JP2009041081A - 加熱炉および加熱炉の加熱方法 - Google Patents
加熱炉および加熱炉の加熱方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009041081A JP2009041081A JP2007208785A JP2007208785A JP2009041081A JP 2009041081 A JP2009041081 A JP 2009041081A JP 2007208785 A JP2007208785 A JP 2007208785A JP 2007208785 A JP2007208785 A JP 2007208785A JP 2009041081 A JP2009041081 A JP 2009041081A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- heating
- atmospheric pressure
- heating furnace
- heated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 164
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 44
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 18
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 56
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 56
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 38
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 20
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 63
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 25
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 19
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020882 Sn-Cu-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
- B23K1/0016—Brazing of electronic components
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/008—Soldering within a furnace
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K31/00—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups
- B23K31/02—Processes relevant to this subclass, specially adapted for particular articles or purposes, but not covered by only one of the preceding main groups relating to soldering or welding
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
- F27B5/04—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated adapted for treating the charge in vacuum or special atmosphere
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
- F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B5/14—Arrangements of heating devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
- F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B5/16—Arrangements of air or gas supply devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B5/00—Muffle furnaces; Retort furnaces; Other furnaces in which the charge is held completely isolated
- F27B5/06—Details, accessories, or equipment peculiar to furnaces of these types
- F27B5/18—Arrangement of controlling, monitoring, alarm or like devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D19/00—Arrangements of controlling devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D7/00—Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
- F27D7/06—Forming or maintaining special atmospheres or vacuum within heating chambers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】水素減圧炉100は,被加熱体10を収納する処理室1と,ヒータランプ25を収納する加熱室2と,被加熱体10とヒータランプ25とを隔離する石英板3とを有している。水素減圧炉100では,ヒータランプ25からの輻射線によって被加熱体10が輻射加熱される。処理室1および加熱室2には,ともに気体の導入口11,21および排出口12,22が設けられ,気体の導入および排出が可能になっている。そして,被加熱体10の加熱処理時では,気体の出し入れにより,加熱室2が処理室1に対して正圧となるように各室の雰囲気圧力を調節する。
【選択図】 図1
Description
(1)水素もしくは水素と不活性ガスとの混合ガスと,着火源となるヒータランプとの隔離。
(2)減圧下での加熱時におけるヒータランプの放電防止。
(3)処理室内を汚染せずにヒータランプの交換が可能(メンテナンスの容易化)。
(4)処理室の容積低減(ガス使用量の抑制)。
(5)ヒータランプへの不純物(はんだに含まれるフラックス等)の付着防止
(6)ヒータランプからの不純物(ヒータランプの表面をコーティングする反射膜等)に起因する処理室の汚染の抑制。
本形態の水素減圧炉100は,図1に示すように,被加熱体10を収納し,被加熱体10のはんだ付け処理に供する処理室1と,加熱源となるヒータランプ25を収納する加熱室2と,被加熱体10とヒータランプ25とを隔離する石英板3と,処理室1内が所定値以上の雰囲気圧力となった際に開封される安全弁4とを有している。水素減圧炉100では,ヒータランプ25から放射される輻射線によって被加熱体10が輻射加熱される。
本形態の水素減圧炉100を含む加熱制御システムは,図2に示すように,マスフローコントローラ(MFC)66,67と,各種のバルブ63,64,65,66,67,74,75,76,77と,圧力計(PG)71,72と,ポンプ(P)73と,各機器の動作を制御する制御部5とを有している。
続いて,本形態の加熱制御システムを利用したはんだ付け工程の動作手順について説明する。以下,第1の形態を基本例として,第2の形態を応用例として,2つの動作手順を説明する。
まず,ワークである被加熱体10を搬入する前の運転前準備として,処理室1および加熱室2の両室を窒素置換する(ステップ1)。すなわち,ポンプ73によって両室を真空引きする。その後,両室に窒素を導入する。これにより,酸素濃度が10ppm以下となるまで両室内の酸素を除去し,両室が窒素雰囲気となる。
本形態のはんだ付け工程では,加熱室2の雰囲気圧力を,処理室1の雰囲気圧力の変動に追従し,かつ,処理室1に対して常に正圧となるように各室の雰囲気圧力を制御する。この点,精細な圧力制御を行わない第1の形態とは異なる。
10 被加熱体
11 導入口
12 排出口
13 温度計
2 加熱室(第2室)
21 導入口
22 排出口
25 加熱ランプ(加熱源)
3 石英板(隔離部材)
31 シール材
5 制御部
61 マスフローコントローラ
62 マスフローコントローラ
71 圧力計(第1圧力計)
72 圧力計(第2圧力計)
78 水素検知器(気体検知部)
100 水素減圧炉(加熱炉)
Claims (10)
- 被加熱体を輻射加熱する加熱炉において,
被加熱体を収納し,気体の導入口および排出口を有する第1室と,
前記第1室に隣接し,加熱源を収納し,気体の導入口および排出口を有する第2室と,
前記第1室と前記第2室とを隔離し,前記加熱源からの輻射線を通過させる隔離部材とを備え,
前記第1室および前記第2室の雰囲気および雰囲気圧力を,導入口および排出口を介しての気体の出し入れにより可変とすることを特徴とする加熱炉。 - 請求項1に記載する加熱炉において,
被加熱体の加熱処理時に,前記第1室の雰囲気圧力よりも前記第2室の雰囲気圧力を高くすることを特徴とする加熱炉。 - 請求項1または請求項2に記載する加熱炉において,
前記第1室の加熱処理時に,前記第2室の導入口から排出口に向かう不活性ガスの気流を形成することを特徴とする加熱炉。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載する加熱炉において,
前記第2室内あるいは前記第2室から排出される気体の排出路に位置し,前記第1室に導入される気体である第1の気体を検知する気体検知部を備え,
前記気体検知部によって第1の気体が所定値以上検出された場合に,前記第2室内の第1の気体の含有量の上昇を抑制する安全制御を行うことを特徴とする加熱炉。 - 請求項4に記載する加熱炉において,
前記安全制御は,前記第1室への第1の気体の導入を停止することを特徴とする加熱炉。 - 請求項4に記載する加熱炉において,
前記安全制御は,前記第2室に導入される不活性ガスの流速を上げることを特徴とする加熱炉。 - 請求項1から請求項6のいずれか1つに記載する加熱炉において,
前記第1室の雰囲気圧力を検知する第1圧力計と,
前記第2室の雰囲気圧力を検知する第2圧力計と,
前記第1圧力計の計測結果と前記第2圧力計の計測結果とを基に,前記第1室の雰囲気圧力と前記第2室の雰囲気圧力とを制御する制御部とを備え,
前記制御部は,被加熱体の加熱処理時に,前記第1室の雰囲気圧力よりも前記第2室の雰囲気圧力が高く,前記第1室の雰囲気圧力と前記第2室の雰囲気圧力との差圧が所定値以下となるように制御することを特徴とする加熱炉。 - 被加熱体を収納する第1室と,前記第1室に隣接し,加熱源を収納する第2室と,前記第1室と前記第2室とを隔離し,前記加熱源からの輻射線を通過させる隔離部材とを備え,被加熱体を輻射加熱する加熱炉の加熱方法において,
前記第1室内に被加熱体を搬入する前に,前記第2室内を不活性ガスの雰囲気に置換し,前記第2室の雰囲気圧力を大気圧よりも高くする準備ステップと,
前記第1室内に被加熱体を搬入した後に,前記第1室の雰囲気を所定の圧力となるように減圧する減圧ステップと,
前記第1室内を減圧した後に,被加熱体の温度が所定の温度となるように加熱する加熱ステップとを含むことを特徴とする加熱炉の加熱方法。 - 請求項8に記載する加熱炉の加熱方法において,
前記第2室を所定の雰囲気圧力に保持しつつ,前記第2室の導入口から排出口に向かう不活性ガスの気流を形成するブロー制御ステップを含むことを特徴とする加熱炉の加熱方法。 - 請求項8に記載する加熱炉の加熱方法において,
前記第1室内の雰囲気圧力の変化に連動し,前記第1室の雰囲気圧力よりも前記第2室の雰囲気圧力が高く,前記第1室と前記第2室との雰囲気圧力の差圧が所定値以下となるように各室の雰囲気圧力を制御する差圧制御ステップを含むことを特徴とする加熱炉の加熱方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007208785A JP4974805B2 (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | 加熱炉および加熱炉の加熱方法 |
KR1020097015490A KR101107445B1 (ko) | 2007-08-10 | 2008-08-06 | 가열로 및 가열로의 가열 방법 |
CN2008800037009A CN101600926B (zh) | 2007-08-10 | 2008-08-06 | 加热炉以及加热炉的加热方法 |
PCT/JP2008/064083 WO2009022590A1 (ja) | 2007-08-10 | 2008-08-06 | 加熱炉および加熱炉の加熱方法 |
DE112008000561.3T DE112008000561B4 (de) | 2007-08-10 | 2008-08-06 | Heizofen und Heizverfahren unter Verwendung eines Heizofens |
US12/448,356 US9033705B2 (en) | 2007-08-10 | 2008-08-06 | Heating furnace and heating method employed by heating furnace |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007208785A JP4974805B2 (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | 加熱炉および加熱炉の加熱方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009041081A true JP2009041081A (ja) | 2009-02-26 |
JP4974805B2 JP4974805B2 (ja) | 2012-07-11 |
Family
ID=40350643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007208785A Active JP4974805B2 (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | 加熱炉および加熱炉の加熱方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9033705B2 (ja) |
JP (1) | JP4974805B2 (ja) |
KR (1) | KR101107445B1 (ja) |
CN (1) | CN101600926B (ja) |
DE (1) | DE112008000561B4 (ja) |
WO (1) | WO2009022590A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015520514A (ja) * | 2012-06-18 | 2015-07-16 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 基板処理装置 |
JP2016196966A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | 富士電機機器制御株式会社 | 熱処理装置 |
KR102119402B1 (ko) * | 2019-01-14 | 2020-06-05 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 |
WO2020116771A1 (ko) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9084298B2 (en) * | 2010-02-26 | 2015-07-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus including shielding unit for suppressing leakage of magnetic field |
GB201111735D0 (en) | 2011-07-08 | 2011-08-24 | Rec Wafer Norway As | Furnace for semiconductor material and method |
CN103374698A (zh) * | 2012-04-23 | 2013-10-30 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热腔室以及等离子体加工设备 |
CN102679720B (zh) * | 2012-05-13 | 2014-11-05 | 江苏有能电力自动化有限公司 | 一种容性变压器线圈烧结炉 |
BR102012032031A2 (pt) * | 2012-12-14 | 2014-09-09 | Air Liquide Brasil Ltda | Equipamento portátil para monitoramento e controle do nível de oxigênio em atmosfera de fornos de refusão |
JP5902107B2 (ja) * | 2013-01-24 | 2016-04-13 | オリジン電気株式会社 | 加熱接合装置及び加熱接合製品の製造方法 |
EP2792985B1 (de) * | 2013-04-18 | 2014-11-26 | Amann Girrbach AG | Sintervorrichtung |
EP2792332B1 (de) | 2013-04-18 | 2015-03-11 | Amann Girrbach AG | Anordnung mit zumindest einem zu sinternden Werkstück |
TWI537083B (zh) * | 2014-03-18 | 2016-06-11 | 永發欣業有限公司 | 加熱單元及包含其之真空焊接機 |
DE102014114093B4 (de) * | 2014-09-29 | 2017-03-23 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
DE102014114097B4 (de) | 2014-09-29 | 2017-06-01 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sinterwerkzeug und Verfahren zum Sintern einer elektronischen Baugruppe |
DE102014114096A1 (de) | 2014-09-29 | 2016-03-31 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung |
JP6614755B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-12-04 | 株式会社Fuji | 粘性流体供給装置 |
JP6215426B1 (ja) * | 2016-09-21 | 2017-10-18 | オリジン電気株式会社 | 加熱装置及び板状部材の製造方法 |
WO2019108812A1 (en) * | 2017-11-29 | 2019-06-06 | Decktop Metal, Inc. | Furnace for sintering printed objects |
CN109210940A (zh) * | 2018-11-15 | 2019-01-15 | 开平市佰利丰纺织有限公司 | 一种高效热处理设备 |
CN109631573A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-04-16 | 浙江中晶新能源有限公司 | 一种自动控温的烧结炉 |
CN110394353B (zh) * | 2019-07-31 | 2022-01-18 | 阜新建兴金属有限公司 | 一种固体废弃物的造块方法 |
KR20210001701U (ko) | 2020-01-14 | 2021-07-22 | 고순남 | 골프 스윙 교정장치 |
KR20210001702U (ko) | 2020-01-14 | 2021-07-22 | 고순남 | 골프 연습장치 |
US11317517B2 (en) * | 2020-06-12 | 2022-04-26 | PulseForge Incorporated | Method for connecting surface-mount electronic components to a circuit board |
CN113385763B (zh) * | 2021-07-14 | 2022-08-26 | 成都共益缘真空设备有限公司 | 一种真空回流焊正负压结合焊接工艺 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62130394U (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-18 | ||
JPS6454972U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 | ||
JPH05211391A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-20 | Hitachi Ltd | 高精度はんだ付け方法及び装置 |
JPH07238380A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハチャック装置、半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2004134631A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ランプ熱処理装置 |
JP2005271059A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Toyota Motor Corp | 接合構造体および接合構造体の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5429498A (en) * | 1991-12-13 | 1995-07-04 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment method and apparatus thereof |
JPH06244269A (ja) * | 1992-09-07 | 1994-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置並びに半導体製造装置におけるウエハ真空チャック装置及びガスクリーニング方法及び窒化膜形成方法 |
US5525160A (en) * | 1993-05-10 | 1996-06-11 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Film deposition processing device having transparent support and transfer pins |
JP2705592B2 (ja) * | 1994-10-14 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5777241A (en) * | 1997-02-06 | 1998-07-07 | Evenson; Euan J. | Method and apparatus for sampling and analysis of furnace off-gases |
US6331212B1 (en) * | 2000-04-17 | 2001-12-18 | Avansys, Llc | Methods and apparatus for thermally processing wafers |
JP3910791B2 (ja) * | 2000-09-19 | 2007-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の熱処理方法及び基板の熱処理装置 |
JP3404023B2 (ja) * | 2001-02-13 | 2003-05-06 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | ウエハ熱処理装置及びウエハ熱処理方法 |
JP4781555B2 (ja) | 2001-05-02 | 2011-09-28 | 古河機械金属株式会社 | 有価金属の回収方法 |
JP2005205418A (ja) | 2004-01-20 | 2005-08-04 | Denso Corp | 接合構造体の製造方法 |
JP4710255B2 (ja) | 2004-03-26 | 2011-06-29 | ウシオ電機株式会社 | 加熱ステージ |
JP2007095889A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Ushio Inc | 光照射式加熱方法 |
-
2007
- 2007-08-10 JP JP2007208785A patent/JP4974805B2/ja active Active
-
2008
- 2008-08-06 US US12/448,356 patent/US9033705B2/en active Active
- 2008-08-06 DE DE112008000561.3T patent/DE112008000561B4/de active Active
- 2008-08-06 CN CN2008800037009A patent/CN101600926B/zh active Active
- 2008-08-06 KR KR1020097015490A patent/KR101107445B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-06 WO PCT/JP2008/064083 patent/WO2009022590A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62130394U (ja) * | 1986-02-12 | 1987-08-18 | ||
JPS6454972U (ja) * | 1987-09-30 | 1989-04-05 | ||
JPH05211391A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-20 | Hitachi Ltd | 高精度はんだ付け方法及び装置 |
JPH07238380A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハチャック装置、半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2004134631A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ランプ熱処理装置 |
JP2005271059A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Toyota Motor Corp | 接合構造体および接合構造体の製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015520514A (ja) * | 2012-06-18 | 2015-07-16 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 基板処理装置 |
JP2016196966A (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-24 | 富士電機機器制御株式会社 | 熱処理装置 |
WO2020116771A1 (ko) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 |
KR102119402B1 (ko) * | 2019-01-14 | 2020-06-05 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 |
WO2020149497A1 (ko) * | 2019-01-14 | 2020-07-23 | 주식회사 테스 | 기판처리장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090099072A (ko) | 2009-09-21 |
KR101107445B1 (ko) | 2012-01-19 |
WO2009022590A1 (ja) | 2009-02-19 |
DE112008000561B4 (de) | 2014-12-04 |
US20090325116A1 (en) | 2009-12-31 |
CN101600926A (zh) | 2009-12-09 |
CN101600926B (zh) | 2012-05-09 |
DE112008000561T5 (de) | 2010-06-10 |
US9033705B2 (en) | 2015-05-19 |
JP4974805B2 (ja) | 2012-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4974805B2 (ja) | 加熱炉および加熱炉の加熱方法 | |
US6376804B1 (en) | Semiconductor processing system with lamp cooling | |
KR101925153B1 (ko) | 반도체 기판들을 세정하기 위한 uv 셔터 또는 튜닝가능한 uv 필터로서의 오존 플리넘 | |
CN101772837B (zh) | 载置台构造以及处理装置 | |
US6814572B2 (en) | Heat treating method and heat treating device | |
JPWO2006087777A1 (ja) | 加圧式ランプアニール装置、加圧式ランプアニール処理方法、薄膜及び電子部品 | |
KR20010071982A (ko) | 반도체 처리 시스템의 오존 처리 장치 | |
JP2009144211A (ja) | 処理装置、その使用方法及び記憶媒体 | |
TWI437641B (zh) | 熱處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
US20090064765A1 (en) | Method of Manufacturing Semiconductor Device | |
KR101096601B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2011190511A (ja) | 加熱装置 | |
JP2007142237A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
US6936108B1 (en) | Heat treatment device | |
JP4971954B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および加熱装置 | |
TWI710423B (zh) | 加熱裝置及焊料接合完畢對象物的製造方法 | |
JPH11329350A (ja) | 放電ランプおよびその製造方法 | |
JP2002261038A (ja) | 熱処理装置 | |
JP5366157B2 (ja) | 加圧式ランプアニール装置 | |
JP7487084B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2006186189A (ja) | ガス処理製造装置、ガス処理製造方法 | |
JP3227280B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2005191346A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH07147267A (ja) | 微細配線形成装置 | |
JP2001057153A (ja) | 平面形放電管の製造方法及びその装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120321 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120410 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4974805 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150420 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |