JP2009055664A - 3レベル電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数相の3レベル変換回路と複数のフィルタコンデンサとを備え、前記3レベル変換回路を構成するスイッチング素子及び結合ダイオード素子を全相共通の冷却体受熱部505に装着し、積層配線部503により前記各素子の端子間を接続すると共に、積層配線部503に近接して配置されたフィルタコンデンサを3レベル変換回路の直流電源端子に接続してなる3レベル電力変換装置において、各相のフィルタコンデンサを正,負アーム側に分けて配置し、各アーム側において、各フィルタコンデンサ41〜43,51〜53の同一極性の端子同士を直流電源端子に接続するための各2個の平板導体101,102及び103,104を、絶縁板501,502を挟んで積層して配置する。
【選択図】図1
Description
図10は、最近の代表的な交流電車の主回路構成を示している。図において、PTはパンタグラフ、HBは高速度遮断器、MTrは主変圧器、wg11は1次巻線、wg21,wg22,wg23は2次巻線である。
なお、図10において、QはIGBT等のスイッチング素子、DCは結合ダイオード、CFはフィルタコンデンサ、EPは直流正電源電圧、ECは同中性点電圧、ENは同負電源電圧を示す。
すなわち、3相インバータであれば、3個のユニットで1台のインバータを構成する方法が採られる。従って、図10に示したようなフィルタコンデンサCFも、相ごとに分けてそれぞれ別ユニット内に設けられる。
この従来技術では、IGBTモジュール、クランプダイオード(ダイオードモジュール)、スナバ抵抗器等が冷却体の受熱部材上に取り付けられ、フィルタコンデンサを支持枠により受熱部材と離れた位置に配置する構造が採られている。
しかし、この従来技術は、もっぱら2レベル電力変換装置、すなわち正負の直流電源を備えた電力変換装置を対象としており、3レベル電力変換装置における各相間の転流電流の分流抑制や、正側アーム、負側アームの配線構造の均一性等を考慮した対策については言及されていない。
図11において、Pは直流正電源端子、Cは中性点電源端子、Nは直流負電源端子、U,V,Wは各相の交流出力端子、QU1,QU2,QV1,QV2,QW1,QW2,QX1,QX2,QY1,QY2,QZ1,QZ2は図10のスイッチング素子Qに相当するIGBTモジュール、DU,DV,DW,DX,DY,DZは図10の結合ダイオードDCに相当するダイオードモジュール、CFU,CFX,CFV,CFY,CFW,CFZは図10のフィルタコンデンサCFに相当するフィルタコンデンサである。
上記転流電流の経路のインダクタンス、すなわち、転流回路のインダクタンスと転流電流により発生するサージ電圧とを極力小さくするためには、IGBTモジュール、ダイオードモジュール及びフィルタコンデンサの配置とそれらの間の配線について充分に検討し、上記インダクタンスを最小化するような設計がなされなければならない。
このとき、QU1またはDUには、回路のインダクタンスに起因するサージ電圧が発生する。
このとき,QX2またはDXには、回路のインダクタンスに起因するサージ電圧が発生する。
更に、経路iと経路iii、経路iiと経路ivを見ると、それぞれ、中性点電源端子Cが接続された線(中性点電圧ECの線)を中心線として対称になっているので、正負アームの転流回路が有するインダクタンスの偏差を極力小さくするためには、各経路上のIGBTモジュール、ダイオードモジュール、フィルタコンデンサ、及び電源端子P,C,N、交流出力端子U,V,W、配線用部材等の配置に関して、幾何学的な意味で対称的であることが望ましい。
このうち、特許文献4に係る3レベル電力変換装置は、正側アーム、負側アームの両方においてスイッチング素子、結合ダイオード及び直流電圧源をほぼ直線上に配置し、各スイッチング素子及び結合ダイオードの全ての接続部を同一方向に突出させ、この方向と直交し、かつ互いに絶縁された複数の平板状の配線板を用いて、前記接続部間の所定の接続を行うように構成されている。
また、特許文献2においても、スイッチング素子とフィルタコンデンサとの間の配線長に起因するインダクタンスが大きくなるという問題がある。このインダクタンスはスイッチング動作に伴って大きなサージ電圧を発生させ、素子を破壊する原因となるが、サージ電圧吸収用にスナバ回路を追加すると、スナバ回路の構成部品によってインバータやコンバータのユニットが大形化し、結果的に装置全体が大形化し、重量増加の原因となる。
(1)フィルタコンデンサを含んだスイッチング素子周りの配線の低インダクタンス化
(2)フィルタコンデンサの配線構造の合理化(部品点数の削減、部品の共通化等)
(3)各相の直流端子及びフィルタコンデンサの両極端子の合理的配置
を行い、装置全体の小形化、軽量化を可能にした3レベル電力変換装置を提供することにある。
まず、各相の正側アームのフィルタコンデンサCFU,CFV,CFWの両極端子を、全相分一括して、直流正電源端子P及び中性点電源端子Cに接続される2個の平板導体にそれぞれ接続し、これらの平板導体を絶縁板を介して積層配置する(なお、このような2個の平板導体による積層状の配線構造を重ね配線ともいう)。同様に、負側アームのフィルタコンデンサCFX,CFY,CFZの両極端子を、全相分一括して、中性点電源端子C及び直流負電源端子Nに接続される2個の平板導体にそれぞれ接続し、これらの平板導体を絶縁板を介して積層配置する。
更に、直流正電源端子P、中性点電源端子C及び直流負電源端子Nにそれぞれ接続されるフィルタコンデンサの各電源端子は、各相とも前記幾何学的中心点を中心として対称となるように配置し、各相の交流出力端子U,V,Wは前記幾何学的中心点を含む直線上に配置する。
また、フィルタコンデンサが各アーム当たり複数個のコンデンサユニットにて構成される場合には、各コンデンサユニットの両極端子の配列方向を、積層配線部の表面に対して垂直にする。更に、隣接するコンデンサユニットの両極端子の極性が交互に変わるように配置する。
従って、各アームのスイッチング素子は、スナバ回路を付加しなくても、充分小さいサージ電圧でスイッチングすることができる。更に、2枚重ねの平板導体とこれらに挟まれた絶縁板とは、両アームとも同一形状、同一構造であるから、部品の共通化と部品点数の削減に有効である。
まず、図1は、3相の3レベルインバータの各相について、図12に示した転流回路のインダクタンスを最小化するためのフィルタコンデンサの配置構造及び接続状態を説明するための配線図である。
前記平板導体101には、U,V,W相フィルタコンデンサ直流電源端子111,211,311が設けられ、平板導体102には、U,V,W相フィルタコンデンサ直流電源端子112,212,312が設けられている。
前記平板導体103には、U,V,W相フィルタコンデンサ直流電源端子113,213,313が設けられ、平板導体104には、U,V,W相フィルタコンデンサ直流電源端子114,214,314が設けられている。
また、U,V,W相フィルタコンデンサ直流電源端子112,212,312,113,213,313は、後述する積層配線部503上の導体を介して中性点電源端子Cに接続されている。
更に、各相3レベル変換回路1,2,3の正側アームと負側アームとの接続点は、U,V,W相交流出力端子115,215,315となっている。
図2(a)において、CLU,CLV,CLWは、それぞれ正側アーム用U,V,W相フィルタコンデンサ41,42,43、負側アーム用U,V,W相フィルタコンデンサ51,52,53の中心を通るU,V,W相中心線であり、CLCは正負アームの中間点を通る中間線である。また、平板導体101〜104及び各相の電源端子111〜114,211〜214,311〜314は、各端子の位置関係を明示するため上下方向に離れた位置に描かれているが、実際は正負アーム中間線CLCに近接して配置される。特に、平板導体101,102及び103,104は、それぞれ2枚重ねされて積層構造となっている。
更に、電源端子111〜114,211〜214,311〜314については各相ともに、その相の中心線と正負アーム中間線CLCとの交点を中心にして点対称となるように、例えばU相の場合、電源端子111,112と電源端子114,113とは、U相中心線CLUと正負アーム中間線CLCとの交点を中心にして点対称となるように配置されている。
交流出力端子115,215,315を上記の位置に配置することにより、積層配線部503上の出力電流を平面的に平準化することができる。
図3に示すように、積層配線部503の裏面において、交流出力端子115,215,315を正負アーム中間線CLCと各相中心線CLU,CLV,CLWとの交点にそれぞれ配置し、広幅導体510を相間の隙間から上面に出して重ね配線することにより、電源端子111,211,311,112,113,212,213,312,313,114,214,314と各電源端子P,C,Nとを接続する広幅導体511と区分可能としている。
ここで、図4に示す平板導体101,102を平板導体の第1実施例というものとする。
このことは、後述する平板導体の第2実施例〜第4実施例においても同様である。
ここで、平板導体による重ね配線構造及び転流電流の流れは正側、負側で全く同様であるため、以下では正側アームについて平板導体101,102による重ね配線の特徴を説明する。
更に、端子Bと平板導体101との間の耐圧、端子Aと平板導体102との間の耐圧にそれぞれ充分耐えるように空間距離を保有させるための孔101a,102aが、平板導体101,102に設けられている。
正電源用の平板導体101には、前記積層配線部503の正電源端子Pに接続される電源端子111,211,311が、中性点電源用の平板導体102には、積層配線部503の中性点電源端子Cに接続される電源端子112,212,312がそれぞれ設けられている。
前述したように、負側アームは正側アームと対称的に配置・配線されているので、図12(a),(b)における負側アームのフィルタコンデンサの転流電流の経路ii,iiiについても、正側アームと同様に説明可能である。
また、以下に説明する第2〜第4実施例においても転流電流を単線で示すが、実際の電流はコンデンサ端子と電源端子との幾何学的配置関係によって決まる幅状電流となる。
すなわち、図6では、各電源端子111〜312の近傍に切り欠き部Cut1,Cut2を設けることにより、平板導体101A,102Aの各相間下部の分流電流の経路を遮断するようにした。
このように切り欠き部Cut1,Cut2によって平板導体101B,102Bの各相間に空隙部を形成することにより、分流電流がペアとなって重なって流れるのを抑制することができる。
なお、図8においても、図7と同様に分流電流を抑制するための切り欠き部Cut1,Cut2が、平板導体101C,102Cの各相間に形成されている。
フィルタコンデンサ41〜43を構成するコンデンサユニット411,412、421,422、431,432は、それぞれ異極性の端子A,Bが隣り合うように順次配置されているため、上側の端子を流れる電流と下側の端子を流れる電流とが逆向きになり、これらの電流がペアを構成して重なって流れることになるので、配線のインダクタンスが効果的に低減されることになる。
2:V相3レベル変換回路
3:W相3レベル変換回路
4:正側アーム用フィルタコンデンサ接続回路
5:負側アーム用フィルタコンデンサ接続回路
11〜14:U相IGBTモジュール
21〜24:V相IGBTモジュール
31〜34:W相IGBTモジュール
15,16:U相ダイオードモジュール
25,26:V相ダイオードモジュール
35,36:W相ダイオードモジュール
41,42,43:正側アーム用U,V,W相フィルタコンデンサ
51,52,53:負側アーム用U,V,W相フィルタコンデンサ
101,102,101A,102A,101B,102B,101C,102C:正側アーム用フィルタコンデンサ接続平板導体
101a,102a:孔
103,104:負側アーム用フィルタコンデンサ接続平板導体
(101:正電源平板導体,104:負電源平板導体,102,103:中性点電源平板導体)
111〜114:U相フィルタコンデンサ直流電源端子
211〜214:V相フィルタコンデンサ直流電源端子
311〜314:W相フィルタコンデンサ直流電源端子
115:U相出力端子
215:V相出力端子
315:W相出力端子
411,412,421,422,431,432:コンデンサユニット
501,502:絶縁板
503:積層配線部
503a:凸部
504:モジュール取付部
505:冷却体受熱部
510,511:広幅導体
P,C,N:電源端子
U,V,W:交流出力端子
A,B:端子
CLC:正負アーム中間線
CLU:U相中心線
CLV:V相中心線
CLW:W相中心線
Cut1,Cut2:切り欠き部
Claims (6)
- 複数相の3レベル変換回路と、これらの3レベル変換回路に対応して設けられた複数のフィルタコンデンサとを備え、
前記3レベル変換回路を構成するスイッチング素子及び結合ダイオード素子を全相共通の冷却体受熱部に装着し、導体相互間に絶縁板を挟んで形成した積層配線部により前記各素子の端子間を接続すると共に、前記積層配線部に近接して配置された前記フィルタコンデンサを前記3レベル変換回路の直流端子に接続してなる3レベル電力変換装置において、
各相の前記フィルタコンデンサを正アーム側及び負アーム側に分けて配置し、各アーム側において、各フィルタコンデンサの同一極性の端子同士を前記直流端子に接続するための2個の平板導体を、絶縁板を挟んで積層して配置したことを特徴とする3レベル電力変換装置。 - 請求項1に記載した3レベル電力変換装置において、
前記積層配線部は、正側アームと負側アームとの間で前記各素子とは反対側に突出した凸部を備え、この凸部の表面に前記3レベル変換回路の各相直流端子が、裏面には交流端子が、正側アームと負側アームとの中間線上の特定点を中心として対称の位置に配置され、前記各相直流端子をそれぞれ対応する前記平板導体に接続したことを特徴とする3レベル電力変換装置。 - 請求項1または請求項2に記載した3レベル電力変換装置において、
正アーム側及び負アーム側の前記平板導体並びに前記絶縁板が、同一形状、同一構造であることを特徴とする3レベル電力変換装置。 - 請求項2または請求項3に記載した3レベル電力変換装置において、
前記平板導体に、ある相の直流端子から他相のフィルタコンデンサの端子に流れる分流電流を低減させるための切り欠き部を設けたことを特徴とする3レベル電力変換装置。 - 請求項1〜4の何れか1項に記載した3レベル電力変換装置において、
フィルタコンデンサが各アーム当たり1個で構成される場合に、各フィルタコンデンサの両極端子の配列方向を、前記積層配線部の表面に対して平行にしたことを特徴とする3レベル電力変換装置。 - 請求項1〜4の何れか1項に記載した3レベル電力変換装置において、
フィルタコンデンサが各アーム当たり複数個のコンデンサユニットにて構成される場合に、各コンデンサユニットの両極端子の配列方向を、前記積層配線部の表面に対して垂直にしたことを特徴とする3レベル電力変換装置。
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