JP4567017B2 - 合成シリカガラス製造装置及び合成シリカガラス製造方法 - Google Patents

合成シリカガラス製造装置及び合成シリカガラス製造方法 Download PDF

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Description

本発明は合成シリカガラス製造装置及び合成シリカガラス製造方法に係り、特にバーナの構造を改良した合成シリカガラス製造装置及び合成シリカガラス製造方法に関する。
従来、紫外線透過材料として、250mm以下の波長の光透過性が良く、不純物含有量の極めて少ない合成シリカガラスが用いられている。
この合成シリカガラスの製造には、図5及び図6に示すような合成シリカガラス製造装置11が用いられ、この合成シリカガラス製造装置11には炉体内にバーナ12が配される。このバーナ12は可燃性ガス(水素)が噴出するバーナ外管13を備え、このバーナ外管13の中心(線)上に配された1本のソースノズル14と、このソースノズル14を中心とする複数の同心円上に等間隔で配された支燃性ガス(酸素ガス)ノズル15を有し、バーナ12の中心(線)を回転するターゲット16の中心(軸)に対して僅かに偏倚して配している。
このような構造のバーナ12を用い、合成シリカガラスに、紫外線領域の波長を吸収する原因となりうる金属不純物の混入を避けるため、ソースノズル14から、高純度の珪素化合物、例えば四塩化珪素ガスを、酸水素炎中に導入し、火炎加水分解させてガラス微粒子を直接回転するターゲット16上に堆積・溶融ガラス化させ、透明なガラスGを製造する。
一方、ターゲット上に堆積しないシリカは、排気設備により炉外に排出されるが、次第に炉内壁面、炉内構造物壁面、排気口部、バーナ等に堆積していく。
バーナ中心をターゲット回転中心の鉛直線上に完全に一致させて設置すると、ガラスGの頂点に凹部が形成され、透明なガラスG内部に多量の気泡を巻き込んでしまうため、ソース供給量を極度に低下させる必要がある。このため、安定的に高歩留、高スループットを得るためにはバーナ設置角度を変化させて設置したり、バーナやターゲットを変位させながら合成を行い、合成面に照射されるソース供給点が、合成面の頂点に常に位置しないようにする必要がある。この場合、バーナから噴出されたガスの炉体内部の流れは、炉体中心軸に対して完全に対称ではなく、偏流を生じさせたり、部分的に炉体下部から炉体内壁面に沿った合成面方向への上昇気流が存在し、その結果、インゴットに堆積しないシリカが、この流れに支配され合成面へ到達し、気泡や異物混入の原因となる。
また、炉内壁面にシリカが付着するのを防止するため、炉内壁面に沿って常温の不活性ガスを流すシリカガラス製造装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、特許文献1の製造装置は、常温の不活性ガスを流すので、炉内温度を低下させてシリカガラスの合成条件が変化してしまい、脈理等の欠陥が生じやすいという欠点がある。また、常温の不活性ガスを炉内へ流出するためのノズルの温度が低くなるため、ノズルの周囲にシリカ微粒子が付着しやすく、ノズルを詰まらせるおそれがあり、付着したシリカ微粒子が溶融面へ付着する可能性がある。
また、合成炉の内壁面に沿った火炎流を形成するシリカガラス製造装置が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
しかし、特許文献2の製造装置は、合成バーナからの火炎と干渉する恐れがあり、このため、脈理等の欠陥が生じ易いという欠点がある。
さらに、バーナを傾斜させて設置しその対角側に排気口を設置するシリカガラス製造装置が提案されている(例えば、特許文献3参照)。
しかし、特許文献3の製造装置は、炉内のガス流れに偏流や炉内壁面に沿った上昇気流を生じさせ、この結果炉内や部材に堆積したシリカがインゴット溶融面に到達し易くインゴット内部に欠陥として残存するおそれがある。
特開平7−109134号公報 特開2000−26126号公報 特開2006−240926号公報
本発明は上述した事情を考慮してなされたもので、シリカガラスインゴット内に欠陥がなく、製造歩留が向上するシリカガラス製造装置を提供することを目的とする。
また、シリカガラスインゴット内に欠陥がなく、製造歩留が向上するシリカガラス製造方法を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するため、本発明に係る合成シリカガラス製造装置は、炉体内部に設けられたインゴット形成用のターゲットと、このターゲットを昇降させる昇降軸と、前記ターゲットに対向して炉体の上方に設けられ、珪素化合物を酸素水素火炎中で加水分解するバーナを備えた合成シリカガラス製造装置において、前記バーナはこのバーナの中心が前記ターゲット回転中心上に配され、かつ可燃性ガスが噴出する円筒状のバーナ外管を備え、このバーナ外管中心を中心とする円周上に均等間隔に複数本配されたソースノズルと、このソースノズル中心を中心とする円周上に均等間隔に複数本配された支燃ガスノズルと、前記ソースノズルが配される円と同心円の円周上に均等間隔に複数本配された支燃ガスノズルを備えることを特徴とする。
また、本発明に係る合成シリカガラス製造方法は、バーナを用いて珪素化合物を酸素水素火炎中で加水分解して、炉体内部に設けたターゲット上にシリカを堆積させる合成シリカガラス製造方法において、バーナの中心をターゲット回転中心上に配し、かつ円筒状のバーナ外管から可燃性ガスを噴出し、バーナ外管中心を中心とする円周上に均等間隔で複数本配したソースノズルから原料ガスを噴出し、ソースノズルの中心を中心とする円周上に均等間隔で複数本配した支燃ガスノズルから支燃性ガスを噴出し、ソースノズルの配される円と同心円の円周上に均等間隔で複数本配した支燃ガスノズルから支燃性ガスを噴出することを特徴とする。
本発明に係るシリカガラス製造装置によれば、シリカガラスインゴット内に欠陥がなく、製造歩留が向上するシリカガラス製造装置を提供することができる。
また、本発明に係るシリカガラス製造方法によれば、シリカガラスインゴット内に欠陥がなく、製造歩留が向上するシリカガラス製造方法を提供することができる。
本発明の一実施形態に係るシリカガラス製造装置について添付図面を参照して説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る合成シリカガラス製造装置の概念図であり、図2は本合成シリカガラス製造装置に用いるバーナの平面図である。
図1に示すように、本実施形態の合成シリカガラスの製造装置1は、火炎加水合成法による合成シリカガラスを製造するために用いられ、炉体2と、この炉体2内部に設けられたインゴット形成用のターゲット3と、このターゲット3を昇降させる昇降軸4と、ターゲット3に対向して炉体2の上方に設けられ、珪素化合物を酸素水素火炎中で加水分解するバーナ5と、いずれも図示しない、炉体2に連通しこの炉体2の下方に設けられた排気室と、この排気室に連通して設けられた排気流路と、この排気流路に連通して設けられた排気装置を備える。
炉体2は耐火物で形成され、耐熱温度1300℃以上のものであれば使用可能であるが、合成インゴットへの不純物拡散を考慮すると、高純度アルミナ質、炭化珪素質、シリカガラスなどが好ましい。
ターゲット3は円板形状をなし、このターゲット3に堆積する合成シリカガラス透明母材の堆積量に応じて、昇降軸4の働きで回転及び降下し、合成シリカ製造中は、常時、堆積した合成シリカの頂上部とバーナ5の距離がほぼ一定に保たれるようになっている。ターゲット3は堆積したシリカガラスへの不純物拡散を考慮すれば高純度なシリカガラスを使用することが好ましい。
バーナ5は炉体2の中心線上に配され、さらに、バーナ外管6の中心(線)cが昇降軸4の軸心cと一致するように配される。
図2に示すように、バーナ5は有底円筒状のバーナ外管6を備え、バーナ外管6には、バーナ5すなわちバーナ外管6の中心(線)cを中心とする例えば半径12mmの同心円上に均等間隔で複数本例えば3本の比較的小口径のソースノズル7が配される。
また、各々のソースノズル7の周囲には、ソースノズル7を中心とする同心円上に等間隔で複数本例えば6本の支燃ガスノズル8aがソースノズル鉛直線上に焦点を結ぶように配され、バーナ外管6の中空部9から可燃性ガス(水素)が流される。
このようなバーナ構成とし、かつバーナ配置とすることで、バーナから噴出されるガスの炉体内部での流れは、炉体中心軸に対して対称となり、偏流が生じることなく、合成されるシリカガラスに気泡や異物が混入することがなくなる。
また、ソースノズル7を中心とする同心円上に等間隔で複数本の支燃ガスノズル8aがソースノズル鉛直線上に焦点を結ぶように配されることで、ガス反応性が向上し、より合成歩留が高まり、好ましい。
さらに、中心(線)cの部位には、支燃ガスノズル8bが配される。このようにすることによって、バーナ中心部の温度を低くすることなく、シリカガラスを合成することができ、より均質な合成シリカガラスを得ることができる。また、中心(線)cを中心とする3重の同心円上のうち、内側の2重の同心円上には、各々比較的大口径の支燃ガスノズル8cが、等間隔で複数本例えばいずれも8本配され、外周の同心円上には、多数例えば32本の支燃ガスノズル8a、8cの口径の中間の口径の支燃ガスノズル8dが配され、バーナ外管6と各々の支燃ガスノズル8a、8b、8c、8dの間の中空部9から可燃性ガスが噴出される構造である。
従って、バーナ5には、ソースノズル7から、高純度の珪素化合物、例えば四塩化珪素ガスとキャリアガスとしての酸素からなる原料ガス、支燃ガスノズル8a、8b、8c、8dから酸素、バーナ外管6から水素を各々導入し、四塩化珪素ガスを酸水素炎中に導入し、火炎加水分解させてガラス微粒子を直接回転するターゲット3上に堆積・溶融ガラス化させ、透明なシリカガラスGを製造する。
ソースノズルの口径と、このソースノズルの周囲に配された支燃ガスノズルの口径を等しくすることで、四塩化珪素ガスを酸水素炎中で確実に火炎加水分解させることができる。また、ソースノズルが配される円と同心円の円周上に均等間隔に複数本配された支燃ガスノズルの口径は、ソースノズルの口径より大きいので、四塩化珪素ガスを酸水素炎中で確実に火炎加水分解させることができる。さらに、ソースノズルの口径より大きい口径を有する支燃ガスノズルの外側に、この支燃ガスノズルの口径よりも小さな口径の支燃ガスノズルを同心円の円周上に均等間隔に複数本配するので、排ガスの流量と流速を増し、インゴットに堆積しないシリカが、この流れに支配され合成面へ到達し、気泡や異物混入の原因となるのを防止できる。
合成シリカガラス製造装置において、炉体内部の偏流や上昇気流を発生させないためには、インゴットを合成する炉体内部のガス流れを、インゴット鉛直軸に対し完全に対称とすることが必要である。
このためには、バーナ中心に対し、完全に対称であるノズル配置をさせたバーナと、ターゲット中心とバーナ中心を結ぶ直線に対し完全に対称な内壁面を持つ炉体を用い、バーナ中心軸と炉体中心軸、ターゲット中心軸を完全に一致させて設置することが必要である。
合成炉内に珪素化合物、支燃性ガス、可燃性ガスを噴出し、火炎を形成するバーナにおいては、珪素化合物とキャリアガスを導入するソースノズルは、バーナ中心には配置せず、バーナ中心から同心円状に等間隔で複数本配するのが好ましい。
このようにソースノズルをバーナ中心から同心円状に等間隔で複数本配置することで、ターゲット中心に対し、バーナ中心を完全に一致させて設置することが可能となる。
ソースノズル中心とバーナ中心との距離が近すぎると、インゴット合成面に気泡を巻き込み、また遠すぎると、インゴットに堆積する量が減少し歩留を悪化させるため、ソースノズルはバーナ中心から5〜20mmの距離でターゲット中心とバーナ中心を結ぶ直線に対し完全に平行に配するのが好ましい。
また、このソースノズルを中心として同心円状に等間隔で複数本の支燃ガスノズルが配され、ソースノズル鉛直線上に焦点を結ぶように配されることが好ましい。このように支燃ガスノズルを配することで、ソースノズルから噴出された珪素化合物が火炎加水分解したガラス微粒子はターゲットに到達するまでの間、直進性が増し、干渉することを防止し、さらに、合成面の温度を上昇させ堆積するガラス微粒子の量を増加させる作用を持つ。
本実施形態に係る合成シリカガラス製造装置によれば、上記合成シリカガラス製造装置に求められる要求を満し、シリカガラスインゴット内に欠陥がなく、製造歩留が向上するシリカガラス製造装置が実現する。
また、本発明に係るシリカガラス製造方法によれば、シリカガラスインゴット内に欠陥がなく、製造歩留が向上するシリカガラス製造方法が実現する。
[実施例1]
図1に示すような本発明の合成シリカガラス製造装置を用い、図2に示すように、バーナ中心から12mm離れた位置に同心円状に等間隔に3本の珪素化合物とキャリアガスの混合ガスを噴出するソースガスノズルを配置したバーナを用い、このバーナから四塩化珪素:40g/min、キャリアガス:酸素:0.6m/min、支燃性ガス:酸素:0.17m/min、可燃性ガス:水素:0.33m/minを供給し、外径φ250mm、100kgの合成シリカガラスインゴットを製造した。この結果インゴット内部の欠陥は1点も検出されず、歩留も良好であった。
[実施例2]
図3に示すように、バーナ中心から12mm離れた位置に同心円状に等間隔に4本の珪素化合物とキャリアガスの混合ガスを噴出するソースノズルを配置したバーナを用い、実施例1と同様な方法で外径φ250mm、100kgの合成シリカガラスインゴットを製造した。この結果インゴット内部の欠陥は1点も検出されず、実施例1と同等の歩留であった。
[比較例1]
図4のように、バーナ中心に1本の珪素化合物とキャリアガスの混合ガスを噴出するノズル5を配したバーナを用い実施例1と同様な方法で合成シリカガラスインゴットを製造したが、中心部に気泡を多量に含んだインゴットとなり、歩留は0%であった。
[比較例2]
比較例1と同様のバーナを用い、ターゲット中心軸から10mm偏倚した位置にバーナを設置して実施例1と同様な方法で外径φ250mm、100kgの合成シリカガラスインゴットを製造した。この結果、インゴット内部の欠陥は10点検出され、歩留は実施例1と同等であった。
本発明の一実施形態に係る合成シリカガラス製造装置の概念図。 本発明の一実施形態に係る合成シリカガラス製造装置に用いるバーナの平面図。 本発明の一実施形態に係る合成シリカガラス製造装置に用いるバーナの変形例の平面図。 合成シリカガラスを試作する実施例における比較例として用いるバーナの平面図。 従来の合成シリカガラス製造装置の概念図。 従来の合成シリカガラス製造装置に用いるバーナの平面図。
符号の説明
1 合成シリカガラスの製造装置
2 炉体
3 ターゲット
4 昇降軸
5 バーナ
6 バーナ外管
7 ソースノズル
8a、8b、8c、8d 支燃ガスノズル
9 中空部

Claims (6)

  1. 炉体内部に設けられたインゴット形成用のターゲットと、
    このターゲットを昇降させる昇降軸と、
    前記ターゲットに対向して炉体の上方に設けられ、珪素化合物を酸素水素火炎中で加水分解するバーナを備えた合成シリカガラス製造装置において、
    前記バーナはこのバーナの中心が前記ターゲット回転中心上に配され、かつ可燃性ガスが噴出する円筒状のバーナ外管を備え、
    このバーナ外管中心を中心とする円周上に均等間隔に複数本配されたソースノズルと、
    このソースノズル中心を中心とする円周上に均等間隔に複数本配された支燃ガスノズルと、
    前記ソースノズルが配される円と同心円の円周上に均等間隔に複数本配された支燃ガスノズルを備えることを特徴とする合成シリカガラス製造装置。
  2. 前記バーナの中心に1本の支燃ガスノズルが配されることを特徴とする請求項1に記載の合成シリカガラス製造装置。
  3. 前記ソースノズルの周囲に配される支燃ガスノズルは、このソースノズルの鉛直線上に焦点を結ぶことを特徴とする請求項1または2に記載の合成シリカガラス製造装置。
  4. バーナを用いて珪素化合物を酸素水素火炎中で加水分解して、炉体内部に設けたターゲット上にシリカを堆積させる合成シリカガラス製造方法において、
    バーナの中心をターゲット回転中心上に配し、かつ円筒状のバーナ外管から可燃性ガスを噴出し、
    バーナ外管中心を中心とする円周上に均等間隔で複数本配したソースノズルから原料ガスを噴出し、
    ソースノズルの中心を中心とする円周上に均等間隔で複数本配した支燃ガスノズルから支燃性ガスを噴出し、
    ソースノズルの配される円と同心円の円周上に均等間隔で複数本配した支燃ガスノズルから支燃性ガスを噴出することを特徴とする合成シリカガラス製造方法。
  5. 支燃性ガスノズルをバーナの中心から噴出することを特徴とする請求項4に記載の合成シリカガラス製造方法。
  6. 支燃ガスノズルをソースノズルの鉛直線上に焦点を結ぶように噴出することを特徴とする請求項4または5に記載の合成シリカガラス製造方法。
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