JP2009141244A - 窒化物半導体トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】窒化物半導体トランジスタは、基板11と、基板11の上に形成された第1の窒化物半導体層13と、第1の窒化物半導体層13の上に形成され、第1の窒化物半導体13と比べてバンドギャップエネルギが大きい第2の窒化物半導体層14と、第2の窒化物半導体層14の上に形成され、開口部を有する第3の窒化物半導体層15とを備えている。開口部を埋めるようにp型の第4の窒化物半導体層16が形成され、第4の窒化物半導体層16の上にはゲート電極21が形成されている。
【選択図】図1
Description
T. Kawasaki et al., "Solid State Devices and Materials 2005 tech. digest", 2005年, p.206 M. Kuroda et al., "Solid State Devices and Materials 2005 tech. digest", p.470
本発明の第1の実施形態について図面を参照して説明する。図1は第1の実施形態に係る窒化物半導体トランジスタを示す断面図である。(0001)面を主面とするサファイアからなる基板11の上に、厚さが100nmのAlNからなるバッファ層12と、厚さが2μmのアンドープのGaNからなる第1の窒化物半導体層13と、厚さが15nmのアンドープのAlGaNからなる第2の窒化物半導体層14と、厚さが30nmのn型のAlGaNからなる第3の窒化物半導体層15とが形成されている。第3の窒化物半導体層15は、ゲート領域に第2の窒化物半導体層を露出する開口を有している。第3の窒化物半導体層15の上には、開口部を埋めるように厚さが100nmの第4の窒化物半導体層16が形成されている。第4の窒化物半導体層16と第2の窒化物半導体層14及び第3の窒化物半導体層との間には厚さが5nmのアンドープのAlGaNからなる第5の窒化物半導体層17が形成されている。ここで、「アンドープ」とは、不純物が意図的に導入されていないことを意味するものとする。
以下に、本発明の第2の実施形態について図面を参照して説明する。図4は、第2の実施形態に係る窒化物半導体トランジスタの断面構成を示している。図4において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
以下に、第2の実施形態の第1変形例について図面を参照して説明する。図5は第2の実施形態の第1変形例に係る窒化物半導体トランジスタの断面構成を示している。図5において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
以下に、第2の実施形態の第2変形例について図面を参照して説明する。図6は第2の実施形態の第2変形例に係る窒化物半導体トランジスタの断面構成を示している。図6において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
以下に、本発明の第3の実施形態について図面を参照して説明する。図7は、第3の実施形態に係る窒化物半導体トランジスタの断面構成を示している。図7において図1と同一の構成要素には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
12 バッファ層
13 第1の窒化物半導体層
14 第2の窒化物半導体層
15 第3の窒化物半導体層
15a 開口部
15b 凹部
16 第4の窒化物半導体層
17 第5の窒化物半導体層
18 第6の窒化物半導体層
19 第6の窒化物半導体層
21 ゲート電極
22 ソース電極
23 ドレイン電極
28 第6の窒化物半導体層
38 第6の窒化物半導体層
38A 第1のp型層
38B 第2のp型層
Claims (20)
- 基板と、
前記基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、前記第1の窒化物半導体と比べてバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物半導体層と、
前記第2の窒化物半導体層の上に形成され、開口部を有する第3の窒化物半導体層と、
前記開口部を埋めるように形成されたp型の第4の窒化物半導体層と、
前記第4の窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極とを備えていることを特徴とする窒化物半導体トランジスタ。 - 前記第3の窒化物半導体層は、n型であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第2の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層との間に形成された第5の窒化物半導体層をさらに備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第2の窒化物半導体層と前記5の窒化物半導体層との間の格子定数の差は、前記第2の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層との間の格子定数の差よりも小さいことを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第2の窒化物半導体層と前記第3の窒化物半導体層との間に形成された第6の窒化物半導体層をさらに備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第6の窒化物半導体層は、p型であることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第6の窒化物半導体層と前記4の窒化物半導体層との間の格子定数の差は、前記第2の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層との間の格子定数の差よりも小さいことを特徴とする請求項6に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第6の窒化物半導体層は、前記第4の窒化物半導体層と比べてバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とする請求項6に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第6の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層との間に形成された第5の窒化物半導体層をさらに備えていることを特徴とする請求項8に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第6の窒化物半導体層と前記5の窒化物半導体層との間の格子定数の差は、前記第6の窒化物半導体層と前記第4の窒化物半導体層との間の格子定数の差よりも小さいことを特徴とする請求項9に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第6の窒化物半導体層は、第1のp型層と該第1のp型層の上に形成された第2のp型層とを含むことを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第1のp型層は前記第2のp型層と比べてバンドギャップエネルギーが大きく、
前記第2のp型層と前記第4の窒化物半導体層との間の格子定数の差は、前記第1のp型層と前記第4の窒化物半導体層との間の格子定数の差よりも小さいことを特徴とする請求項11に記載の窒化物半導体トランジスタ。 - 前記第6の窒化物半導体層は、n型であることを特徴とする請求項5に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 前記第6の窒化物半導体層は、前記第3の窒化物半導体と比べてバンドギャップエネルギーが小さいことを特徴とする請求項13に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- ノーマリーオフ型であることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載の窒化物半導体トランジスタ。
- 基板の上に第1の窒化物半導体層と、該第1の窒化物半導体と比べてバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物半導体層と、第3の窒化物半導体層とを順次エピタキシャル成長する工程(a)と、
前記第3の窒化物半導体層を選択的に除去して開口部を形成する工程(b)と、
前記開口部を埋めるようにp型の第4の窒化物半導体層をエピタキシャル成長する工程(c)と、
前記第4の窒化物半導体層の上にゲート電極を形成する工程(d)とを備えていることを特徴とする窒化物半導体トランジスタの製造方法。 - 前記工程(c)では、第5の窒化物半導体層をエピタキシャル成長した後、続けて前記第4の窒化物半導体層をエピタキシャル成長することを特徴とする請求項16に記載の窒化物半導体トランジスタの製造方法。
- 前記工程(a)では、前記第2の窒化物半導体層と前記第3の窒化物半導体層との間に第6の窒化物半導体層をエピタキシャル成長することを特徴とする請求項16又は17に記載の窒化物半導体トランジスタの製造方法。
- 前記第6の窒化物半導体層のエピタキシャル成長は、第1のp型層をエピタキシャル成長した後、第2のp型層をエピタキシャル成長することを特徴とする請求項18に記載の窒化物半導体トランジスタの製造方法。
- 前記工程(b)では、ウェットエッチングにより前記第3の窒化物半導体層を選択的に除去することを特徴とする請求項16〜19のいずれか1項に記載の窒化物半導体トランジスタの製造方法。
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