JP2009074170A - クロムめっき部品およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】素地2上に腐食電流分散を目的としたニッケルめっき層5aを形成するとともに、その表面に塩基性硫酸クロムを金属供給源とした膜厚0.05〜2.5μmの3価クロムの表面クロムめっき層6を形成し、さらにその上に陰極酸性電解クロメート処理により膜厚が7nm以上のクロム化合物皮膜7を形成する。腐食分散ニッケルめっき層5aは、表面クロムめっき層6に対しマイクロポーラス構造もしくはマイクロクラック構造、またはこれらの双方の構造を生じさせる機能を有する。
【選択図】図1
Description
腐食電流分散を目的とした腐食分散ニッケルめっき層5aを生成するためのめっき処理は、表1〜7に符号(P)で示す実施例および比較例では、いずれもマイクロポーラスニッケル(ジュールニッケル)めっき浴にて、表面クロムめっき層6に対し5000個/cm2以上の微細孔を生じさせるべく処理を行った。
表面クロムめっき層6を生成するためのめっき処理は、表1〜6に示す実施例および比較例(各表中に「3価クロムめっき膜厚」と表記してあるもの、または「3価クロムめっき」の欄に「めっき膜厚」と表記してあるもの)では、いずれも塩基性硫酸クロムをクロム供給源とする3価クロムめっき浴にて処理を行った。めっき浴中の塩基性硫酸クロムの濃度(g/l)は数値にて示してある。浴安定化剤について、(A)で示した実施例および比較例では、ギ酸アンモニウムを添加剤として含むめっき浴にてめっき処理を施した。(B)で示した実施例および比較例では、ギ酸カリウムを添加剤として含むめっき浴にてめっき処理を施した。(C)で示した実施例および比較例では、酢酸アンモニウムを添加剤として含むめっき浴にてめっき処理を施した。(A)〜(C)のいずれの実施例および比較例共にその添加剤の濃度を併記してある。
クロム化合物皮膜7の生成に関しては、表3および表6に符号(X)で示した実施例および比較例と、符号(Y)で示した実施例および比較例とでは、クロム化合物皮膜7の生成のための処理浴の種類および条件が異なっている。符号(X)で示した実施例および比較例は、重クロム酸ナトリウムを含む浴中にて陰極酸性電解クロメート処理によってクロム化合物皮膜7を生成した。他方、符号(Y)で示した実施例および比較例は、クロム酸30g/lを含む浴中にて陰極酸性電解クロメート処理によってクロム化合物を生成した。また、符号(Z)で示した実施例および比較例は、重クロム酸ナトリウム二水和物135g/lを含む浴中にて陰極塩基性電解クロメート処理によってクロム化合物皮膜7を生成した。なお、上述の各クロム化合物皮膜生成工程における処理浴の添加剤濃度、pH、処理作業における電流密度、処理時間および浴の温度を表3および表6に併記してある。また、いずれの実施例も、クロム化合物皮膜7の膜厚は7nm以上であった。
実施例1〜28および比較例1〜22のそれぞれのテストピースについて、腐食試験1および腐食試験2を行った。
2…素地
3…全めっき層
4…銅めっき層
5…ニッケルめっき層
5a…腐食分散ニッケルめっき層
5b…光沢ニッケルめっき層
5c…硫黄なしニッケルめっき層
6…表面クロムめっき層(3価クロムめっき層)
7…クロム化合物皮膜
8…複合めっき皮膜
Claims (11)
- 素地と、
この素地上に形成した腐食分散めっき層と、
この腐食分散めっき層の上に塩基性硫酸クロムを金属供給源として形成した膜厚0.05〜2.5μmの3価クロムめっき層と、
この3価クロムめっき層の上に陰極酸性電解クロメート処理により形成した膜厚が7nm以上のクロム化合物の皮膜と、
を備えたことを特徴とするクロムめっき部品。 - 上記3価クロムめっき層は、マイクロポーラス構造およびマイクロクラック構造の少なくとも一方の構造を有するものであることを特徴とする請求項1に記載のクロムめっき部品。
- 上記3価クロムめっき層は、Feを含むことを特徴とする請求項1に記載のクロムめっき部品。
- 上記3価クロムめっき層は、Feを1〜7at%含むことを特徴とする請求項1に記載のクロムめっき部品。
- 上記3価クロムめっき層は、Cを3〜19at%、Oを1〜22at%、Feを1〜7at%含むことを特徴とする請求項1に記載のクロムめっき部品。
- 上記腐食分散めっき層、3価クロムめっき層およびクロム化合物皮膜からなる複合めっき皮膜が下記(a)〜(c)の条件を満たすものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のクロムめっき部品。
(a)60度入射光による鏡面光沢度が480以上であること。
(b)JIS H 8502に定めるキャス試験を40時間実施した後、30μm以上の腐食痕に対し上記JIS H 8502に準拠して全腐食面積率による評価を行った場合のレイティングナンバー評価値が8.0以上であること。
(c)腐食試験として、カオリン30gと塩化カルシウム飽和溶液50mlとを混合した泥状の腐食促進剤を複合めっき皮膜に均一に塗布し、60℃、23%RH環境に保たれた恒温恒湿槽に336時間放置した後においても腐食による外観変化が観察されないこと。 - 素地上に腐食電流分散を目的とした腐食分散めっき層を形成する工程と、
この腐食分散めっき層の上に塩基性硫酸クロムを金属供給源とする膜厚0.05〜2.5μmの3価クロムめっき層を形成する工程と、
この3価クロムめっき層の上に陰極酸性電解クロメート処理により膜厚が7nm以上のクロム化合物の皮膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とするクロムめっき部品の製造方法。 - 上記腐食分散めっき層は、上記3価クロムめっき層に対しマイクロポーラス構造およびマイクロクラック構造の少なくとも一方の構造を生じさせる機能を有するめっき浴中での電気めっき処理によって生成することを特徴とする請求項7に記載のクロムめっき部品の製造方法。
- 上記3価クロムめっき層は、塩基性硫酸クロム90〜160g/lを主成分とし、添加物としてチオシアン酸塩、モノカルボン酸塩、ジカルボン酸塩のうち少なくともいずれか一つと、アンモニウム塩、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩のうち少なくともいずれか一つのほか、ホウ素化合物および臭化物をそれぞれ含むめっき浴中での電気めっき処理によって生成することを特徴とする請求項7または8に記載のクロムめっき部品の製造方法。
- 上記3価クロムめっき層は、モノカルボン酸塩としてギ酸アンモニウムおよびギ酸カリウムのうち少なくともいずれか一つと、臭化物として臭化アンモニウムおよび臭化カリウムのうち少なくともいずれか一つのほか、ホウ素化合物としてホウ酸を添加剤として含むめっき浴中での電気めっき処理によって生成することを特徴とする請求項9に記載のクロムめっき部品の製造方法。
- 上記陰極酸性電解クロメート処理は、クロムの酸化物、水酸化物、オキシ水酸化物のうち少なくともいずれか一つのクロム化合物を7nm以上の膜厚で生成させる処理であって、
重クロム酸塩、クロム酸塩、無水クロム酸のうち少なくともいずれか一つを20〜40g/l含有するpH1.0〜5.5、温度20〜70℃の浴中にて0.1〜1.0A/dm2の電流密度で10〜90秒間の条件にて処理することを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載のクロムめっき部品の製造方法。
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