして、このリフトピン７０を、昇降ロッド９８を下げることによって降下させてウエハＷを持ち下げ、このウエハＷを載置台５８上に載置すると共に更に昇降ロッド９８を下げることによってウエハＷの周縁部をクランプ部材７２の内側端部で押圧してこれを固定する。
このようにして、ウエハＷを載置台５８上に載置固定したならば、処理容器３６内を密閉し、そして、処理容器３６内を真空排気しつつランプ室１０６内の加熱ランプ１０８を点灯しながら回転させ、熱エネルギである照射光を放射する。放射された照射光は、透過窓１０２を透過した後、載置台５８の裏面を照射してこれを加熱する。この載置台５８は、前述のように３．５ｍｍ程度と非常に薄いことから迅速に加熱され、従って、この上に載置してあるウエハＷを迅速に所定の温度まで加熱することができる。
ウエハＷがプロセス温度に達したならば、例えばタングステン膜を形成するならば処理ガスとして例えば成膜ガスであるＷＦ６ ガスやＨ２ ガス等をシャワーヘッド部３８より処理容器３６内の処理空間Ｓへ供給し、タングステン膜などの成膜処理を所定の時間行うことになる。この成膜処理中、バックサイドガス供給手段１１５のガス導入路１１６を介して載置台５８の下方の空間へはバックサイドガスとして例えばＡｒガスが流量制御しつつ供給されており、この空間内へ処理ガスが侵入して載置台５８の裏面（下面）や透過窓１０２の上面に不要な膜が堆積することを防止している。そして、成膜処理が完了したならば、上記した操作と逆の処理を行って、処理済みのウエハＷを処理容器３６の外へ搬出することになる。
ウエハＷがプロセス温度に達したならば、例えばタングステン膜を形成するならば処理ガスとして例えば成膜ガスであるＷＦ６ ガスやＨ２ ガス等をシャワーヘッド部３８より処理容器３６内の処理空間Ｓへ供給し、タングステン膜などの成膜処理を所定の時間行うことになる。この成膜処理中、バックサイドガス供給手段１１５のガス導入路１１６を介して載置台５８の下方の空間へはバックサイドガスとして例えばＡｒガスが流量制御しつつ供給されており、この空間内へ処理ガスが侵入して載置台５８の裏面（下面）や透過窓１０２の上面に不要な膜が堆積することを防止している。そして、成膜処理が完了したならば、上記した操作と逆の処理を行って、処理済みのウエハＷを処理容器３６の外へ搬出することになる。
このような状況下において、まず、加熱ランプ１０８からの照射光は、透過窓１０２を透過した後に載置台５８の黒色処理された裏面に直接照射されてこれを加熱する。また、これと同時に、載置台５８のピン挿通部６０を通過した照射光はウエハＷの裏面を照射してこれを透過する傾向になる。なぜなら、ウエハＷは載置台５８と比較して光透過率が遥かに大きいからである。
しかしながら、本実施例では第１の特徴的構成として上記ピン挿通部６０は図１及び図７にも示すように、ウエハＷのエッジ部に対応させるようにして設けているので、図２１に示す従来装置のようにピン孔１４を載置台４の外周端面よりもかなり内側に設けた場合と異なり、下方からの照射光が上記ピン挿通部６０を通過して直接的にウエハＷの裏面に照射されても、この部分がウエハＷに与える熱的悪影響を大幅に抑制することが可能となる。換言すれば、ウエハＷのエッジ部の僅か数ｍｍ程度の部分の温度が低くても、ウエハ全体の加熱温度分布に悪影響を与えることを抑制することができる。これにより、ウエハＷの面内処理の均一性を向上させることが可能となる。
しかしながら、本実施例では第１の特徴的構成として上記ピン挿通部６０は図１及び図７にも示すように、ウエハＷのエッジ部に対応させるようにして設けているので、図２１に示す従来装置のようにピン孔１４を載置台４の外周端面よりもかなり内側に設けた場合と異なり、下方からの照射光が上記ピン挿通部６０を通過して直接的にウエハＷの裏面に照射されても、この部分がウエハＷに与える熱的悪影響を大幅に抑制することが可能となる。換言すれば、ウエハＷのエッジ部の僅か数ｍｍ程度の部分の温度が低くても、ウエハ全体の加熱温度分布に悪影響を与えることを抑制することができる。これにより、ウエハＷの面内処理の均一性を向上させることが可能となる。
また、加熱ランプ１０８からの照射光が載置台５８の裏面を照射する際、図１６に示す従来装置の場合には載置台４は支持突起３０Ａで部分的に支持されていたことから載置台４の周縁部の方向に沿って温度の高い所と温度の低い所が発生して、これがためにウエハＷの加熱温度分布に悪影響を与えていた。
これに対して、本実施例では、第２の特徴的構成として図１及び図２にも示すように、載置台５８の周縁部は、その全周に亘ってアタッチメント部材の内側周縁部と上下に重なるようにして支持されているので、載置台５８の周縁部に沿って温度が均一に分布することになり、載置台５８の加熱温度分布特性に与える悪影響を抑制することができる。この結果、ウエハＷの面内処理の均一性を向上させることができる。
これに対して、本実施例では、第２の特徴的構成として図１及び図２にも示すように、載置台５８の周縁部は、その全周に亘ってアタッチメント部材の内側周縁部と上下に重なるようにして支持されているので、載置台５８の周縁部に沿って温度が均一に分布することになり、載置台５８の加熱温度分布特性に与える悪影響を抑制することができる。この結果、ウエハＷの面内処理の均一性を向上させることができる。
更には、加熱ランプ１０８からの照射光が載置台５８の裏面を照射する際、図２１に示す従来装置の場合には、弾発部材収容筒１８に直接的に照射光が当たることから、このため弾発部材収容筒１８の影が発生してこれがためにこの影が投影された部分に温度低下が生じてウエハＷの加熱温度分布に悪影響を与えていた。
これに対して、本実施例では第３の特徴的構成として図１、図８及び図９に示すように、弾発部材収容筒８０を円筒体状の反射部材１１２の上部に形成した切り込み状の部材収容空間１１４内へ収容した状態となるように設けるようにしたので、弾発部材収容筒８０の影が載置台５８側へ投影されることがなくなり、載置台５８の加熱温度分布特性に与える悪影響を抑制することができる。この結果、ウエハＷの面内処理の均一性を向上させることができる。
これに対して、本実施例では第３の特徴的構成として図１、図８及び図９に示すように、弾発部材収容筒８０を円筒体状の反射部材１１２の上部に形成した切り込み状の部材収容空間１１４内へ収容した状態となるように設けるようにしたので、弾発部材収容筒８０の影が載置台５８側へ投影されることがなくなり、載置台５８の加熱温度分布特性に与える悪影響を抑制することができる。この結果、ウエハＷの面内処理の均一性を向上させることができる。
ここで前述した３つの各特徴的な構成とこれらの組み合わせについて、それぞれ評価を行ったので、その評価結果について説明する。
図１０は本発明の第１の特徴的構成を採用した処理装置と従来装置とを用いて半導体ウエハを処理した時のウエハ周縁部における処理の均一性を示すグラフ、図１１は本発明の第２の特徴的構成を採用した処理装置と従来装置とを用いて半導体ウエハを処理した時のウエハ周縁部における処理の均一性を示すグラフ、図１２は本発明の第３の特徴的構成を採用した処理装置と従来装置とを用いて半導体ウエハを処理した時のウエハ周縁部における処理の均一性を示すグラフ、図１３は本発明の各特徴的構成を組み合わせて採用した処理装置と従来装置とを用いて半導体ウエハを処理した時のウエハ周縁部における処理の均一性を示すグラフである。
図１０は本発明の第１の特徴的構成を採用した処理装置と従来装置とを用いて半導体ウエハを処理した時のウエハ周縁部における処理の均一性を示すグラフ、図１１は本発明の第２の特徴的構成を採用した処理装置と従来装置とを用いて半導体ウエハを処理した時のウエハ周縁部における処理の均一性を示すグラフ、図１２は本発明の第３の特徴的構成を採用した処理装置と従来装置とを用いて半導体ウエハを処理した時のウエハ周縁部における処理の均一性を示すグラフ、図１３は本発明の各特徴的構成を組み合わせて採用した処理装置と従来装置とを用いて半導体ウエハを処理した時のウエハ周縁部における処理の均一性を示すグラフである。
尚、ここでは処理の面内均一性を評価する基準として比抵抗（Ｒｓ）を用いており、また各図において従来装置の場合の処理の面内均一性を曲線Ｙとして表している。また、ウエハＷの周方向に沿って９０度、２１０度、３３０度の位置にピン孔１４或いはピン挿通部６０を設けている。
図１０に示すように、従来装置の場合には、ピン孔１４を設けた９０度、２１０度、３３０度において比抵抗は極端に大きくなってピークを示しており、また、処理の面内均一性も±５．７２％と、かなり劣った値を示している。これに対して、本発明の第１の特徴的構成（リフトピン７０をウエハのエッジ部に配置）の場合には、曲線Ｘ１に示すようにピン挿通部６０における比抵抗のピーク値はそれぞれかなり低下しており、且つボトム部分もかなり底上げされた部分もあり、その処理の面内均一性は±４．３３％になって、従来装置の場合よりも１．３９％改善されているのが判明した。
図１０に示すように、従来装置の場合には、ピン孔１４を設けた９０度、２１０度、３３０度において比抵抗は極端に大きくなってピークを示しており、また、処理の面内均一性も±５．７２％と、かなり劣った値を示している。これに対して、本発明の第１の特徴的構成（リフトピン７０をウエハのエッジ部に配置）の場合には、曲線Ｘ１に示すようにピン挿通部６０における比抵抗のピーク値はそれぞれかなり低下しており、且つボトム部分もかなり底上げされた部分もあり、その処理の面内均一性は±４．３３％になって、従来装置の場合よりも１．３９％改善されているのが判明した。
また、図１１に示すように、本発明の第２の特徴的構成（載置台５８の周縁部全周をアタッチメント部材とオーバラップ）の場合には、曲線Ｘ２に示すように、ピン挿通部６０における比抵抗のピーク値はそれぞれかなり低下しており、その処理の面内均一性は±４．４５％になって、従来装置の場合よりも１．２７％改善されているのが判明した。
更に、図１２に示すように、本発明の第３の特徴的構成（反射部材１１２の部材収容空間１１４に弾発部材収容筒８０を収容）の場合には、曲線Ｘ３に示すように、ピン挿通部６０における比抵抗のピーク値はそれ程低下していないが、ボトム部分の値がかなり底上げされ、その処理の面内均一性は±４．８７％になって、従来装置の場合よりも０．８５％改善されているのが判明した。
更に、図１２に示すように、本発明の第３の特徴的構成（反射部材１１２の部材収容空間１１４に弾発部材収容筒８０を収容）の場合には、曲線Ｘ３に示すように、ピン挿通部６０における比抵抗のピーク値はそれ程低下していないが、ボトム部分の値がかなり底上げされ、その処理の面内均一性は±４．８７％になって、従来装置の場合よりも０．８５％改善されているのが判明した。
また、図１３において、曲線Ｚ１は本発明の第２及び第３の特徴的構成を組み合わせた場合のグラフを示し、曲線Ｚ２は本発明の第１〜第３の全ての特徴的構成を組み合わせた場合（図１に相当）のグラフを示している。
図示するように、曲線Ｚ１及びＺ２ともに従来装置の場合と比較してピーク値は抑制され、且つボトム値はかなり底上げされている。そして、曲線Ｚ１の場合には処理の面内均一性は±３．７９％になって、１．９３％改善されており、曲線Ｚ２の場合には処理の面内均一性は±２．８７％になって、２．８５％も改善されていることが判明した。
このように、特に本発明の第１〜第３の特徴的構成を全て採用することにより、ウエハ処理の面内均一性を大幅に改善できることが判明した。
図示するように、曲線Ｚ１及びＺ２ともに従来装置の場合と比較してピーク値は抑制され、且つボトム値はかなり底上げされている。そして、曲線Ｚ１の場合には処理の面内均一性は±３．７９％になって、１．９３％改善されており、曲線Ｚ２の場合には処理の面内均一性は±２．８７％になって、２．８５％も改善されていることが判明した。
このように、特に本発明の第１〜第３の特徴的構成を全て採用することにより、ウエハ処理の面内均一性を大幅に改善できることが判明した。
尚、上記実施例の場合には、載置台５８の直径が、ウエハＷの直径の場合と略同一の場合を例にとって説明したが、ウエハＷの直径よりも載置台５８の直径がかなり大きい場合には、図１４に示すように、ピン挿通部６０は切り欠き状ではなく、載置台５８の周縁部に貫通孔として形成することになる。この場合、当然のこととして、図３に示す場合と図１４に示す場合とで、載置台５８の中心部からピン挿通部６０までの距離は共に同一になるように設定されている。
次に、本発明の他の実施例について説明する。
図１５は本発明の処理装置の他の実施例を示す断面図、図１６は他の実施例における載置台とアタッチメント部材と温度測定用検出子の取り付け状態を示す平面図、図１７は他の実施例におけるアタッチメント部材と温度測定用検出子との取り付け状態を示す平面図、図１８は温度測定用検出子の挿入された温度測定穴を示す部分拡大断面図である。尚、図１〜図５に示した構成部分と同一構成部分については同一符号を付してその説明を省略する。
図１では図示されていないが、通常の処理装置では載置台の温度を検出してこの温度制御を行うために、載置台の外周端部の側面に、これより水平方向に向けて延びる温度測定穴を形成し、この温度測定穴に熱電対や光ファイバのロッドを挿入して温度を検出するようになっている。しかし、この場合、載置台の下方にバックサイドガスを供給して載置台の下方を、この上方の処理空間よりも僅かに陽圧状態にしているが、載置台の外周端部とアタッチメント部材の内側周縁部との間に形成される隙間は僅かなので、処理空間側の処理ガスが上記隙間部分に逆拡散してくる傾向にあり、この逆拡散してきた処理ガスが上記載置台の外周端部の側面に開口させて形成されている温度測定穴内にも入ってきて、穴内部で不要な堆積膜の形成や腐食を発生させる原因となる。そこで、以下に説明するこの他の実施例では上記温度測定穴内に処理ガスが侵入することがないような構成としている。
図１５は本発明の処理装置の他の実施例を示す断面図、図１６は他の実施例における載置台とアタッチメント部材と温度測定用検出子の取り付け状態を示す平面図、図１７は他の実施例におけるアタッチメント部材と温度測定用検出子との取り付け状態を示す平面図、図１８は温度測定用検出子の挿入された温度測定穴を示す部分拡大断面図である。尚、図１〜図５に示した構成部分と同一構成部分については同一符号を付してその説明を省略する。
図１では図示されていないが、通常の処理装置では載置台の温度を検出してこの温度制御を行うために、載置台の外周端部の側面に、これより水平方向に向けて延びる温度測定穴を形成し、この温度測定穴に熱電対や光ファイバのロッドを挿入して温度を検出するようになっている。しかし、この場合、載置台の下方にバックサイドガスを供給して載置台の下方を、この上方の処理空間よりも僅かに陽圧状態にしているが、載置台の外周端部とアタッチメント部材の内側周縁部との間に形成される隙間は僅かなので、処理空間側の処理ガスが上記隙間部分に逆拡散してくる傾向にあり、この逆拡散してきた処理ガスが上記載置台の外周端部の側面に開口させて形成されている温度測定穴内にも入ってきて、穴内部で不要な堆積膜の形成や腐食を発生させる原因となる。そこで、以下に説明するこの他の実施例では上記温度測定穴内に処理ガスが侵入することがないような構成としている。
図１５に示すように、この処理装置１２０は、以下に説明する点を除き、図１に示した処理装置３４と全く同様に構成されているので、同一構成部分については同一符号を付して説明を省略する。
この処理装置１２０の薄板円板状の載置台５８の外周端部の側面には、この載置台５８の内部に向けて２つの温度測定穴１２２、１２４（図１６及び図１８参照）が設けられている。この内、一方の温度測定穴１２２の長さは短くてその先端は載置台５８の外側端部より僅かに内側に入ったところに位置されている。これに対して、他方の温度測定穴１２４の長さは長く水平方向に延びており、その先端は載置台５８の略中央部に位置されている。そして、各温度測定穴１２２、１２４内には、その外側に位置するリング状のアタッチメント部材５６側より水平に延びるようにしてそれぞれ温度測定用検出子１２６、１２８がその先端まで挿入されている。これにより、載置台５８の中心部の温度と周辺部の温度をそれぞれ測定し得るようになっている。
この処理装置１２０の薄板円板状の載置台５８の外周端部の側面には、この載置台５８の内部に向けて２つの温度測定穴１２２、１２４（図１６及び図１８参照）が設けられている。この内、一方の温度測定穴１２２の長さは短くてその先端は載置台５８の外側端部より僅かに内側に入ったところに位置されている。これに対して、他方の温度測定穴１２４の長さは長く水平方向に延びており、その先端は載置台５８の略中央部に位置されている。そして、各温度測定穴１２２、１２４内には、その外側に位置するリング状のアタッチメント部材５６側より水平に延びるようにしてそれぞれ温度測定用検出子１２６、１２８がその先端まで挿入されている。これにより、載置台５８の中心部の温度と周辺部の温度をそれぞれ測定し得るようになっている。
尚、図１５においては、一方の温度測定用検出子１２６のみを記載し、他方の温度測定用検出子１２８の記載は省略している。そして、上記各温度測定用検出子１２６、１２８は、温度測定ユニット１３０に接続されており、ここで実際に温度が検出されるようになっている。そして、この温度測定ユニット１３０で検出された温度は、例えばマイクロコンピュータ等よりなる温度制御部１３２へ入力され、これに基づいて加熱ランプ１０８への供給電力を制御することにより、上記載置台５８の温度コントロールがなされることになる。
ここで上記温度測定用検出子１２６、１２８としては、光ファイバのロッドや熱電対が用いられる。光ファイバのロッドを温度測定用検出子１２６、１２８として用いた場合には、このロッド内に侵入した特定波長、例えば赤外光が、上記光ファイバを介して上記温度測定ユニット１３０へ伝送され、ここでフォトトランジスタ等により光電変換されることになる。尚、設ける温度測定用検出子の数は２個に限定されず、更に多くの温度測定用検出子を用いて、載置台を複数の同心円状の領域に区画して、各区画毎に温度を測定してきめの細かな温度制御を行うようにしてもよい。
そして、上記温度測定穴１２２、１２４を形成した載置台５８の外周端部及びこの温度測定穴１２２、１２４を臨む上記アタッチメント部材５６の内側周縁部の内の少なくともいずれか一方に、上記載置台５８の下方より上方の処理空間Ｓに向かうバックサイドガスの通りを促進させるガス流促進切り欠きが設けられている。具体的には、ここでは図１６〜図１８に示すように、上記温度測定穴１２２、１２４を臨む、或いはこれに対向するアタッチメント部材５６の内側周縁部に小さな略矩形状のガス流促進切り欠き１３６、１３８をそれぞれ形成している。これにより、この温度測定穴１２２、１２４の開口部において上方の処理空間Ｓと載置台５８の下方の空間とを連通する隙間が広くなり、上方向へのバックサイドガスの流れを促進させることが可能となる。この場合、このガス流促進切り欠き１３６、１３８の大きさは、例えば縦横が３ｍｍ×６ｍｍ程度であって非常に小さくなされており、ウエハＷの表面に堆積される薄膜の膜厚の面内均一性に悪影響を与えないようになっている。
また、ここで上記各温度測定用検出子１２６、１２８の直径は１ｍｍ程度であるのに対して、各温度測定穴１２２、１２４の内径は１．１〜１．５ｍｍ程度である。また載置台５８の厚さは、前述したように３．５ｍｍ程度である。また載置台５８の材質は、特に限定されないが、例えばセラミック（ＡｌＮ等）やアモルファスカーボン等が用いられる。
以上のように構成することにより、ウエハＷに対する成膜処理を行っている時、載置台５８の上方の処理空間Ｓに供給された成膜用の処理ガスは、拡散して上記各温度測定穴１２２、１２４内へ侵入してこようとする。しかしながら、本実施例においては、この温度測定穴１２２、１２４の開口部に対応する部分のアタッチメント部材５６に、ガス流促進切り欠き１３６、１３８を形成しているので、図１８中の破線矢印１４０、１４２に示すように、載置台５８の下方に供給されたバックサイドガスが、上記各ガス流促進切り欠き１３６、１３８を介して上方の処理空間Ｓ側に促進して流れることになる。このため、処理ガスが載置台５８の下方の空間側へ拡散して流れることを防止できるのは勿論のこと、この処理ガスが上記各温度測定穴１２２、１２４内へ拡散して侵入することも防止することができる。
以上のように構成することにより、ウエハＷに対する成膜処理を行っている時、載置台５８の上方の処理空間Ｓに供給された成膜用の処理ガスは、拡散して上記各温度測定穴１２２、１２４内へ侵入してこようとする。しかしながら、本実施例においては、この温度測定穴１２２、１２４の開口部に対応する部分のアタッチメント部材５６に、ガス流促進切り欠き１３６、１３８を形成しているので、図１８中の破線矢印１４０、１４２に示すように、載置台５８の下方に供給されたバックサイドガスが、上記各ガス流促進切り欠き１３６、１３８を介して上方の処理空間Ｓ側に促進して流れることになる。このため、処理ガスが載置台５８の下方の空間側へ拡散して流れることを防止できるのは勿論のこと、この処理ガスが上記各温度測定穴１２２、１２４内へ拡散して侵入することも防止することができる。
このため、各温度測定穴１２２、１２４内へ挿入された温度測定用検出子１２６、１２８の表面に不要な薄膜が堆積することを阻止でき、この結果、温度測定用検出子１２６、１２８での検出温度が不正確になることを防止して正確な温度を検出でき、また温度測定用検出子１２６、１２８が熱電対の場合にはこれが腐食したりすることを防止することができる。
尚、上記実施例ではガス流促進切り欠き１３６、１３８をアタッチメント部材５６の内側周縁部に設けたが、前述したように、内側周縁部に代えてこれを載置台５８の外周端部に設けるようにしてもよいし、或いは双方に設けるようにしてもよい。図１９及び図２０はガス流促進切り欠きを双方に設けた場合を示している。図１９は載置台の変形例を示す平面図、図２０は載置台の外周端部とこれを支持するアタッチメント部材と支持部分の拡大断面図である。
尚、上記実施例ではガス流促進切り欠き１３６、１３８をアタッチメント部材５６の内側周縁部に設けたが、前述したように、内側周縁部に代えてこれを載置台５８の外周端部に設けるようにしてもよいし、或いは双方に設けるようにしてもよい。図１９及び図２０はガス流促進切り欠きを双方に設けた場合を示している。図１９は載置台の変形例を示す平面図、図２０は載置台の外周端部とこれを支持するアタッチメント部材と支持部分の拡大断面図である。
ここでは、アタッチメント部材５６に形成した各ガス流促進切り欠き１３６、１３８（１３８は図示省略）に対応させて、載置台５８の外周端部には略矩形状の小さなガス流促進切り欠き１４４、１４６を設けている。これによれば、ウエハＷの表面に形成される薄膜の膜厚の面内均一性を劣化させない範囲で、バックサイドガスが流れる隙間の開口面積を大きくすることができる。
尚、本実施例では、処理として成膜処理を例にとって説明したが、これに限定されず、アニール処理、酸化拡散処理、プラズマ処理等にも、本発明を適用することができる。
また、上記実施例においては、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも適用し得るのは勿論である。
尚、本実施例では、処理として成膜処理を例にとって説明したが、これに限定されず、アニール処理、酸化拡散処理、プラズマ処理等にも、本発明を適用することができる。
また、上記実施例においては、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも適用し得るのは勿論である。
３４ 処理装置
３６ 処理容器
３８ シャワーヘッド部
５６ アタッチメント部材
５８ 載置台
６０ ピン挿通部
６４ スペーサ部材
６６ 切り欠き
７０ リフトピン
７２ クランプ部材
７４ 弾発機構部
７６ シャフト部材
７８ 弾発部材
８０ 弾発部材収容筒
１０２ 透過窓
１０８ 加熱ランプ
１１２ 反射部材
１１４ 部材収容空間
１３６，１３８ ガス流促進切り欠き
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
３６ 処理容器
３８ シャワーヘッド部
５６ アタッチメント部材
５８ 載置台
６０ ピン挿通部
６４ スペーサ部材
６６ 切り欠き
７０ リフトピン
７２ クランプ部材
７４ 弾発機構部
７６ シャフト部材
７８ 弾発部材
８０ 弾発部材収容筒
１０２ 透過窓
１０８ 加熱ランプ
１１２ 反射部材
１１４ 部材収容空間
１３６，１３８ ガス流促進切り欠き
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (14)
- 処理容器内に設けられた薄板状の載置台にリフトピンを昇降させることによって被処理体を載置し、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプにより加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、
前記被処理体の周辺のエッジ部を支持できるように前記リフトピンを配置すると共に、前記載置台には前記エッジ部に対応する部分に前記昇降するリフトピンを通すためのピン挿通部が形成されていることを特徴とする枚葉式の処理装置。 - 前記エッジ部は、前記被処理体の外周端面より５ｍｍ以内の範囲であることを特徴とする請求項１記載の枚葉式の処理装置。
- 前記ピン挿通部は、前記載置台の周縁部に形成した切り欠きにより構成されることを特徴とする請求項１または２記載の枚葉式の処理装置。
- 前記ピン挿通部は、前記載置台の周縁部に形成した貫通孔により構成されることを特徴とする請求項１または２記載の枚葉式の処理装置。
- 処理容器内にリング状のアタッチメント部材を設け、該アタッチメント部材の内側周縁部により薄板円板状の載置台を支持させ、前記載置台上に被処理体を載置して前記載置台の下方に配置した加熱ランプにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、
前記アタッチメント部材は、その内側周縁部と前記載置台の周縁部とが所定の幅でその周方向に沿って上下方向に重なるような状態で前記載置台を支持するように構成したことを特徴とする枚葉式の処理装置。 - 前記アタッチメント部材の内側周縁部の上面と前記載置台の周縁部の下面との間には複数のスペーサ部材がその周方向に沿って適宜配置されていることを特徴とする請求項５記載の枚葉式の処理装置。
- 処理容器内に設けられた薄板状の載置台にリフトピンを昇降させることによって被処理体を載置し、前記被処理体の上面の周縁部に当接して弾発機構部により発生する弾性力により前記被処理体を前記載置台側に押圧して保持させるクランプ部材を設け、前記載置台をその下方に配置した加熱ランプにより加熱することにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、
前記載置台の外側の下方に、前記加熱ランプからの照射光を前記載置台に向けて反射するために円筒体状に成形された所定の厚みの反射部材を設け、
前記反射部材の上部に、前記クランプ部材に弾発力を付与する前記弾発機構部を収容するための部材収容空間を形成するように構成したことを特徴とする枚葉式の処理装置。 - 前記弾発機構部は、
石英製の弾発部材収容筒と、
該弾発部材収容筒内に収容された弾発部材と、
上端部が前記クランプ部材に連結されて下端部が前記弾発部材に係合されたシャフト部材とにより構成されることを特徴とする請求項７記載の枚葉式の処理装置。 - 請求項１乃至４のいずれかに記載された処理装置に含まれる特徴的構成と、
請求項５または６に記載された処理装置に含まれる特徴的構成と、
請求項７または８に記載された処理装置に含まれる特徴的構成とを含む３つの特徴的構成の中から、選択された２以上の特徴的構成を含むことを特徴とする枚葉式の処理装置。 - 処理容器内の処理空間へ処理ガスを供給するガス供給手段を設け、前記処理容器内にリング状のアタッチメント部材を設け、該アタッチメント部材の内側周縁部により薄板円板状の載置台の外周端部を支持させ、前記載置台の下方にバックサイドガスを供給するバックサイドガス供給手段を設け、前記載置台上に被処理体を載置して前記載置台の下方に配置した加熱ランプにより前記被処理体を間接的に加熱して所定の処理を施すようにした枚葉式の処理装置において、
前記載置台の外周端部の側面に、該側面より載置台の内部に向かって温度測定穴を形成し、
前記アタッチメント部材側より前記温度測定穴に向けて温度測定用検出子を挿入し、
前記温度測定穴を形成した前記載置台の外周端部及び前記温度測定穴を臨む前記アタッチメント部材の内側周縁部の内の少なくともいずれか一方に、前記載置台の下方より上方の前記処理空間に向かうバックサイドガスの通りを促進させるガス流促進切り欠きを設けるように構成したことを特徴とする枚葉式の処理装置。 - 前記温度測定用検出子には、温度測定ユニットが接続されることを特徴とする請求項１０記載の枚葉式の処理装置。
- 前記温度測定用検出子は２本設けられており、一方の温度測定用検出子の先端部は前記載置台の略中央部に位置されると共に、他方の温度測定用検出子の先端部は前記載置台の略周辺部に位置されることを特徴とする請求項１０または１１記載の枚葉式の処理装置。
- 前記温度測定用検出子は光ファイバのロッドであることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の枚葉式の処理装置。
- 前記温度測定用検出子は熱電対であることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の枚葉式の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009078287A JP4661968B2 (ja) | 2002-10-24 | 2009-03-27 | 枚葉式の処理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002310345 | 2002-10-24 | ||
| JP2009078287A JP4661968B2 (ja) | 2002-10-24 | 2009-03-27 | 枚葉式の処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003341850A Division JP4344835B2 (ja) | 2002-10-24 | 2003-09-30 | 枚葉式の処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009152635A true JP2009152635A (ja) | 2009-07-09 |
| JP4661968B2 JP4661968B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=32171046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009078287A Expired - Fee Related JP4661968B2 (ja) | 2002-10-24 | 2009-03-27 | 枚葉式の処理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4661968B2 (ja) |
| WO (1) | WO2004038777A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101895307B1 (ko) * | 2011-03-01 | 2018-10-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버 |
| JP2021068780A (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| US11171008B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5291965B2 (ja) | 2008-03-25 | 2013-09-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 熱処理装置 |
| US8249436B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-08-21 | Applied Materials, Inc. | System for non radial temperature control for rotating substrates |
| JP7149786B2 (ja) * | 2018-09-20 | 2022-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置ユニット及び処理装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831919A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Souzou Kagaku:Kk | 静電チャック |
| JPH09115993A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2002198416A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JP2002334819A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-11-22 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63181414A (ja) * | 1987-01-23 | 1988-07-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体膜形成装置 |
| JP3131855B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2001-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜処理方法及びその装置 |
| JPH0917742A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Hitachi Ltd | 熱処理装置 |
| JPH09186095A (ja) * | 1995-11-01 | 1997-07-15 | Hitachi Ltd | 成膜方法ならびにその装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP3636864B2 (ja) * | 1997-06-11 | 2005-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置およびステージ装置 |
| JP4147608B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2008-09-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP3234576B2 (ja) * | 1998-10-30 | 2001-12-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置におけるウェハ支持装置 |
| JP2000286207A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び熱処理方法 |
| JP2002110581A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置と熱処理方法 |
-
2003
- 2003-10-24 WO PCT/JP2003/013640 patent/WO2004038777A1/ja unknown
-
2009
- 2009-03-27 JP JP2009078287A patent/JP4661968B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831919A (ja) * | 1994-07-11 | 1996-02-02 | Souzou Kagaku:Kk | 静電チャック |
| JPH09115993A (ja) * | 1995-10-18 | 1997-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| JP2002198416A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
| JP2002334819A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-11-22 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101895307B1 (ko) * | 2011-03-01 | 2018-10-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 듀얼 로드락 구성의 저감 및 스트립 프로세스 챔버 |
| US10453694B2 (en) | 2011-03-01 | 2019-10-22 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration |
| US11171008B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-11-09 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual load lock configuration |
| US11177136B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-11-16 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration |
| JP2021068780A (ja) * | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
| JP7300365B2 (ja) | 2019-10-21 | 2023-06-29 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2004038777A1 (ja) | 2004-05-06 |
| JP4661968B2 (ja) | 2011-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5390094B2 (ja) | パターン化されたウエハの裏側急速加熱処理 | |
| JP7403566B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| JP5077018B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4661968B2 (ja) | 枚葉式の処理装置 | |
| JP2006005177A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP6863780B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| WO2006022328A1 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| KR20200033733A (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
| JP7372066B2 (ja) | 熱処理方法および熱処理装置 | |
| KR102240491B1 (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
| KR20200138051A (ko) | 열처리 방법 및 열처리 장치 | |
| JP4344835B2 (ja) | 枚葉式の処理装置 | |
| JP6720033B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2006237262A (ja) | 加熱処理装置 | |
| JP5964630B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| CN112349587A (zh) | 热处理方法 | |
| CN110211896B (zh) | 热处理装置及热处理方法 | |
| CN112420498A (zh) | 热处理方法以及热处理装置 | |
| JP2007005399A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4106957B2 (ja) | クランプ機構及び処理装置 | |
| JP6814572B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4409655B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP2003282385A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2013162075A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP2002334819A (ja) | 熱処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090327 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090327 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101129 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101207 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101220 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4661968 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140114 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |