JP2017519337A - プラズモン照明装置における光子エミッタの空間的位置決め - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上に配置された光透過性の第1の層と、
前記光透過性の第1の層上に配置され、且つエネルギー源からエネルギーを受け取って所定の波長を持つ光を放出するように構成された光子放出材料を有する光子放出層と、
前記基板上に配置されて前記第1の層に埋め込まれ、且つアンテナアレイ面に配置された複数の個々のアンテナ素子を有する周期的なプラズモンアンテナアレイであり、当該プラズモンアンテナアレイは、前記個々のアンテナ素子における局在化された表面プラズモン共鳴の、当該プラズモンアンテナアレイと前記光子放出層とを有する系によって支援されるフォトニックモードへのカップリングに由来した、前記所定の波長での第1の格子共鳴を支援するように構成され、当該プラズモンアンテナアレイは、当該プラズモンアンテナアレイから放出される光が異方的な角度分布を持つように、プラズモン共鳴モードを有するよう構成されている、プラズモンアンテナアレイと
を有し、
前記光子放出層は、前記アンテナアレイ面から、プラズモン−フォトニック格子共鳴から生じる光出力カップリングのための最大フィールドエンハンスメントの位置に対応する距離を置いて配置されている、
照明装置。 - 前記光子放出材料は、第1の波長の光を受け取り且つ該受け取った光を前記第1の波長から第2の波長へと変換するように構成された波長変換材料である、請求項1に記載の照明装置。
- 前記アンテナアレイは、前記プラズモン−フォトニック格子共鳴から生じる光出力カップリングのため、前記アンテナアレイ面に対して平行であり且つ前記アンテナアレイ面から距離を置いた平面内で実質的に均一である最大フィールドエンハンスメントの空間分布を提供するように構成され、前記光子放出材料は、最大フィールドエンハンスメントの該均一な空間分布に対応する前記光子放出層の面内に分布されている、請求項1又は2に記載の照明装置。
- 前記光子放出材料は、前記プラズモン−フォトニック格子共鳴から生じる光出力カップリングのための最大フィールドエンハンスメントの3次元空間分布に対応する前記光子放出層のボリューム内に分布されている、請求項1乃至3の何れかに記載の照明装置。
- 前記光透過性の第1の層の屈折率は、屈折率導波モードを支援するよう、前記基板の屈折率よりも高い、請求項1乃至4の何れかに記載の照明装置。
- 前記プラズモンアンテナアレイは、アウトオブプレーン非対称であるプラズモン共鳴モードを有するように構成されている、請求項1に記載の照明装置。
- 前記波長変換材料は、希土類元素イオン、染料分子、及び量子ドットからなる群から選択されている、請求項2に記載の照明装置。
- 前記光子放出層は量子井戸構造を有する、請求項1に記載の照明装置。
- 前記アンテナ素子は、450−500nmの範囲内の格子定数を持つ六角形アレイにて配列されており、前記基板の屈折率は1.46であり、前記光透過性の第1の層の屈折率は1.59である、請求項1乃至8の何れかに記載の照明装置。
- 前記光子放出層は、前記アンテナアレイ面から100−2000nmの範囲内の距離を置いて配置されている、請求項9に記載の照明装置。
- 前記光子放出層の厚さは2−500nmの範囲内である、請求項10に記載の照明装置。
- 前記アンテナ素子は、Ag、Al、Ga、又はAuからなる群から選択された金属ナノ粒子である、請求項1乃至11の何れかに記載の照明装置。
- 当該照明装置は更に、前記光子放出層上に配置されたカバー層を有し、前記カバー層は、前記光子放出層と同じ屈折率を持つ、請求項1乃至12の何れかに記載の照明装置。
- 前記アンテナアレイは、80−130nmの範囲内の頂面辺と、135−155nmの範囲内の底面辺と、100−200nmの範囲内の高さとを持った角錐台状の複数のアンテナ素子を有し、該複数のアンテナ素子は、400−600nmの範囲内の格子定数を持つ六角形アレイにて配列されている、請求項1乃至13の何れかに記載の照明装置。
- 照明装置を製造する方法であって、
基板を用意し、
前記基板上に、複数の個々のアンテナ素子を有する周期的なプラズモンアンテナアレイを形成し、該プラズモンアンテナアレイは、前記個々のアンテナ素子における局在化された表面プラズモン共鳴の、該プラズモンアンテナアレイと波長変換層とを有する系によって支援されるフォトニックモードへのカップリングに由来した、所定の波長での第1の格子共鳴を支援するように構成され、該プラズモンアンテナアレイは、プラズモン共鳴モードを有するよう構成され、
前記基板上に感光層を設け、該感光層は、前記アンテナ素子の厚さを上回る厚さを有し、
前記プラズモンアンテナアレイを前記所定の波長の光で照明し、それにより、前記プラズモンアンテナアレイの前記格子共鳴から生じる光出力カップリングのための最大フィールドエンハンスメントの位置に対応して前記感光層の一部が露光され、
前記感光層の前記露光された部分を除去して複数の穴を形成し、且つ
エネルギー源からエネルギーを受け取って前記所定の波長の光を放出するように構成された光子放出材料で、前記穴を再充填する、
ことを有する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14170048.4 | 2014-05-27 | ||
EP14170048 | 2014-05-27 | ||
PCT/EP2015/061191 WO2015181034A1 (en) | 2014-05-27 | 2015-05-21 | Spatial positioning of photon emitters in a plasmonic illumination device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017519337A true JP2017519337A (ja) | 2017-07-13 |
JP6577961B2 JP6577961B2 (ja) | 2019-09-18 |
Family
ID=50828724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016569804A Active JP6577961B2 (ja) | 2014-05-27 | 2015-05-21 | プラズモン照明装置における光子エミッタの空間的位置決め |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10018751B2 (ja) |
EP (1) | EP3149783B8 (ja) |
JP (1) | JP6577961B2 (ja) |
KR (1) | KR102406473B1 (ja) |
CN (1) | CN106463593B (ja) |
WO (1) | WO2015181034A1 (ja) |
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WO2023199703A1 (ja) * | 2022-04-13 | 2023-10-19 | 国立大学法人京都大学 | 発光装置 |
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2015
- 2015-05-21 JP JP2016569804A patent/JP6577961B2/ja active Active
- 2015-05-21 KR KR1020167036448A patent/KR102406473B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-21 EP EP15724268.6A patent/EP3149783B8/en active Active
- 2015-05-21 CN CN201580027691.7A patent/CN106463593B/zh active Active
- 2015-05-21 WO PCT/EP2015/061191 patent/WO2015181034A1/en active Application Filing
- 2015-05-21 US US15/312,297 patent/US10018751B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3149783B1 (en) | 2018-05-16 |
EP3149783A1 (en) | 2017-04-05 |
WO2015181034A1 (en) | 2015-12-03 |
CN106463593B (zh) | 2019-04-02 |
EP3149783B8 (en) | 2018-09-05 |
JP6577961B2 (ja) | 2019-09-18 |
CN106463593A (zh) | 2017-02-22 |
US10018751B2 (en) | 2018-07-10 |
KR20170012429A (ko) | 2017-02-02 |
KR102406473B1 (ko) | 2022-06-10 |
US20170082785A1 (en) | 2017-03-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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