JP2012530373A - 発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
A:ナノピラー構造体22の形成前に複数の発光層と共に作成された装置。
B:ポリマ・メタル混合物31の無い状態でナノピラー構造体22の形成後の装置。
C:ポリマ・銀粒子混合物31を有するナノピラー構造体22を備えた装置。
D:ポリマ・銀粒子混合物31を有するナノピラー構造体22を備えた装置。ただし、銀の濃度は、サンプルCとは若干異なる。
E:ポリマ・ニッケル粒子混合物31を有するナノピラー構造体22を備えた装置。
Claims (30)
- 第1及び第2の半導体層と、前記第1及び第2の半導体層間の発光層とを有して、発光ダイオードを形成するように配置され、
さらに、第1及び第2の半導体層の一方に設けられたギャップと、
前記ギャップに配置されたメタルとを有し、
前記メタルは、前記発光層が前記メタルと前記発光層との間での表面プラズモンカップリングが可能となるように前記発光層に対して十分に近接していることを特徴とする発光装置。 - さらに、前記メタルから形成された混合物と支持材料とを有し、前記メタルはメタル粒子の形態をとり、前記混合物は前記ギャップの内部に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記支持材料は、波長変換材料を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記メタル又は前記混合物は、前記ギャップの表面にかなり近接して配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一に記載の発光装置。
- 前記ギャップは、前記発光層に向けて前記第2の半導体層を全部では無く部分的に貫通するように延在することを特徴とする請求項1から4のいずれか一に記載の発光装置。
- 前記ギャップは、前記第2の半導体層を貫通して延在し、前記ギャップの一部は、前記発光層の表面によって境界が示されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一に記載の発光装置。
- 前記メタル又は前記混合物は、前記発光層の前記表面の直ぐ近傍の前記ギャップ内に配置されていることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 金属含有層が、前記発光層の前記表面と接触するように設けられていることを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 前記ギャップは、前記発光層を貫通するように延在し、前記ギャップの一部が、前記第1の半導体層の表面によって境界が示されていることを特徴とする請求項7又は8に記載の発光装置。
- 前記第1の半導体層は、基板の上に形成されることを特徴とする請求項1から9のいずれか一に記載の発光装置。
- さらに、前記ギャップの一部を閉塞するために、前記第2の半導体層と近接し且つ電気的に接触しているコンタクト層を有することを特徴とする請求項1から10のいずれか一に記載の発光装置。
- 複数のピラーが、前記第1及び第2の半導体層の少なくとも一方から前記ギャップによって形成され、前記ギャップは前記ピラーの間に形成されることを特徴とする請求項1から11のいずれか一に記載の発光装置。
- 2つの隣接するピラー間の平均最短距離は、2つの隣接するピラーの各側部の間で計測され、500nm未満であり、好ましくは200nm未満であることを特徴とする請求項12に記載の発光装置。
- 互いに離れて位置する前記ギャップの複数からなり、前記メタル又は前記混合物は、ピラーの形態を取ることを特徴とする請求項1から11のいずれか一に記載の発光装置。
- 前記ピラーの平均直径は、500nm未満であり、好ましくは200nm未満であることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 第1及び第2の半導体層と、前記第1及び第2の半導体層の間の発光層とを形成する工程と、
前記第1及び第2の半導体層の一方にギャップを形成する工程と、
前記ギャップの内部であって前記発光層に十分に近接するようにメタルを配置して、前記メタルと前記発光層との間で表面プラズモンカップリングを可能とする工程とを有することを特徴とする発光装置の生産方法。 - メタル粒子の形態を取り且つ前記メタルから混合物と支持材料とを作成する工程と、
前記混合物を前記ギャップの内部で且つ前記発光層に十分近接して配置して、前記メタル粒子と前記発光層との間の表面プラズマカップリングを可能とする工程とをさらに有することを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記支持材料は、波長変換材料を含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記メタル又は前記混合物は、前記ギャップの表面にかなり近接して配置されていることを特徴とする請求項16から18のいずれか一に記載の方法。
- 前記ギャップは、前記第2の半導体層を前記発光層に向けて貫通せずに形成されていることを特徴とする請求項16から19のいずれか一に記載の方法。
- 前記ギャップは、前記第2の半導体層を貫通して形成され、前記ギャップの一部は、前記発光層の表面によって境界が示されていることを特徴とする請求項16から19のいずれ一に記載の方法。
- 前記メタル又は前記混合物は、前記ギャップの内部で、且つ前記発光層の前記表面に直接近接して配置されていることを特徴とする請求項21に記載の方法。
- メタル含有層が、前記発光層の前記表面に接触して設けられていることを特徴とする請求項22に記載の方法。
- 前記ギャップは、前記発光層を貫通して形成され、前記ギャップの一部は、前記第1の半導体層の表面によって境界が示されていることを特徴とする請求項22又は23に記載の方法。
- 前記第1の半導体層は、基板の上に形成されていることを特徴とする請求項16から24までのいずれか一に記載の方法。
- 前記ギャップの少なくとも一部を閉塞するために、前記第2の半導体層と近接して且つ電気的に接触したコンタクト層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項16から25までのいずれか一に記載の方法。
- 複数のピラーが、前記ギャップによって前記第1及び第2の半導体層の少なくとも一方から形成され、前記ギャップはピラーの間に形成されることを特徴とする請求項16から26までのいずれか一に記載の方法。
- 前記複数のピラーは、2つの隣接するピラー間の平均最短距離が、2つの隣接するピラーの各側部の間で計測され、500nm未満であり、好ましくは200nm未満であることを特徴とする請求項27に記載の方法。
- 互いに離れて位置する前記ギャップの複数を形成する工程を有し、前記メタル又は前記混合物は、ピラーの形態を取ることを特徴とする請求項16から26のいずれか一に記載の方法。
- 前記ピラーの平均直径は、500nm未満、好ましくは200nm未満であることを特徴とする請求項29に記載の方法。
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