JP2009057582A - 配線及び層間接続ビアの形成方法 - Google Patents
配線及び層間接続ビアの形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009057582A JP2009057582A JP2007223617A JP2007223617A JP2009057582A JP 2009057582 A JP2009057582 A JP 2009057582A JP 2007223617 A JP2007223617 A JP 2007223617A JP 2007223617 A JP2007223617 A JP 2007223617A JP 2009057582 A JP2009057582 A JP 2009057582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- groove
- wiring
- interlayer connection
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
- C23C18/1608—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning from pretreatment step, i.e. selective pre-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1806—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by mechanical pretreatment, e.g. grinding, sanding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1837—Multistep pretreatment
- C23C18/1844—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
- C23C18/22—Roughening, e.g. by etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/04—Electroplating with moving electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
【解決手段】電気めっきで使用するめっき液に、添加剤を添加する。添加剤は、めっき反応を抑制する機能を有するが、めっき反応の進行と共に、めっき反応を抑制する機能が減少する特性を有する。添加剤は、金属の析出過電圧を大きくする機能を有するが、反応の進行と共に、金属の析出過電圧を小さくする特性を有する。それによって、基板に形成した溝及び凹部に選択的に金属を析出させることができる。基板上に配線又は層間接続ビアを形成するとき、所定の表面粗さを有する溝及び凹部を基板に形成する。
【選択図】図1
Description
本発明によると、電気めっきで使用するめっき液の分極曲線において、電位が第1の電位E1と第2の電位E2の間にあるとき、回転数が1000rpmのとき、電位をより負へシフトさせると、電流密度は急激に増加する。電位が、第1の電位E1と第2の電位E2の間にあるとき、回転数が1000rpmのときの分極曲線は、回転数がゼロのときの分極曲線と交差する。
A-1:2-[(1,3-Dihydro-1,3,3-trimethyl-2H-indol-2-ylidene)-methyl]-1,3,3-trimethyl-3H-indolium perchlorate
A-2:2-[3-(1,3-Dihydro-1,3,3-trimethyl-2H-indol-2-ylidene)-1-propenyl]-1,3,3-trimethyl-3H-indolium chloride
A-3:2-[5-(1,3-Dihydro-1,3,3-trimethyl-2H-indol-2-ylidene)-1,3-pentadienyl]-1,3,3-trimethyl-3H-indolium iodide
A-4:2-[7-(1,3-Dihydro-1,3,3-trimethyl-2H-indol-2-ylidene)-1,3,5-heptatrienyl]-1,3,3-trimethyl-3H-indolium iodide
B:3-Ethyl-2-[5-(3-ethyl-2(3H)-benzothiazolylidene)-1,3-pentadienyl]benzothiazolium iodide
C:Janus Green B
JISB0601で規定する算術平均粗さRa、及び、JISB0601で規定する粗さ曲線要素の平均長さRSmは、第1の金属層を形成した後に測定した、基板上の溝及び凹部における表面粗さの測定値である。
図1を参照して、本発明による配線の形成方法を説明する。ここでは、本願の発明者による実施例1を説明する。図1(a)に示すように、基板1として、厚さ25μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製カプトンEN)を用意した。
図2を参照して、本発明による層間接続ビアの形成方法を説明する。ここでは、本願の発明者による実施例2を説明する。図2(a)に示すように、基板1として、厚さ25μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製カプトンEN)を用意し、その表面に、厚さ12μmの銅箔5を貼り付けた。
図3を参照して、本発明による層間接続ビアの形成方法を説明する。ここでは、本願の発明者による実施例3を説明する。実施例3は、銅箔の粗化処理工程をレジスト凹部形成後に行ったこと以外は実施例2と同様である。図3(a)に示すように、基板1として、厚さ25μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製カプトンEN)を用意し、その表面に、厚さ12μmの銅箔5を貼り付けた。
図4を参照して、本発明による配線の形成方法を説明する。ここでは、本願の発明者による実施例4を説明する。図4(a)に示すように、基板1として、厚さ50μmのポリイミドフィルム(宇部興産社製ユーピレックス)を用意した。
図5を参照して、本発明による配線及び層間接続ビアの形成方法を説明する。ここでは、本願の発明者による実施例5を説明する。図5(a)に示すように、基板1として、厚さ100μmのポリエチレンテレフタラートフィルム(帝人デュポンフィルム社製テフレックス)を用いた。このフィルムは銅箔5を含む。
再び、図1を参照して、本発明による配線の形成方法を説明する。ここでは、本願の発明者による実施例6を説明する。図1(a)に示すように、基板1として、厚さ50μmの液晶ポリマーフィルム(ジャパンゴアテックス社製BIAC)を用意した。
再び、図1を参照して、本発明による配線の形成方法を説明する。ここでは、本願の発明者による実施例7、8を説明する。実施例7〜8は、添加剤の種類、添加剤の濃度、及び、めっき電流密度が、実施例1とは異なるが、それ以外は、実施例1と同様である。めっき条件は図8に示した通りである。
比較例1は、めっき液中に添加剤を含まないこと以外は実施例1と同様である。めっき条件は図8に示した通りである。電気銅めっき後に配線断面観察を行った。比較例では、溝3a内における銅めっき膜厚T1は、2.1μmであった。また、溝3a以外の領域3cにおける銅めっき膜厚T3は、2.2μmであった。比較例では、銅めっき膜は、基板上の溝3aと溝3a以外の領域3cにて殆ど均一に成長した。即ち、基板の表面にて、溝3aと殆ど同一厚さの銅が析出したことが判った。
Claims (14)
- 基板の表面に、配線パターンに対応した溝を形成し、層間接続ビアを形成すべき位置に凹部を形成する溝及び凹部形成工程と、前記溝及び前記凹部が形成された基板の表面に電気めっきの下地である第1の金属層を形成する下地形成工程と、電気めっきによって前記溝及び前記凹部に第2の金属層を形成する電気めっき工程と、を有し、前記電気めっき工程に用いるめっき液には、めっき反応を抑制する機能を有し、めっき反応の進行と共に、該めっき反応を抑制する機能が減少する特性を有する添加剤が添加されていることを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記添加剤は、金属の析出過電圧を大きくする機能を有することを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記めっき液は、ディスク電極の回転数毎に、ディスク電極の電位と電流密度の関係を示す分極曲線を求めると、第1の電位の領域において、ディスク電極の回転数が1000rpmのときの電流密度は、ディスク電極の回転数がゼロのときの電流密度より小さくなり、前記第1の電位の領域より負である第2の印加電位の領域において、ディスク電極の回転数が1000rpmのときの電流密度は、ディスク電極の回転数がゼロのときの電流密度より大きくなる特性を有することを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記めっき液は、ディスク電極の回転数毎に、ディスク電極の電位と電流密度の関係を示す分極曲線を求めると、電位が標準水素電極電位に対して+100〜200mVの範囲では、ディスク電極の回転数が1000rpmのときの電流密度は、ディスク電極の回転数がゼロのときの電流密度の1/100以下となり、電位が、標準水素電極電位に対して-100mVより負の範囲では、ディスク電極の回転数が1000rpmのときの電流密度は、ディスク電極の回転数がゼロのときの電流密度より大きくなる特性を有することを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記めっき液は、酸性硫酸銅液であり、前記第2の金属層は銅によって形成されていることを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記第1の金属層は、銅、ニッケル、コバルト、クロム、タングステン、パラジウム、チタンまたはニッケル、コバルト、クロム、タングステン、パラジウム、チタン、又は、これらの少なくとも1つを含む合金によって形成されていることを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記溝及び前記凹部のみに粗面化処理が施されていることを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記下地形成工程の後であって且つ前記電気めっき工程の前において、前記溝及び前記凹部におけるJISB0601で規定される算術平均粗さRaは、前記溝及び前記凹部以外の領域におけるJISB0601で規定される算術平均粗さRaより大きいことを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記下地形成工程の後であって且つ前記電気めっき工程の前において、前記溝及び前記凹部におけるJISB0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmは、前記溝及び前記凹部以外の領域におけるJISB0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmより小さいことを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記下地形成工程の後であって且つ前記電気めっき工程の前において、前記溝及び前記凹部におけるJISB0601で規定される算術平均粗さRaは、前記溝及び前記凹部以外の領域におけるJISB0601で規定される算術平均粗さRaの10倍以上であり、前記溝及び前記凹部におけるJISB0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmは、前記溝及び前記凹部以外の領域におけるJISB0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmの1/10倍以下であることを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記下地形成工程の後であって且つ前記電気めっき工程の前において、前記溝及び前記凹部におけるJISB0601で規定される算術平均粗さRaは0.01〜4μmであり、前記溝及び前記凹部におけるJISB0601で規定される粗さ曲線要素の平均長さRSmは0.005〜8μmであることを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記溝及び凹部形成工程では、前記基板上に前記溝と前記凹部を同時に形成することを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
- 請求項1記載の配線及び層間接続ビアの形成方法において、前記溝及び前記凹部は、フォトリソグラフィー法、レーザ照射法、ナノインプリント法のいずれかによって形成されたことを特徴とする配線及び層間接続ビアの形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007223617A JP4682285B2 (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 配線及び層間接続ビアの形成方法 |
TW097129857A TWI358980B (en) | 2007-08-30 | 2008-08-06 | Production method for wiring and vias |
US12/190,610 US20090057156A1 (en) | 2007-08-30 | 2008-08-13 | Production method for wiring and vias |
KR1020080080830A KR101030688B1 (ko) | 2007-08-30 | 2008-08-19 | 배선 및 층간 접속 비아의 형성방법 |
CN2008102110975A CN101378632B (zh) | 2007-08-30 | 2008-08-20 | 配线及层间连接通孔的形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007223617A JP4682285B2 (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 配線及び層間接続ビアの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009057582A true JP2009057582A (ja) | 2009-03-19 |
JP4682285B2 JP4682285B2 (ja) | 2011-05-11 |
Family
ID=40405695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007223617A Expired - Fee Related JP4682285B2 (ja) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | 配線及び層間接続ビアの形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090057156A1 (ja) |
JP (1) | JP4682285B2 (ja) |
KR (1) | KR101030688B1 (ja) |
CN (1) | CN101378632B (ja) |
TW (1) | TWI358980B (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101051551B1 (ko) | 2009-10-30 | 2011-07-22 | 삼성전기주식회사 | 요철 패턴을 갖는 비아 패드를 포함하는 인쇄회로기판 및 그 제조방법 |
JP6005517B2 (ja) * | 2010-10-22 | 2016-10-12 | ソニー株式会社 | パターン基体およびその製造方法ならびに情報入力装置および表示装置 |
KR101797651B1 (ko) * | 2011-06-15 | 2017-11-15 | 미래나노텍(주) | 터치스크린 패널용 배선 전극 및 이를 구비하는 터치스크린 패널 |
CN103327754A (zh) * | 2012-03-20 | 2013-09-25 | 景硕科技股份有限公司 | 线路积层板的多层线路结构的制作方法 |
US20140284084A1 (en) * | 2013-03-20 | 2014-09-25 | Ronald Steven Cok | Optically diffuse micro-channel |
CN104582296A (zh) * | 2014-12-26 | 2015-04-29 | 上海蓝沛新材料科技股份有限公司 | 一种基于微纳米压印和加成法技术的双层线路板及其制备方法 |
JP6265163B2 (ja) * | 2015-04-02 | 2018-01-24 | トヨタ自動車株式会社 | 配線パターンの形成方法および配線パターン形成用のエッチング処理装置 |
CN108604575B (zh) * | 2016-03-31 | 2023-05-26 | 伊雷克托科学工业股份有限公司 | 用于导电电镀的镭射种晶 |
JP6861610B2 (ja) * | 2017-11-07 | 2021-04-21 | 株式会社荏原製作所 | めっき解析方法、めっき解析システム、及びめっき解析のためのコンピュータプログラム |
CN110730575A (zh) * | 2019-10-18 | 2020-01-24 | 苏州浪潮智能科技有限公司 | 一种实心过孔制造方法 |
JP7414597B2 (ja) * | 2020-03-12 | 2024-01-16 | キオクシア株式会社 | 配線形成方法 |
US20230170293A1 (en) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | International Business Machines Corporation | Beol top via wirings with dual damascene via and super via redundancy |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11335888A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-07 | Hitachi Ltd | めっき液およびめっき方法 |
JP2001073183A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-21 | Ebara Corp | 硫酸銅めっき液中のレベラー濃度測定方法 |
JP2002076633A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | 多層配線基板の製造方法及びめっき方法 |
JP2002155390A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Hitachi Ltd | 銅めっき液及びそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2002167689A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-11 | Hitachi Ltd | めっき方法、めっき液、半導体装置及びその製造方法 |
WO2002090623A1 (fr) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Bain galvanoplastique et procede pour substrat de galvanoplastie faisant appel audit bain |
JP2003124214A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Ebara Corp | 配線形成方法及びその装置 |
JP2006009079A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hitachi Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2006037232A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 平滑化剤化合物 |
JP2006152421A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Ebara Corp | 電解めっき装置及び電解めっき方法 |
JP2006206950A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Hitachi Ltd | 金属構造体及びその製造方法 |
JP2006210565A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Hitachi Cable Ltd | 配線板およびその製造方法 |
JP2007138265A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | C Uyemura & Co Ltd | 電気銅めっき浴 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4725339A (en) * | 1984-02-13 | 1988-02-16 | International Business Machines Corporation | Method for monitoring metal ion concentrations in plating baths |
DE19941605A1 (de) * | 1999-09-01 | 2001-03-15 | Merck Patent Gmbh | Galvanisierungslösung für die galvanische Abscheidung von Kupfer |
US6709568B2 (en) * | 2002-06-13 | 2004-03-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for determining concentrations of additives in acid copper electrochemical deposition baths |
JP2006049804A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP4973829B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2012-07-11 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法 |
-
2007
- 2007-08-30 JP JP2007223617A patent/JP4682285B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-06 TW TW097129857A patent/TWI358980B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-08-13 US US12/190,610 patent/US20090057156A1/en not_active Abandoned
- 2008-08-19 KR KR1020080080830A patent/KR101030688B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-08-20 CN CN2008102110975A patent/CN101378632B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11335888A (ja) * | 1998-05-25 | 1999-12-07 | Hitachi Ltd | めっき液およびめっき方法 |
JP2001073183A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-21 | Ebara Corp | 硫酸銅めっき液中のレベラー濃度測定方法 |
JP2002076633A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Toshiba Corp | 多層配線基板の製造方法及びめっき方法 |
JP2002155390A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-31 | Hitachi Ltd | 銅めっき液及びそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2002167689A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-11 | Hitachi Ltd | めっき方法、めっき液、半導体装置及びその製造方法 |
WO2002090623A1 (fr) * | 2001-05-09 | 2002-11-14 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Bain galvanoplastique et procede pour substrat de galvanoplastie faisant appel audit bain |
JP2003124214A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Ebara Corp | 配線形成方法及びその装置 |
JP2006009079A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hitachi Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2006037232A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 平滑化剤化合物 |
JP2006152421A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Ebara Corp | 電解めっき装置及び電解めっき方法 |
JP2006206950A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Hitachi Ltd | 金属構造体及びその製造方法 |
JP2006210565A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Hitachi Cable Ltd | 配線板およびその製造方法 |
JP2007138265A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | C Uyemura & Co Ltd | 電気銅めっき浴 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090023126A (ko) | 2009-03-04 |
JP4682285B2 (ja) | 2011-05-11 |
TWI358980B (en) | 2012-02-21 |
TW200917921A (en) | 2009-04-16 |
KR101030688B1 (ko) | 2011-04-22 |
US20090057156A1 (en) | 2009-03-05 |
CN101378632A (zh) | 2009-03-04 |
CN101378632B (zh) | 2011-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4682285B2 (ja) | 配線及び層間接続ビアの形成方法 | |
US20060163725A1 (en) | Wiring board and production method thereof | |
KR101339598B1 (ko) | 2층 플렉시블 기판, 및 그 제조에 이용하는 구리전해액 | |
TWI358246B (en) | Printed wiring board, its preparation and circuit | |
JP2010010500A (ja) | 銅回路部品およびその製造方法 | |
CN1819746A (zh) | 配线电路基板及其制造方法 | |
US20100181100A1 (en) | Copper circuit wiring board and method for manufacturing the same | |
JP2005256178A (ja) | 微細孔および/または微細溝を有する基材の孔埋めめっき方法 | |
JP3728572B2 (ja) | 配線基板の製造方法 | |
KR100964030B1 (ko) | 알루미늄 호일을 이용한 관통형 전극 형성방법 | |
TW201924929A (zh) | 陶瓷元件及其製造方法 | |
CN1831205B (zh) | 金属结构体及其制造方法 | |
JP2007335470A (ja) | 導体パターン形成方法 | |
JP4345742B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP2005166917A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
EP1587348A1 (en) | Conductive base board | |
JP4857832B2 (ja) | 電子回路基板及びその製造方法 | |
JP2005166910A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
TWI630856B (zh) | 配線用基板之製造方法 | |
JP2008263026A (ja) | Cof配線基板およびその製造方法 | |
JP2006339483A (ja) | 配線基板の製造方法及び配線基板 | |
TWI275668B (en) | Electroplating method | |
JP2004186597A (ja) | 半導体装置用テープキャリアの製造方法 | |
JP2003229668A (ja) | 多層配線装置の製造方法 | |
JP2008088521A (ja) | 深さの異なるビアへのめっき充填方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090406 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090915 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100430 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101115 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |