JP2009132962A - Ag系スパッタリングターゲット - Google Patents
Ag系スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009132962A JP2009132962A JP2007309248A JP2007309248A JP2009132962A JP 2009132962 A JP2009132962 A JP 2009132962A JP 2007309248 A JP2007309248 A JP 2007309248A JP 2007309248 A JP2007309248 A JP 2007309248A JP 2009132962 A JP2009132962 A JP 2009132962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal grain
- grain size
- ave
- sputtering target
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
- C22C5/08—Alloys based on silver with copper as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
- C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
- C22F1/14—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of noble metals or alloys based thereon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】Ag系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径daveを下記手順(1)〜(3)によって測定したとき、平均結晶粒径daveは10μm以下を満足している。 (手順1)スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真(倍率:40〜2000倍)を撮影する。 (手順2)各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に4本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数nを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径dを算出する。 d=L/n/m 式中、Lは直線の長さ、nは直線上の結晶粒界の数、mは顕微鏡写真の倍率を示す。 (手順3)全選択箇所の結晶粒径dの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径daveとする。
【選択図】図1
Description
(手順1)スパッタリング面と平行する面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真(倍率:40〜2000倍)を撮影する。
(手順2)すべての顕微鏡写真に観察される結晶粒径d(単位:μm)を算出する。まず、各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に4本以上の直線を引き、前記直線上にある結晶粒界の数nを調べる。次に、各直線ごとに、下式(1)に基づいて結晶粒径dを算出する。
d=L/n/m ・・・ (1)
(式中、Lは直線の長さ(単位:μm)を示し、
nは直線上の結晶粒界の数を示し、
mは顕微鏡写真の倍率を示す。)
(手順3)上記のようにして得られた全選択箇所の結晶粒径dの平均値を、スパッタリング面の平均結晶粒径daveとする。
値A=(dmax−dave)/dave×100(%) ・・・ (2)
値B=(dave−dmin)/dave×100(%) ・・・ (3)
(式中、dmaxは全選択箇所の結晶粒径の最大値を示し、
dminは全選択箇所の結晶粒径の最小値を示す。)
まず、測定対象となるスパッタリング面を用意する。ここでは、平均結晶粒径daveを測定し易いように、必要に応じて、Ag系スパッタリングターゲットをスパッタリング面と平行する面で切断し、測定対象となるスパッタリング面を露出させてもよい。測定対象は、ターゲット表面近傍、好ましくはターゲット最表面の切断面を測定対象とする。ただし、本発明の製造方法(詳細は後述する。)によれば、ターゲットの結晶粒径は、板面(ターゲットの平面)方向のみならず板厚(ターゲットの厚さ)方向にも均一に揃っていることを実験によって確認しており、ターゲットの任意の厚さにおけるスパッタリング面を測定対象とすることもできる。
上記のようにしてすべての選択箇所について顕微鏡写真を撮影し、それぞれの顕微鏡写真で観察される結晶粒径d(単位:μm)を算出する。
d=L/n/m ・・・ (1)
式中、Lは直線の長さ(単位:μm)を示し、nは直線上の結晶粒界の数を示し、mは顕微鏡写真の倍率を示す。
上記のようにして全選択箇所の結晶粒径dを算出し、これらの平均値を、スパッタリング面の平均結晶粒径daveとする。
値A=(dmax−dave)/dave×100(%) ・・・ (2)
値B=(dave−dmin)/dave×100(%) ・・・ (3)
式中、dmaxは全選択箇所の結晶粒径dの最大値を示し、
dminは全選択箇所の結晶粒径dの最小値を示す。
SF法は、各種の溶融金属をガスによってアトマイズし、溶融状態・半凝固状態・凝固状態に急冷させた粒子を堆積させ、所定形状の素形材(最終的な緻密体を得る前の中間体、以下、「プリフォーム」と呼ぶ。)を得る方法である。この方法によれば、溶解・鋳造法や粉末焼結法などでは得ることが困難な大型のプリフォームを単一の工程で得られる、などの利点がある。また、SF法によれば、結晶粒を微細化することができ、その均一性も大幅に改善することができる。
図4および図5を参照しながら、純AgまたはAg合金プリフォームの製造工程を詳細に説明する。図4は、本発明に用いられるプリフォームを製造するのに用いられる装置の一例を部分的に示す断面図である。図5は、図4中、Xの要部拡大図である。
次に、上記のプリフォームに緻密化手段を施すことによってAg系緻密体を得る。緻密体を得るのは、上記のようにして得られたプリフォームが多孔質状であるからである。
次いで、上記のAg系緻密体を用いてAg系スパッタリングターゲットを得る。
本発明の製造条件に基づき、表2に示す試料No.1〜5のAg合金スパッタリングターゲット(本発明例)を製造した。詳細には、表1に示す種々の組成のAg合金(名称a〜f)を用い、表2に示すSF工程およびHIP工程、並びに表3に示す塑性加工工程(塑性加工の加工温度は加工開始時の温度を示す)および熱処理工程を行った後、機械加工を施して本発明例のAg合金スパッタリングターゲットを製造した。このうち、試料No.5は、鍛造→圧延の塑性加工を行った例である。このようにして得られたスパッタリングターゲット試料No.1〜5の形状は円板形状で、直径101.6mm、厚さ5mmであった。
次に、上記のようにして得られた本発明例のAg合金スパッタリングターゲット(試料No.1〜5)と、比較例のAg合金スパッタリングターゲット(試料No.6、7)の平均結晶粒径および結晶粒径のばらつきを、前述した方法に基づいて測定した。具体的には、光学顕微鏡写真(倍率:1000倍)を用い、井桁状に4本の直線を引き、結晶粒径dを算出した。
更に、上記の本発明例および比較例のAg合金スパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリング法によってガラス基板(円板形状、直径50.8mm、厚さ0.7mm)上にAg合金薄膜(目標膜厚200Å)をそれぞれ成膜した。ここで、DCマグネトロンスパッタリングの条件は、到達真空度0.27×10−3Pa以下、Arガス圧:0.27Pa、スパッタリングパワー:200W、極間距離:55mm、基板温度:室温とした。
膜厚の面内均一性に優れる(○)
:すべての測定箇所において、200ű4Åの範囲内にある
(目標膜厚に対して±2%の範囲内に制御されている)
膜厚の面内均一性に劣る(×)
:いずれか一箇所でも、200ű4Åの範囲を超えている
(目標膜厚に対して±2%の範囲を超えている)
2 純AgまたはAg合金の溶湯
3a、3b ガスアトマイザー
4a、4b ボビンのガス穴
5 コレクター
6 ノズル
6a、6b ガスアトマイズノズル中心軸
A スプレイ軸
A1 ノズル6の先端
A2 コレクター5の中心
A3 コレクター5の中心A2の水平線がスプレイ軸Aと交差する点
L スプレイ距離
α ガスアトマイズ出口角度
β コレクター角度
Claims (5)
- 純AgまたはAg合金からなるAg系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径daveを下記手順(1)〜(3)によって測定したとき、前記平均結晶粒径daveは10μm以下であることを特徴とするAg系スパッタリングターゲット。
(手順1)スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真(倍率:40〜2000倍)を撮影する。
(手順2)すべての顕微鏡写真に観察される結晶粒径d(単位:μm)を算出する。まず、各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に4本以上の直線を引き、前記直線上にある結晶粒界の数nを調べる。次に、各直線ごとに、下式(1)に基づいて結晶粒径dを算出する。
d=L/n/m ・・・ (1)
(式中、Lは直線の長さ(単位:μm)を示し、
nは直線上の結晶粒界の数を示し、
mは顕微鏡写真の倍率を示す。)
(手順3)上記のようにして得られた全選択箇所の結晶粒径dの平均値を、スパッタリング面の平均結晶粒径daveとする。 - 前記手順(1)〜(3)によって得られた全選択箇所の結晶粒径dと平均結晶粒径daveを用い、下記の値A及び値Bを下式(2)および下式(3)に基づいて算出したとき、値A及び値Bのうち大きい方を結晶粒径のばらつきとすると、前記結晶粒径のばらつきが10%以下である請求項1に記載のAg系スパッタリングターゲット。
値A=(dmax−dave)/dave×100(%) ・・・ (2)
値B=(dave−dmin)/dave×100(%) ・・・ (3)
(式中、dmaxは全選択箇所の結晶粒径dの最大値を示し、
dminは全選択箇所の結晶粒径dの最小値を示す。) - 前記Ag合金は、Nd、Bi、Au、およびCuよりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有するものである請求項1または2に記載のAg系スパッタリングターゲット。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のAg系スパッタリングターゲットを用いて得られるAg系薄膜。
- 膜厚は2〜20nmである請求項4に記載のAg系薄膜。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007309248A JP5046890B2 (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | Ag系スパッタリングターゲット |
CNA2008101610767A CN101445913A (zh) | 2007-11-29 | 2008-09-26 | Ag系溅射靶及Ag系薄膜 |
EP08018005A EP2067873A1 (en) | 2007-11-29 | 2008-10-14 | Ag-based sputtering target |
TW097141652A TW200938645A (en) | 2007-11-29 | 2008-10-29 | Ag-based sputtering target |
US12/261,781 US20090139860A1 (en) | 2007-11-29 | 2008-10-30 | Ag-based sputtering target |
KR1020080116563A KR20090056842A (ko) | 2007-11-29 | 2008-11-24 | Ag계 스퍼터링 타겟 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007309248A JP5046890B2 (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | Ag系スパッタリングターゲット |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011123536A Division JP2012007237A (ja) | 2011-06-01 | 2011-06-01 | Ag系スパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009132962A true JP2009132962A (ja) | 2009-06-18 |
JP5046890B2 JP5046890B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=40228046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007309248A Expired - Fee Related JP5046890B2 (ja) | 2007-11-29 | 2007-11-29 | Ag系スパッタリングターゲット |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090139860A1 (ja) |
EP (1) | EP2067873A1 (ja) |
JP (1) | JP5046890B2 (ja) |
KR (1) | KR20090056842A (ja) |
CN (1) | CN101445913A (ja) |
TW (1) | TW200938645A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012140682A (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-26 | Ishifuku Metal Ind Co Ltd | Ag基合金からなる反射膜 |
JP2012219306A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2014047400A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Kobe Steel Ltd | フラットパネルディスプレイの半透過電極用Ag合金膜、およびフラットパネルディスプレイ用半透過電極 |
JP2015063760A (ja) * | 2014-10-31 | 2015-04-09 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 酸素含有量が低いCu−Ga系合金粉末およびスパッタリングターゲット材の製造方法 |
WO2015118790A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | 三菱電機株式会社 | 接合材、接合方法、および電力用半導体装置 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100568392B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2006-04-05 | 가부시키가이샤 코베루코 카겐 | 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 |
US7514037B2 (en) | 2002-08-08 | 2009-04-07 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
JP3993530B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-10-17 | 株式会社神戸製鋼所 | Ag−Bi系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2007335061A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-12-27 | Sony Corp | 光情報記録媒体とそのBCA(BurstCuttingArea)マーキング方法 |
JP2008117470A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Sony Corp | 光情報記録媒体および光情報記録媒体の製造方法、BCA(BurstCuttingArea)マーキング方法 |
JP2009076129A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Kobe Steel Ltd | 読み出し専用の光情報記録媒体 |
JP5331420B2 (ja) | 2008-09-11 | 2013-10-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 読み出し専用の光情報記録媒体および該光情報記録媒体の半透過反射膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2010225572A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-10-07 | Kobe Steel Ltd | 有機elディスプレイ用の反射アノード電極および配線膜 |
CN102369571A (zh) | 2009-04-14 | 2012-03-07 | 株式会社神户制钢所 | 光信息记录媒体、形成光信息记录媒体的反射膜用的溅射靶 |
FR3001160B1 (fr) * | 2013-01-18 | 2016-05-27 | Saint Gobain | Procede d'obtention d'un substrat muni d'un revetement |
JP5985414B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-09-06 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤、発光装置及び異方性導電接着剤の製造方法 |
JP5612147B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2014-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
CN110218895A (zh) * | 2019-06-26 | 2019-09-10 | 泰安恒成复合材料工程技术有限公司 | 一种弥散强化铂铑合金板材的制备工艺 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003286567A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-10-10 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 光学記録媒体の反射膜用スパッタリングターゲット材及びそれを用いたスパッタ法による反射膜 |
JP2004162109A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット及び同製造用粉末 |
JP2005036291A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Kobe Steel Ltd | Ag系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5948497A (en) * | 1992-10-19 | 1999-09-07 | Eastman Kodak Company | High stability silver based alloy reflectors for use in a writable compact disk |
JP3358934B2 (ja) | 1996-03-15 | 2002-12-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 高融点金属含有Al基合金鋳塊のスプレーフォーミング法による製造方法 |
JP3638152B2 (ja) * | 1996-09-09 | 2005-04-13 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体とその製造方法、光学的情報記録・再生方法及び光学的情報記録・再生装置 |
US6294738B1 (en) * | 1997-03-31 | 2001-09-25 | American Superconductor Corporation | Silver and silver alloy articles |
US20030052000A1 (en) * | 1997-07-11 | 2003-03-20 | Vladimir Segal | Fine grain size material, sputtering target, methods of forming, and micro-arc reduction method |
JP3081602B2 (ja) | 1998-02-23 | 2000-08-28 | 株式会社神戸製鋼所 | スパッタリングターゲット材料及びその製造方法 |
US6790503B2 (en) * | 1998-06-22 | 2004-09-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US6764735B2 (en) * | 1998-06-22 | 2004-07-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US7045187B2 (en) * | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US6905750B2 (en) * | 1998-06-22 | 2005-06-14 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US6852384B2 (en) * | 1998-06-22 | 2005-02-08 | Han H. Nee | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US6544616B2 (en) * | 2000-07-21 | 2003-04-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US6007889A (en) * | 1998-06-22 | 1999-12-28 | Target Technology, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
US6451402B1 (en) * | 1998-06-22 | 2002-09-17 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
JP2000225412A (ja) | 1999-02-05 | 2000-08-15 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | アルミニウム合金の塑性加工方法及びそれによる高強度高延性アルミニウム合金材 |
US6946039B1 (en) * | 2000-11-02 | 2005-09-20 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets, and methods of fabricating metallic materials |
SG116432A1 (en) * | 2000-12-26 | 2005-11-28 | Kobe Steel Ltd | Reflective layer or semi-transparent reflective layer for use in optical information recording media, optical information recording media and sputtering target for use in the optical information recording media. |
US7022384B2 (en) * | 2002-01-25 | 2006-04-04 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Reflective film, reflection type liquid crystal display, and sputtering target for forming the reflective film |
KR100568392B1 (ko) * | 2002-06-24 | 2006-04-05 | 가부시키가이샤 코베루코 카겐 | 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 |
JP4264302B2 (ja) | 2002-06-24 | 2009-05-13 | 株式会社コベルコ科研 | 銀合金スパッタリングターゲットとその製造方法 |
JP4305809B2 (ja) | 2002-07-10 | 2009-07-29 | 日立金属株式会社 | Ag合金系スパッタリングターゲット材 |
US7514037B2 (en) * | 2002-08-08 | 2009-04-07 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
JP3997177B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2007-10-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 電磁波シールド用Ag合金膜、電磁波シールド用Ag合金膜形成体および電磁波シールド用Ag合金膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット |
TWI368819B (en) * | 2003-04-18 | 2012-07-21 | Target Technology Co Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
JP3993530B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2007-10-17 | 株式会社神戸製鋼所 | Ag−Bi系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP4009564B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2007-11-14 | 株式会社神戸製鋼所 | リフレクター用Ag合金反射膜、及び、このAg合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このAg合金反射膜のAg合金薄膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット |
JP2005029849A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Kobe Steel Ltd | リフレクター用Ag合金反射膜、及び、このAg合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このAg合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット |
JP3987471B2 (ja) | 2003-09-08 | 2007-10-10 | 株式会社神戸製鋼所 | Al合金材料 |
US20050112019A1 (en) * | 2003-10-30 | 2005-05-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) | Aluminum-alloy reflection film for optical information-recording, optical information-recording medium, and aluminum-alloy sputtering target for formation of the aluminum-alloy reflection film for optical information-recording |
TWI248978B (en) * | 2003-12-04 | 2006-02-11 | Kobe Steel Ltd | Ag-based interconnecting film for flat panel display, Ag-base sputtering target and flat panel display |
TWI325134B (en) * | 2004-04-21 | 2010-05-21 | Kobe Steel Ltd | Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
JP4569863B2 (ja) | 2004-04-27 | 2010-10-27 | 日立金属株式会社 | Ag合金スパッタリングターゲット材およびAg合金膜 |
JP4605494B2 (ja) | 2004-05-20 | 2011-01-05 | 日立金属株式会社 | Ag合金スパッタリングターゲット材 |
US20050279630A1 (en) * | 2004-06-16 | 2005-12-22 | Dynamic Machine Works, Inc. | Tubular sputtering targets and methods of flowforming the same |
EP1612784B1 (en) * | 2004-06-29 | 2007-11-28 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Semi-reflective film and reflective film for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
JP3907666B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2007-04-18 | 株式会社神戸製鋼所 | レーザーマーキング用再生専用光情報記録媒体 |
JP2006240289A (ja) * | 2005-02-07 | 2006-09-14 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体ならびにスパッタリングターゲット |
JP2006294195A (ja) * | 2005-04-14 | 2006-10-26 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット |
JP4527624B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2010-08-18 | 株式会社神戸製鋼所 | Ag合金反射膜を有する光情報媒体 |
JP4377861B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2009-12-02 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット |
JP2007035104A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-02-08 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット |
JP4377877B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2009-12-02 | ソニー株式会社 | 光情報記録媒体用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ag合金反射膜の形成用のAg合金スパッタリングターゲット |
JP2008077792A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Kobe Steel Ltd | 耐久性に優れた光情報記録媒体 |
JP2008156753A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-07-10 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体用Ag合金反射膜、光情報記録媒体および光情報記録媒体用Ag合金反射膜の形成用のスパッタリングターゲット |
-
2007
- 2007-11-29 JP JP2007309248A patent/JP5046890B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-26 CN CNA2008101610767A patent/CN101445913A/zh active Pending
- 2008-10-14 EP EP08018005A patent/EP2067873A1/en not_active Withdrawn
- 2008-10-29 TW TW097141652A patent/TW200938645A/zh unknown
- 2008-10-30 US US12/261,781 patent/US20090139860A1/en not_active Abandoned
- 2008-11-24 KR KR1020080116563A patent/KR20090056842A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003286567A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-10-10 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 光学記録媒体の反射膜用スパッタリングターゲット材及びそれを用いたスパッタ法による反射膜 |
JP2004162109A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Nikko Materials Co Ltd | スパッタリングターゲット及び同製造用粉末 |
JP2005036291A (ja) * | 2003-07-16 | 2005-02-10 | Kobe Steel Ltd | Ag系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012140682A (ja) * | 2010-12-29 | 2012-07-26 | Ishifuku Metal Ind Co Ltd | Ag基合金からなる反射膜 |
JP2012219306A (ja) * | 2011-04-06 | 2012-11-12 | Mitsubishi Materials Corp | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2014047400A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Kobe Steel Ltd | フラットパネルディスプレイの半透過電極用Ag合金膜、およびフラットパネルディスプレイ用半透過電極 |
WO2015118790A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | 三菱電機株式会社 | 接合材、接合方法、および電力用半導体装置 |
JP5866075B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2016-02-17 | 三菱電機株式会社 | 接合材の製造方法、接合方法、および電力用半導体装置 |
US10043775B2 (en) | 2014-02-10 | 2018-08-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Bonding material, bonding method and semiconductor device for electric power |
JP2015063760A (ja) * | 2014-10-31 | 2015-04-09 | 山陽特殊製鋼株式会社 | 酸素含有量が低いCu−Ga系合金粉末およびスパッタリングターゲット材の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101445913A (zh) | 2009-06-03 |
JP5046890B2 (ja) | 2012-10-10 |
KR20090056842A (ko) | 2009-06-03 |
US20090139860A1 (en) | 2009-06-04 |
TW200938645A (en) | 2009-09-16 |
EP2067873A1 (en) | 2009-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5046890B2 (ja) | Ag系スパッタリングターゲット | |
KR100943117B1 (ko) | Al-Ni-La 시스템 Al-계 합금 스퍼터링 타겟 그리고이것을 제조하는 공정 | |
KR101007811B1 (ko) | Al-Ni-La-Si계 Al-기 합금 스퍼터링 타겟 그리고이것을 제조하는 공정 | |
TWI453293B (zh) | Al-based alloy sputtering target and its manufacturing method | |
JP5133940B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
CN100523279C (zh) | AI-Ni-稀土类元素合金溅射靶 | |
JP5472353B2 (ja) | 銀系円筒ターゲット及びその製造方法 | |
JP6186369B2 (ja) | 非晶質形成能を有する結晶質合金、その製造方法、スパッタリング用合金ターゲット及びその製造方法 | |
WO2010119887A1 (ja) | Cu-Ga合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
KR20100080890A (ko) | Al-계 합금 스퍼터링 타겟 및 이것의 제조 공정 | |
JP6037421B2 (ja) | Sb−Te基合金焼結体スパッタリングターゲット | |
JP2004532931A (ja) | Pt−Co系スパッタリングターゲット | |
JP5139134B2 (ja) | Al−Ni−La−Cu系Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2012224942A (ja) | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP4912002B2 (ja) | アルミニウム基合金プリフォームの製造方法、およびアルミニウム基合金緻密体の製造方法 | |
JP2012007237A (ja) | Ag系スパッタリングターゲット | |
JP2010070857A (ja) | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
KR101024197B1 (ko) | Al-Ni-La-Cu계 Al기 합금 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 | |
KR101023597B1 (ko) | Al기 합금 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101025 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110301 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120518 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120717 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5046890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |