JP2009099718A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体集積回路装置は、電源ノイズを抑制する複数のデカップリングセル14と、複数のデカップリングセル14と電源配線とをそれぞれ接続する複数の電源スイッチ15と、電源配線から供給される電源に基づき動作する内部回路12a〜12cの動作状態により変化する電源ノイズの大きさに基づき複数の電源スイッチ15のうちオンさせる電源スイッチ15の個数を制御する制御回路16と、を有するものである。
【選択図】図3
Description
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態にかかる半導体集積回路装置1のブロック図を図1に示す。半導体集積回路装置1は、チップの外周に入出力回路領域10を有し、その内側に内部回路形成領域11が形成される。内部回路形成領域11は、内部回路が形成される論理回路12a〜12c、デカップリングセル14a、14b、制御回路16を有する。
実施の形態2は、実施の形態1にかかる制御回路16の簡易な構成を示すものである。実施の形態2にかかる半導体集積回路装置2のブロック図を図8に示す。なお、実施の形態2において、実施の形態1で説明した構成要素と同じ構成要素については、実施の形態1と同一の符号を付して説明を省略する。図8に示すように、半導体集積回路装置2では制御回路16aを有している。制御回路16aは、外部からパッケージ情報及びクロック周波数情報が入力される。制御回路16aのブロック図を図9に示す。
実施の形態3にかかる半導体集積回路装置3のブロック図を図11に示す。半導体集積回路装置3は、複数の領域(図11のAREA1〜AREA4)に分割された内部回路形成領域を有している。そして、複数の領域のそれぞれに、複数のデカップリングセル14a〜14fと、制御回路16を有している。図11では、省略しているが、半導体集積回路装置3においても論理回路形成領域が複数形成されているものとする。なお、実施の形態3において、実施の形態1で説明した構成要素と同じ構成要素については、実施の形態1と同一の符号を付して説明を省略する。
10 入出力回路領域
11 内部回路形成領域
12a〜12c 論理回路
13a〜13b 電源スイッチ
14a〜14f デカップリングセル
15a〜15f 電源スイッチ
16、16a、16b 制御回路
20 メモリ
21 共振周波数計算回路
22 判定回路
23 最適状態計算回路
24 スイッチ制御回路
25 測定回路
26 比較回路・判定回路
26a 比較回路
26b 判定回路
SC スイッチ制御信号
SW スイッチ回路
VDC 電源
VDD 電源配線
VSS 接地配線
Claims (6)
- 電源ノイズを抑制する複数のデカップリングセルと、
前記複数のデカップリングセルと電源配線とをそれぞれ接続する複数の電源スイッチと、
前記電源配線から供給される電源に基づき動作する内部回路の動作状態により変化する前記電源ノイズの大きさに基づき前記複数の電源スイッチのうちオンさせる電源スイッチの個数を制御する制御回路と、
を有する半導体集積回路装置。 - 前記制御回路は、パッケージの寄生成分と前記内部回路の動作状態に基づき共振周波数を計算する共振周波数計算回路と前記共振周波数とクロック信号の周波数に基づき前記複数の電源スイッチのうちオンさせる前記電源スイッチの個数を制御する請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路は、前記電源ノイズを測定する測定回路を有し、前記測定回路が測定した前記電源ノイズの大きさに応じてオンさせる前記電源スイッチの個数を変更する請求項1又は2に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路は、前記測定回路が測定した電源ノイズの大きさが予め設定された基準値以上であった場合にオンさせる前記電源スイッチの個数を増加させる請求項3に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路は、オンさせる電源スイッチの数を増加させた場合に、前記測定回路が測定した電源ノイズの大きさが大きくなった場合にはオンさせる前記電源スイッチの個数を減少させる請求項3又は4に記載の半導体集積回路装置。
- 前記制御回路は、前記クロック信号の周波数及び前記パッケージの寄生成分の値を格納するメモリを有する請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007268883A JP5241193B2 (ja) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 半導体集積回路装置 |
US12/285,086 US8053934B2 (en) | 2007-10-16 | 2008-09-29 | Semiconductor integrated circuit device having control circuit to selectively activate decoupling cells |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007268883A JP5241193B2 (ja) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009099718A true JP2009099718A (ja) | 2009-05-07 |
JP5241193B2 JP5241193B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=40533596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007268883A Expired - Fee Related JP5241193B2 (ja) | 2007-10-16 | 2007-10-16 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8053934B2 (ja) |
JP (1) | JP5241193B2 (ja) |
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2007
- 2007-10-16 JP JP2007268883A patent/JP5241193B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2008
- 2008-09-29 US US12/285,086 patent/US8053934B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5241193B2 (ja) | 2013-07-17 |
US20090096516A1 (en) | 2009-04-16 |
US8053934B2 (en) | 2011-11-08 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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