JP2009054640A - 高出力ダイヤモンド半導体素子 - Google Patents
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- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 75
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910002835 Pt–Ir Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002848 Pt–Ru Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp−ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドp−ドリフト層の接合面の一部に、誘電層を設け、さらに誘電層の外表面でかつショットキー電極の周囲面に、導電体からなるフィールドプレートを設けることにより、カソード電極付近の電界を緩和する高出力ダイヤモンド半導体素子。
【選択図】図1
Description
一般に高電圧動作ダイオードでは、電極縁辺に発生する電界集中を抑えるため、pn接合を用いたガードリング構造(非特許文献1参照)、フィールドプレート構造(非特許文献2参照)もしくはこれらを組み合わせた構造(非特許文献3参照)などが用いられる。ダイヤモンドにおいては、p型およびn型ドーピングが実現しておりpn接合が実現しているが、n型ドーピングは極めて難しく、形成したpn接合界面でのリーク電流値も大きいため(非特許文献4、非特許文献5参照)、高電圧で低リーク電流を実現する電極縁辺電界緩和技術は得られていない。
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p型ダイヤモンド上の選択領域であるダイヤモンドp−ドリフト層に高比誘電率材料を形成することにより、ショットキー電極縁辺の電界集中を抑えることが可能となり、高電界でも低リーク電流で高い電圧まで動作する高出力ダイヤモンド半導体素子を提供する。
すなわち、本発明は、ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp−ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、ショットキー電極とダイヤモンドp−ドリフト層の接合面の一部に、誘電層を設け、さらに誘電層の外表面でかつショットキー電極の周囲面に、導電体からなるフィールドプレートを設けることにより、カソード電極付近の電界を緩和する高出力ダイヤモンド半導体素子である。
また、本発明は、誘電層を形成する誘電体をダイヤモンドより高誘電率材料とすることができる。
さらに本発明では、高誘電率材料として、Si3N4、Al2O3、又はSrTiO3を用いることが出来る。
また、本発明では、ショットキー電極に接合するダイヤモンドを、ダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンドとすることが望ましい。
さらに本発明では、高出力ダイヤモンド半導体素子としてショットキーバリヤーダイオードとすることが望ましい。
形状は、どのようなものでも良いが、通常、ショットキー電極の周囲を取り巻く円形のしま状である(図1参照)。
比誘電率は、SiO2が3.9-4.1、Si3N4、7-8、Al2O3、8.7-10、SrTiO3、200-250である。
誘電体層は、どのような方法でも形成することが出来る。溶剤を用いる湿式方でも、蒸着による方法、CVDによる方法でもよい。
本発明においては、ショットキー電極とは、パワーエレクトロニクスに用いるための周知の形状のショットキー電極であり、周知の作用をするショットキー電極を意味する。ショットキー電極材料としては、Pt−Ru合金、Pt−Ir合金等が利用できる。
ショットキー電極の形状は、基板上のダイヤモンド半導体表面に形成された島状に点在する複数の電極から成るパターン電極である。
しかし、少なくともショットキー電極に接合するダイヤモンドは、ダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンドが特に適していることが判明している。
本発明では、オーミック電極の作成についても、周知の材料と周知方法を用いてどのような手順で行っても良い。
本発明について実施例を用いてさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
EBレジストやフォトレジストによるマスク等を用いてパターンを描き、ショットキー電極となる金属を蒸着させ、レジスト剥離液中でレジストを溶かし、不要部分を取り除くリフトオフプロセスを施し、直径30ミクロン、厚さ5000Åのショットキー電極を得る。次に、同様のパターニングでショットキー電極の2倍以上(60ミクロン)の直径をもつようにAl2O3を1.5μmほどスパッタ装置などにより形成させる。その後、周知のパターニング技術を用い、フィールドプレートとして金属を直径45ミクロン、厚さ2000Åとして堆積させる。
電極サイズはΦ30ミクロンとした。初期の破壊電圧は、なだれ破壊による絶縁破壊を主なパラメータとし、並行平板モデルで考えたときに最大4.3MV/cm程度の電界を想定してシミュレーションを行うと、880Vの破壊電圧となった。これに対し、以下示すように電極終端を行うとダイヤモンド中での電界集中を緩和することができ、破壊電圧を著しく向上させることができる。
始めに、EBレジストやフォトレジストによるマスク等を用いてパターンを描き、周知の方法でSiO2を0.75μm形成させる。次に、EBレジストにより先のSiO2パターンと重なるようにショットキー電極パターンを描き、湿式エッチングでショットキー電極用に直径30ミクロン穴を作成する。同様にEBリソグラフィーによって先ほどのショットキー電極用の穴より大きなパターン(直径60ミクロン)を描きそこへショットキー電極となる金属を10000Å蒸着させる。レジスト剥離液中でレジストを溶かし、不要部分を取り除くリフトオフプロセスを施し、ダイヤモンドとショットキー金属の接触面直径30ミクロン、フィールドプレートを含めた直径60ミクロンのショットキー電極を得る。
電界が集中する場所は、この場合4点が考えられる。A、B、C、はそれぞれ値が小さく、近い値が望ましい。D点は、絶縁材料によって許容範囲は異なるが、可能な限り低いことが好ましい。このダイオードの場合1500V程度の電圧を与えた場合にはおよそ2.2から2.3MV/cmが最小値として期待される。
SiO2、Al2O3は図2において最適化した構造における値を、SrTiO3の場合は必要以上に絶縁膜厚みを増やさず、Al2O3の最適化構造程度の膜厚で比較。ダイヤモンド(比誘電率5.7)より誘電率の小さいSiO2(比誘電率3.9)に比べ、ダイヤモンドより誘電率の大きなAl2O3(比誘電率8.7)のほうが全体的に最大電界を減らし、それぞれの差も小さくしていることがわかる。さらに、非常に大きな誘電率をもつSrTiO3(比誘電率200)についてみると、A,B,Cの電界はほぼ均一になっているといっても良い。D点についても非常に小さな値となっている。このことから、高い誘電率を持つ絶縁体を用いた耐圧構造は、デバイスの性能向上に有効であることが判明した。
Claims (5)
- ショットキー電極をカソードとし、オーミック電極をアノードとし、ショットキー電極、ダイヤモンドp−ドリフト層、ダイヤモンドp+オーミック層、オーミック電極からなる構造の高出力ダイヤモンド半導体素子において、
ショットキー電極とダイヤモンドp−ドリフト層の接合面の一部に、誘電層を設け、さらに誘電層の外表面でかつショットキー電極の周囲面に、導電体からなるフィールドプレートを設けることを特徴とする高出力ダイヤモンド半導体素子。 - 誘電層を形成する誘電体がダイヤモンドより高誘電率材料である請求項1に記載した高出力ダイヤモンド半導体素子。
- 高誘電率材料が、Si3N4、Al2O3、又はSrTiO3である請求項1又は請求項2に記載した高出力ダイヤモンド半導体素子。
- ショットキー電極に接合するダイヤモンド半導体のダイヤモンド表面が酸素終端のダイヤモンド請求項2ないし請求項4のいずれかに記載した高出力ダイヤモンド半導体素子。
- 高出力ダイヤモンド半導体素子がショットキーバリヤーダイオードである請求項1〜請求項4のいずれかに記載された高出力ダイヤモンド半導体素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007217412A JP2009054640A (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | 高出力ダイヤモンド半導体素子 |
US12/153,752 US20090050899A1 (en) | 2007-08-23 | 2008-05-23 | High-output diamond semiconductor element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007217412A JP2009054640A (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | 高出力ダイヤモンド半導体素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009054640A true JP2009054640A (ja) | 2009-03-12 |
Family
ID=40505495
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007217412A Pending JP2009054640A (ja) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | 高出力ダイヤモンド半導体素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009054640A (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090715 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20091225 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20100105 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20100308 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110520 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110630 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
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