JP4815020B2 - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Description
本発明の第1の実施形態について図面を参照しながら説明する。
第1の実施形態においては、図1に示すように、バリア層14の上に設けたp型AlGaN層15は、ゲート電極19の下側部分の厚さとその側方部分との厚さを実質的に同一としている。
図8に示す第2変形例に係る窒化物半導体装置のように、p型GaN層16がゲート電極19の下側にのみ形成される構成ではなく、該p型GaN層16の一部がゲート電極19の側方にも形成される構成であってもよい。このとき、p型GaN層16におけるゲート電極19の側方の領域に形成された露出部分が厚いと、ゲートドレイン間又はゲートソース間に生じるリーク電流が増大する原因となるため、露出部分の厚さは20nm程度以下とすることが望ましい。これにより、前述した閾値電圧の差ΔVthを大きくすることができるため、電流コラプスを抑制することができる。
以下、本発明の第2の実施形態について図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第3の実施形態について図面を参照しながら説明する。
12 バッファ層
13 チャネル層
13a 凹部
14 バリア層
15 p型AlGaN層(第1のp型層)
16 p型GaN層(第2のp型層)
17 ソース電極
18 ドレイン電極
19 ゲート電極
20 仮想ゲート電極
21 基板
21a バイアホール
22 バッファ層
33 チャネル層
24 バリア層
25 p型AlGaN層(第1のp型層)
26 p型GaN層(第2のp型層)
27 ソース電極
28 ドレイン電極
29 ゲート電極
30 パッシベーション膜
31 メタル配線
32 裏面電極
33 層間膜
34 上部ドレイン電極
41 基板
42 バッファ層
43 チャネル層
44 バリア層
45 p型GaN層
46 ソース電極
47 ドレイン電極
48 ゲート電極
Claims (2)
- 基板と、
前記基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、
前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、前記第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物半導体層と、
前記第2の窒化物半導体層の上に形成され、少なくとも1層のp型の窒化物半導体を含む第3の窒化物半導体層と、
前記第3の窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側方の領域にそれぞれ形成されたソース電極及びドレイン電極とを備え、
前記第3の窒化物半導体層は、前記ゲート電極の下側部分の厚さが前記ゲート電極の側方部分の厚さよりも大きく、
前記ゲート電極により構成されるトランジスタ素子の第1の閾値電圧値は、前記ゲート電極の側方の部位に表面空乏層を介して仮想的に形成される仮想トランジスタ素子の第2の閾値電圧値よりも大きいことを特徴とする窒化物半導体装置。 - 前記第1の閾値電圧値は、前記第2の閾値電圧値と比べて2.5V以上大きいことを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体装置。
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---|---|---|---|---|
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