JP2009048143A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】液晶装置は、素子基板１２と対向基板１３との間に液晶層１５が挟まれた構造となっている。素子基板１２の液晶層１５側には、液晶層１５を構成する液晶分子の配向を規制する第１配向膜２７が形成されている。一方、対向基板１３側には、第２配向膜２９が形成されている。第１配向膜２７及び第２配向膜２９は、水分などを吸着させる空孔４８を有する無機の多孔質膜から構成されている。この多孔質膜の表面に対して斜め方向からイオンビームを照射することによって、表面に空孔４８の構造を露出させると共に、液晶分子を配向させる溝部４５が形成される。
【選択図】図３

Description

本発明は、液晶分子の配向を規制する配向膜を有する液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器に関する。
上記した液晶装置は、例えば、液晶プロジェクタのライトバルブなどに用いられ、一対の基板と、シール材を介して一対の基板の間に挟持された液晶層とを有する。一対の基板の液晶層側には、液晶層を構成する液晶分子の配向を規制する配向膜が形成されている。配向膜は、例えば、ポリイミドなどの有機膜が使用されている。
このような構成の液晶装置において、例えば、シール材等から一対の基板の間に水分、不純物イオン、極性物質などが侵入する。これにより、例えば、液晶プロジェクタの光源からの強い光によって、配向膜や液晶の劣化を促進する。加えて、これら不純物などによって保持容量を低下させる、更に、抵抗が減少し電流が増加すると表示不良が発生する、といった問題がある。そこで、配向膜などに、例えば、特許文献１に記載のように、多孔性の無機微粒子を分散させて、侵入した水分、不純物イオン、極性物質などを吸着させている。
特開平３−２３３４２８号公報
しかしながら、微粒子の周囲にある液晶の配向性が悪く、これにより、例えば、黒を表示した際に光抜けなどの表示不良（コントラストの低下）が発生するという問題がある。特に、液晶プロジェクタにおいて、拡大表示した画像の表示不良が目立つ。更に、液晶層の狭層化によって、微粒子径より液晶層の厚みの方が小さくなり、無機微粒子が適用できないという問題がある。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、対向する一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の前記液晶層側に設けられた配向膜と、を備え、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた前記配向膜は、表面に空孔が露出すると共に前記液晶層の配向を規制する溝部を有する無機の多孔質膜からなることを特徴とする。
この構成によれば、配向膜が無機の多孔質膜からなると共に、表面に多孔質構造の空孔が露出しているので、一対の基板の間に侵入した水分を吸収（吸着）させやすくすることができる。更に、多孔質構造からなる配向膜により、微粒子などが含まれた構造と比較して、液晶の配向を乱すことなく、光抜けなどの表示不良を防ぐことが可能となり、表示品質（例えば、コントラスト）を向上させることができる。加えて、微粒子などの粒子径に影響を受けないので、液晶層の狭層化に対応することができる。
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記空孔の直径は、前記溝部の幅より小さいことが好ましい。
この構成によれば、空孔の直径が溝部の幅より小さいので、液晶を配向させる規制力を高くすることができる。
［適用例３］本適用例に係る電子機器は、上記した液晶装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、コントラストが向上する等、高品位な表示を行うことが可能な電子機器を提供できる。
［適用例４］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、対向する一対の基板に液晶層が挟持される液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に無機の多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程と、前記多孔質膜の表面に所定の方向からイオンビームを照射し、前記多孔質膜が有する空孔を表面に露出させると共に、前記液晶層の配向を規制する溝部を形成するイオンビーム照射工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、多孔質膜にイオンビームを照射することにより、多孔質膜の表面に空孔が露出した状態で溝部を形成することが可能となる。よって、一対の基板の間に侵入した水分などを吸着することができると共に、液晶分子を所定の方向に配向させるプレチルト角を発現させることができる。更に、多孔質構造からなる配向膜により、微粒子などが含まれた構造と比較して、液晶の配向を乱すことなく、光抜けなどの表示不良を防ぐことが可能となり、表示品質（例えば、コントラスト）を向上させることができる。加えて、微粒子などの粒子径に影響を受けないので、液晶層の狭層化に対応することができる。
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記多孔質膜形成工程は、ゾルゲル法によって前記多孔質膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、例えば、溶液を塗布した後、溶液を焼成することによって配向膜が形成できるので、比較的早く配向膜を形成することができる。
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記多孔質膜形成工程は、蒸着法によって前記多孔質膜を形成することが好ましい。
この方法によれば、例えば、ゾルゲル法と比較して、多孔質膜の膜質の均一性を高くすることができる。
（第１実施形態）
図１は、液晶装置の構造を示す模式図である。（ａ）は、液晶装置の構造を示す模式平面図である。（ｂ）は、（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図１を参照しながら説明する。
図１に示すように、液晶装置１１は、例えば、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子」と称する。）を画素のスイッチング素子として用いたＴＦＴアクティブマトリクス方式の液晶装置である。液晶装置１１は、一対の基板としての素子基板１２と対向基板１３とが、平面視略矩形状枠のシール材１４を介して貼り合わされ、このシール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。なお、液晶層１５を注入及び封止するために、液晶注入口５１と封止材５２が設けられている。
液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１１は、シール材１４の内周側に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の周辺見切り１６が形成されており、この周辺見切り１６の内側の領域が表示領域１７となっている。
表示領域１７内には、画素領域１８がマトリクス状に設けられている。画素領域１８は、表示領域１７の最小表示単位となる１画素を構成している。シール材１４の外側の領域には、データ線駆動回路２１及び外部回路実装端子２２が素子基板１２の一辺（図１における下側）に沿って形成されており、この一辺に隣接する二辺に沿って走査線駆動回路２３がそれぞれ形成されている。素子基板１２の残る一辺（図１における上側）には、素子基板１２の両側の走査線駆動回路２３間を接続する複数の配線２４が形成されている。
一方、対向基板１３の各角部には、素子基板１２と対向基板１３との間の電気的導通をとるための基板間導通材２５が配設されている。液晶装置１１は、例えば、透過型の液晶装置として構成され、素子基板１２の下方（図１（ｂ）における下側）に配置されたバックライト（図示せず）からの光を変調し、対向基板１３側から画像光として射出するようになっている。
また、素子基板１２の内面側（液晶層１５側）には、図１（ｂ）に示すように、複数の画素電極２６が形成されており、これら画素電極２６を覆うように第１配向膜２７が形成されている。画素電極２６は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。一方、対向基板１３の内面側（液晶層１５側）には、周辺見切り１６が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極２８が形成されている。そして、共通電極２８上には、第２配向膜２９が形成されている。共通電極２８は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。なお、上記した液晶装置１１の構成において、絶縁膜として機能する層間絶縁膜などの記載は、図面を含めて省略している。
図２は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の電気的な構成を、図２を参照しながら説明する。
図２に示すように、液晶装置１１は、表示領域１７を構成する複数の画素領域１８を有している。各画素領域１８には、それぞれ画素電極２６が配置されている。また、画素領域１８には、ＴＦＴ素子３１が形成されている。
ＴＦＴ素子３１は、上記したように、画素電極２６へ通電制御を行うスイッチング素子である。ＴＦＴ素子３１のソース側には、データ線３２が電気的に接続されている。各データ線３２には、例えば、データ線駆動回路２１（図１参照）から画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが供給されるようになっている。
また、ＴＦＴ素子３１のゲート側には、走査線３３が電気的に接続されている。走査線３３には、例えば、走査線駆動回路２３（図１参照）から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍが供給されるようになっている。また、ＴＦＴ素子３１のドレイン側には、画素電極２６が電気的に接続されている。
走査線３３から供給された走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３１が一定期間だけオン状態となることで、データ線３２から供給された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎが、画素電極２６を介して画素領域１８に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
画素領域１８に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極２６と共通電極２８との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防止するために、画素電極２６と容量線３４との間に蓄積容量３５が形成されている。
このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて、画像光が生成されるようになっている。
図３は、液晶装置を構成する配向膜を具体的に示す模式図である。（ａ）は模式断面図であり、（ｂ）は模式平面図である。以下、第１配向膜及び第２配向膜について、図３を参照しながら説明する。なお、図３（ａ）に示す液晶装置は、図１（ｂ）に示す液晶装置の構造を簡略化して示している。
図３に示すように、画素電極２６は、素子基板１２上の配線やＴＦＴ素子３１などが形成された回路素子層４１上に形成されている。第１配向膜２７は、この回路素子層４１上に形成されている。詳述すると、第１配向膜２７は、空孔４８を有する無機の多孔質膜から形成されている。無機の多孔質膜としては、例えば、膜質のよい酸化シリコン（ＳｉＯ2）が挙げられる。また、条件によっては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などを用いるようにしてもよい。第１配向膜２７の内面側（液晶層１５側）の表面には、液晶層１５を構成する液晶分子を所定方向に配向させるために配向処理が施されている。
配向処理は、例えば、多孔質膜の表面に対して斜め方向からイオンビームを照射することによって形成することができる。これにより、第１配向膜２７の表面には、素子基板１２の法線方向に対して斜めに傾斜する溝部４５が形成されている。溝部４５は、多孔質膜の表面に複数形成されていると共に、それぞれの形成位置が不規則に形成されている。溝部４５の幅は、液晶を配向させることが可能な大きさに設定され、例えば５０ｎｍに設定してあるため、溝部４５が延びる方向に沿って、液晶分子を配向させることができる。また、イオンビームによって斜め方向に溝部４５を形成することにより、プレチルト角を発現させることができる。
詳述すると、第１配向膜２７の表面は、イオンビームで形成した際にできた一定の方向に延びる（長手方向）溝部４５が形成されている。一定の方向とは、液晶分子の配向を規制する方向である。また、溝部４５は、上記したように一定の方向に傾斜しており、山側４６と、谷側４７とを有する。
また、第１配向膜２７の表面は、多孔質膜を構成する空孔４８が露出している。空孔４８の直径は、溝部４５の幅より小さく形成されている。つまり、空孔４８の直径は、５０ｎｍより小さい直径となっている。なお、空孔４８の直径は、５０ｎｍ以下であると共に、水分やイオンを吸着させる効率面から決定することが望ましい。以上のように、溝部４５の幅が空孔４８の直径より広いので、液晶を配向させる規制力を高めることができる。
一方、第２配向膜２９は、対向基板１３上の共通電極２８上に形成されており、上記した第１配向膜２７と同様の構成となっている。
図４は、液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図である。図５は、液晶装置の製造方法のうち第１配向膜の形成方法を工程順に示す工程図である。以下、液晶装置の製造方法を、図４及び図５を参照しながら説明する。まず、素子基板１２側の製造方法を説明する。
図４に示すように、ステップＳ１１では、ガラスや石英等の透光性材料からなる素子基板１２上に、データ線３２等の配線を形成し、ＴＦＴ素子３１及び画素電極２６を形成する。
ステップＳ１２では、画素電極２６上に第１配向膜２７を形成する。第１配向膜２７の形成方法については、図５に示す工程図に従って説明する。
まず、ステップＳ１２１（多孔質膜形成工程）では、ゾルゲル法を用いて、画素電極２６及び素子基板１２上に無機の多孔質膜を形成する。詳しくは、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなるナノ粒子を有するコロイド溶液を、スピンコート法等により、画素電極２６及び素子基板１２上に塗布する。次に、塗布したコロイド溶液を、例えば、２５０℃の温度で焼成する。以上により、画素電極２６及び素子基板１２上に、例えば、厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍの無機の多孔質膜が形成される。
ステップＳ１２２（イオンビーム照射工程）では、多孔質膜の表面に対して斜め方向からイオンビームを照射する。イオンビーム装置としては、例えば、イオン源の直径が２５０ｍｍであり、フィラメント方式のイオン源を使用することができる。不活性ガスとしては、例えば、アルゴン（Ａｒ+）などを用いることができる。例えば、ＴＮモードの液晶装置１１の場合、アルゴン（Ａｒ+）イオンビームの照射条件は、加速電圧７００ｅＶ、ビーム電流密度１．８ｍＡ／ｃｍ2、照射時間３０秒である。イオンビームの入射方向としては、液晶のダイレクタ方向と同じ方向である。以上により、例えば、斜め方向に傾斜する幅５０ｎｍの溝部４５が形成される。
多孔質膜の表面に対して斜め方向からイオンビームを照射すると、アルゴンイオンによって酸化シリコンを構成する原子が弾き飛ばされ（削られ）、イオンビームの照射方向に沿って溝部４５が形成される。すなわち、多孔質膜の表面が、イオンビームの射出方向に削られた傾斜状態になる（図３参照）。イオンビームで照射することにより、水分などを吸着させる空孔４８が表面に露出した状態で溝部４５を形成することができる。また、ラビング法と比較してムラが生じないので、表示品質を高くすることができる。
以上により、図３に示すような、第１配向膜２７の表面に液晶分子を配向させるための溝部４５が形成されると共に、多孔質膜（第１配向膜２７）を構成する空孔４８が表面に露出した、第１配向膜２７が完成する。
ステップＳ１３では、素子基板１２上に、シール材１４を形成する。詳しくは、素子基板１２上における表示領域１７の周縁部に、表示領域１７を囲むようにエポキシ樹脂等からなるシール材１４を矩形枠状に形成する。このシール材１４は、例えば、ディスペンサ等を用いて、表示領域１７の角部を開始点として一筆書きで形成される。以上により、素子基板１２側が完成する。
次に、対向基板１３側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラスや石英等の透光性材料からなる対向基板１３上に、配線及び共通電極２８を形成する。
ステップＳ２２では、共通電極２８上に第２配向膜２９を形成する。なお、第２配向膜２９の形成方法は、上記した第１配向膜２７の形成方法と同様である。以上により、対向基板１３側が完成する。
ステップＳ３１では、素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１２に形成されたシール材１４を介して互いを貼り合わせる。貼り合わせた後、シール材１４に紫外線を照射することによりシール材１４が硬化する。この状態では、液晶が封入されていない空の構造体が形成される。
ステップＳ３２では、液晶注入口５１から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口５１を封止する。封止には、例えば、樹脂等の封止材５２が用いられる。以上により、液晶装置１１が完成する。
図６は、上記した液晶装置を備えた電子機器の一例として液晶プロジェクタの構成を示す模式図である。以下、液晶装置を備えた液晶プロジェクタの構成を、図６を参照しながら説明する。
図６に示すように、液晶プロジェクタ１０１は、上記した液晶装置１１を含む液晶モジュールを３つ配置し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂとして用いた構造となっている。
詳しくは、メタルハイドロランプ等の白色光源のランプユニット１１２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１３及び２枚のダイクロイックミラー１１４によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ，Ｇ，Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂにそれぞれ導かれる。特に光成分Ｂは、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１５、リレーレンズ１１６、出射レンズ１１７からなるリレーレンズ系１１８を介して導かれる。
ライトバルブ１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分Ｒ，Ｇ，Ｂは、ダイクロイックプリズム１１９により再度合成された後、投射レンズ１２０を介して、スクリーン１２１にカラー画像として投射される。
このような構成の液晶プロジェクタ１０１は、上記した液晶装置１１を含む液晶モジュールを介すことによって、コントラストが向上する等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した液晶装置１１は、上記した液晶プロジェクタ１０１の他、高精細ＥＶＦ（Electric View Finder）、携帯電話機、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、テレビ、車載機器、オーディオ機器などの各種電子機器に用いることができる。
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）第１実施形態によれば、第１配向膜２７及び第２配向膜２９が、無機の多孔質膜からなり、この多孔質膜の表面に対して斜め方向からイオンビームを照射することによって、多孔質膜の表面に空孔４８が露出した状態で溝部４５を形成することができる。空孔４８が表面に露出することにより、素子基板１２と対向基板１３との間に侵入した水分や不純物イオンなどが吸着し易くなる。よって、液晶や第１配向膜２７及び第２配向膜２９が劣化することを抑えることができる。更に、第１配向膜２７及び第２配向膜２９が多孔質構造からなるので、微粒子などが含まれた構造と比較して、液晶の配向を乱すことを防ぐことができる。加えて、イオンビームの照射によって所定の方向に傾斜した溝部４５を形成するので、プレチルト角を発現させることが可能となる。これらにより、光抜けなどの表示不良を防ぐことが可能となり、コントラストなど表示品質を向上させることができる。
（２）第１実施形態によれば、第１配向膜２７及び第２配向膜２９の表面に形成された溝部４５の幅（例えば、５０ｎｍ）より空孔４８の直径が小さいので、液晶分子の配向が乱されず、規制力が低下することを防ぐことができる。
（３）第１実施形態によれば、第１配向膜２７及び第２配向膜２９が多孔質構造からなるので、微粒子を含む構造のように液晶層１５の厚み（セルギャップ）と比べて微粒子の粒子径が大きくなるような不具合がなくなる。よって、液晶装置１１の狭層化に対応することが可能となる。
（４）第１実施形態によれば、第１配向膜２７及び第２配向膜２９を形成するべく多孔質膜を形成するのにゾルゲル法を用いているので、簡便かつ低コストで多孔質膜を製造することができる。
（第２実施形態）
図７は、第２実施形態の液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図である。なお、第２実施形態の液晶装置の製造方法は、第１配向膜及び第２配向膜を形成するための多孔質膜を形成するのにゾルゲル法ではなく蒸着法を用いる部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第２実施形態の液晶装置の製造方法を、図４及び図７を参照しながら説明する。また、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
まず、図４に示すステップＳ１１において、第１実施形態と同様、素子基板１２上にデータ線３２等の配線を形成し、ＴＦＴ素子３１及び画素電極２６を形成する。次に、ステップＳ１２において、第１配向膜２７を形成する。第２実施形態の第１配向膜２７の形成方法は、図７に示す工程図に従って説明する。
まず、ステップＳ２２１では、蒸着法を用いて、画素電極２６及び素子基板１２上に多孔質膜を形成する。ターゲット材料としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ2）で構成されたものが用いられる。多孔質膜の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍである。
ステップＳ２２２では、多孔質膜の表面にイオンビームを照射する。イオンビーム照射装置としては、第１実施形態と同様、例えば、イオン源の直径が２５０ｍｍであり、フィラメント方式のイオン源を使用することができる。例えば、ＴＮモードの液晶装置１１の場合、Ａｒ+イオンビームの照射条件は、加速電圧１２００ｅＶ、ビーム電流密度２．７ｍＡ／ｃｍ2、照射時間３０秒である。
多孔質膜の表面にイオンビームを照射すると、アルゴンイオンによって酸化シリコンを構成する原子が弾き飛ばされ、イオンビームの照射方向に溝部４５が形成される。すなわち、多孔質膜の表面が、イオンビームの射出方向に削られた傾斜状態になる（図３参照）。以上により、図３に示すような、第１配向膜２７の表面に液晶分子を配向させるための溝部４５が形成されると共に、多孔質膜（第１配向膜２７）を構成する空孔４８が表面に露出した、第１配向膜２７が完成する。
この後、第１実施形態と同様に、ステップＳ１３、ステップＳ２１を行う。ステップＳ２２における第２配向膜２９の形成方法としては、上記した第２実施形態のステップＳ２２１及びステップＳ２２２を行って、共通電極２８上に第２配向膜２９を形成する。その後、第１実施形態と同様にステップＳ３１〜ステップＳ３２を行って、第２実施形態の液晶装置１１を完成させる。
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）〜（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
（５）第２実施形態によれば、第１配向膜２７及び第２配向膜２９を蒸着法で製造するので、第１実施形態のゾルゲル法と比較して、多孔質膜の膜質の均一性を高くすることができる。
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
（変形例１）
上記したように、多孔質膜を形成するのにゾルゲル法や蒸着法を用いることに限定されず、多孔質度（空隙度）の高い膜が形成できればよく、それ以外の方法を用いて形成するようにしてもよい。
（変形例２）
上記したように、第１配向膜２７及び第２配向膜２９の両方が無機の多孔質膜からなることに限定されず、例えば、第１配向膜２７又は第２配向膜２９のどちらか一方がポリイミド等からなる有機膜で構成するようにしてもよい。
（変形例３）
上記したように、ＴＮモードの液晶装置１１に限定されず、以下のような形態の液晶装置に適用するようにしてもよい。例えば、傾斜しない平坦な溝部４５を形成した場合、横電界駆動の液晶装置（例えば、ＦＦＳモードやＩＰＳモードの液晶装置）に適用することができる。
第１実施形態に係る液晶装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は液晶装置の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 液晶装置を構成する第１配向膜及び第２配向膜を具体的に示す模式図。 液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図。 液晶装置の製造方法のうち第１配向膜の形成方法を工程順に示す工程図。 電子機器の一例として液晶プロジェクタの構成を示す模式図。 第２実施形態に係る液晶装置の製造方法を工程順に示す工程図。
符号の説明
１１…液晶装置、１２…一対の基板としての素子基板、１３…一対の基板としての対向基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…周辺見切り、１７…表示領域、１８…画素領域、２１…データ線駆動回路、２２…外部回路実装端子、２３…走査線駆動回路、２４…配線、２５…基板間導通材、２６…画素電極、２７…第１配向膜、２８…共通電極、２９…第２配向膜、３１…ＴＦＴ素子、３２…データ線、３３…走査線、３４…容量線、３５…蓄積容量、４１…回路素子層、４５…溝部、４６…山側、４７…谷側、４８…空孔、５１…液晶注入口、５２…封止材、１０１…電子機器としての液晶プロジェクタ、１１１Ｒ，１１１Ｇ，１１１Ｂ…ライトバルブ、１１２…ランプユニット、１１３…ミラー、１１４…ダイクロイックミラー、１１５…入射レンズ、１１６…リレーレンズ、１１７…出射レンズ、１１８…リレーレンズ系、１１９…ダイクロイックプリズム、１２０…投射レンズ、１２１…スクリーン。

Claims (6)

  1. 対向する一対の基板と、
    前記一対の基板に挟持された液晶層と、
    前記一対の基板の前記液晶層側に設けられた配向膜と、を備え、
    前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に設けられた前記配向膜は、表面に空孔が露出すると共に前記液晶層の配向を規制する溝部を有する無機の多孔質膜からなることを特徴とする液晶装置。
  2. 請求項１に記載の液晶装置であって、
    前記空孔の直径は、前記溝部の幅より小さいことを特徴とする液晶装置。
  3. 請求項１又は請求項２に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
  4. 対向する一対の基板に液晶層が挟持される液晶装置の製造方法であって、
    前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板に無機の多孔質膜を形成する多孔質膜形成工程と、
    前記多孔質膜の表面に所定の方向からイオンビームを照射し、前記多孔質膜が有する空孔を表面に露出させると共に、前記液晶層の配向を規制する溝部を形成するイオンビーム照射工程と、
    を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
  5. 請求項４に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記多孔質膜形成工程は、ゾルゲル法によって前記多孔質膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
  6. 請求項４又は請求項５に記載の液晶装置の製造方法であって、
    前記多孔質膜形成工程は、蒸着法によって前記多孔質膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
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