JP2009147157A - 多層セラミック基板及びその製造方法、電子部品 - Google Patents
多層セラミック基板及びその製造方法、電子部品 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】この多層セラミック基板10においては、最表面のセラミック層に隣接するセラミック層11と最表面のセラミック層(表層セラミック層)12の間に内部配線13が形成される。ビア配線14は一端が内部配線13に接続され、他端が接続用導体部(パッド部)15と接続される。ここで、この多層セラミック基板10においては、最表面のセラミック層である表層セラミック層12が表面に設けられており、接続用導体部15がこの表層セラミック層12の中に埋め込まれ、表層セラミック層15の表面と接続用導体部15の表面とが略同一平面上にある形態となっている。
【選択図】 図1
Description
請求項1に記載の発明の要旨は、複数のセラミック層が積層され、最表面に接続用導体部を備える多層セラミック基板であって、ビア配線と、表面に金属めっき層を有する前記接続用導体部とが形成された最表面のセラミック層と、前記最表面のセラミック層と、前記最表面のセラミック層と隣接するセラミック層との間に形成され、前記ビア配線によって前記接続用導体部に接続される内部配線とを具備し、前記接続用導体部の表面と、前記最表面のセラミック層のセラミック表面とが略同一平面上にあることを特徴とする多層セラミック基板に存する。なお、上記金属めっき層はニッケル(Ni)及び/または金(Au)を主成分とするめっき層であることが望ましい。
請求項9に記載の発明の要旨は、前記表面実装部品には、少なくとも半導体チップ、チップコンデンサ、チップ抵抗器のいずれかが含まれることを特徴とする請求項8に記載の電子部品に存する。
焼成後の各試料に対して、市販の無電解Niめっき液及びAuめっき液を用い、平均膜厚5μmのNiめっき及び平均膜厚0.4μmのAuめっきを施した。めっき後の接続用導体部を電子顕微鏡(SEM)で観察し、接続用導体部に付着しためっきの面積率より、接続用導体部表面の状態を下記の基準で評価し、「良」以上を○とした。
めっきの面積率が100%:優
めっきの面積率が100%未満かつ95%以上:良
めっきの面積率が95%未満:不良
めっき後の多層セラミック基板に対して、所望のパターンが接続されているかどうか、全経路について、導通確認を行った。下記の基準で評価し、「良」以上を○とした。
導通試験合格率が100%:優
導通試験合格率が100%未満かつ95%以上:良
導通試験合格率が95%未満:不良
めっき後の多層セラミック基板に対して、表層電極と接続されている端子間に4Vを印加し、85℃、85%相対湿度の高温高湿層に1000時間入れて、表層電極間のリーク電流を測定することで、マイグレーション耐性を評価した。正常電流値が0.01μA以下のところ、この電流値が0.01μAを越えた場合をリーク電流が発生したと認識し、下記の基準で評価し、「良」以上を○とした。
絶縁試験合格率が100%:優
絶縁試験合格率が100%未満かつ95%以上:良
絶縁試験合格率が95%未満:不良
11、91a、91b セラミック層
12 表層セラミック層
13、92 内部配線
14、94 ビア配線
15 接続用導体部
16、96 金属めっき層
21、25 セラミックグリーンシート層
22、23、26 金属層
24 表層セラミックグリーンシート
27 下層セラミックグリーンシート
28 上部セラミックシート積層体
29 下部セラミックシート積層体
30 多層セラミック体
40 支持フィルム
41 粘着シート
51 プレス機上部
52 プレス機下部
53 弾性体
93 外部配線
93a パッド部
Claims (9)
- 複数のセラミック層が積層され、最表面に接続用導体部を備える多層セラミック基板であって、
ビア配線と、表面に金属めっき層を有する前記接続用導体部とが形成された最表面のセラミック層と、
前記最表面のセラミック層と、前記最表面のセラミック層と隣接するセラミック層との間に形成され、前記ビア配線によって前記接続用導体部に接続される内部配線とを具備し、
前記接続用導体部の表面と、前記最表面のセラミック層のセラミック表面とが略同一平面上にあることを特徴とする多層セラミック基板。 - 前記最表面のセラミック層の厚さは15〜90μmの範囲であり、前記隣接するセラミック層の厚さは15μmを越え、かつ前記最表面のセラミック層と前記隣接するセラミック層の厚さの合計が40μmを越えていることを特徴とする請求項1に記載の多層セラミック基板。
- 電気的に独立した前記接続用導体部が最表面において複数個配列され、前記接続用導体部間の最小間隔が200μm以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の多層セラミック基板。
- 複数のセラミック層が積層され、接続用導体部が最表面に設けられた多層セラミック基板を焼結によって形成する、多層セラミック基板の製造方法であって、
焼結後に最表面のセラミック層となる第1のセラミックグリーンシートの表面に、焼結後に前記接続用導体部となる金属層と、前記第1のセラミックグリーンシートの内部に、焼結後に前記接続用導体部と内部配線とを接続するビア配線となる金属層とを形成した表層セラミックグリーンシートを形成する表層セラミックグリーンシート形成工程と、
焼結後に前記最表面のセラミック層に隣接するセラミック層となる第2のセラミックグリーンシート上に焼結後に内部配線となる金属層を形成した下層セラミックグリーンシートを形成する下層セラミックグリーンシート形成工程と、
前記表層セラミックグリーンシートと下層セラミックグリーンシートとを積層圧着し、前記接続用導体部となる金属層の表面と前記第1のセラミックグリーンシートの表面とが略同一平面状にある上部セラミックシート積層体を形成する上部セラミックシート積層体形成工程と、
前記上部セラミックシート積層体とは別途に、前記最表面のセラミック層に隣接するセラミック層と前記最表面のセラミック層とは反対側の面で隣接するセラミック層となる下部セラミックシートを形成する下部セラミックシート形成工程と、
前記上部セラミックシート積層体と前記下部セラミックシートからなる未焼結の多層セラミック体を焼成する焼結工程と、
焼結後の前記接続用導体部の表面に、金属めっき層を形成するめっき工程と、
を有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。 - 前記下部セラミックシート形成工程において、
前記下部セラミックシートは複数枚のグリーンシートを積層圧着して形成されることを特徴とする請求項4に記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 前記第1のセラミックグリーンシートの厚さは20〜120μmの範囲であり、前記第2のセラミックグリーンシートの厚さは20μmを越え、かつ前記第1のセラミックグリーンシートと前記第2のセラミックグリーンシートの厚さの合計が56μmを越えていることを特徴とする請求項4または5に記載の多層セラミック基板の製造方法。
- 前記上部セラミックシート積層体形成工程において、
少なくとも前記表層セラミックグリーンシートを圧着する際と、当該表層セラミックグリーンシートに前記下層セラミックグリーンシートを積層し圧着する際は、減圧雰囲気中で行うことを特徴とする請求項4から請求項6までのいずれか1項に記載の多層セラミック基板の製造方法。 - 請求項1から3までのいずれか1項に記載の多層セラミック基板が用いられ、前記金属めっき層に対して、はんだ付けを用いて表面実装部品が搭載されたことを特徴とする電子部品。
- 前記表面実装部品には、少なくとも半導体チップ、チップコンデンサ、チップ抵抗器のいずれかが含まれることを特徴とする請求項8に記載の電子部品。
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