JP2009147098A - 半導体多結晶薄膜及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Ga組成xが0<x<0.5を満たすIn1-xGaxAs多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがInAsより大きく、十分な電気伝導性を持ったn型のIII−V族化合物半導体多結晶薄膜を得る。このようにして形成したIII−V族化合物半導体多結晶薄膜を半導体装置のn型層に用いる。
【選択図】図1
Description
J. J. J. Yang, P. D. Dapkus, R. D. Dupui, and R. D. Yingling, "Electrical properties of polycrystalline GaAs films", Journal of Applied Physics vol.51 (7) (1980) p.3794. T. P. Brody and H. E. Kunig, "A HIGH-GAIN InAs THIN-FILM TRANSISTOR", Applied Physics Letters vol.9 No.7 (1966) p.259. M. J. Lee, C. P. Judge, and S. W. Wright, "Thin film transistors for displays on plastic substrates", Solid-State Electronics vol.44 (2000) p.1431-p.1434 Dennis W. Scott, Chrisoph Kadow, Yingda Dong, Yun Wei, Arthur C. Gossard, Mark J. W. Rodwell, "Low-resistance n-type polycrystalline InAs growth by molecular beam epitaxy", Journal of Crystal Growth 267 (2004) 35-41 Dharam Pal Gosain, Takahashi Noguchi, and Setsuo Usui, "High mobility Thin Film Transistors Fabricated on a Plastic Substrate at a Processing Temperature of 110℃", Japanese Journal of Applied Physics vol.39 (2000) pp.L179-L181. Tilman Beierlein, S. Strite, A. Dommann and David. J. Smith, "Properties of InGaN deposited on Glass at Low Temperature", MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Reseach vol.2 (1997) p.29 Keon Jae Lee, Matthew A. Meitl, Jong-Hyun Ahn, John A. Rogers, Ralph G. Nuzzo, Vipan Kumar, and Ilsesanmi Adesida, "Bendable GaN high electron mobility transistors on plastic substrate", Journal of Applied Physics vol.100 (2006) p.124507. 高野章弘著、「薄膜太陽電池の開発最前線」、初版、株式会社エヌ・ティー・エス、2005年3月10日、p.99−111 山本憲治、「薄膜多結晶シリコン太陽電池」応用物理 第71巻、第5号 (2002) p.522−p.527、図8
本発明の実施の形態1に係る半導体多結晶薄膜及び該半導体多結晶薄膜を有する半導体装置について図面を用いて説明する。
2 ボトムゲート電極
3 ボトムゲーム絶縁膜
4 ソース電極
5 ドレイン電極
6 In1-xGaxAs多結晶n型チャネル層
7 トップゲート絶縁膜
8 トップゲート電極
10 薄膜トランジスタ
16 In1-xGaxAs多結晶n型電子走行層
17 AlGaAs多結晶電子供給層
18 ゲート電極
20 ヘテロ型薄膜トランジスタ
21 プラスチック基板
24 n型用電極
26 n型In1-xGaxAs多結晶光吸収層
27 p型In1-xGaxAs多結晶光吸収層
28 p型用電極
30 太陽電池
Claims (6)
- 半導体装置のn型層に用いられる半導体多結晶薄膜であって、
該半導体多結晶薄膜は、In1-xGaxAs多結晶薄膜であり、そのGa組成xは0<x<0.5を満たす、
ことを特徴とする半導体多結晶薄膜。 - Ga組成xが0<x<0.5を満たすIn1-xGaxAs多結晶薄膜をn型層として有する、
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記In1-xGaxAs多結晶薄膜は、プラスチック基板上に形成される、
ことを特徴とする半導体装置。 - Ga組成xが0<x<0.5を満たすIn1-xGaxAs多結晶薄膜をn型チャネル層として有する、
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - Ga組成xが0<x<0.5を満たすIn1-xGaxAs多結晶薄膜をn型電子走行層として有し、前記In1-xGaxAs多結晶薄膜よりバンドギャップが大きい半導体多結晶薄膜を電子供給層として有する、
ことを特徴とするヘテロ接合型薄膜トランジスタ。 - Ga組成xが0<x<0.5を満たすIn1-xGaxAs多結晶薄膜をn型光吸収層として有する、
ことを特徴とする太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007322712A JP5344449B2 (ja) | 2007-12-14 | 2007-12-14 | 半導体多結晶薄膜及び半導体装置 |
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JP (1) | JP5344449B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013077838A (ja) * | 2009-10-30 | 2013-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
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