JP2009135311A - 薄膜コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による薄膜コンデンサ1は、基体2上に設けられた複数のトレンチ3aが形成された絶縁層3と、トレンチ3aの内壁上及び絶縁層3上に形成された下部電極4と、下部電極4上に追従して形成された誘電体膜5と、誘電体膜5上に追従して形成された上部電極6と、2つのトレンチ3a間の絶縁層3を介して離間した下部電極4の部位同士、及び/又はトレンチ3aを介して離間した上部電極6の部位同士を連結する補助導体10と、を備える。
【選択図】図2
Description
図1は、それぞれ本発明による薄膜コンデンサの好適な一実施形態の概略構成を示す斜視図であり、図2は図1におけるII-II線に沿う断面図である。
上記式中、fは周波数(Hz)を示し、Cは容量を示す。
図16は、第2実施形態に係る薄膜コンデンサ1の断面図であり、図17は、補助導体10の平面形状を示す図である。なお、図17では、基板2およびトレンチ3aの平面形状も図解している。
図18は、第3実施形態に係る薄膜コンデンサ1の断面図である。
図18に示すように、本実施形態では、トレンチ3aを介して離間した上部電極の部位同士、より詳細には、トレンチ3aの両側の絶縁層3上の上部電極6の部位同士を連結する補助導体12が形成されている。
図19に示すように、補助導体12は、上部電極6の凹部6a及び上部電極6の領域を被覆するような平面形状をなしている。これにより凹部6aの両側における上部電極6の部位同士が、補助導体12により接続される。なお、補助導体12は、凹部6a毎に分離していてもよい。
図20に示す例では、補助導体12は、保護膜7を介して上部電極6と重なり合う領域のうち少なくとも一部に開口部12aを有する。換言すれば、凹部6aの部位において、補助導体12の少なくとも一部に開口部12aが形成されている。なお、開口部12aの数および形状に限定はない。凹部6aの部位の全面に保護膜7を介して補助導体12が形成されている場合には、保護膜7を介して上部電極6と補助導体12との間に浮遊容量が発生するが、このような領域における補助導体12の一部に開口部12aを設けることにより、浮遊容量を低減することができる。
図21は、第4実施形態に係る薄膜コンデンサ1の断面図である。
図21に示すように、本実施形態では、トレンチ3aの途中の深さにおいて、トレンチ3aの側壁に形成され、トレンチ3aを挟んで対向配置した上部電極6同士を連結する補助導体13が形成されている。
例えば、トレンチ3aの内壁及び絶縁層3上に下部電極4、誘電体膜5、及び、上部電極6からなる積層膜のセットを多段に(例えば、2セット以上)形成してもよい。またさらに、必要に応じて、薄膜コンデンサ1上に窒化シリコンからなる密着層を形成し、この密着層上に補助導体10及び絶縁層3を形成してもよい。
Claims (6)
- 基体上に設けられており、且つ、複数のトレンチが形成された絶縁層と、
前記トレンチの内壁上及び前記絶縁層上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に追従して形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜上に追従して形成された上部電極と、
2つの前記トレンチ間の前記絶縁層を介して離間した下部電極の部位同士、及び/又は前記トレンチを介して離間した上部電極の部位同士を連結する補助導体と、
を備える薄膜コンデンサ。 - 前記補助導体は、絶縁層を介して下部電極と重なり合う領域のうち少なくとも一部に開口部を有する、
請求項1記載の薄膜コンデンサ。 - 前記上部電極を被覆する保護層をさらに有し、
前記補助導体は、前記保護層を介して上部電極と重なり合う領域のうち少なくとも一部に開口部を有する、
請求項1記載の薄膜コンデンサ。 - 前記補助導体は、前記基体上に形成されており、2つの前記トレンチの底部における前記下部電極の部位同士を連結する、
請求項1記載の薄膜コンデンサ。 - 基体上に、複数のトレンチが形成された絶縁層を形成する工程と、
前記トレンチの内壁上及び前記絶縁層上に、下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に追従して誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に追従して上部電極を形成する工程と、
を有し、
前記下部電極を形成する工程の前及び/又は前記上部電極を形成する工程の後に、2つの前記トレンチ間の前記絶縁層を介して離間した下部電極の部位同士、及び/又は前記トレンチを介して離間した上部電極の部位同士を連結する補助導体を形成する工程を有する、
薄膜コンデンサの製造方法。 - 前記絶縁層を形成する工程の前に、前記基体上において、少なくとも前記トレンチが形成される部位を覆う前記補助導体を形成し、
前記絶縁層を形成する工程は、前記基体及び前記補助導体上に絶縁層を堆積する工程と、前記補助導体に達するトレンチを前記絶縁層に形成する工程とを有する、
請求項5記載の薄膜コンデンサの製造方法。
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