JP2009132550A - 合成シリカガラスの製造装置及び合成シリカガラスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】密閉された炉体2と、前記炉体の上部に設けられた複数の吸気口4aと、前記炉体の下部に設けたられた排気口5aと、前記炉体内部に回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲット6と、シリカガラス合成用のバーナー7とを備え、前記吸気口4aは前記インゴットの溶融シリカ付着面よりも常に低い位置に設けられ、吸気口4aから供給されるガスが前記インゴットに直接当たらないような方向かつ水平に対して下方に傾斜して設置された合成シリカガラス製造装置であって、前記吸気口4aから供給されたガスが、インゴット形成用のターゲット6の回転方向と同方向に旋回する旋回下降流として形成される。
【選択図】図1
Description
この合成シリカガラスは、一般的には紫外線(400nm以下)傾城の波長を吸収してしまう原因となりうる金属不純物の混入を避ける目的で、高純度のケイ素化合物、例えば四塩化ケイ素(SiCl4)などの気体を、酸水素炎中に導入し、火炎加水分解させてシリカ微粒子を直接回転する耐熱性ターゲット上に堆積・溶融ガラス化させ、透明なガラスとして製造される。
また、大口径の光学部材用のシリカガラスを製造するにはインゴットも大口径化するが、この場合には炉体内の雰囲気を均一に保つことが容易な開放系の製造装置を使用する。
この装置を用いて、火炎加水分解法によりターゲットを、鉛直軸を中心に回転させながらこの上にシリカ微粒子を堆積させ、堆積速度に合わせてバーナーからインゴット上部の合成面までの距離を一定に保つように引き下げながら合成シリカガラスの製造を行う。
この装置を用いて、火炎加水分解法によりターゲットを、鉛直軸を中心に回転させながらこの上にシリカ微粒子を堆積させ、排気手段により排気しながら合成シリカガラスの製造を行う。
また、脈理が無く、内部に欠陥がない合成シリカガラスを製造することができる合成シリカガラス製造方法を提供することを目的とする。
前記排気ガス中には、インゴットとして堆積しなかった浮遊シリカ粒子なども含まれており、そのシリカ粒子がインゴット合成堆積面(溶融シリカ付着面)に付着するのを抑制でき、インゴット内部の欠陥(泡、インクルージョン)を抑制することができる。
前記炉体が、このような寸法形状を有する場合には、脈理、欠陥のより抑制され、物性や品質がより均一な合成シリカガラスを得ることができる。
この風向変更板を用いることによりインゴット昇降軸に沿った上昇気流を遮断し、インゴット内部の欠陥の発生を抑制することができる。
前記排気ガス中には、インゴットとして堆積しなかった浮遊シリカ粒子なども含まれており、そのシリカ粒子がインゴット合成堆積面(溶融シリカ付着面)に付着するのを抑制でき、インゴット内部の欠陥(泡、インクルージョン)抑制することができる。
なお、ここでいう密閉系とは完全密閉状態及び設計上不可避的開放状態を含む実質的な密閉状態を含む。
尚、この吸気口4aの傾斜は水平に対して5〜60°の角度(図1では、15度下方に傾斜しや状態を図示)をもって形成されているのが好ましい。また、前記排気口5aは炉体2及びインゴット昇降軸6aに対して軸対称に少なくとも2個設けられている。
前記マッフル内径が1.3r未満の場合には、マッフル3内部の過度の蓄熱によりインゴット8の形状維持が困難となる。その結果、インゴット8の形状が変化することによって合成位置(溶融シリカ付着面8a位置)が変化し、合成面(溶融シリカ付着面8a)の温度分布が変化し、また加水分解反応により生成されるシリカ微粒子の反応状態が変化し、合成シリカガラスの物性や品質にバラツキを生じさせるため、好ましくない。
また、マッフル3の内壁とインゴット8間の距離が小さくなるため、排気ガスがマッフル3の下方外部(吸気炉部4)に抜けにくくなり、マッフル3の内壁やバーナー7等に堆積するシリカガラス粉の量が増加し、これがインゴット8の合成面(溶融シリカ付着面8a)への飛来し欠陥等が生じるため、好ましくない。
また、高温となるようにバーナー7からのガス量を増加させることが必要となり、製造コストが嵩み、好ましくない。更に、バーナー7からのガス量を増加させると、インゴットの合成面(溶融シリカ付着面8a)の温度分布が変化するため、品質にバラツキを生じ、好ましくない。
このマッフル3の高さh1が800mmを超える場合には、マッフル3内温度を高温維持するために必要なバーナー7からのガス量が多くなり,製造コストが嵩み好ましくない。
一方、マッフル3内の高さh1が300mm未満の場合には、マッフル3内部の温度が上昇しすぎるため、インゴット8の形状維持が困難になり、好ましくない。またマッフル3内のガスの排気が悪化し、マッフル3の内壁面にシリカガラス粉が付着し、これが落下することによりインゴット8の合成面(溶融シリカ付着面8a)への飛来し、欠陥等が生じるため好ましくない。
吸気炉部4の内壁の内径が1.2a未満の場合には、吸気炉部4内温度が上昇しすぎるため、インゴット8の外径維持が困難となり、インゴット8の形状が変化することによって、合成位置(溶融シリカ付着面8a)が変化し、合成面(溶融シリカ付着面8a)の温度分布が変化し、また加水分解反応により生成されるシリカ微粒子の反応状態が変化し、合成シリカガラスの物性や品質にバラツキを生じるため、好ましくない。また、吸気炉部4内温度が高い場合、内部圧力が上昇し吸気ガスを安定的に供給することが困難となるため、好ましくない。
吸気炉部4の高さ(長さ)h2が150mm未満の場合、吸気炉部4内で全周域に渡る旋回流を形成することができず、排気ガスの上昇流を発生させ、この上昇流によって、インゴット8の溶融シリカ付着面8aに浮遊シリカガラス粉などが付着し、インゴット8の内部に欠陥を生じさせるため、好ましくない。
前記吸気炉部5から旋回して降りてくる流れは排気炉部5の内壁に沿って下降し排気口5aより排気されるが、排気口5aに到達しなかった気流が一部存在し、この流れは排気炉部5内を循環する。この流れは、インゴット昇降軸6aに沿って上昇し、吸気炉部5下面で上部から降りてくる旋回流と衝突する流れとなる。このような流れの衝突を回避するには排気炉部5内を循環するガスを排気口5aから充分排気し、排気炉部5内の流速をある程度低下させることが必要である。そのため、排気炉部5の内径cは、吸気炉部4の内径をbとすると1.2b〜3.0bであることが必要である。
この場合、吸気炉部4から降りてくる旋回流と衝突する頻度が高くなり、この部分でガス流れが乱流となり、インゴット昇降軸6aに沿った上昇気流が生じる。これは、インゴット8の合成面(溶融シリカ付着面8a)まで影響し、インゴット8の内部の欠陥を生じさせる原因となるため、好ましくない。また、排気炉部5が非常に高温となり、部材の劣化が激しくなり、製造コストが嵩み、好ましくない。
また、排気炉部5内壁の内径cが3.0bを超える場合には、排気炉部5内の排気ガスの流速が遅いため、排気炉部5の内壁面へシリカガラス粉が堆積しやすく、排気効率が低下するため、好ましくない。
前記排気炉部5の高さh3が300mm未満であると、排気炉部5内の流速が速いため、排気炉部5内を循環するガス成分が多くなる。この場合、吸気炉部4から降りてくる旋回流と衝突する頻度が高くなり、この部分でガス流れが乱流となり、インゴット昇降軸6aに沿った上昇気流が生じる。これは、インゴット8合成面(溶融シリカ付着面8a)まで影響し、インゴット8の内部の欠陥を生じさせるため、好ましくない。
この風向変更板9は天井部9aを有する円筒状に形成され、前記天井部9aには、インゴット昇降軸6aが貫通する貫通孔9bが形成されている。また、この風向変更板9の外周壁(鍔部9c)は、前記インゴット昇降軸6aに沿って下方に延設されている。
この風向変更板9の直径は、所望のインゴット8の直径と同等にすることが望ましいが、インゴット8の直径に対し±10mm以内であれば、上記した効果は得られる。しかしながら、前記風向変更板9の直径がインゴット8の直径よりも10mmを超える場合には、吸気炉部4からの排気ガスが風向変更板9の上面(天井部外面)に衝突し、上昇流を発生させる。逆に、前記風向変更板9の直径がインゴット8の直径よりも10mmを下回る場合には、上昇流を十分に遮断することができない。
一方、前記鍔部9cの下方の長さが50mm以下の場合、風向変更板9の内部での対流(下降流に変更)が不足し、流速低下が十分でなく、風向変更板9から上昇流が漏れ出し、吸気炉部4に向かう上昇流を形成することになる。
逆に、風向変更板9の鍔部9cの下方の長さが100mmを超える場合には、鍔部9cの外部で発生した上昇流を受け止めることができない範囲が大きくなり、結果として上昇流を抑制することができない。
この排気設備10は、前記排気炉部5に形成された排気口5aに接続された排気管11と、前記排気管11に接続された外気導入管12と、外気導入管12の開度を制御する回動弁13と,前記排気炉部5に設けられた炉内圧力と炉外圧力差を測定する差圧センサ15と、前記排気管11に接続された除害装置17、排気ファン18とを備えている。
尚、排気ガス中のシリカガラス粉の付着によって差圧の測定が不能になるのを防止するため、差圧センサ14は排気口5aより下部に設置されている。図1にあっては、左側の排気管11に接続された除害装置17、排気ファン18を省略して図示している。
尚、総排気量はバーナー7より供給されるガス量で決定される炉体2からの排ガス量と、吸気口4aからの導入ガス量の総量と、排気口下流側の2次ガス流入口(外気導入管12)からのガス導入量を加えた量を総排気量とすることが必要である。
更に、この合成石英ガラスの製造装置の排気管11の総排気量が変化しないため、一基の除害装置17、排気ファン18に多数の炉体2を連結させることが可能となり経済的である。
図1に示すように、高純度のケイ素化合物、例えば四塩化ケイ素(SiCl4)などの気体を約600℃のマッフル3内に開口するバーナー7を用いて酸水素炎中に導入し、火炎加水分解させてガラス微粒子を直接回転するターゲット6上に堆積・溶融ガラス化させ、堆積速度に合わせてバーナー7からインゴット8の溶融シリカ付着面8aまでの距離を一定に保つように引き下げながら合成シリカガラスの製造を行う。
更に、風向変更板9により、インゴット昇降軸6aに沿った上昇気流は遮断されるため、前記したインゴット8の内部の欠陥の発生をより抑制することができる。
また、吸気口4aは,この吸気口4aから供給されるガスがインゴット8に直接当たらないような方向に向いて設置されているので、バーナー7からの火炎と干渉するおそれがなく、脈理等の欠陥が生じることもない。
図1及び図2に示すような本発明に係る合成シリカガラス製造装置を用い、吸気口はこの吸気口と同高さ位置の合成炉中心軸とを結ぶ直線(直径)に対し45°(好ましい範囲は、30°〜50°)の角度でかつ、インゴット回転方向にガスを導入するように設け、さらに、吸気口とインゴット昇降軸に対し水平に対して下方に15°傾けた。排気口は吸気口よりも下方に設置し、インゴット昇降軸に対し対称となる位置で2ヶ所設けた(実施例)。
この結果、インゴット内部の欠陥は検出されなかった。
図4に示すように炉体2に設けられた吸気口4aの方向をインゴット昇降軸6aに向けて設置し、他は実施例と同様にして合成シリカインゴットを溶融した。この結果インゴット内部に残存する欠陥が5点検出された。
2 炉体
3 マッフル
4 吸気炉部
4a 吸気口
5 排気炉部
5a 排気口
6 ターゲット
7 バーナー
8 インゴット
8a 溶融シリカ付着面
9 風向変更板
10 排気設備
11 排気管
12 外気導入管
13 回動弁
15 差圧センサ
16 制御装置
Claims (9)
- 密閉された炉体と、前記炉体の上部に設けられた複数の吸気口と、前記炉体の下部に設けたられた排気口と、前記排気口に接続された排気設備と、前記炉体内部に回転可能に設置されたインゴット形成用のターゲットと、前記ターゲットに先端が対向して設けられたシリカガラス合成用のバーナーとを備え、
前記吸気口は前記インゴットの溶融シリカ付着面よりも常に低い位置に設けられ、吸気口から供給されるガスが前記インゴットに直接当たらないような方向かつ水平に対して下方に傾斜して設置された合成シリカガラス製造装置であって、
前記吸気口から供給されたガスが、インゴット形成用のターゲットの回転方向と同方向に旋回する旋回下降流として形成されることを特徴とする合成シリカガラス製造装置。 - 前記炉体は、前記シリカガラス合成用のバーナーが頂部に設置された耐火物製のマッフルと、前記マッフルの下方に設けられた複数の吸気口を有する吸気炉部と、前記吸気炉部の下方に設けられた複数の排気口を有する排気炉部とを備えることを特徴とする請求項1記載の合成シリカガラス製造装置。
- 前記マッフルの内径が、前記インゴットの外径をrとした場合に1.3r以上2.5r以下であって、マッフル内の高さが300mm以上800mm以下であり、
前記吸気炉部の内径が、前記マッフルの内径をaとした場合に1.2a以上2.0a以下であって、吸気炉部内の高さが150mm以上600mm以下であり、
前記排気炉部の内径が、前記吸気炉部の内径をbとした場合に1.2b以上3.0b以下であって、排気炉部内の高さが300mm以上2000mm以下であることを特徴とする請求項2記載の合成シリカガラス製造装置。 - 前記インゴット形成用のターゲットの下方には、下方向に延びる鍔部を有する風向変更板が設置されていることを特徴とする請求項1記載の合成シリカガラス製造装置。
- 前記風向変更板の直径が、インゴットの直径に対して−10mm以上+10mm以下の範囲にあり、前記鍔部の下方の長さが50mm以上、100mm以下であることを特徴とする請求項4記載の合成シリカガラス製造装置。
- 前記排気設備は、前記排気炉部に設けられた炉内圧力と炉外圧力差を測定する差圧センサと、前記排気炉部に形成された排気口に接続された排気管と、前記排気管に接続された外気導入管と、外気導入管の開度を制御する回動弁とを備え、
前記差圧センサの差圧が一定になるように、回動弁の開度を制御し、総排気量を変化させることなく、排気炉部からの排気量と外気導入管からの外気導入量の配分を可変するように構成したことを特徴とする請求項2記載の合成石英ガラスの製造装置。 - 前記排気管には除害装置が接続され、更に前記除害装置に排気ファンが接続されていることを特徴とする請求項6記載の合成石英ガラスの製造装置。
- 前記炉体を構成するマッフルの水平断面、前記マッフルの下方に設けられた複数の吸気口を有する吸気炉部の水平断面、前記吸気炉部の下方に設けられた複数の排気口を有する排気炉部の水平断面のいずれもが円形であることを特徴とする請求項2記載の合成シリカガラス製造装置。
- シリカガラス合成用バーナーを用いて炉体内に設けられたターゲットに溶融シリカを付着させる合成シリカガラス製造方法において、
炉体上部に設けられた複数の吸気口からガスを吸気し、前記吸気したガスによって、インゴットに直接当たらないような方向及び水平に対して下方に傾斜し、更にターゲットの回転方向と同方向に旋回するガス流れを形成し、
かつインゴットの溶融シリカ付着面より常に低い位置から吸気されるようにターゲット上面位置を調整すると共に、炉体下部近傍から排気しながら、ターゲットに溶融シリカを付着させることを特徴とする合成シリカガラス製造方法。
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