JP2009140973A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】対向した基板の間に正確な隙間を作ることができ、部品面積を小さくできる電子部品とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】デバイス基板（１）にコアパターン（７）とこの表面を覆うバンプパターン（８）を有する第２の電極部（６）を設け、コアパターン（７）はバンプパターン（８）よりも硬度が高い材料で構成し、接合基板（２）にはバンプパターン（８）と同一材料の第１の電極部（５）を設け、直接接合した第１の電極部（５）とバンプパターン（８）を介してデバイス基板（１）の機能部と第１の電極部（５）とを電気接続したことを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】デバイス基板（１）にコアパターン（７）とこの表面を覆うバンプパターン（８）を有する第２の電極部（６）を設け、コアパターン（７）はバンプパターン（８）よりも硬度が高い材料で構成し、接合基板（２）にはバンプパターン（８）と同一材料の第１の電極部（５）を設け、直接接合した第１の電極部（５）とバンプパターン（８）を介してデバイス基板（１）の機能部と第１の電極部（５）とを電気接続したことを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、対向した基板の間に正確な隙間と両者間の電気接続を必要とする各種センサーなどの電子部品に関するものである。
特許文献１には、図１０に示すようにシリコン基板２１の上にガラス基板２２を所定の間隔ｄで実装する場合に、シリコン基板２１とガラス基板２２を接合する接合層２３とは別に、厚みが目的の間隔ｄと等しい間隔設定部材２４を設けて接合されている。
特開平３−２３９９４０号公報（図１）
しかしながら、電子部品に図１０の構成を実施した場合には、接合層２３が低融点ガラス、化学系の接着剤であり、接合層２３の部分においては電気的な接続ができないため、接合層２３とは別の場所に電気的な接続のための端子部を形成することが必要であって、部品面積が大きくなる。
また、接合層２３と間隔設定部材２４の形成プロセスが異なるため、生産コストが高くなるという課題を有している。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、対向した基板の間に正確な隙間を作ることができ、しかも、部品面積を小さくできる電子部品とその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、対向した基板の間に正確な隙間を作ることができ、しかも、部品面積を小さくできる電子部品とその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の請求項１記載の電子部品は、機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品であって、前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に他方の基板の第１の電極部に当接する第２の電極部を設け、第２の電極部には、前記一方の基板から他方の基板に向かって突出したコアパターンと、前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンを設け、前記コアパターンは前記バンプパターンよりも硬度が高い材料で構成し、かつ第１の電極部と前記バンプパターンとを同一材料で構成し、直接接合した第１の電極部と前記バンプパターンを介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続したことを特徴とする。
本発明の請求項２記載の電子部品は、機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品であって、前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に他方の基板の第１の電極部に当接する第２の電極部を設け、第２の電極部には、前記一方の基板から他方の基板に向かって突出したコアパターンと、前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとしての溶融金属を設け、前記コアパターンは前記溶融金属よりも硬度が高い材料で構成し、溶融固化して接合した第１の電極部と前記溶融金属を介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続したことを特徴とする。
本発明の請求項３記載の電子部品は、機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品であって、前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に他方の基板の第１の電極部に当接する第２の電極部を設け、第２の電極部には、前記一方の基板から他方の基板に向かって突出したコアパターンと、前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとしての導電性接着剤を設け、前記コアパターンは第１の電極部よりも硬度が高い材料で構成され、硬化した導電性接着剤で前記デバイス基板と前記接合基板を接合すると共に前記導電性接着剤を介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続したことを特徴とする。
本発明の請求項４記載の電子部品は、請求項１において、前記コアパターンがＮｉまたはＴｉまたはＷまたはセラミクスなどの無機材料で構成され、前記バンプパターンと第１の電極部がＡｕまたはＣｕまたはＡｌで構成されていることを特徴とする。
本発明の請求項５記載の電子部品は、請求項２または請求項３において、前記コアパターンがＮｉまたはＴｉまたはＷまたはセラミクスなどの無機材料で構成され、前記第１の電極部がＡｕまたはＣｕまたはＡｌで構成されていることを特徴とする。
本発明の請求項６記載の電子部品は、請求項１〜請求項３の何れかにおいて、前記コアパターンの端面に突部が形成されていることを特徴とする。
本発明の請求項７記載の電子部品製造方法は、機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品を作成するに際し、前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に、他方の基板に向かって突出したコアパターンと電気導電性で前記コアパターンよりも硬度が低く前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとを有する第２の電極部を形成し、前記他方の基板の第２の電極部に対応した位置に前記バンプパターンと同一材料の第１の電極部を形成し、前記一方の基板の第２の電極部と前記他方の基板の第１の電極部とを圧接して前記バンプパターンと第１の電極部を塑性変形させると共に互いを直接接合した第１の電極部と前記バンプパターンを介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続することを特徴とする。
本発明の請求項７記載の電子部品製造方法は、機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品を作成するに際し、前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に、他方の基板に向かって突出したコアパターンと電気導電性で前記コアパターンよりも硬度が低く前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとを有する第２の電極部を形成し、前記他方の基板の第２の電極部に対応した位置に前記バンプパターンと同一材料の第１の電極部を形成し、前記一方の基板の第２の電極部と前記他方の基板の第１の電極部とを圧接して前記バンプパターンと第１の電極部を塑性変形させると共に互いを直接接合した第１の電極部と前記バンプパターンを介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続することを特徴とする。
本発明の請求項８記載の電子部品製造方法は、機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品を作成するに際し、前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に、他方の基板に向かって突出したコアパターンと電気導電性で前記コアパターンよりも硬度が低く前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとしての溶融金属を有する第２の電極部を形成し、前記他方の基板の第２の電極部に対応した位置に第１の電極部を形成し、前記一方の基板の第２の電極部と前記他方の基板の第１の電極部とを圧接して前記溶融金属と第１の電極部を塑性変形させると共に加熱して前記溶融金属を溶融固化させて接合した第１の電極部と前記溶融金属を介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続することを特徴とする。
本発明の請求項９記載の電子部品製造方法は、機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品を作成するに際し、前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に、他方の基板に向かって突出したコアパターンと電気導電性で前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとしての未硬化の導電性接着剤とを有する第２の電極部を形成し、前記他方の基板の第２の電極部に対応した位置に第１の電極部を形成し、前記一方の基板の第２の電極部と前記他方の基板の第１の電極部とを圧接するとともに前記導電性接着剤を硬化させて接合した第１の電極部と前記導電性接着剤を介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続することを特徴とする。
本発明の請求項１０記載の電子部品製造方法は、請求項７または請求項８において、第２の電極部の表面粗さＲａがＲａ＞１μｍであることを特徴とする。
本発明の請求項１１記載の電子部品製造方法は、請求項７において、前記バンプパターンと第１の電極の少なくとも一方の表面粗さＢを、前記コアパターンの表面粗さＡよりも大きくすることを特徴とする。
本発明の請求項１１記載の電子部品製造方法は、請求項７において、前記バンプパターンと第１の電極の少なくとも一方の表面粗さＢを、前記コアパターンの表面粗さＡよりも大きくすることを特徴とする。
本発明の請求項１２記載の電子部品製造方法は、請求項７〜請求項９の何れかにおいて、前記コアパターンの高さが１〜３０μｍであることを特徴とする。
本発明の請求項１３記載の電子部品製造方法は、請求項７〜請求項９の何れかにおいて、前記バンプパターンの厚みが０．１〜５μｍであることを特徴とする。
本発明の請求項１３記載の電子部品製造方法は、請求項７〜請求項９の何れかにおいて、前記バンプパターンの厚みが０．１〜５μｍであることを特徴とする。
本発明の請求項１４記載の電子部品製造方法は、請求項７〜請求項９の何れかにおいて、前記コアパターンとして端面に突部を形成したものを使用することを特徴とする。
この構成によると、対向した基板の間に正確な隙間を作ることができ、しかも、部品面積を小さくできる。
以下、本発明の各実施の形態を図１〜図９に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１と図２は本発明の実施の形態１を示す。
（実施の形態１）
図１と図２は本発明の実施の形態１を示す。
図１（ｃ）に示すこの電子部品は、機能部が形成されたデバイス基板１と、接合基板２とを、隙間ｄ１をあけて覆うように接合したものであって、なお、機能部とは、力または電圧などを印加することによって隙間ｄ１が変化するように機能する部分である。より具体的には、この電子部品は静電容量検出式のセンサであって、前記機能部は、力Ｆの作用によってデバイス基板１の中央部が弾性変形してデバイス基板１に設けられた第１検出電極３と接合基板２に設けられた第２検出電極４との間の間隔ｄ２が変化するように構成されている。
接合基板２には、図１（ａ）と図２に示すように第１の電極部５が形成されている。デバイス基板１には、第１の電極部５の位置に対応して第２の電極部６が図１（ａ）と図２に示すように形成されている。
第２の電極部６は、接合基板２に向かって突出したコアパターン７と、コアパターン７の表面を覆うバンプパターン８とで構成されている。コアパターン７はバンプパターン８よりも硬度が高い材料で構成されている。第１の電極部５をＡｕで形成した場合、バンプパターン８も第１の電極部５と同じＡｕで形成し、コアパターン７には例えばＮｉを使用する。
コアパターン７の高さｈは１〜３０μｍで、このコアパターン７の上にバンプパターン８としてＡｕが０．１〜５μｍの厚みでスパッタ成膜またはメッキされている。第１の電極部５の厚みは０．１〜５μｍである。
第１検出電極３は配線パターン（図示せず）を介して第２の電極部６に電気接続されている。第２検出電極４は配線パターン（図示せず）を介して第１の電極部３に電気接続されている。
このように形成されたデバイス基板１と接合基板２を、図１（ｂ）に示すようにテーブル９と加圧治具１０との間に挟んで荷重ＦＦで加圧すると、第１の電極部５とデバイス基板１の第２の電極部６のバンプパターン８が塑性変形すると共に、同種金属材料同士である第１の電極部５とバンプパターン８とが直接接合される。
コアパターン７のＮｉはＡｕに比べ、硬度が５から１０倍高い（Ｎｉ：５００〜６００ＨＶ、Ａｕ：３０〜５０ＨＶ）ため、Ｎｉが変形しにくい条件範囲で前記荷重ＦＦを適切に制御することにより、前記隙間ｄ１のばらつきが少ない。
Ｎｉは特に低コストで、Ａｕよりも硬度の高く、形成が容易でありコアパターン７に適した材料である。
このように、デバイス基板１と接合基板２との隙間ｄ１の精度が良好なため、第１検出電極３と第２検出電極４との間の間隔ｄ２のばらつきも少なく、静電容量が安定し、電子部品の特性のばらつきを防ぎ、生産コストを低減できる。
このように、デバイス基板１と接合基板２との隙間ｄ１の精度が良好なため、第１検出電極３と第２検出電極４との間の間隔ｄ２のばらつきも少なく、静電容量が安定し、電子部品の特性のばらつきを防ぎ、生産コストを低減できる。
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２を示す。
実施の形態１では第１の電極部５ならびにバンプパターン８としてＡｕを使用して両者を直接接合したが、この実施の形態２では、図３（ａ）に示すようにコアパターン７のＮｉの上に半田などの溶融金属１１をバンプパターン８として形成した点だけが異なっている。
図３は本発明の実施の形態２を示す。
実施の形態１では第１の電極部５ならびにバンプパターン８としてＡｕを使用して両者を直接接合したが、この実施の形態２では、図３（ａ）に示すようにコアパターン７のＮｉの上に半田などの溶融金属１１をバンプパターン８として形成した点だけが異なっている。
このように形成されたデバイス基板１と接合基板２を、図３（ｂ）に示すように加熱装置を備えた加圧治具１２ａ，１２ｂとの間に挟んで、溶融金属１１の融点以上に加熱するとともに荷重ＦＦで加圧すると、第１の電極部５のＡｕが塑性変形すると共に、溶融金属１１が液体になることにより、接合時のパターン高さのばらつきなどを吸収し、安定して高品質な接合を実現できる。この状態で冷却すると、溶融金属１１が固化してデバイス基板１と接合基板２が接合され、溶融金属１１と第１の電極部５ならびにコアパターン７が電気的に導通する。
この実施の形態においても、第１検出電極３と第２検出電極４との間の隙間ｄ２のばらつきも少なく、静電容量が安定し、電子部品の特性のばらつきを防ぎ、生産コストを低減できる。
（実施の形態３）
図４は本発明の実施の形態３を示す。
実施の形態１では第１の電極部５とバンプパターン８としてＡｕを使用して両者を直接接合したが、この実施の形態３では、図４（ａ）に示すようにコアパターン７のＮｉの上にＡｇやＣｕやＡｕなどの金属微粉末を接着剤に分散させたペーストなどの導電性接着剤１３をバンプパターン８として形成した点だけが異なっている。
図４は本発明の実施の形態３を示す。
実施の形態１では第１の電極部５とバンプパターン８としてＡｕを使用して両者を直接接合したが、この実施の形態３では、図４（ａ）に示すようにコアパターン７のＮｉの上にＡｇやＣｕやＡｕなどの金属微粉末を接着剤に分散させたペーストなどの導電性接着剤１３をバンプパターン８として形成した点だけが異なっている。
このように形成されたデバイス基板１と接合基板２を、図４（ｂ）に示すように加熱装置を備えた加圧治具１２ａ，１２ｂとの間に挟んで、導電性接着剤１３の硬化温度以上に加熱するとともに荷重ＦＦで加圧すると、第１の電極部５のＡｕが塑性変形すると共に、導電性接着剤１３が熱硬化してデバイス基板１と接合基板２が接合され、導電性接着剤１３と第１の電極部５ならびにコアパターン７が電気的に導通する。
この実施の形態においても、第１検出電極３と第２検出電極４との間の間隔ｄ２のばらつきも少なく、静電容量が安定し、電子部品の特性のばらつきを防ぎ、生産コストを低減できる。
（実施の形態４）
図５は本発明の実施の形態４を示す。
この実施の形態４は、実施の形態１におけるコアパターン７の表面へのバンプパターン８の具体的な形成工程を示している。
図５は本発明の実施の形態４を示す。
この実施の形態４は、実施の形態１におけるコアパターン７の表面へのバンプパターン８の具体的な形成工程を示している。
図５（ａ）に示すようコアパターン７の面粗さをＡ、バンプパターン８の面粗さをＢ１とした場合、
“ 面粗さＢ１ ＞ 面粗さＡ ”
に調製した後に、図５（ｂ）に示すように圧接することによって、間隔ｄ２の確保と接触確率の向上による接合品質の向上が実現できる。
“ 面粗さＢ１ ＞ 面粗さＡ ”
に調製した後に、図５（ｂ）に示すように圧接することによって、間隔ｄ２の確保と接触確率の向上による接合品質の向上が実現できる。
具体的には、面粗さＡが１μｍ未満のＮｉのコアパターン７の上にＡｕをメッキするときのメッキ条件の設定を調節して面粗さＢ１として１μｍ以上の凹凸を持つようにバンプパターン８を形成するか、バンプパターン８の形成後に物理的な研磨により１μｍ以上の凹凸を持つように粗化することによって、接触面積を増やすことによる接合確率の向上と、アスペクト比を大きくすることによる変形荷重の低下により、接合の品質向上を安定化させることができる。
なお、バンプパターン８に代わって第１の電極部５の面粗さＢ２を、“ 面粗さＢ２ ＞ 面粗さＡ ”にしたり、“ 面粗さＢ１ ＞ 面粗さＡ ”かつ“ 面粗さＢ２ ＞ 面粗さＡ ”にしても同様の効果が得られる。
（実施の形態５）
図６と図７は本発明の実施の形態５を示す。
実施の形態１ではコアパターン７の端面はフラットであったが、この実施の形態５では図６（ａ）と図７（ｂ）に示すようにコアパターン７の端面７ａに突部１４が形成されるようにＮｉが形成されている点だけが異なっている。
図６と図７は本発明の実施の形態５を示す。
実施の形態１ではコアパターン７の端面はフラットであったが、この実施の形態５では図６（ａ）と図７（ｂ）に示すようにコアパターン７の端面７ａに突部１４が形成されるようにＮｉが形成されている点だけが異なっている。
接合基板２と、端面に突部１４が形成されたＮｉのコアパターン７の表面を、図６（ａ）と図７（ａ）（ｂ）に示すようにＡｕのバンプパターン８で覆ったデバイス基板１を、図６（ｂ）に示すようにテーブル９と加圧治具１０との間に挟んで荷重ＦＦで加圧すると、突部１４の面積に対して接合荷重が付加されるため、荷重ＦＦが同じであっても実施の形態１の場合に比べて圧力が高くなり、充分な接合電極の接触が得られ、良好な接合品質を得ることができる。
また、接合基板２が若干反っている場合においても、第１の電極部５の変形しろが大きいため、許容範囲の広い接合品質を得ることができる。
また、バンプパターン８として溶融金属を採用した実施の形態２の場合にも、コアパターン７の端面に突部１４を形成することを同様に実施できる。この場合、接合領域に溶融金属が充分に存在する領域を作ることができ、外部からの熱応力などによる歪みを吸収することができ、高信頼性の接合品質を得ることができる。
また、バンプパターン８として溶融金属を採用した実施の形態２の場合にも、コアパターン７の端面に突部１４を形成することを同様に実施できる。この場合、接合領域に溶融金属が充分に存在する領域を作ることができ、外部からの熱応力などによる歪みを吸収することができ、高信頼性の接合品質を得ることができる。
（実施の形態６）
図８（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態６を示す。
実施の形態５の図７に示した第２の電極部６の端面を粗化して第１の電極部５との接触面積を増やすことによって、さらに接触確率を増加することができる。
図８（ａ）（ｂ）は本発明の実施の形態６を示す。
実施の形態５の図７に示した第２の電極部６の端面を粗化して第１の電極部５との接触面積を増やすことによって、さらに接触確率を増加することができる。
（実施の形態７）
図９は本発明の実施の形態７を示す。
上記の各実施の形態では、第１，第２の電極部５，６の大きさは、図２に示すように接合基板２，デバイス基板１において単一の大きさであったが、図９に示した分解図のように、接合基板２，デバイス基板１の縁に沿って環状に配置された第１，第２の電極部５，６のうちのコーナー部の電極１５，１６を残りの電極よりも大きくすることにより、接合後に外部からの熱変化等による応力が生じる場合においても耐えることのできる構造を実現できる。
図９は本発明の実施の形態７を示す。
上記の各実施の形態では、第１，第２の電極部５，６の大きさは、図２に示すように接合基板２，デバイス基板１において単一の大きさであったが、図９に示した分解図のように、接合基板２，デバイス基板１の縁に沿って環状に配置された第１，第２の電極部５，６のうちのコーナー部の電極１５，１６を残りの電極よりも大きくすることにより、接合後に外部からの熱変化等による応力が生じる場合においても耐えることのできる構造を実現できる。
上記の各実施の形態において、バンプパターン８がＡｕ、コアパターン７がＮｉの組み合わせの場合を例に挙げて説明したが、その他の具体例としては、バンプパターン８としてはＣｕまたはＡｌなどを使用することができ、コアパターン７としてはＴｉまたはＷまたはセラミクスなどの無機材料などを例として挙げることができる。
上記の各実施の形態において、デバイス基板１と接合基板２のうちのデバイス基板１の側にコアパターン７とバンプパターン８からなる第２の電極部６、またはコアパターン７とバンプパターン８としての溶融金属１１からなる第２の電極部６、またはコアパターン７とバンプパターン８としての導電性接着剤１３からなる第２の電極部６を設け、接合基板２に第１の電極部５を設けた場合を例に挙げて説明したが、接合基板２に第２の電極部６を設け、デバイス基板１に第１の電極部５を設けて構成することもできる。
上記の各実施の形態では、前記隙間ｄ１の状態の変化を検出する静電容量式のセンサの場合を例に挙げて説明したが、電流または電圧に応じて前記隙間ｄ２を変化させるアクチュエータなどにも同様に実施できる。アクチュエータの場合の具体例としては、前記隙間ｄ２の変化によってミラーの位置を移動させる光変調器などを挙げることができる。
なお、実施の形態１から実施の形態７に示した、第２の電極部の接合基板との接触面は、図２の示した正方形形状に限定する物ではなく、例えば第２の電極部の接合基板との接触面は長方形形状でもよい。より具体的には、長方形の接触面を持つ第２の電極部を、四角形状の基板の一つの辺毎に一つ設け、合計４つの第２の電極部としてもよい。
本発明の各種センサデバイスなどの高精度実装の電子部品の小型化と信頼性の向上に寄与できる。
１ デバイス基板
２ 接合基板
３ 第１検出電極
４ 第２検出電極
５ 第１の電極部
６ 第２の電極部
６ａ 第２の電極部の端面
７ コアパターン
８ バンプパターン
９ テーブル
１０ 加圧治具
１１ 溶融金属（バンプパターン）
１２ａ，１２ｂ 加圧治具
１３ 導電性接着剤（バンプパターン）
１４ 突部
１５，１６ コーナー部の電極
ｄ１ 隙間
ｄ２ 間隔
Ｆ 力
ＦＦ 荷重
２ 接合基板
３ 第１検出電極
４ 第２検出電極
５ 第１の電極部
６ 第２の電極部
６ａ 第２の電極部の端面
７ コアパターン
８ バンプパターン
９ テーブル
１０ 加圧治具
１１ 溶融金属（バンプパターン）
１２ａ，１２ｂ 加圧治具
１３ 導電性接着剤（バンプパターン）
１４ 突部
１５，１６ コーナー部の電極
ｄ１ 隙間
ｄ２ 間隔
Ｆ 力
ＦＦ 荷重
Claims (14)
- 機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品であって、
前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に他方の基板の第１の電極部に当接する第２の電極部を設け、
第２の電極部には、前記一方の基板から他方の基板に向かって突出したコアパターンと、前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンを設け、
前記コアパターンは前記バンプパターンよりも硬度が高い材料で構成し、かつ第１の電極部と前記バンプパターンとを同一材料で構成し、
直接接合した第１の電極部と前記バンプパターンを介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続した
電子部品。 - 機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品であって、
前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に他方の基板の第１の電極部に当接する第２の電極部を設け、
第２の電極部には、前記一方の基板から他方の基板に向かって突出したコアパターンと、前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとしての溶融金属を設け、
前記コアパターンは前記溶融金属よりも硬度が高い材料で構成し、
溶融固化して接合した第１の電極部と前記溶融金属を介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続した
電子部品。 - 機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品であって、
前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に他方の基板の第１の電極部に当接する第２の電極部を設け、
第２の電極部には、前記一方の基板から他方の基板に向かって突出したコアパターンと、前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとしての導電性接着剤を設け、
前記コアパターンは第１の電極部よりも硬度が高い材料で構成され、
硬化した導電性接着剤で前記デバイス基板と前記接合基板を接合すると共に前記導電性接着剤を介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続した
電子部品。 - 前記コアパターンがＮｉまたはＴｉまたはＷまたはセラミクスなどの無機材料で構成され、
前記バンプパターンと第１の電極部がＡｕまたはＣｕまたはＡｌで構成されている
請求項１記載の電子部品。 - 前記コアパターンがＮｉまたはＴｉまたはＷまたはセラミクスなどの無機材料で構成され、
前記第１の電極部がＡｕまたはＣｕまたはＡｌで構成されている
請求項２または請求項３に記載の電子部品。 - 前記コアパターンの端面に突部が形成されている
請求項１〜請求項３の何れかに記載の電子部品。 - 機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品を作成するに際し、
前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に、他方の基板に向かって突出したコアパターンと電気導電性で前記コアパターンよりも硬度が低く前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとを有する第２の電極部を形成し、
前記他方の基板の第２の電極部に対応した位置に前記バンプパターンと同一材料の第１の電極部を形成し、
前記一方の基板の第２の電極部と前記他方の基板の第１の電極部とを圧接して前記バンプパターンと第１の電極部を塑性変形させると共に互いを直接接合した第１の電極部と前記バンプパターンを介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続する
電子部品製造方法。 - 機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品を作成するに際し、
前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に、他方の基板に向かって突出したコアパターンと電気導電性で前記コアパターンよりも硬度が低く前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとしての溶融金属を有する第２の電極部を形成し、
前記他方の基板の第２の電極部に対応した位置に第１の電極部を形成し、
前記一方の基板の第２の電極部と前記他方の基板の第１の電極部とを圧接して前記溶融金属と第１の電極部を塑性変形させると共に加熱して前記溶融金属を溶融固化させて接合した第１の電極部と前記溶融金属を介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続する
電子部品製造方法。 - 機能部が形成されたデバイス基板に前記機能部との間に隙間をあけて覆うように接合基板を接合した電子部品を作成するに際し、
前記デバイス基板と前記接合基板との一方の基板に、他方の基板に向かって突出したコアパターンと電気導電性で前記コアパターンの表面を覆うバンプパターンとしての未硬化の導電性接着剤とを有する第２の電極部を形成し、
前記他方の基板の第２の電極部に対応した位置に第１の電極部を形成し、
前記一方の基板の第２の電極部と前記他方の基板の第１の電極部とを圧接するとともに前記導電性接着剤を硬化させて接合した第１の電極部と前記導電性接着剤を介して前記機能部と第１の電極部とを電気接続する
電子部品製造方法。 - 第２の電極部の表面粗さＲａがＲａ＞１μｍである
請求項７または請求項８記載の電子部品製造方法。 - 前記バンプパターンと第１の電極の少なくとも一方の表面粗さＢを、前記コアパターンの表面粗さＡよりも大きくする
請求項７記載の電子部品製造方法。 - 前記コアパターンの高さが１〜３０μｍである
請求項７〜請求項９の何れか記載の電子部品製造方法。 - 前記バンプパターンの厚みが０．１〜５μｍである
請求項７〜請求項９の何れか記載の電子部品製造方法。 - 前記コアパターンとして端面に突部を形成したものを使用する
請求項７〜請求項９の何れか記載の電子部品製造方法。
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