JP2009140970A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】キャパシタホールの形成時におけるキャパシタホールのアスペクト比の上昇を抑制するとともに、容量電極面積を大きくすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】中空柱状の基端側下部電極膜10と、基端側下部電極膜10の中空部10eの下部に充填された金属プラグ23と、基端側下部電極膜10の中空部10eの上部にはめ込まれるように重ね合わされた中空柱状の先端側下部電極膜15と、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の各外周面10d、15aと先端側下部電極膜15の内周面15bとをそれぞれ覆うように順次積層された誘電体膜17及び上部電極膜18と、基端側下部電極膜10の外周面上端部10bに形成され、隣接する基端側下部電極膜10同士を結合するサイドウォール部24と、から構成されているキャパシタ40を有する半導体装置を提供する。
【選択図】図12
【解決手段】中空柱状の基端側下部電極膜10と、基端側下部電極膜10の中空部10eの下部に充填された金属プラグ23と、基端側下部電極膜10の中空部10eの上部にはめ込まれるように重ね合わされた中空柱状の先端側下部電極膜15と、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の各外周面10d、15aと先端側下部電極膜15の内周面15bとをそれぞれ覆うように順次積層された誘電体膜17及び上部電極膜18と、基端側下部電極膜10の外周面上端部10bに形成され、隣接する基端側下部電極膜10同士を結合するサイドウォール部24と、から構成されているキャパシタ40を有する半導体装置を提供する。
【選択図】図12
Description
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)のメモリセルは、トランジスタとキャパシタとで構成される。キャパシタは、下部電極、誘電体膜および上部電極とで構成され、DRAMのサイズを縮小するに従い、キャパシタの占有面積も小さくなっている。この限られた占有面積の中で一定量の静電容量を確保する為には、キャパシタの電極構造を3次元化して電極の表面積を増やすことが有効であるが、近年の半導体の微細化技術の進展に伴い、DRAM素子においては、必要な容量電極面積を確保することが難しくなっている(特許文献1〜3を参照)。
一般的なDRAM素子のキャパシタの形成手法としては、層間絶縁膜を形成してからドライエッチングによってキャパシタホール(貫通孔)を形成し、このキャパシタホール内部に下部電極、誘電体膜及び上部電極を順次形成する方法が知られているが、DRAMの微細化に伴いキャパシタホールのアスペクト比が高くなっており、キャパシタホールを形成するためのドライエッチング加工が難しくなっている。なぜなら、キャパシタホールの形成のためのエッチングが進行してゆくにつれて、加工底面へのエッチングガスの到達確率が低下しエッチング速度が低下してゆく。このように、実効アスペクト比の極端な増加が、イオンエネルギーの低下、エッチング速度の低下を加速し、さらにはエッチング反応が進行しないエッチストップを引き起こしてしまう。
そのため、容量下部電極面積を拡大する技術が知られている。この方法では、まず図13に示すように、容量コンタクトプラグ31が形成されてなる層間絶縁膜30上に、ポリシリコンからなる容量電極パッド32を形成し、容量電極パッド32を覆うようにエッチングストッパとなるシリコン窒化膜33を形成する。そして、シリコン窒化膜33上に層間絶縁膜34を形成する。
続いて、図14に示すように、ドライエッチングによって層間絶縁膜34及びシリコン窒化膜33に貫通孔35(キャパシタホール)を設け、容量電極パッド32を露出させる。更に、ウェットエッチングにより容量電極パッド32を除去し、容量コンタクトプラグ31を露出させる。
その後、図15に示すように、キャパシタホール35に下部電極36、容量膜37、上部電極38を形成し、層間絶縁膜上に共通電極39、40を形成する。容量電極パッド32をあらかじめ形成してからウエットエッチングで除去し、下部電極36の下部を膨出するように形成することで、下部電極面積の拡大を図っている。
特開平11−204753号公報
特開2006−324363号公報
特開2007−81189号公報
続いて、図14に示すように、ドライエッチングによって層間絶縁膜34及びシリコン窒化膜33に貫通孔35(キャパシタホール)を設け、容量電極パッド32を露出させる。更に、ウェットエッチングにより容量電極パッド32を除去し、容量コンタクトプラグ31を露出させる。
その後、図15に示すように、キャパシタホール35に下部電極36、容量膜37、上部電極38を形成し、層間絶縁膜上に共通電極39、40を形成する。容量電極パッド32をあらかじめ形成してからウエットエッチングで除去し、下部電極36の下部を膨出するように形成することで、下部電極面積の拡大を図っている。
しかしながら、このような下部電極の電極面積を増大させる方法は、クラウン型のキャパシタに適用するには必ずしも好適ではなかった。すなわち、クラウン型のキャパシタを形成する場合には、層間絶縁膜を除去して下部電極の外周面を露出させる必要があるが、下部電極の下部の外周部分がシリコン窒化膜33によって完全に覆われているため、下部電極の外周面の全面を容量電極として用いることが難しいといった問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、キャパシタホールの形成時におけるキャパシタホールのアスペクト比の上昇を抑制するとともに、容量電極面積を大きくすることが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の半導体装置は、容量コンタクトプラグが上面に露出されてなる層間絶縁膜の前記上面上に形成されたキャパシタを有する半導体装置であって、前記キャパシタが、前記容量コンタクトプラグ上に形成された中空部を有する中空柱状の基端側下部電極膜と、前記基端側下部電極膜の前記中空部の下部に充填された金属プラグと、前記基端側下部電極膜の前記中空部の上部にはめ込まれるように重ね合わされた中空柱状の先端側下部電極膜と、前記基端側下部電極膜及び前記先端側下部電極膜の各外周面と前記先端側下部電極膜の内周面とをそれぞれ覆うように順次積層された誘電体膜及び上部電極膜と、から構成されていることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置においては、前記基端側下部電極膜の外周面上端部に形成され、隣接する前記基端側下部電極膜同士を結合するサイドウォール部が更に備えられていることが好ましい。
本発明の半導体装置は、容量コンタクトプラグが上面に露出されてなる層間絶縁膜の前記上面上に形成されたキャパシタを有する半導体装置であって、前記キャパシタが、前記容量コンタクトプラグ上に形成された中空部を有する中空柱状の基端側下部電極膜と、前記基端側下部電極膜の前記中空部の下部に充填された金属プラグと、前記基端側下部電極膜の前記中空部の上部にはめ込まれるように重ね合わされた中空柱状の先端側下部電極膜と、前記基端側下部電極膜及び前記先端側下部電極膜の各外周面と前記先端側下部電極膜の内周面とをそれぞれ覆うように順次積層された誘電体膜及び上部電極膜と、から構成されていることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置においては、前記基端側下部電極膜の外周面上端部に形成され、隣接する前記基端側下部電極膜同士を結合するサイドウォール部が更に備えられていることが好ましい。
上記の半導体装置によれば、基端側下部電極膜の中空部の下部に金属プラグが充填され、更に基端側下部電極膜の中空部の上部にはめ込まれるように中空柱状の先端側下部電極膜が重ね合わされているので、基端側下部電極膜及び先端側下部電極膜の強度を高めることができ、電極膜の強度不足によるキャパシタの倒壊を防止できる。
また、基端側下部電極膜及び先端側下部電極膜の各外周面と、先端側下部電極膜の内周面とをそれぞれ覆うように誘電体膜及び上部電極膜が順次積層されているので、各下部電極膜の電極面積を広く確保することができ、キャパシタの静電容量を高めることができる。
更に、隣接する基端側下部電極膜同士を結合するサイドウォール部が備えられているので、キャパシタの倒壊を確実に防止できる。
また、基端側下部電極膜及び先端側下部電極膜の各外周面と、先端側下部電極膜の内周面とをそれぞれ覆うように誘電体膜及び上部電極膜が順次積層されているので、各下部電極膜の電極面積を広く確保することができ、キャパシタの静電容量を高めることができる。
更に、隣接する基端側下部電極膜同士を結合するサイドウォール部が備えられているので、キャパシタの倒壊を確実に防止できる。
次に、本発明の半導体装置の製造方法は、容量コンタクトプラグが上面に露出されてなる層間絶縁膜の前記上面上に、第1犠牲絶縁膜を形成するとともに、前記第1犠牲絶縁膜に第1キャパシタホールを設けて前記容量コンタクトプラグを露出させる工程と、前記第1キャパシタホールの内壁面に基端側下部電極膜を形成するとともに、前記第1キャパシタホールを金属プラグによって埋める工程と、前記第1犠牲絶縁膜の上面をエッチバックして前記基端側下部電極膜の外周面上端部を露出させるとともに、前記外周面上端部にエッチングストッパ用のサイドウォール部を形成する工程と、前記第1犠牲絶縁膜、前記基端側下部電極膜及び前記サイドウォール部を覆うように第2犠牲絶縁膜を形成する工程と、前記サイドウォール部をエッチンングストッパとして前記第2犠牲絶縁膜に第2キャパシタホールを設けるとともに、前記第2キャパシタホールの底部に露出した前記金属プラグの一部をエッチング除去することにより、基端側下部電極膜の内周面上端部を露出させる工程と、前記第2キャパシタホールの内壁面及び前記基端側下部電極膜の前記内周面上端部を覆うように、先端側下部電極膜を形成する工程と、前記第1犠牲絶縁膜及び前記第2犠牲絶縁膜をウエットエッチングで除去することにより、前記基端側下部電極膜及び前記先端側下部電極膜の各外周面を露出させる工程と、前記基端側下部電極膜及び前記先端側下部電極膜の各外周面と、前記先端側下部電極膜の内周面をそれぞれ覆うように誘電体膜及び上部電極膜を順次積層する工程と、を具備してなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記基端側下部電極膜の前記外周面上端部にエッチングストッパ用のサイドウォールを形成する際に、隣接するサイドウォール同士を結合して結合部を形成すると同時に、結合部を除いた部分を空隙部とし、前記第1犠牲絶縁膜及び前記第2犠牲絶縁膜をウエットエッチングで除去する際に、前記空隙部にウエットエッチング用のエッチング液を流通させることが好ましい。
また、本発明の半導体装置の製造方法においては、前記基端側下部電極膜の前記外周面上端部にエッチングストッパ用のサイドウォールを形成する際に、隣接するサイドウォール同士を結合して結合部を形成すると同時に、結合部を除いた部分を空隙部とし、前記第1犠牲絶縁膜及び前記第2犠牲絶縁膜をウエットエッチングで除去する際に、前記空隙部にウエットエッチング用のエッチング液を流通させることが好ましい。
上記の半導体装置の製造方法によれば、第1犠牲絶縁膜に第1キャパシタホールを形成し、第2犠牲絶縁膜に第2キャパシタホールを形成するため、結果的にアスペクト比が大きなキャパシタホールを2回の工程に渡って形成することになり、各キャパシタホールを安定して形成することができる。 また、金属プラグの一部をエッチングすることで金属プラグが残され、これにより基端側下部電極膜及び先端側下部電極膜の強度が高められ、電極膜の強度に優れたキャパシタを形成できる。
更に、第2キャパシタホールの形成時に、サイドウォールをエッチングストッパとして利用するので、第2キャパシタホール形成後の金属プラグの一部をエッチングする際にサイドウォールがセルフアライン構造となり、第1キャパシタホールと第2キャパシタホールの位置合わせが容易になる。
また、上記の半導体装置の製造方法によれば、隣接するサイドウォール同士を結合して結合部を形成すると同時に、結合部を除いた部分を空隙部とし、第1犠牲絶縁膜及び第2犠牲絶縁膜をウエットエッチングで除去する際に、空隙部にウエットエッチング用のエッチング液を流通させるので、特に第1犠牲絶縁膜を容易に除去することが可能になる。
また、隣接するサイドウォール同士を結合して結合部を形成することで、倒壊することのない安定性に優れたキャパシタを形成できる。
更に、第2キャパシタホールの形成時に、サイドウォールをエッチングストッパとして利用するので、第2キャパシタホール形成後の金属プラグの一部をエッチングする際にサイドウォールがセルフアライン構造となり、第1キャパシタホールと第2キャパシタホールの位置合わせが容易になる。
また、上記の半導体装置の製造方法によれば、隣接するサイドウォール同士を結合して結合部を形成すると同時に、結合部を除いた部分を空隙部とし、第1犠牲絶縁膜及び第2犠牲絶縁膜をウエットエッチングで除去する際に、空隙部にウエットエッチング用のエッチング液を流通させるので、特に第1犠牲絶縁膜を容易に除去することが可能になる。
また、隣接するサイドウォール同士を結合して結合部を形成することで、倒壊することのない安定性に優れたキャパシタを形成できる。
本発明によれば、キャパシタホールの形成時におけるキャパシタホールのアスペクト比の上昇を抑制するとともに、容量電極面積を大きくすることが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供できる。
以下、本発明の実施の形態である半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。尚、以下の説明において参照する図は、本実施形態の半導体装置及び半導体装置の製造方法を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体装置及び半導体装置の製造方法における各部の寸法関係とは異なる場合がある。
<半導体装置の製造方法>
図1〜図12を参照して、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例について説明する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜上にキャパシタ用の第1犠牲絶縁膜を形成するとともに、第1犠牲絶縁膜に第1キャパシタホールを設ける工程と、第1キャパシタホールに基端側下部電極膜を形成するとともに、第1キャパシタホールを金属プラグによって埋める工程と、第1犠牲絶縁膜の上面をエッチバックするとともに、基端側下部電極膜にエッチングストッパ用のサイドウォール部を形成する工程と、第2犠牲絶縁膜を形成する工程と、第2犠牲絶縁膜に第2キャパシタホールを設けるとともに、金属プラグの一部をエッチング除去する工程と、第2キャパシタホール及び基端側下部電極膜を覆うように先端側下部電極膜を形成する工程と、第1犠牲絶縁膜及び第2犠牲絶縁膜をウエットエッチングで除去する工程と、誘電体膜及び上部電極膜を順次積層する工程と、から構成されている。
図1〜図12を参照して、本実施形態の半導体装置の製造方法の一例について説明する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、層間絶縁膜上にキャパシタ用の第1犠牲絶縁膜を形成するとともに、第1犠牲絶縁膜に第1キャパシタホールを設ける工程と、第1キャパシタホールに基端側下部電極膜を形成するとともに、第1キャパシタホールを金属プラグによって埋める工程と、第1犠牲絶縁膜の上面をエッチバックするとともに、基端側下部電極膜にエッチングストッパ用のサイドウォール部を形成する工程と、第2犠牲絶縁膜を形成する工程と、第2犠牲絶縁膜に第2キャパシタホールを設けるとともに、金属プラグの一部をエッチング除去する工程と、第2キャパシタホール及び基端側下部電極膜を覆うように先端側下部電極膜を形成する工程と、第1犠牲絶縁膜及び第2犠牲絶縁膜をウエットエッチングで除去する工程と、誘電体膜及び上部電極膜を順次積層する工程と、から構成されている。
なお、本実施形態の製造方法によって製造される半導体装置は、メモリセル領域及び周辺回路領域を有し、かつメモリセル領域に、本実施形態に係るキャパシタとトランジスタとからなるDRAM素子が備えられた半導体装置である。以下、各工程について順次説明する。
まず、容量コンタクトプラグ2が上面に露出されてなる層間絶縁膜1の上面1a上に、第1犠牲絶縁膜4を形成するとともに、第1犠牲絶縁膜4に第1キャパシタホール10aを設けて容量コンタクトプラグ2を露出させる。また、第1キャパシタホール10aの内壁面に基端側下部電極膜10を形成するとともに、第1キャパシタホール10aを金属プラグ23によって埋める。
具体的にはまず、図示略の半導体基板上に、図示しないMOSトランジスタ、ゲート配線及びビット配線を形成し、これらMOSトランジスタ、ゲート配線及びビット配線を覆うように図示しない層間絶縁膜を積層する。そして、この図示しない層間絶縁膜上に、図1に示す層間絶縁膜1を積層する。そして、層間絶縁膜1を含む半導体基板上の層間絶縁膜にコンタクトホールを設けてMOSトランジスタのソースドレイン領域を露出させ、コンタクトホール内にコンタクトプラグ及び容量コンタクトプラグ2を形成する。
次に、容量コンタクトプラグ2が上面1aに露出されてなる層間絶縁膜1の上面1a上に、エッチングストッパとなるシリコン窒化膜3を積層し、シリコン窒化膜3の上にシリコン酸化膜からなる第1犠牲絶縁膜4を積層する。シリコン窒化膜3は、例えばLP‐CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)法によって、30nm〜100nm程度の厚みで形成する。また、第1犠牲絶縁膜4は、例えば、プラズマCVD法により0.5μm〜1.5μm程度の厚みで形成する。
次に図1に示すように、第1犠牲絶縁膜4の上にフォトレジスト層5を形成し、更にリソグラフィ技術によってフォトレジスト層5に、キャパシタホール形成用の開口パターン6と、半導体装置のメモリセル領域Mと周辺回路領域Sとを区画するための区画溝形成用の開口パターン7と、周辺回路のコンタクト形成用の開口パターン8とを設ける。
次に図1に示すように、第1犠牲絶縁膜4の上にフォトレジスト層5を形成し、更にリソグラフィ技術によってフォトレジスト層5に、キャパシタホール形成用の開口パターン6と、半導体装置のメモリセル領域Mと周辺回路領域Sとを区画するための区画溝形成用の開口パターン7と、周辺回路のコンタクト形成用の開口パターン8とを設ける。
次に、図2に示すように、開口パターン6〜8を有するフォトレジスト層5をマスクとして、プラズマドライエッチング技術を用いて第1犠牲絶縁膜4及びシリコン窒化膜3に、コンタクトホール9a、第1キャパシタホール10a及び区画溝11aを設け、容量コンタクトプラグ2を露出させる。第1キャパシタホール10aは、図2に示すように複数設ける。
次に、フォトレジスト層5を除去した後、TiCl4ガスを用いた熱CVD法によって、第1キャパシタホール10aの内壁面にTiNからなる基端側下部電極膜10を5nm〜20nm程度の膜厚で形成する。同時に、区画溝11aの内壁面にTiNからなるバリア膜26aを5nm〜20nm程度の膜厚で形成する。更に同時に、コンタクトホール9aの内壁面にTiNからなるバリア膜9を5nm〜20nm程度の膜厚で形成する。
その後、例えばタングステンからなる金属膜をコンタクトホール9a、第1キャパシタホール10a及び区画溝11aを埋めるように第1犠牲絶縁膜4の上に積層してから、CMP(Chemical Mechanical Polishing)技術を用いて第1犠牲絶縁膜4の上面のタングステン膜を除去することによって、タングステンからなる金属プラグ23を第1キャパシタホール10aに充填するとともに、コンタクトホール9aにコンタクト用タングステンプラグ27を充填する。同時に、区画溝11aにもタングステンプラグ26を充填する。
次に、フォトレジスト層5を除去した後、TiCl4ガスを用いた熱CVD法によって、第1キャパシタホール10aの内壁面にTiNからなる基端側下部電極膜10を5nm〜20nm程度の膜厚で形成する。同時に、区画溝11aの内壁面にTiNからなるバリア膜26aを5nm〜20nm程度の膜厚で形成する。更に同時に、コンタクトホール9aの内壁面にTiNからなるバリア膜9を5nm〜20nm程度の膜厚で形成する。
その後、例えばタングステンからなる金属膜をコンタクトホール9a、第1キャパシタホール10a及び区画溝11aを埋めるように第1犠牲絶縁膜4の上に積層してから、CMP(Chemical Mechanical Polishing)技術を用いて第1犠牲絶縁膜4の上面のタングステン膜を除去することによって、タングステンからなる金属プラグ23を第1キャパシタホール10aに充填するとともに、コンタクトホール9aにコンタクト用タングステンプラグ27を充填する。同時に、区画溝11aにもタングステンプラグ26を充填する。
次に、第1犠牲絶縁膜4の上面4aをエッチバックして基端側下部電極膜10の外周面上端部10bを露出させるとともに、この外周面上端部10bにエッチングストッパ用のサイドウォール部24を形成する。
具体的には、まず図3に示すように、第1犠牲絶縁膜4の上面4aを、ウェットエッチングによって30nm〜100nm程度エッチングする。これにより、基端側下部電極膜10の外周面上端部10bが露出される。基端側下部電極膜10の外周面上端部10bは、金属プラグ23を被覆した状態で露出される。
同時に、バリア膜9及び26aの外周面上端部も露出される。各バリア膜9及び26aはそれぞれ、コンタクト用タングステンプラグ27及びタングステンプラグ26を被覆した状態で露出される。
具体的には、まず図3に示すように、第1犠牲絶縁膜4の上面4aを、ウェットエッチングによって30nm〜100nm程度エッチングする。これにより、基端側下部電極膜10の外周面上端部10bが露出される。基端側下部電極膜10の外周面上端部10bは、金属プラグ23を被覆した状態で露出される。
同時に、バリア膜9及び26aの外周面上端部も露出される。各バリア膜9及び26aはそれぞれ、コンタクト用タングステンプラグ27及びタングステンプラグ26を被覆した状態で露出される。
次に、図4に示すように、LP‐CVD法によって第1犠牲絶縁膜4の上に、シリコン窒化膜を10nm〜60nm程度の厚みで成膜してから、ドライエッチング技術を用いてシリコン窒化膜をエッチバックすることにより、窒化シリコンからなるサイドウォール部24を基端側下部電極膜10の外周面上端部10b及び各バリア膜9、26aの外周面上端部にそれぞれ形成する。このとき、図5に示すように、相互に隣接する基端側下部電極10の周囲をそれぞれ囲むようにサイドウォール部24が形成されるが、隣接するサイドウォール部24同士は、結合部24aを介して結合すると同時に、結合部24aを除いた部分に空隙部24bが設けられる。すなわち、サイドウォール部24は基端側下部電極10間を完全には覆わず、基端側下部電極10間に隙間ができるようにする。これは、後に第1犠牲絶縁膜4と第2犠牲絶縁膜をウェットエッチングで除去する際に、エッチング液がサイドウォール部24の下側にも染み込むようにするためである。
次に、第1犠牲絶縁膜4、基端側下部電極膜10及びサイドウォール部24を覆うように第2犠牲絶縁膜を形成する。
具体的には図6に示すように、プラズマCVD法によりシリコン酸化膜からなる第2犠牲絶縁膜13を0.8μm〜1.5μm程度の厚みで、第1犠牲絶縁膜4、基端側下部電極膜10及びサイドウォール部24を覆うように形成する。更に、第2犠牲絶縁膜13の上にフォトレジスト層14を積層し、リソグラフィ技術を用いてフォトレジスト14層にキャパシタホール形成用の開口パターン25と、区画溝形成用の開口パターン35を設ける。
具体的には図6に示すように、プラズマCVD法によりシリコン酸化膜からなる第2犠牲絶縁膜13を0.8μm〜1.5μm程度の厚みで、第1犠牲絶縁膜4、基端側下部電極膜10及びサイドウォール部24を覆うように形成する。更に、第2犠牲絶縁膜13の上にフォトレジスト層14を積層し、リソグラフィ技術を用いてフォトレジスト14層にキャパシタホール形成用の開口パターン25と、区画溝形成用の開口パターン35を設ける。
次に、サイドウォール部24をエッチングストッパとして第2犠牲絶縁膜13に第2キャパシタホール13aを設けるとともに、第2キャパシタホール13aの底部に露出した金属プラグ23の一部をエッチング除去することにより、基端側下部電極膜10の内周面上端部10cを露出させる。
具体的には、まず図7に示すように、フォトレジスト層14の開口パターン25、35をマスクとして、プラズマドライエッチング技術を用いて第2キャパシタホール13a及び区画溝13bを設ける。エッチング装置としては、例えば平行平板の2周波ドライエッチング装置を用い、エッチングガスは、例えばC4F6、C4F8、アルゴン、酸素ガスなどを用いる。この際、サイドウォール部24、タングステンからなる金属プラグ23及びタングステンプラグ26、TiNからなる基端側下部電極膜10及びバリア膜26aがエッチングストッパとなり、アライメントがずれてもエッチングが過剰にされない構造となっている。ただし、TiNからなる基端側下部電極膜10の露出面積比が大きいと、TiFからなる除去困難なデポジションが第2キャパシタホール13aの内壁面に付着して製造欠陥となる。この現象を防止するためにも、TiNの内側にタングステンからなる金属プラグ23をあらかじめ埋め込むことが望ましい。
具体的には、まず図7に示すように、フォトレジスト層14の開口パターン25、35をマスクとして、プラズマドライエッチング技術を用いて第2キャパシタホール13a及び区画溝13bを設ける。エッチング装置としては、例えば平行平板の2周波ドライエッチング装置を用い、エッチングガスは、例えばC4F6、C4F8、アルゴン、酸素ガスなどを用いる。この際、サイドウォール部24、タングステンからなる金属プラグ23及びタングステンプラグ26、TiNからなる基端側下部電極膜10及びバリア膜26aがエッチングストッパとなり、アライメントがずれてもエッチングが過剰にされない構造となっている。ただし、TiNからなる基端側下部電極膜10の露出面積比が大きいと、TiFからなる除去困難なデポジションが第2キャパシタホール13aの内壁面に付着して製造欠陥となる。この現象を防止するためにも、TiNの内側にタングステンからなる金属プラグ23をあらかじめ埋め込むことが望ましい。
次に、フォトレジスト層14を除去した後、SF6を用いたプラズマドライエッチングによって、金属プラグ23及びタングステンプラグ26を一部除去する。これにより、基端側下部電極膜10の内周面上端部10cが露出される。同時に、バリア膜26aの内周面上端部も露出される。金属プラグ23及びタングステンプラグ26を一部除去して残部を残すことにより、基端側下部電極膜10の強度が向上するため、キャパシタの強度不足による倒壊を抑制できる。このとき、エッチング装置は、例えば、誘導結合型のプラズマソースを用いたドライエッチング装置を用いる。エッチング条件としては、例えば、圧力4mTorr〜20mTorr、SF6流量100sccm〜500sccm、ステージ温度0℃〜40℃、ソースパワー500W〜2000W、バイアスパワー30W〜100Wとすればよい。
次に、第2キャパシタホール13aの内壁面と基端側下部電極膜10の内周面上端部10cとを覆うように、先端側下部電極膜を形成する。
具体的には図8に示すように、TiNからなる先端側下部電極膜15を10nm〜30nm程度の厚みで、第2キャパシタホール13aの内壁面及び基端側下部電極膜10の内周面上端部10cを覆うように形成する。このとき、第2犠牲絶縁膜の上面もTiN膜によって覆われる。また、区画溝13bの内壁面にもTiN膜45が形成される。これにより、タングステンからなる金属プラグ23が先端側下部電極膜15によって被覆されるため、先端側下部電極膜15の内周面にはTiNのみが露出し、タングステンは露出しないことになる。その後、ドライエッチバック技術を用いて、第2犠牲絶縁膜13上のTiN膜を除去する。
具体的には図8に示すように、TiNからなる先端側下部電極膜15を10nm〜30nm程度の厚みで、第2キャパシタホール13aの内壁面及び基端側下部電極膜10の内周面上端部10cを覆うように形成する。このとき、第2犠牲絶縁膜の上面もTiN膜によって覆われる。また、区画溝13bの内壁面にもTiN膜45が形成される。これにより、タングステンからなる金属プラグ23が先端側下部電極膜15によって被覆されるため、先端側下部電極膜15の内周面にはTiNのみが露出し、タングステンは露出しないことになる。その後、ドライエッチバック技術を用いて、第2犠牲絶縁膜13上のTiN膜を除去する。
次に、第1犠牲絶縁膜4及び第2犠牲絶縁膜13をウエットエッチングで除去することにより、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の各外周面を露出させる。
具体的には、まず図9に示すように、周辺回路領域にある第2犠牲絶縁膜13の上に、フォトレジスト層16を形成する。フォトレジスト層16は、メモリセル領域Mと周辺回路領域Sとを区画する区画溝13bを埋めるように形成する。
次に、図10に示すように、希フッ化水素酸を用いたウェットエッチングによって、酸化シリコンからなる第1犠牲酸化膜4及び第2犠牲絶縁膜13を除去する。第1犠牲酸化膜4及び第2犠牲絶縁膜13は、メモリセル領域Mにある膜のみが除去され、周辺回路領域Sにある第1犠牲酸化膜4及び第2犠牲絶縁膜13は、フォトレジスト層16によって保護される。
また、層間絶縁膜1は、第1犠牲酸化膜4及び第2犠牲絶縁膜13と同様に酸化シリコン膜で構成されているが、層間絶縁膜1上に積層されたシリコン窒化膜3がエッチングストッパとなって層間絶縁膜1は保護される。同様に、サイドウォール部24もエッチングされずに残存する。サイドウォール部24が残存するため、基端側下部電極膜10同士は接触しない構造となる。
また、サイドウォール部24には、図5に示したように空隙部24bが存在するため、この空隙部24bをフッ化水素酸が流通することによって第1犠牲絶縁膜4にフッ化水素酸が作用し、これにより第1犠牲絶縁膜4がウエットエッチングされて除去される。
このようにして、基端側下部電極膜10の外周面10dと、先端側下部電極膜15の外周面15aとが露出させる。
具体的には、まず図9に示すように、周辺回路領域にある第2犠牲絶縁膜13の上に、フォトレジスト層16を形成する。フォトレジスト層16は、メモリセル領域Mと周辺回路領域Sとを区画する区画溝13bを埋めるように形成する。
次に、図10に示すように、希フッ化水素酸を用いたウェットエッチングによって、酸化シリコンからなる第1犠牲酸化膜4及び第2犠牲絶縁膜13を除去する。第1犠牲酸化膜4及び第2犠牲絶縁膜13は、メモリセル領域Mにある膜のみが除去され、周辺回路領域Sにある第1犠牲酸化膜4及び第2犠牲絶縁膜13は、フォトレジスト層16によって保護される。
また、層間絶縁膜1は、第1犠牲酸化膜4及び第2犠牲絶縁膜13と同様に酸化シリコン膜で構成されているが、層間絶縁膜1上に積層されたシリコン窒化膜3がエッチングストッパとなって層間絶縁膜1は保護される。同様に、サイドウォール部24もエッチングされずに残存する。サイドウォール部24が残存するため、基端側下部電極膜10同士は接触しない構造となる。
また、サイドウォール部24には、図5に示したように空隙部24bが存在するため、この空隙部24bをフッ化水素酸が流通することによって第1犠牲絶縁膜4にフッ化水素酸が作用し、これにより第1犠牲絶縁膜4がウエットエッチングされて除去される。
このようにして、基端側下部電極膜10の外周面10dと、先端側下部電極膜15の外周面15aとが露出させる。
そして、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の各外周面10d、15aと、先端側下部電極膜15の内周面15bとをそれぞれ覆うように誘電体膜17及び上部電極膜18を順次積層する。
具体的には、図11に示すように、誘電体膜17及びTiNからなる上部電極膜18を、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の各外周面10d、15aと、先端側下部電極膜15の内周面15bとに順次積層する。更に、上部電極ポリシリコン膜19及び上部電極タングステン膜20を順次成膜する。上部電極ポリシリコン膜19及び上部電極タングステン膜20は、フォトレジスト層28をマスクとしてパターニングする。以上により、基端側下部電極膜10、先端側下部電極膜15、誘電体膜17及び上部電極膜18からなるキャパシタ40が形成される。
そして、図12に示すように、フォトレジスト層28を除去した後に、メモリセル領域M及び周辺回路領域Sの全域に層間絶縁膜21を積層し、上部電極タングステン膜20及びコンタクト用タングステンプラグ27に接続されるコンタクトプラグ22、23を形成する。
以上のようにして、キャパシタ40を備えた半導体装置が製造される。
具体的には、図11に示すように、誘電体膜17及びTiNからなる上部電極膜18を、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の各外周面10d、15aと、先端側下部電極膜15の内周面15bとに順次積層する。更に、上部電極ポリシリコン膜19及び上部電極タングステン膜20を順次成膜する。上部電極ポリシリコン膜19及び上部電極タングステン膜20は、フォトレジスト層28をマスクとしてパターニングする。以上により、基端側下部電極膜10、先端側下部電極膜15、誘電体膜17及び上部電極膜18からなるキャパシタ40が形成される。
そして、図12に示すように、フォトレジスト層28を除去した後に、メモリセル領域M及び周辺回路領域Sの全域に層間絶縁膜21を積層し、上部電極タングステン膜20及びコンタクト用タングステンプラグ27に接続されるコンタクトプラグ22、23を形成する。
以上のようにして、キャパシタ40を備えた半導体装置が製造される。
<半導体装置>
図12に示す本実施形態の半導体装置は、容量コンタクトプラグ2が上面1aに露出されてなる層間絶縁膜1の上面1a上に形成されたキャパシタ40を有する半導体装置である。また、本実施形態の半導体装置は、これまで説明してきたように、メモリセル領域M及び周辺回路領域Sを有し、メモリセル領域Mに本実施形態に係るキャパシタ40と図示しないトランジスタとからなるDRAM素子が備えられた半導体装置である。
図12に示す本実施形態の半導体装置は、容量コンタクトプラグ2が上面1aに露出されてなる層間絶縁膜1の上面1a上に形成されたキャパシタ40を有する半導体装置である。また、本実施形態の半導体装置は、これまで説明してきたように、メモリセル領域M及び周辺回路領域Sを有し、メモリセル領域Mに本実施形態に係るキャパシタ40と図示しないトランジスタとからなるDRAM素子が備えられた半導体装置である。
図12には図示されていないが、本実施形態の半導体装置は、図示略の半導体基板上に、図示しないMOSトランジスタ、ゲート配線及びビット配線が形成されしこれらMOSトランジスタ、ゲート配線及びビット配線を覆うように図示しない層間絶縁膜が積層されている。そして、この図示しない層間絶縁膜上に、図12に示す層間絶縁膜1が積層されている。そして、層間絶縁膜1を含む半導体基板上の層間絶縁膜にコンタクトホールを設けてMOSトランジスタのソースドレイン領域が露出され、コンタクトホール内にコンタクトプラグ及び容量コンタクトプラグ2が形成されている。
本実施形態に係るキャパシタ40は、容量コンタクトプラグ2を介して図示略のMOSトランジスタに接続されている。キャパシタ40は、容量コンタクトプラグ2上に形成された中空部10eを有する中空柱状の基端側下部電極膜10と、基端側下部電極膜10の中空部10eの下部に充填された金属プラグ23と、基端側下部電極膜10の中空部10eの上部にはめ込まれるように重ね合わされた中空柱状の先端側下部電極膜15と、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の各外周面10d,15aと先端側下部電極膜15の内周面15bとをそれぞれ覆うように順次積層された誘電体膜17及び上部電極膜18と、基端側下部電極膜10の外周面上端部10bに形成され、隣接する基端側下部電極膜10同士を結合するサイドウォール部24と、から構成されている。
また、層間絶縁膜1上にはシリコン窒化膜3が形成されている。また、キャパシタ40上には、上部電極ポリシリコン膜19及び上部電極タングステン膜20が順次積層されている。また、周辺回路領域Sには、第1、第2犠牲絶縁膜4、13が残存されており、これら絶縁膜4、13が層間絶縁膜を構成している。また、周辺回路領域Sの第1、第2犠牲絶縁膜4、13には、コンタクト用タングステンプラグ27と、コンタクトプラグ23とが備えられている。
以上説明したように、上記の半導体装置の製造方法によれば、第1犠牲絶縁膜4に第1キャパシタホール10aを形成し、第2犠牲絶縁膜13に第2キャパシタホール13aを形成するため、結果的にアスペクト比が大きなキャパシタホールを2回の工程に渡って形成することになり、各キャパシタホール10a、13aを安定して形成することができる。また、金属プラグ23の一部をエッチングすることで金属プラグ23が残され、これにより基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の強度が高められ、電極膜の強度に優れたキャパシタ40を形成できる。
更に、第2キャパシタホール13aの形成時に、サイドウォール部24をエッチングストッパとして利用するので、第2キャパシタホール形成後の金属プラグ23の一部をエッチングする際にサイドウォール部24がセルフアライン構造となり、第1キャパシタホール10aと第2キャパシタホール13aの位置合わせが容易になる。
また、上記の半導体装置の製造方法によれば、隣接するサイドウォール部24同士を結合して結合部24aを形成すると同時に、結合部24aを除いた部分を空隙部24bとし、第1犠牲絶縁膜4及び第2犠牲絶縁膜13をウエットエッチングで除去する際に、空隙部24bにウエットエッチング用のエッチング液を流通させるので、特に第1犠牲絶縁膜4を容易に除去することが可能になる。
また、隣接するサイドウォール部24同士を結合して結合部24aを形成することで、倒壊することのない安定性に優れたキャパシタ40を形成できる。
更に、第2キャパシタホール13aの形成時に、サイドウォール部24をエッチングストッパとして利用するので、第2キャパシタホール形成後の金属プラグ23の一部をエッチングする際にサイドウォール部24がセルフアライン構造となり、第1キャパシタホール10aと第2キャパシタホール13aの位置合わせが容易になる。
また、上記の半導体装置の製造方法によれば、隣接するサイドウォール部24同士を結合して結合部24aを形成すると同時に、結合部24aを除いた部分を空隙部24bとし、第1犠牲絶縁膜4及び第2犠牲絶縁膜13をウエットエッチングで除去する際に、空隙部24bにウエットエッチング用のエッチング液を流通させるので、特に第1犠牲絶縁膜4を容易に除去することが可能になる。
また、隣接するサイドウォール部24同士を結合して結合部24aを形成することで、倒壊することのない安定性に優れたキャパシタ40を形成できる。
また、基端側下部電極膜10を形成する際に、周辺回路領域Sのコンタクト用タングステンプラグ27を形成できるため、周辺回路領域Sのコンタクト用タングステンプラグ27を形成する工程を別途設ける必要がなくなる。
また、上記の半導体装置によれば、基端側下部電極膜10の中空部10eの下部に金属プラグ23が充填され、更に基端側下部電極膜10の中空部10eの上部にはめ込まれるように中空柱状の先端側下部電極膜15が重ね合わされているので、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の強度を高めることができ、電極膜の強度不足によるキャパシタ40の倒壊を防止できる。
また、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の各外周面10d、15aと、先端側下部電極膜15の内周面15bとをそれぞれ覆うように誘電体膜17及び上部電極膜18が順次積層されているので、各下部電極膜10、15の電極面積を広く確保することができ、キャパシタ40の静電容量を高めることができる。
更に、隣接する基端側下部電極膜10同士を結合するサイドウォール部24が備えられているので、キャパシタ40の倒壊を確実に防止できる。
また、基端側下部電極膜10及び先端側下部電極膜15の各外周面10d、15aと、先端側下部電極膜15の内周面15bとをそれぞれ覆うように誘電体膜17及び上部電極膜18が順次積層されているので、各下部電極膜10、15の電極面積を広く確保することができ、キャパシタ40の静電容量を高めることができる。
更に、隣接する基端側下部電極膜10同士を結合するサイドウォール部24が備えられているので、キャパシタ40の倒壊を確実に防止できる。
1…層間絶縁膜、1a…層間絶縁膜の上面、2…容量コンタクトプラグ、4…第1犠牲絶縁膜、4a…第1犠牲絶縁膜の上面、10…基端側下部電極膜、10a…第1キャパシタホール、10b…基端側下部電極膜の外周面上端部、10c…基端側下部電極膜の内周面上端部、10d…基端側下部電極膜の外周面、10e…中空部、13…第2犠牲絶縁膜、13a…第2キャパシタホール、15…先端側下部電極膜、15a…先端側下部電極膜の外周面、15b…先端側下部電極膜の内周面、17…誘電体膜、18…上部電極膜、23…金属プラグ、24…サイドウォール部、24a…結合部、24b…空隙部、40…キャパシタ
Claims (4)
- 容量コンタクトプラグが上面に露出されてなる層間絶縁膜の前記上面上に形成されたキャパシタを有する半導体装置であって、
前記キャパシタが、前記容量コンタクトプラグ上に形成された中空部を有する中空柱状の基端側下部電極膜と、前記基端側下部電極膜の前記中空部の下部に充填された金属プラグと、前記基端側下部電極膜の前記中空部の上部にはめ込まれるように重ね合わされた中空柱状の先端側下部電極膜と、前記基端側下部電極膜及び前記先端側下部電極膜の各外周面と前記先端側下部電極膜の内周面とをそれぞれ覆うように順次積層された誘電体膜及び上部電極膜と、から構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記基端側下部電極膜の外周面上端部に形成され、隣接する前記基端側下部電極膜同士を結合するサイドウォール部が更に備えられていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 容量コンタクトプラグが上面に露出されてなる層間絶縁膜の前記上面上に、第1犠牲絶縁膜を形成するとともに、前記第1犠牲絶縁膜に第1キャパシタホールを設けて前記容量コンタクトプラグを露出させる工程と、
前記第1キャパシタホールの内壁面に基端側下部電極膜を形成するとともに、前記第1キャパシタホールを金属プラグによって埋める工程と、
前記第1犠牲絶縁膜の上面をエッチバックして前記基端側下部電極膜の外周面上端部を露出させるとともに、前記外周面上端部にエッチングストッパ用のサイドウォール部を形成する工程と、
前記第1犠牲絶縁膜、前記基端側下部電極膜及び前記サイドウォール部を覆うように第2犠牲絶縁膜を形成する工程と、
前記サイドウォール部をエッチンングストッパとして前記第2犠牲絶縁膜に第2キャパシタホールを設けるとともに、前記第2キャパシタホールの底部に露出した前記金属プラグの一部をエッチング除去することにより、基端側下部電極膜の内周面上端部を露出させる工程と、
前記第2キャパシタホールの内壁面及び前記基端側下部電極膜の前記内周面上端部を覆うように、先端側下部電極膜を形成する工程と、
前記第1犠牲絶縁膜及び前記第2犠牲絶縁膜をウエットエッチングで除去することにより、前記基端側下部電極膜及び前記先端側下部電極膜の各外周面を露出させる工程と、
前記基端側下部電極膜及び前記先端側下部電極膜の各外周面と、前記先端側下部電極膜の内周面をそれぞれ覆うように誘電体膜及び上部電極膜を順次積層する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記基端側下部電極膜の前記外周面上端部にエッチングストッパ用のサイドウォールを形成する際に、隣接するサイドウォール同士を結合して結合部を形成すると同時に、結合部を除いた部分を空隙部とし、
前記第1犠牲絶縁膜及び前記第2犠牲絶縁膜をウエットエッチングで除去する際に、前記空隙部にウエットエッチング用のエッチング液を流通させることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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