KR20130093088A - 자외선 발광 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

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오덕환
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Abstract

차례대로 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층; 상기 제2 도전형 반도체층위에 형성된 전극 및; 상기 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 전극의 적어도 일부가 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 노출된 개구부를 포함하되, 상기 활성층은 자외선광을 방출하는 자외선 발광 다이오드가 제공된다.

Description

자외선 발광 다이오드 및 그 제조방법{ULTRA VIOLET LIGHT EMITTING DIODE AND FABRICATION METHOD OF THE SAME}
본 발명은 자외선 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 반도체층들이 부분적으로 패턴 식각되어 식각된 부분을 통해 활성층에서 생성된 자외선 파장 대역의 광을 방출시키는 자외선 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근에 질화물 반도체를 이용한 조명용 고휘도 백색 발광소자에 많은 관심이 모아지고 있으며 그 경제적 가치 또한 크다. 고휘도 백색 발광소자를 구현하는 방법은 크게 3가지로 나뉘어 진다.
첫째, 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색을 내는 3개의 발광소자를 조합하여 백색을 구현하는 방법이다. 이 방법으로 하나의 백색 고휘도 발광소자를 만들기 위해서는 3가지 색 발광소자의 온도 수명이나 소자 수명 등 발광 특성을 개별적으로 제어하는 기술이 선행되어야 하므로 백색 광원 구현에 어려움이 있다.
둘째, 청색 발광소자를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방법이다. 이 방법을 이용하면 발광 효율이 우수한 반면, 연색지수(Color Rendering Index, CRI)가 낮으며 또한 전류 밀도에 따라 연색지수가 변하는 특징이 있기 때문에 태양광에 가까운 백색 고휘도 발광소자를 얻는데 문제가 있다.
마지막으로, 자외선 발광 다이오드(Ultraviolet Light Emitting Diode : UV LED)를 광원으로 이용하여 삼원색 형광체를 여기시켜 백색을 만드는 방법이다. 이 방법은 발광 특성이 우수하며, 연색지수 특성 또한 우수하여 태양광에 가까운 고휘도 백색 발광소자를 구현할 수 있으므로 가장 실현 가능성이 크다. 이때, 자외선 발광소자의 효율을 높이는 문제가 가장 중요한 문제로 여겨지고 있다.
자외선 발광 다이오드에 관한 기술은 대한민국 등록특허 제10-0608929호(Ⅲ-Ⅴ 질화물계 반도체 자외선 발광소자의 제조 방법, 2006년 7월 27일 등록) 및 대한민국 등록특허 제10-0709058호(자외선 발광 장치, 2007년 4월 12일 등록)에 자세하게 소개되어 있다.
발광 다이오드의 효율을 개선하기 위해 두 가지의 주요한 접근이 시도되고 있다. 첫째는 결정질(crystal quality) 및 에피층 구조에 의해 결정되는 내부 양자효율(internal quantum efficiency)을 증가시키는 것이고, 둘째는 발광 다이오드에 서 생성된 광이 전체 외부로 방출되지 않고 내부에서 손실되는 광이 많음에 따라 광 추출 효율(light extraction efficiency)을 증가시키는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제는 자외선 파장 대역에서 광효율이 뛰어난 자외선 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 일측면에 의하면, 차례대로 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층; 상기 제2 도전형 반도체층위에 형성된 전극 및; 상기 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 전극의 적어도 일부가 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 노출된 개구부를 포함하되, 상기 활성층은 자외선광을 방출하며, 상기 개구부를 통해 상기 자외선광이 방출되는 자외선 발광 다이오드가 제공된다.
상기 전극은 상기 자외선광을 반사시키는 재질을 포함할 수 있다.
상기 전극은 상기 제2 도전형 반도체층위에 형성된 투명 전극을 포함할 수 있다.
상기 투명 전극은 Ni/Au, ITO, ZnO, SnO, NiO, GaO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전극은 상기 투명 전극위에 형성된 반사 구조를 더 포함할 수 있다.
상기 전극은 상기 투명 전극과 상기 제2 도전형 반도체층사이에 형성된 반사 구조를 더 포함할 수 있다.
상기 반사 구조는 Al을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 활성층은 1nm 내지 400nm의 피크 파장을 가지는 자외선광을 방출하도록 이루어진 화합물 반도체 조성을 가질 수 있다.
상기 활성층은 200nm 내지 350nm의 피크 파장을 가지는 자외선광을 방출하도록 이루어진 화합물 반도체 조성을 가질 수 있다.
상기 개구부는, 아일랜드들의 행렬 구조 또는 복수개의 라인들 또는 메쉬 구조로 형성될 수 있다.
상기 개구부의 바닥면에 형성된 반사구조를 더 포함할 수 있다.
상기 개구부의 바닥면에 형성된 상기 반사 구조는 분포 브래그 반사기일 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 의하면, 기판위에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형 반도체층위에 전극을 형성하는 단계 및; 상기 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 전극의 적어도 일부를 제거하여 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 노출된 개구부를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 활성층은 자외선광을 방출하며, 상기 개구부를 통해 상기 자외선광이 방출되는 자외선 발광 다이오드의 제조 방법이 제공된다.
상기 전극은 상기 자외선광을 반사시키는 재질을 포함할 수 있다.
상기 전극은 상기 제2 도전형 반도체층위에 형성된 투명 전극을 포함할 수 있다.,
상기 투명 전극은 Ni/Au, ITO, ZnO, SnO, NiO, GaO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전극은 상기 투명 전극위에 형성된 반사 구조를 더 포함할 수 있다.
상기 전극은 상기 투명 전극과 상기 제2 도전형 반도체층사이에 형성된 반사 구조를 더 포함할 수 있다.
상기 반사 구조는 Al을 포함하여 구성될 수 있다.
자외선 발광 다이오드의 제조 방법은 상기 개구부의 바닥면에 반사구조를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 개구부의 바닥면에 형성된 상기 반사 구조는 분포 브래그 반사기일 수 있다. 본 발명의 일실시예에 의하면, 자외선 파장 대역의 광을 방출하는 자외선 발광 다이오드에서 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 및 전극을 부분적으로 식각하여 제거함으로써, 활성층에서 발생된 자외선 파장 대역의 광을 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 및 전극이 제거되어 형성된 개구부를 통해 외부로 방출되게 하여 활성층에서 발생된 자외선 파장 대역의 광이 제2 도전형 반도체층에 의해 손실되는 것을 효과적으로 줄일 수 있다.
본 발명의 일실시예에 의하면, 자외선 파장 대역의 광을 방출하는 자외선 발광 다이오드에서 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 및 전극을 부분적으로 식각하여 제거함으로써, 활성층에서 발생된 자외선 파장 대역의 광을 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 및 전극이 제거되어 형성된 개구부를 통해 외부로 방출되게 하여 활성층에서 발생된 자외선 파장 대역의 광이 제2 도전형 반도체층에 의해 손실되는 것을 효과적으로 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 자외선 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 자외선 발광 다이오드를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 자외선 발광 다이오드를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 자외선 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 자외선 발광 다이오드는 기판(51) 상에 제1 도전형 반도체층(55), 활성층(57) 및 제2 도전형 반도체층(59), 전극(70)을 포함하는 화합물 반도체층들이 위치한다.
상기 기판(51)은 질화물계 발광소자를 제작하기 위한 웨이퍼를 지칭하는 것으로, 주로 사파이어(Al2O3) 또는 실리콘카바이드(SiC)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 질화물 반도체층을 성장시키기에 적합한 이종기판, 예컨대 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 스피넬 등의 이종기판 또는 GaN와 같은 동종기판일 수 있다.
제1 도전형 반도체층(55)은 n형 질화물 반도체층일 수 있다. 제1 도전형 반도체층(55)은 주로 GaN로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, (Al, In, Ga)N 계열의 2원계 내지 4원계 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 또한, 제1 도전형 반도체층(55)은 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있으며, 초격자층을 포함할 수 있다.
활성층(57)은 1nm 내지 400nm의 피크 파장을 가지는 자외선광을 방출하도록 하는 화합물 반도체층의 조성을 가진다. 바람직하게, 활성층(57)은 200nm 내지 350nm의 피크 파장을 가지는 자외선광을 방출하도록 하는 화합물 반도체층의 조성을 가질 수 있다. 활성층(57)은 단일 양자우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 가질 수 있으며, Ga1 -x-yInxAlyN(0≤x, y≤1, x+y<1)의 조성식을 가지는 화합물 반도체층으로 이루어지며, 각 화합물의 조성을 변경하여 피크 파장을 조절할 수 있다.
제2 도전형 반도체층(59)은 p형 질화물 반도체층일 수 있다. 제2 도전형 반도체층(59)은 주로 GaN로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, (Al, In, Ga)N 계열의 2원계 내지 4원계 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 또한, 제2 도전형 반도체층(59)은 Mg를 도펀트로 사용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층(59) 상에 전극(70)이 위치한다. 상기 전극(70)은 활성층(25)에서 생성되는 자외선 파장 대역의 광을 반사시키는 재질을 포함할 수 있다. 예컨대, 전극(70)은 Al을 포함할 수 있다. 한편, 상기 전극(70)은 투명 전극일 수 있다. 즉, 상기 전극(70)은 Ni/Au와 같은 투명 금속층 또는 도전성 투명 전극(ITO, ZnO, SnO, NiO, GaO)이 사용될 수 있다. GaO는 자외선 파장 대역에서 투과도가 우수하다. 전극(70)은 하나의 층으로 이루어질 수 있으며, 복수의 층으로 이루어질 수 있다.
제1 도전형 반도체층(55), 활성층(57), 및 제2 도전형 반도체층(59)은 부분적으로 식각되어 제거되어 개구부(80)가 형성되어 있다. 활성층(57)에서 발생된 자외선 파장 대역의 광은 제1 도전형 반도체층(55), 활성층(57), 및 제2 도전형 반도체층(59)의 제거된 개구부(80)를 통해 외부로 방출되도록 되어 있다.
개구부(80)의 바닥에는 반사 구조(81)가 형성되어 있다. 따라서, 활성층(57)에서 발생된 자외선 파장 대역의 광이 개구부(80)의 바닥쪽으로 향하는 경우, 바닥쪽에 형성된 반사 구조(81)에 의해 반사되어 위쪽으로 방출될 수 있다. 반사 구조(81)는 Al, Si, Ti, Ta, Nb, In 및 Sn에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사 구조(81)는 SixOyNz, TixOy, TaxOy 및 NbxOy에서 선택된 적어도 두 개의 층을 교대로 적층하여 형성될 수 있으며, 분포 브래그 반사기(DBR)일 수 있다. 분포 브래그 반사기는 교대로 적층되는 고굴절률층과 저굴절률 층의 광학 두께를 조절하여 특정 파장의 광에 대한 반사율을 극대화할 수 있다. 따라서, 활성층(25)에서 생성되는 광의 파장에 따라 반사율이 최적화된 분포 브래그 반사기를 형성함으로써, 예컨대 자외선에 대한 높은 반사율을 갖는 반사 구조(81)를 형성할 수 있다.
한편, 상기 전극(70)은 도 2에 도시된 바와 같이 제2 도전형 반도체층(59)위에 형성된 반사구조(60)와, 반사구조(60)위에 형성된 투명 전극(61)을 포함할 수 있다.
반사 구조(60)는 Al로 이루어져 있다. Al은 자외선 파장 대역(1nm 내지 400nm)에서 반사율이 높다. 이에 반하여, Ag 또는 Au는 자외선 파장 대역에서 반사율이 현저하게 낮다. 이외에도 반사 구조(60)는 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성될 수 있으며, 이들 중 적어도 하나를 포함하는 금속물질로 형성될 수 있다. 반사 구조(60)는 활성층(25)에서 생성되는 자외선 파장 대역의 광을 반사시키는 기능을 수행한다. 따라서, 반사 구조(60)에 의해 반사된 자외선 파장 대역의 광은 개구부(80)를 통해 외부로 방출될 수 있다.
투명 전극(61)은 반사구조(60)위에 형성되며, Ni/Au와 같은 투명 금속층 또는 도전성 투명 전극(ITO, ZnO, SnO, NiO, GaO)이 사용될 수 있다. GaO는 자외선 파장 대역에서 투과도가 우수하다. 투명 전극(61)은 하나의 층으로 이루어질 수 있으며, 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 아울러, 투명 전극(61)은 반사 구조(60)의 위에 형성되어 반사 구조(60)가 산화되는 것을 방지하여 반사 구조(60)를 보호할 수 있다. 또한, 투명 전극(61)은 전류 확산을 향상시킬 수 있다. 한편, 상기 전극(70)은 도 3에 도시된 바와 같이 제2 도전형 반도체층(59)위에 형성된 투명 전극(61)과, 투명 전극(61)위에 형성된 반사구조(60)를 포함할 수 있다.
투명 전극(61)은 제2 도전형 반도체층(59)위에 형성되며, Ni/Au와 같은 투명 금속층 또는 도전성 투명 전극(ITO, ZnO, SnO, NiO, GaO)이 사용될 수 있다. GaO는 자외선 파장 대역에서 투과도가 우수하다. 투명 전극(61)은 하나의 층으로 이루어질 수 있으며, 복수의 층으로 이루어질 수 있다. 아울러, 투명 전극(61)은 반사 구조(60)와 제2 도전형 반도체층(29)의 사이에 형성되어 제2 도전형 반도체층(29)과의 오믹 특성을 향상시킬 수 있으며, 전류 확산을 향상시킬 수 있다.
반사구조(60)은 투명 전극(61)위에 형성된다. 반사 구조(60)는 Al로 이루어져 있다. Al은 자외선 파장 대역(1nm 내지 400nm)에서 반사율이 높다. 이에 반하여, Ag 또는 Au는 자외선 파장 대역에서 반사율이 현저하게 낮다. 이외에도 반사 구조(60)는 팔라듐(Pd), 로듐(Rh)으로 구성될 수 있으며, 이들 중 적어도 하나를 포함하는 금속물질로 형성될 수 있다. 반사 구조(60)는 활성층(25)에서 생성되는 자외선 파장 대역의 광을 반사시키는 기능을 수행한다. 따라서, 반사 구조(60)에 의해 반사된 자외선 파장 대역의 광은 개구부(80)를 통해 외부로 방출될 수 있다.
도 4 내지 도 6는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 자외선 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4를 참조하면, 기판(51) 상에 화합물 반도체층들이 형성된다. 기판(51)은 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 이종기판일 수 있다. 한편, 화합물 반도체층들은 제1 도전형 반도체층(55), 활성층(57) 및 제2 도전형 반도체층(59)을 포함한다. 화합물 반도체층들은 III-N 계열의 화합물 반도체층들로, 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정에 의해 성장될 수 있다. 제1 도전형 및 제2 도전형은 N형 및 P형, 또는 P형 및 N형을 나타낸다.
한편, 화합물 반도체층들을 형성하기 전, 버퍼층(53)이 형성될 수 있다. 버퍼층(53)은 기판(51)과 화합물 반도체층들의 격자 부정합을 완화하기 위해 채택되며, 일반적으로 질화갈륨 계열의 물질층일 수 있다.
도 5를 참조하면, 제2 도전형 반도체층(59)상에 전극(70)을 형성한다. 전극(70)은 투명 전극, 즉 Ni/Au와 같은 투명 금속층 또는 도전성 투명 전극(ITO, ZnO, SnO, NiO, GaO)이 사용될 수 있다. GaO는 자외선 파장 대역에서 투과도가 우수하다.
도 6을 참조하면, 전극(70)을 증착한 후 포토리소그라피 기술을 이용하여 제1 도전형 반도체층(55)의 일부가 드러나도록 전극(70), 제2 도전형 반도체층(59), 활성층(57), 및 제1 도전형 반도체층(55)을 부분적으로 패터닝 식각하여 개구부들(80)을 형성한다. 이때, 상기 개구부(80)는 아일랜드들의 행렬 형태 또는 복수개의 라인들 또는 메쉬 구조로 식각되어 형성될 수 있다. 이때, 식각에 의해 형성된 개구부(80)가 식각되지 않은 면적에 비하여 차지하는 면적은 광추출 효율을 감안하여 적절하게 조절될 수 있다.
전극(70), 제2 도전형 반도체층(59), 활성층(57), 및 제1 도전형 반도체층(55)을 식각하여 개구부들(80)을 형성한 후, 개구부들(80)의 바닥면에 증착 기술을 사용하여 반사 구조(81)를 형성하여 도 1에 도시된 자외선 발광 다이오드를 완성한다. 이후, 제1 도전형 반도체층(55)의 노출된 일부에 하부 전극(미도시됨)을 형성할 수 있다. 반사 구조(81)는 Al, Si, Ti, Ta, Nb, In 및 Sn에서 선택된 적어도 하나 이상의 원소를 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사 구조(81)는 SixOyNz, TixOy, TaxOy 및 NbxOy에서 선택된 적어도 두 개의 층을 교대로 적층하여 형성될 수 있으며, 분포 브래그 반사기(DBR)일 수 있다. 분포 브래그 반사기는 교대로 적층되는 고굴절률층과 저굴절률 층의 광학 두께를 조절하여 특정 파장의 광에 대한 반사율을 극대화할 수 있다. 따라서, 활성층(25)에서 생성되는 광의 파장에 따라 반사율이 최적화된 분포 브래그 반사기를 형성함으로써, 예컨대 자외선에 대한 높은 반사율을 갖게 할 수 있다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.

Claims (19)

  1. 차례대로 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층;
    상기 제2 도전형 반도체층위에 형성된 전극; 및;
    상기 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 전극의 적어도 일부가 제거되어 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 노출된 개구부를 포함하되,
    상기 활성층은 자외선광을 방출하며, 상기 개구부를 통해 상기 자외선광이 방출되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 전극은 상기 자외선광을 반사시키는 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 전극은 상기 제2 도전형 반도체층위에 형성된 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 투명 전극은 Ni/Au, ITO, ZnO, SnO, NiO, GaO 중 적어도 하나를 포함하는 자외선 발광 다이오드.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 전극은 상기 투명 전극위에 형성된 반사 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  6. 청구항 3에 있어서,
    상기 전극은 상기 투명 전극과 상기 제2 도전형 반도체층사이에 형성된 반사 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  7. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
    상기 반사 구조는 Al을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 활성층은 1nm 내지 400nm의 피크 파장을 가지는 자외선광을 방출하도록 이루어진 화합물 반도체 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 활성층은 200nm 내지 350nm의 피크 파장을 가지는 자외선광을 방출하도록 이루어진 화합물 반도체 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 개구부는,
    아일랜드들의 행렬 구조 또는 복수개의 라인들 또는 메쉬 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 개구부의 바닥면에 형성된 반사구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 개구부의 바닥면에 형성된 상기 반사 구조는 분포 브래그 반사기인 자외선 발광 다이오드.
  13. 기판위에 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제2 도전형 반도체층위에 전극을 형성하는 단계; 및;
    상기 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층, 및 상기 전극의 적어도 일부를 제거하여 상기 제1 도전형 반도체층의 일부가 노출된 개구부를 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 활성층은 자외선광을 방출하며, 상기 개구부를 통해 상기 자외선광이 방출되는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 전극은 상기 자외선광을 반사시키는 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조 방법.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 전극은 상기 제2 도전형 반도체층위에 형성된 투명 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조 방법.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 전극은 상기 투명 전극위에 형성된 반사 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조 방법.
  17. 청구항 15에 있어서,
    상기 전극은 상기 투명 전극과 상기 제2 도전형 반도체층사이에 형성된 반사 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조 방법.
  18. 청구항 15에 있어서,
    상기 투명 전극은 Ni/Au, ITO, ZnO, SnO, NiO, GaO 중 적어도 하나를 포함하는 자외선 발광 다이오드의 제조 방법.
  19. 청구항 13에 있어서,
    상기 개구부의 바닥면에 반사구조를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 발광 다이오드의 제조 방법.
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