JP2009081392A - 高出力ダイヤモンド半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp−ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドp−ドリフト層の接合面の間に、中間層として誘電体層を形成したダイヤモンド半導体素子
【選択図】図1
Description
近年、ショットキーバリア障壁高さと破壊電圧・破壊電界には相関があることがダイヤモンドショットキーダイヤモンドにおいて注目され、高い逆方向漏れ電流、破壊電圧を持つためには、大きなショットキーバリア障壁高さが必要であることがダイヤモンドショットキーダイオードで明らかになってきた。(非特許文献1参照)
T. Teraji"Electr Field Breakdown of Lateral Schottky Diodes of Diamond" Jap. J. App. Phys. 46 (2007) LL196.
本発明では、金属とダイヤモンドのショットキー接合の中間層として、絶縁体を挿入することで、ショットキー障壁高さを高くし、低リーク電流で高い電圧まで動作する高出力ダイヤモンド半導体素子を提供する。
すなわち、本発明は、ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp−ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドp−ドリフト層の中間に誘電体層を設けることにより、ショットキー障壁高さを高くし、低リークで高電圧動作を行うことが出来る高出力ダイヤモンド半導体素子である。
また、本発明は、誘電体層を形成する誘電体を窒化物あるいは酸化物材料とすることができる。
さらに本発明では、誘電体としてSi3N4、SiO2またはAl2O3を用いることが出来る。また、本発明では、ショットキー電極に接合するダイヤモンドを、ダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンドとすることが望ましい。
さらに本発明では、高出力ダイヤモンド半導体素子としてショットキーバリヤーダイオードとすることが望ましい。
本発明においては、ショットキー電極とは、パワーエレクトロニクスに用いるための周知の形状のショットキー電極であり、周知の作用をするショットキー電極を意味する。ショットキー電極材料としては、Pt, Ru, Mo, Ir, Os等が利用できる。
ショットキー電極の形状は、基板上のダイヤモンド半導体表面に形成された島状に点在する複数の電極から成るパターン電極である。
しかし、少なくともショットキー電極に接合するダイヤモンドは、ダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンドが特に適していることが判明している。
本発明では、オーミック電極の作成についても、周知の材料と周知方法を用いてどのような手順で行っても良い。
本発明について実施例を用いてさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
ショットキー電極とダイヤモンドの中間層は作製していないものについては、以下のようにして作製した。まず、酸素終端ダイヤモンドに電子線描画装置にて30ミクロンの直径を持つショットキー電極パターンを作製し、O2アッシング処理後Ru薄膜をRFスパッタ装置でRF出力200W、Arガス流量10 sccmにてRuターゲットを用いて3分間(500Å)形成した。
このことから、ショットキー電極とダイヤモンドとの間に中間層として、非常に薄い絶縁膜を作成した場合、ショットキー障壁高さの制御に対して有効であることが判明した。
Claims (5)
- ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp−ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、
ショットキー電極とダイヤモンドp−ドリフト層の接合面の間に、中間層として誘電体層を形成したダイヤモンド半導体素子 - 誘電体層を形成する誘電体が窒化物あるいは酸化物である請求項1に記載した高出力ダイヤモンド半導体素子。
- 誘電体が、Si3N4、SiO2またはAl2O3である請求項1又は請求項2に記載した高出力ダイヤモンド半導体素子。
- ショットキー電極に接合するダイヤモンド半導体のダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンド請求項2ないし請求項4のいずれかに記載した高出力ダイヤモンド半導体素子。
- 高出力ダイヤモンド半導体素子がショットキーバリヤーダイオードである請求項1〜請求項4のいずれかに記載された高出力ダイヤモンド半導体素子。
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