JP2009060046A - 回折格子型発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】sapphire基板10の上にn型GaN層12、InGaN/GaN活性層14、p型GaN層16、透明電極層18を積層して発光ダイオードを構成する。透明電極層18、p型GaN層16、InGaN/GaN活性層14、n型GaN層12に、これらの層にほぼ垂直な方向に延びる多数の空孔24を2次元周期的に形成する。非発光再結合速度をvsとすると、空孔24の配置周期aは次の式を満たす。
【数1】
【選択図】図3
Description
フォトニック結晶内では、その周期構造により、結晶中の光のエネルギーに関してバンド構造が形成され、光の伝播が不可能となるエネルギー領域(波長帯、フォトニックバンドギャップ(PBG)が存在する。フォトニックバンドギャップ内の波長を有する光は、周期構造が形成された面内を伝播することができず、この面に垂直な方向にのみ伝播する。フォトニックバンドギャップは、誘電体の屈折率や周期構造の周期により定まる。
これに対して、回折格子型構造では、空孔の周期を発光波長よりも大きく設定し、発光体内部と外部との面内波数ベクトル保存則制限をフォトニック結晶による逆格子ベクトルを含めた保存則に置き換えることにより全反射条件を緩めて光取り出し効率を向上、つまり外部量子効率を向上させている。
上述の特許文献1は発光ダイオードにPBG型のフォトニック結晶構造を設けて発光効率の向上を図ったものであり、フォトニック結晶周期が発光波長と同程度よりも大きい場合には外部量子効率がかえって低減する可能性がある。
順に積層された第1半導体層、活性層、第2半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、第2半導体層と電気的に接続された第2電極とを備えた回折格子型発光ダイオードにおいて、
前記第1半導体層及び第2半導体層の少なくとも一方と前記活性層を貫通する多数の空孔を2次元周期的に配置すると共に、非発光再結合速度をvsとした場合に前記空孔の配置周期aが次の式
を満たすように設計されることを特徴とする。
順に積層された第1半導体層、活性層、第2半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、第2半導体層と電気的に接続された第2電極とを備えた回折格子型発光ダイオードにおいて、
前記第1半導体層及び第2半導体層の少なくとも一方と前記活性層を貫通する多数の空孔を2次元周期的に配置すると共に、その配置周期を前記活性層の発光中心波長の1.8倍以上に設定したこと、
を特徴とする。
前記発光ダイオードの表面には多数の空孔が2次元周期的に設けられている。前記空孔は少なくともp型半導体層/n型半導体層と活性層を貫通しており、これにより、発光ダイオードの表面に回折格子構造が形成される。各空孔は3層の全てを貫通していてもよく、p型半導体層/n型半導体層内で終止していても良い。従来と同様に、空孔の配置は正方格子状や三角格子状等とすることができる。また、各空孔の形状も従来と同様に円柱状等の種々の柱状にすることができる。
これに対して、空孔の配置周期を大きくすれば、空孔側壁にキャリア(電子及び正孔)がたどり着く割合を減らして非発光再結合を抑制することができる。その際に、空孔の充填率(空孔の配置周期をa、空孔の直径をrとすると、空孔の配置が三角格子状の場合の充填率fはf=(r/a)2×(2π/√3)となり、正方格子状の場合の充填率fはf=π(r/a)2となる)を一定に保てば、回折による光の取り出し効率を一定に保つことができる。
本発明は、このような考えに基づいて空孔の周期構造を適切に設計し、外部量子効率の高い発光ダイオードを実現させたものである。
式(1)の右辺の最小値はRsp×ηin (0)-1程度である。従って、内部量子効率が小さい窒化ガリウム(GaN)系発光ダイオードでは、式(1)の条件を満たすように回折格子としての機能を有する現実的周期(約10μm以下)で空孔を形成することが可能となる。
Rsp (0)(/s)=1.00E+07
Rsp(/s)=1.00E+07
Rnon (0)(/s)=4.00E+08
Fγ=6.80
ηin=0.02(=ηin (0))
f=0.58
vs(cm/s)=5.00E+03
K=1.075
また、回折格子型LEDでは一般に次の式が成り立つ。
vs=3.7×103(cm/s)
となる。
発光ダイオードは、sapphire基板10の上にn型GaN層12、InGaN/GaN活性層14、p型GaN層16を積層して構成されている。n型GaN層12、InGaN/GaN活性層14、p型GaN層16の厚さ寸法は、それぞれ2200nm、120nm、500nmに設定されている。InGaN/GaN活性層14はn型GaN層12の電子がp型GaN層16の正孔と再結合して光を発する接合領域を含んでいる。InGaN/GaN活性層14は多重量子井戸構造、例えば6層の量子井戸構造を含む。
前記空孔24は、その径が800nm、深さが850nm、三角格子の一辺の長さは1μmに設定されており、透明電極層18、p型GaN層16及びInGaN/GaN活性層14を貫通し、n型GaN層12内で終止するように形成されている。
図4は、上記構成の発光ダイオードの空孔24による外部量子効率(光取り出し効率)を評価するために行った実験の結果を示している。図4に示すように、空孔24を有さない発光ダイオードと比較すると、空孔24を有する本実施例の発光ダイオードでは、波長が470〜570nmの光の発光強度が大きく増強されることが分かる。本実施例の発光ダイオードは中心発光波長が520nmであり、従って、従来の発光ダイオードに比べると外部量子効率が向上する。
12…n型GaN層
14…InGaN/GaN活性層
16…p型GaN層
18…透明電極層
20…p型電極
22…n型電極
24…空孔
Claims (3)
- 順に積層された第1半導体層、活性層、第2半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、第2半導体層と電気的に接続された第2電極とを備えた回折格子型発光ダイオードにおいて、
前記第1半導体層及び第2半導体層の少なくとも一方と前記活性層を貫通する多数の空孔を2次元周期的に配置すると共に、非発光再結合速度をvsとした場合に前記空孔の配置周期aが次の式
を満たすように設計されることを特徴とする回折格子型発光ダイオード。 - 順に積層された第1半導体層、活性層、第2半導体層と、前記第1半導体層と電気的に接続された第1電極と、第2半導体層と電気的に接続された第2電極とを備えた回折格子型発光ダイオードにおいて、、
前記第1半導体層及び第2半導体層の少なくとも一方と前記活性層を貫通する多数の空孔を2次元周期的に配置すると共に、その配置周期を前記活性層の発光中心波長の1.8倍以上に設定したこと、
を特徴とする回折格子型発光ダイオード。 - 前記活性層の発光中心波長が470〜570nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の回折格子型発光ダイオード。
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