JP2002289887A - 多元系多結晶太陽電池及びその製造方法 - Google Patents
多元系多結晶太陽電池及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002289887A JP2002289887A JP2001090713A JP2001090713A JP2002289887A JP 2002289887 A JP2002289887 A JP 2002289887A JP 2001090713 A JP2001090713 A JP 2001090713A JP 2001090713 A JP2001090713 A JP 2001090713A JP 2002289887 A JP2002289887 A JP 2002289887A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- polycrystal
- composition distribution
- composition
- uniform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004781 supercooling Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高効率と低コストを両立できる太陽電池、及び
その製造方法を提供する。 【解決手段】多元系組成の融液を、冷却速度を制御して
冷却してミクロ的な組成分布が不均一で、かつ、マクロ
的な組成分布が均一な多元系多結晶を作成し、この多元
系多結晶により太陽電池を製造する方法及びその太陽電
池。
その製造方法を提供する。 【解決手段】多元系組成の融液を、冷却速度を制御して
冷却してミクロ的な組成分布が不均一で、かつ、マクロ
的な組成分布が均一な多元系多結晶を作成し、この多元
系多結晶により太陽電池を製造する方法及びその太陽電
池。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳｉＧｅ，ＩｎＧ
ａＡｓなどの多元系多結晶を備えた太陽電池及びその製
造方法に関する。
ａＡｓなどの多元系多結晶を備えた太陽電池及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来公知の低コストの実用型太陽電池と
してキャスト法（凝固法の一種）で成長した多結晶を用
いたものが知られている。Ｓｉ多結晶からなる太陽電池
は、この製造コストの低いキャスト法を用いて製造する
ことができるが、Ｓｉ多結晶太陽光のスペクトルの長波
長側が吸収できないため効率が低いという課題がある。
一方、高効率の太陽電池として、ＳｉやＧｅに化合物半
導体の薄膜を積層させたヘテロ構造のタンデム型太陽電
池が知られている。しかし、タンデム型太陽電池はエピ
タキシャル成長を用いて製造されため、コストが高いと
いう課題がある。
してキャスト法（凝固法の一種）で成長した多結晶を用
いたものが知られている。Ｓｉ多結晶からなる太陽電池
は、この製造コストの低いキャスト法を用いて製造する
ことができるが、Ｓｉ多結晶太陽光のスペクトルの長波
長側が吸収できないため効率が低いという課題がある。
一方、高効率の太陽電池として、ＳｉやＧｅに化合物半
導体の薄膜を積層させたヘテロ構造のタンデム型太陽電
池が知られている。しかし、タンデム型太陽電池はエピ
タキシャル成長を用いて製造されため、コストが高いと
いう課題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は、
効率の高さとコストの低さとを両立できる太陽電池は知
られておらず、用途により各太陽電池を使い分けていた
のが現状である。しかるに近年、太陽電池をクリーンエ
ネルギーとして大々的に活用するために、高効率と低コ
ストを両立できる技術が渇望されている。
効率の高さとコストの低さとを両立できる太陽電池は知
られておらず、用途により各太陽電池を使い分けていた
のが現状である。しかるに近年、太陽電池をクリーンエ
ネルギーとして大々的に活用するために、高効率と低コ
ストを両立できる技術が渇望されている。
【０００４】本発明は高効率と低コストを両立できる太
陽電池、及びその製造方法を提供するものである。
陽電池、及びその製造方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明の太陽電
池は、ミクロ的な組成分布が不均一で、かつ、マクロ的
な組成分布が均一な多元系多結晶を備えた太陽電池であ
り、本発明の太陽電池の製法は、多元系組成の融液を、
冷却速度を制御して冷却してミクロ的な組成分布が不均
一で、かつ、マクロ的な組成分布が均一な多元系多結晶
を作成し、この多元系多結晶により太陽電池を製造する
方法である。
池は、ミクロ的な組成分布が不均一で、かつ、マクロ的
な組成分布が均一な多元系多結晶を備えた太陽電池であ
り、本発明の太陽電池の製法は、多元系組成の融液を、
冷却速度を制御して冷却してミクロ的な組成分布が不均
一で、かつ、マクロ的な組成分布が均一な多元系多結晶
を作成し、この多元系多結晶により太陽電池を製造する
方法である。
【０００６】ここで「ミクロ的に不均一」とは、個々の
結晶粒（典型的には数ミクロン〜数ミリの大きさ）の組
成に注目し、例えば吸収波長領域の異なる材料Ａと材料
Ｂからなる混晶Ａ１−ｘBｘにおいては、最大でＸ＝０
から１までの広範囲に分散していることをいう。好適な
ミクロ的に不均一な分布は、原料の種類，必要とする特
性、用途により異なり、一概に決めることはできない。
結晶粒（典型的には数ミクロン〜数ミリの大きさ）の組
成に注目し、例えば吸収波長領域の異なる材料Ａと材料
Ｂからなる混晶Ａ１−ｘBｘにおいては、最大でＸ＝０
から１までの広範囲に分散していることをいう。好適な
ミクロ的に不均一な分布は、原料の種類，必要とする特
性、用途により異なり、一概に決めることはできない。
【０００７】マクロ的に均一とは、多結晶内の組成分布
を個々の結晶粒の大きさに比べて十分広い範囲で測定す
ると、結晶内のどの部分においても設計した組成分布を
有していることをいう。
を個々の結晶粒の大きさに比べて十分広い範囲で測定す
ると、結晶内のどの部分においても設計した組成分布を
有していることをいう。
【０００８】上記の組成分布は、太陽光のスペクトルを
有効に利用し、最も変換効率が高くなるように設計され
る。
有効に利用し、最も変換効率が高くなるように設計され
る。
【０００９】また「冷却速度を制御する」とは、ミクロ
的に不均一な所望の組成分布を得るための手法であり、
好適な冷却速度は、原料の種類，必要とする特性、用途
により所望の組成分布が異なるため、一概に決めること
はできない。
的に不均一な所望の組成分布を得るための手法であり、
好適な冷却速度は、原料の種類，必要とする特性、用途
により所望の組成分布が異なるため、一概に決めること
はできない。
【００１０】
【発明の実施の態様】次に本発明の実施の態様を説明す
る。ＳｉとＧｅの原料をそれぞれ１．６６ｇと３．７１
ｇ混合して融解し、組成５０％のＳｉ−Ｇｅ２元系の均
一組成の融液を用意する。これを１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で冷却しながら凝固成長させると、図１（ｂ）のよ
うな組成の分布比率がほぼ等しい組成分布（ミクロ的組
成分布）を持った多結晶が作製できる。図１は結晶面内
の多数の測定点の中から横軸の結晶組成を持った点の数
を比率で示したヒストグラムである。この時、冷却速度
を変化させることにより、図１に示すように、ミクロ的
に各種組成分布を持った結晶が得られる。この結晶は、
それぞれ図２のような組織をしており、冷却速度によっ
て組織は変化する。図３に、単一組成の、ミクロ的組成
分布を有しないＳｉ０．５Ｇｅ０．５結晶を用いた太陽
電池の太陽光のスペクトル分布を持った光源に対する短
絡電流の波長依存性と、本発明による図２のミクロ的組
成分布を持ったＳｉＧｅ多結晶太陽電池の短絡電流の波
長依存性を示す。なお、ミクロ的組成ブンブを有しない
Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５結晶は、従来の冷却速度を制御し
ない液相エピタキシー法により製造されたものである。
る。ＳｉとＧｅの原料をそれぞれ１．６６ｇと３．７１
ｇ混合して融解し、組成５０％のＳｉ−Ｇｅ２元系の均
一組成の融液を用意する。これを１０℃／ｍｉｎの冷却
速度で冷却しながら凝固成長させると、図１（ｂ）のよ
うな組成の分布比率がほぼ等しい組成分布（ミクロ的組
成分布）を持った多結晶が作製できる。図１は結晶面内
の多数の測定点の中から横軸の結晶組成を持った点の数
を比率で示したヒストグラムである。この時、冷却速度
を変化させることにより、図１に示すように、ミクロ的
に各種組成分布を持った結晶が得られる。この結晶は、
それぞれ図２のような組織をしており、冷却速度によっ
て組織は変化する。図３に、単一組成の、ミクロ的組成
分布を有しないＳｉ０．５Ｇｅ０．５結晶を用いた太陽
電池の太陽光のスペクトル分布を持った光源に対する短
絡電流の波長依存性と、本発明による図２のミクロ的組
成分布を持ったＳｉＧｅ多結晶太陽電池の短絡電流の波
長依存性を示す。なお、ミクロ的組成ブンブを有しない
Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５結晶は、従来の冷却速度を制御し
ない液相エピタキシー法により製造されたものである。
【００１１】図３から明らかなように、本発明のように
ミクロ的組成分布を持った結晶のほうが、平均的には同
じ組成の結晶（Ｓｉ：Ｇｅ＝１：１）でも明らかに単一
組成のＳｉ０．５Ｇｅ０．５結晶よりも全面積が広く、
全電流値が大きくなり、効率が上がってくることがわか
る。
ミクロ的組成分布を持った結晶のほうが、平均的には同
じ組成の結晶（Ｓｉ：Ｇｅ＝１：１）でも明らかに単一
組成のＳｉ０．５Ｇｅ０．５結晶よりも全面積が広く、
全電流値が大きくなり、効率が上がってくることがわか
る。
【００１２】更に、高効率にするために、本発明による
ミクロ的組成分布をもったＳｉＧｅ多結晶を基板とし
て、その上に薄膜を堆積させた２層構造にすることがで
きる。また、上記実施例はＳｉＧｅ系であるが、ＩｎＡ
ｓ−ＧａＡｓ系にすると、より高効率にできる。この
他、材料の組合わせとして、ＧａＳｂ−ＧａＡｓのよう
なIII−Ｖ族の３元系やＩｎＡｓ−ＧａＰ，ＩｎＡｓ−
ＧａＳｂのような４元系を用いることも可能である。要
は、本発明は吸収波長領域の異なる材料の組合わせであ
ればよい。
ミクロ的組成分布をもったＳｉＧｅ多結晶を基板とし
て、その上に薄膜を堆積させた２層構造にすることがで
きる。また、上記実施例はＳｉＧｅ系であるが、ＩｎＡ
ｓ−ＧａＡｓ系にすると、より高効率にできる。この
他、材料の組合わせとして、ＧａＳｂ−ＧａＡｓのよう
なIII−Ｖ族の３元系やＩｎＡｓ−ＧａＰ，ＩｎＡｓ−
ＧａＳｂのような４元系を用いることも可能である。要
は、本発明は吸収波長領域の異なる材料の組合わせであ
ればよい。
【００１３】図３に示すように、本発明によるＳｉＧｅ
多結晶太陽電池の太陽光のスペクトルに対する波長依存
性をもった短絡電流値を得ることができた。この値は、
同一条件におけるＳｉ多結晶太陽電池の電流値よりも大
きい。
多結晶太陽電池の太陽光のスペクトルに対する波長依存
性をもった短絡電流値を得ることができた。この値は、
同一条件におけるＳｉ多結晶太陽電池の電流値よりも大
きい。
【００１４】また、本発明によりミクロ的組成分布を、
図１のように冷却条件によって変化させることにより、
図３に示したように太陽光のスペクトルに対する感度分
布を制御できるため、最適の組成分布をもった最も高効
率の太陽電池を作製することができる。
図１のように冷却条件によって変化させることにより、
図３に示したように太陽光のスペクトルに対する感度分
布を制御できるため、最適の組成分布をもった最も高効
率の太陽電池を作製することができる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、融液成
長技術を使って、冷却速度・過冷却速度などの冷却条件
や融液組成を制御することにより、太陽光のスペクトル
を最も効率よく吸収でき、優れた感度応答性を持つ組成
分布をキャスト法のような実用的で簡便な手法で実現
し、高効率太陽電池を作製することができる。そして、
この方法は、タンデム型のような複雑な構造を用いるこ
となくもっとも高率の高い組成分布を実現でき、かつＳ
ｉＧｅに限らず、ＩｎＧａＡｓ等の多元系結晶にも容易
に適用できる実用性の高い技術である。
長技術を使って、冷却速度・過冷却速度などの冷却条件
や融液組成を制御することにより、太陽光のスペクトル
を最も効率よく吸収でき、優れた感度応答性を持つ組成
分布をキャスト法のような実用的で簡便な手法で実現
し、高効率太陽電池を作製することができる。そして、
この方法は、タンデム型のような複雑な構造を用いるこ
となくもっとも高率の高い組成分布を実現でき、かつＳ
ｉＧｅに限らず、ＩｎＧａＡｓ等の多元系結晶にも容易
に適用できる実用性の高い技術である。
【図１】冷却速度を変化させたときの、融液成長したＳ
ｉＧｅ多結晶のミクロ的組成分布のヒストグラム
ｉＧｅ多結晶のミクロ的組成分布のヒストグラム
【図２】冷却速度を変化させたときの、融液成長したＳ
ｉＧｅ多結晶の組成を示す顕微鏡写真
ｉＧｅ多結晶の組成を示す顕微鏡写真
【図３】単一組成のＳｉ０．５Ｇｅ０．５結晶太陽電池
と本発明による図１（ｂ）のミクロ的組成分布をもった
ＳｉＧｅ多結晶太陽電池の短絡電流の波長依存性を示す
図。なお、図中「Ｒ＝1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1」は、組
成０から１までのＳｉＧｅ結晶が０．１の組成刻みで均
等に分布したような結晶を仮定したことを示している。
また、「ｄ＝２μm」は、計算に必要なキャリアの拡散
長さを示している。
と本発明による図１（ｂ）のミクロ的組成分布をもった
ＳｉＧｅ多結晶太陽電池の短絡電流の波長依存性を示す
図。なお、図中「Ｒ＝1:1:1:1:1:1:1:1:1:1:1」は、組
成０から１までのＳｉＧｅ結晶が０．１の組成刻みで均
等に分布したような結晶を仮定したことを示している。
また、「ｄ＝２μm」は、計算に必要なキャリアの拡散
長さを示している。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G072 AA20 BB12 GG01 GG03 HH01 JJ09 MM38 NN01 UU02 5F051 AA03 AA08 CB04 CB29
Claims (2)
- 【請求項１】 ミクロ的な組成分布が不均一で、かつ、
マクロ的な組成分布が均一な多元系多結晶を備えた太陽
電池。 - 【請求項２】 多元系組成の融液を、冷却速度を制御し
て冷却してミクロ的な組成分布が不均一で、かつ、マク
ロ的な組成分布が均一な多元系多結晶を作成し、この多
元系多結晶により太陽電池を製造する方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001090713A JP3472830B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 多元系多結晶太陽電池及びその製造方法 |
| DE10213271A DE10213271A1 (de) | 2001-03-27 | 2002-03-25 | Multi-Element-Polykristall für Solarzellen und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US10/105,391 US20020139416A1 (en) | 2001-03-27 | 2002-03-26 | Multi-element polycrystal for solar cells and method of manufacuturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001090713A JP3472830B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 多元系多結晶太陽電池及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002289887A true JP2002289887A (ja) | 2002-10-04 |
| JP3472830B2 JP3472830B2 (ja) | 2003-12-02 |
Family
ID=18945462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001090713A Expired - Lifetime JP3472830B2 (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | 多元系多結晶太陽電池及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020139416A1 (ja) |
| JP (1) | JP3472830B2 (ja) |
| DE (1) | DE10213271A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009147098A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Shimane Univ | 半導体多結晶薄膜及び半導体装置 |
| US7750232B2 (en) | 2005-07-08 | 2010-07-06 | Sumco Solar Corporation | Multi-crystalline silicon-germanium bulk crystal for use as a solar cell and method of making |
| US8017862B2 (en) | 2005-10-21 | 2011-09-13 | Sumco Solar Corporation | Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7279632B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-10-09 | President Of Tohoku University | Multi-element polycrystal for solar cells and method of manufacturing the same |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001090713A patent/JP3472830B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-03-25 DE DE10213271A patent/DE10213271A1/de not_active Ceased
- 2002-03-26 US US10/105,391 patent/US20020139416A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7750232B2 (en) | 2005-07-08 | 2010-07-06 | Sumco Solar Corporation | Multi-crystalline silicon-germanium bulk crystal for use as a solar cell and method of making |
| US8017862B2 (en) | 2005-10-21 | 2011-09-13 | Sumco Solar Corporation | Solar-cell single-crystal silicon substrate, solar cell element, and method for producing the same |
| JP2009147098A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-02 | Shimane Univ | 半導体多結晶薄膜及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10213271A1 (de) | 2002-10-17 |
| JP3472830B2 (ja) | 2003-12-02 |
| US20020139416A1 (en) | 2002-10-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Goetzberger et al. | Photovoltaic materials, past, present, future | |
| US7148417B1 (en) | GaP/silicon tandem solar cell with extended temperature range | |
| US8927392B2 (en) | Methods for forming crystalline thin-film photovoltaic structures | |
| RU2141702C1 (ru) | Кремниевая полупроводниковая пластина нового типа и способ ее изготовления | |
| Dutta | III–V Ternary bulk substrate growth technology: a review | |
| Reber et al. | Zone melting recrystallization of silicon films for crystalline silicon thin-film solar cells | |
| US7279632B2 (en) | Multi-element polycrystal for solar cells and method of manufacturing the same | |
| JP2005159312A (ja) | 太陽電池用多結晶シリコン基板の母材および太陽電池用多結晶シリコン基板 | |
| KR20070008549A (ko) | 단일결정 Ｃｕ〔Ｉｎ, Ｇａ〕Ｓｅ２ 분말의 제조 방법 및이 분말을 함유한 단일입자 막형 태양 전지 | |
| JP2002289887A (ja) | 多元系多結晶太陽電池及びその製造方法 | |
| US6057507A (en) | Coarse grain polycrystalline gallium antimonide thermophotovoltaic cell | |
| JP2007235083A (ja) | 熱電材料及びその製造方法 | |
| JP4674327B2 (ja) | Ｓｉ多結晶インゴット、Ｓｉ多結晶インゴットの製造方法およびＳｉ多結晶ウェハー | |
| JP2003252617A (ja) | 多結晶シリコン基板及び太陽電池の製造方法 | |
| RU2604476C2 (ru) | Способ повышения качества туннельного перехода в структуре солнечных элементов | |
| Blakers et al. | 17% Eficient thin‐film silicon solar cell by liquid‐phase epitaxy | |
| JP2003273373A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| Amick et al. | Practical limiting efficiencies for crystalline silicon solar cells | |
| US20070006915A1 (en) | Multi-crystalline silicon-germanium bulk crystal for use as a solar cell and method of making | |
| JPS60194581A (ja) | 多結晶シリコン太陽電池 | |
| JP2001332494A (ja) | 半導体素子の製造方法および半導体素子 | |
| Sotgiu et al. | Effect of surfactants in the electrochemical preparation of porous silicon | |
| JP2005142271A (ja) | 太陽電池及びその製造法 | |
| JP2002324765A (ja) | 鉄シリサイドの成膜方法並びに半導体ウェーハ及び光半導体装置 | |
| JP2000256093A (ja) | クラスレート結晶構造シリコン材料とその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3472830 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080919 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090919 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100919 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |